走査型静電容量顕微鏡法
走査型静電容量顕微鏡法とは原子間力顕微鏡(AFM)の探針を導電性コーティングして半導体表面を走査することで電気容量の変化を測定することによってキャリア分布を二次元的に可視化する手法。半導体にAFMの探針を接触させると接触箇所はMOS構造になり、半導体表面の酸化膜の静電容量Cと半導体の静電容量Cが接続された系とみなされ、これに高周波電圧V(～100kHz)を印加すると探針直下の半導体中のキャリアの振動により合成容量Cが変動する。この変動の大きさは探針直下のキャリア濃度に依存するので探針を走査させながら、合成容量Cの変動⊿Cにより生じる高周波共振器の変調信号を測定することで、キャリアの分布を二次元的に可視化できる。VとVの位相の比較から半導体のP/N極性を判別する。