title: Brücke

text: Bei großen Stützweiten finden sich Freivorbaubrücken, insbesondere zum Überbauen von breiten Gewässern. Dabei wird am frei auskragenden Ende der jeweils folgende Bauabschnitt angefügt. Insbesondere bei Stahlbrücken oder Verbundbrücken kann der Überbau aus Stahl oft mit Hebegeräten wie einem Autokran oder Winden montiert werden.


title: Brücke

text: Daneben gibt es im Spannbetonbau noch die Möglichkeit, eine Brücke mit Fertigteilen zu bauen. Dies geschieht in Deutschland vor allem bei Autobahnüberführungen, bei denen die Brückenträger vorproduziert werden und die Fahrbahnplatte nur noch darauf betoniert werden muss. Dagegen ist außerhalb von Deutschland der Brückenbau mit Fertigteilquerschnittssegmenten sehr weit verbreitet. Dabei wird die Brücke durch das Aneinanderfügen und Verspannen von einzelnen vorproduzierten Querschnittselementen hergestellt. Ein Stahlbetonbogen kann beispielsweise im abgespannten Freivorbau oder mit einem freitragenden Holzlehrgerüst errichtet werden.


title: Brücke

text: Das mittlere Alter der Brücken über Autobahnen und Bundesstraßen in Nordrhein-Westfalen beträgt nach dem Landesbetrieb Straßenbau 32 Jahre und 42 Jahre bei den Brücken über Landesstraßen. Sie haben damit bei einer Lebensdauer von 80 bis 100 Jahren die Hälfte der geplanten Nutzungsdauer erreicht. Allerdings waren sie ursprünglich für eine deutlich geringere Verkehrsbelastung ausgelegt, als sie heute zu tragen haben.


title: Brücke

text: Die Brücke ist ein weit verbreitetes Symbol für die Überwindung von Gräben und die Verbindung über trennende Grenzen hinweg. Daran knüpfen sowohl die Bezeichnung des römischen Papstes als „Pontifex Maximus“ (Oberster Brückenbauer) als auch die Wahl der Brücke als Symbol kirchlicher oder sozialer Einrichtungen mit Dialogauftrag (Evangelische Akademie Bad Boll) an. Den Aufbruch zu neuen Ufern sollte der Name der expressionistischen Künstlergruppe Die Brücke Anfang des 20. Jahrhunderts symbolisieren. Auf der Rückseite jeder Eurobanknote ist ebenfalls eine Brücke als ein Symbol der Verbindung der Völker Europas und Europa mit der Welt dargestellt.


title: Brücke

text: Zugleich und infolge der zunehmenden Bau- und Verkehrssicherheit weniger im Vordergrund steht das Motiv der Brücke für das mit Angst besetzte Beschreiten gefährlicher Wege. Brücken können einstürzen, wirken manchmal wackelig oder wenig Vertrauen erweckend, führen über gefährliche Abgründe und stehen für das Betreten von Neuland. Das Begehen einer Brücke ist mit der Gefahr eines Absturzes verbunden; in früheren Zeiten war es daher oft der Baumeister, der zum Beweis der Stabilität die Brücke als erster überschreiten musste. Im Mittelalter entstanden auch Brückensagen, wenn es beim Bau der Brücke nicht mit rechten Dingen oder gar mit dem Teufel zugegangen sein soll. Brücken galten zudem als bevorzugter Ort für Überfälle durch Wegelagerer.


title: Brücke

text: Die Tatsache, dass Wohnungslose gelegentlich den öffentlichen Raum unter Brückenauffahrten als Schutz- und Wohnquartier nutzen, hat dazu geführt, dass die Redensart "unter Brücken hausen" zum bildhaften Ausdruck für Obdachlosigkeit im urbanen Umfeld geworden ist.


title: Brücke

text: In der Heraldik wird die Brücke als Bauwerk dargestellt, der Begriff wird aber auch als Bezeichnung des Turnierkragens verwendet. Siehe auch Brücke (Heraldik).


