کابل شارژر موبایل و تبدیل usb هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می کند وقتی یکی از خطوط کلمه ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوط عمل می کند تا خط بیت خروجی را Low کند فلش NAND فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می کند اما آن ها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه سازی می کنند تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می شود که تمامی خطوط کلمه ها High شده باشند سپس این گروه ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده اند فلش نند عمودی Vertical NAND در حافظه نند عمودی Vertical NAND سلول های حافظه به طور عمودی روی هم قرار می گیرند با این کار بدون احتیاج به سلول هایی کوچکتر می توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول ها ایجاد کرد ساختار در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده است بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می شود فیلم های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم تر شوند و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند بارهای الکتریکی نمی توانند به طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند در نتیجه سلول های حافظه در لایه های عمودی متفاوت با هم هیچ تداخلی ندارند هر مجموعه عمودی از نظر الکتریکی مشابه گروه های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می شوند می باشد عملکرد از سال 2013 عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نند عمودی با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نند معمولی اتفاق می افتد از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها 50 درصد انرژی مصرفی حافظه نند معمولی تا 10 برابر آن عمر می کند2 ظرفیت فلش مموری در حال حاضر فلش مموری از 4 گیگ تا 2 ترابایت موجود است ظرفیت فلش ها به این ساختار می باشد  4 گیگ  8 گیگ  16 گیگ  32 گیگ  64 گیگ  128 گیگ  256 گیگ  512 گیگ  1024 گیگ و 2048 گیگ که همان دو ترابایت می شود در واقع این اعداد  همان اعداد 2 به توان های مختلف است  2 به توان 2 می شود 4  2 به توان 3 می شود 8  2 به توان 4 می شود 16 و به همین منوال3 معماری حافظه فلش معماری حافظه فلش شامل یک آرایه حافظه است که با تعداد زیادی سلول های فلش جمع شده است سلول اصلی حافظه فلش شامل یک ترانزیستور ذخیره سازی با یک دروازه کنترل و دروازه شناور است که از بقیه ترانزیستور توسط یک ماده دی الکتریک نازک یا لایه اکسید عایق شده است دروازه شناور بار الکتریکی را ذخیره می کند و جریان الکتریکی را کنترل می کند سه نوع مختلف تراشه فلش Single Layer Cell SLC این نوع حافظه در هر سلول یک بیت دارد و از نظر قیمت گران ترین نوع است و از قدرت کمتری برای ذخیره اطلاعات برخوردار است اما قدرت ارسال اطلاعات سریعتری نسبت به بقیه دارد این نوع حافظه برای برنامه های صنعتی و نگه داشتن اطلاعات بسیار مهم مناسب است Multi Layer Cell MLC این نوع حافظه در هر سلول دو مقدار بیت دارد به عبارتی دو برابر نوع قبلی اطلاعات ذخیره می کند این نوع فلش در حافظه های مصرفی معمولی استفاده می شود و و ارزان تر از نوع SLC می باشند که نسبت به آن دارای محدودیت استقامتی کمتر و چرخه نوشتن و پاک کردن کوچکتری است Triple Layer Cell TLC این مدل همانطور که از نام پیداست سه بیت در هر سلول است از نظر قیمت ارزان ترین نوع فلش است و تراکم بالایی دارد با این حال سرعت خواندن و نوشتن و استقامت آن کمتر از انواع دیگر است به طور معمول این نوع فلش برای اطلاعات محدود و غیر مهم استفاده می شوند4 محدودیت های حافظه فلش پاک کردن بلوکی در حافظه فلش هر یک از بیت ها جداگانه قابل برنامه نویسی یا خواندن می باشند اما اگر بخواهیم یک بیت دلخواه را پاک کنیم کّل بلوک پاک می شود یعنی وقتی حتی تنها یک بیت صفر شده است برای یک کردن آن بیت باید کل بلوک را یک کنیم حافظه فلش به طور خاص فلش NOR به ما قابلیت اجرای عملیات دوباره نویسی و پاک کردن همراه با دسترسی تصادفی و دلخواه نمی دهد تحلیل حافظه حافظه فلش تعداد محدودی حلقه نوشتن و پاک کردن را پشتیبانی می کند بیشتر فلش های در دسترس ما به طور تضمینی قبل از اینکه تحلیل رفتن حافظه کیفیت آن را پایین بیاورد حدود 100000 حلقه نوشتن و پاک کردن را پوشش می دهند برای کمتر کردن آثار این مشکل در بعضی از سیستم ها از روشی استفاده می شود که در آن با شمارش تعداد عملیات نوشتن و بازنگاری پویای بلوک ها جهت توزیع عملیات نوشتن در بین بخش های مختلف باعث پایین آمدن سطح تحلیل حافظه می شویم این روش یکسان کردن تحلیل نام گذاری شده است در سال 2012 مهندسان تایوانی در IEEE نشست دستگاه های الکترونی 2012 اعلام کردند که با استفاده از پروسه ای به نام خوداصلاحی موفق شدند تعداد چرخه های حافظه فلش نند را از 10000 به 100 میلیون افزایش دهند نتیجه این پروسه این است که یک تراشه می تواند بارها و بارها پاک و دوباره نویسی شود بدون اینکه از کار بیفتد اختلال در خواندن اختلال در خواندن وقتی اتفاق می افتد که در طول عملیات خواندن یک بیت یا بیشتر تغییر کنند اختلال در خواندن درون بلوکی که در حال خوانده شدن است اما در صفحه یا صفحات دیگر که در حال خوانده شدن نیستند اتفاق می افتد اگر تعداد زیادی عملیات خواندن حدود چند 100000 یا چند میلیون قبل از انجام عملیات پاک کردن انجام دهیم این اختلال ممکن است اتفاق بیفتد بعد از وقوع این اختلال باید بلوکی را که اختلال در آن اتفاق افتاده است را پاک کنیم و دوباره داده ها را در آن بنویسیم5