走査型化学ポテンシャル顕微鏡
測定試料を下部の加熱装置で加熱して探針の電気信号取り出し部の温度より高温に維持することで両者のトンネル接合部に熱勾配を作ることで金属試料と半導体のゼーベック係数はそれぞれ1～10μV/K、100～1000μV/K程度なのでトンネル接合部の表面原子の間の電気化学ポテンシャルはそれぞれ1～10μV、100～1000μVのオーダーで生じるので、探針が原子表面の走査時に局所的な化学ポテンシャルの勾配の変動は、探針-試料間の電圧の変動として測定される。