title: Brücke

text: In der christlichen Heiligenverehrung deutet die Brücke als Attribut auf die Hinrichtungsart eines Märtyrers hin, der von einer Brücke gestürzt wurde. Bekanntester Vertreter ist der heilige Nepomuk, der als Schutzpatron der Brücken gilt. Ein anderes bekanntes Beispiel ist der heilige Florian. Solche Märtyrer, aber auch andere Heilige, wurden in der Vergangenheit angerufen, um sich vor der mit dem Überschreiten einer Brücke häufig assoziierten Gefahr zu schützen. Oft wurden sie als Standbilder auf Brücken aufgestellt und folgend als Brückenheilige bezeichnet.


title: Brücke

text: Davon leitet sich die redensartliche Bezeichnung einer Person als "Brückenheiliger" ab, die bei Wind, Wetter oder anderen Gefahren an exponierter Stelle allen Unbilden zum Trotz aushält und unbeweglich als unbeteiligter Beobachter dasteht, ohne einer erkennbaren Tätigkeit nachzugehen oder deutlich Stellung zu dem sie umgebenden Geschehen zu beziehen.


title: Brücke

text: In Liedgut und Musik steht das Motiv der Brücke meist symbolisch für die Überwindung von Schwierigkeiten oder die Lösung mehr oder weniger schwerwiegender Probleme. Dies gilt sowohl in der englischen Liedliteratur, wo Simon & Garfunkel von einer „Bridge over Troubled Water“ singen, als auch im deutschsprachigen Repertoire. Mehr oder weniger bekannte Beispiele sind die Titel "Über sieben Brücken mußt du gehn" von der Gruppe Karat, auch gesungen von Peter Maffay, oder "Über jedes Bach’l führt a Brückerl" von Stefanie Hertel. Pur fordern "neue Brücken", um die Kluft zu überwinden, die durch Rassismus und Fremdenhass entsteht, während sich die Red Hot Chili Peppers „under the bridge“ befinden. Bei Joy Fleming heißt es „ein Lied kann eine Brücke sein“ und in ihrem "Neckarbrückenblues" geht es „iwwer die Brick“. Eine politisch verbindende Brücke hat Walter Mossmann ab 1975 in seinem "Bruckelied" besungen: die Brücke zwischen Wyhl und Marckolsheim, die bei den Protesten gegen das bei Wyhl geplante AKW eine wichtige Rolle gespielt hat.


title: Brücke

text: Übergänge zwischen einzelnen Teilen eines Liedes oder Interpretationen (beispielsweise rein instrumental gespielte Parts zwischen vokalen Parts) werden "Bridge" genannt (übersetzt „Brücke“, aber als deutsches Wort nicht in Gebrauch), wobei Wechsel von Rhythmus oder Harmonien möglich sind, siehe dazu Bridge (Musik).


title: Brücke

text: In der Literatur ist die Brücke ein beliebtes Motiv. Das reicht von Balladen (Theodor Fontanes Die Brück’ am Tay) zu Romanen (Ivo Andrić: "Die Brücke über die Drina"; Die Brücke von San Luis Rey von Thornton Wilder) bis hin zu bekannten Zitaten.


title: Brücke

text: Zahlreiche Filme haben Brücken als zentrales Motiv. Aufgrund ihrer strategischen Bedeutung befassen sich besonders Kriegsfilme mit Brücken. Beispiele sind die im Zweiten Weltkrieg spielenden Werke "Die Brücke von Remagen" oder "Die Brücke von Arnheim". In Deutschland wurde der Name „Die Brücke“ von einem DEFA-Spielfilm, Bernhard Wickis Antikriegsfilm und dessen Remake verwendet. Weitere Kriegsfilme zum Thema: "Die Brücken von Toko-Ri" und "Die Brücke am Kwai" (nach einem gleichnamigen Roman von Pierre Boulle).


title: Brücke

text: Bei der Auswahl von Brückenstandorten werden neben ästhetischen und funktionellen Gesichtspunkten auch ökologische Kriterien berücksichtigt. Die Auswahl des Standorts einer Brücke sowie einer dazu passenden Bauform kann ein schwieriger politischer Prozess sein, wie das Beispiel des Dresdner Brückenstreits um die Waldschlößchenbrücke zeigt.


Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch , MOSFET, auch "MOS-FET", selten "MOST") ist eine Bauform eines Transistors, d. h. eine Art elektronisches Ventil.


title: Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

text: In der Familie der Feldeffekttransistoren zeichnen sich MOSFETs durch ein isoliertes Gate (der Kontakt, mit dem das „Ventil“ angesteuert wird) aus einem Oxid aus und gehören damit zu den "Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate" (IGFET) bzw. Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFET).


text: MOSFETs basieren auf einer Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, d. h. einem schichtweisen Aufbaus aus einer isolierten metallischen Gate-Elektrode, einem Halbleiter und dem dazwischen befindlichen oxidischen Dielektrikum (also einem Isolierstoff). In modernen integrierten Schaltung wurde im Laufe der technischen Entwicklung das metallische Gate durch hochdotiertes Polysilizium mit metallähnlichen elektrischen Eigenschaften ersetzt. Trotz des abweichenden Aufbaus wurde auch für diese Variante die Bezeichnung MOSFET weitgehend beibehalten, siehe auch Abschnitt Name.


text: Wie bei allen Feldeffekttransistoren erfolgt die Steuerung des Stromflusses im Halbleiterbereich zwischen den beiden elektrischen Anschlüssen Drain und Source über eine elektrische Steuerspannung (Gate-Source-Spannung) bzw. Steuerpotential (Gate-Potential), vgl. Abschnitt Aufbau und Funktionsweise. Daher sind MOSFETs "spannungsgesteuerte" aktive elektrische Bauelemente und funktionieren grundlegend anders als bipolare Transistoren, einer anderen bedeutenden Gruppe von Transistoren die "stromgesteuert" arbeiten, d. h., umso mehr elektrischer Strom durchlassen, je mehr Strom in die Steuerelektrode fließt.


text: Aufgrund fertigungstechnischer Vorteile ggü. anderen Varianten sind MOSFETs mit Silizium als Halbleitermaterial seit den 1970er Jahren zum meistverwendeten Transistortyp für analoge und digitale integrierte Schaltungen geworden. Hier kommen sie unter anderem als Teil von Logik-Gattern in digitalen Schaltungen zum Einsatz. Die Entwicklung in diesem Bereich ist für die stetige Skalierung der Transistoren bekannt. Hier konnten die Packungsdichte für diese Art von Transistoren um Größenordnungen erhöht und durch Massenfertigung die Herstellungskosten gering gehalten werden, so dass beispielsweise im Jahr 2008 in einem einzelnen Prozessor bis zu 1,9 Milliarden Transistoren verbaut wurden. Durch Nutzung neuer Varianten, wie den FinFETs, konnte die Skalierung weiter fortgesetzt werden. So ist es in 7-nm-Technik möglich, über 54 Milliarden Transistoren in einem Prozessor (Nvidia GA100 Ampere) zu verbauen.


text: Auch bei anderen Anwendungen, wie Schalten von hohen Strömen oder mit hohen Spannungen (vgl. Leistungstransistor) sind Silizium-MOSFETs in vielen Bereichen vertreten oder gar Standard, andere Materialien sind Galliumarsenid oder auch organische Halbleiter. Zunehmend werden jedoch die physikalischen Grenzen von Silizium ausgereizt, und für besondere Anwendungen sind heute andere Halbleitermaterialien mit für diese Anwendung besseren Eigenschaften als Silizium interessant, wie Verbindungshalbleiter oder Halbleiter mit größeren Bandlücken, wie Siliziumcarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), auch wenn die Fertigungskosten derzeit noch beträchtlich höher liegen.


text: Das Funktionsprinzip von MOSFETs ist etwa 20 Jahre älter als das des Bipolartransistors. Die ersten Patentanmeldungen stammen aus den Jahren 1926 von Julius Edgar Lilienfeld und 1934 von Oskar Heil. Die ersten MOSFETs wurden allerdings erst 1960 von Mohamed M. Atalla und Dawon Kahng in den Bell Labs gefertigt, die mit dem Materialsystem Silizium/Siliziumdioxid einen Fertigungsprozess entwickelten, mit dem sich eine reproduzierbar gute Halbleiter-Isolator-Grenzfläche herstellen ließ. Damit verbunden war die Abkehr vom Germanium als Basismaterial und steigende Anforderungen an die Fertigungsbedingungen (Reinräume, strenges Temperaturregime).


text: Ab Anfang bzw. Mitte 1970 kam dotiertes Polysilizium als Gate-Material zum Einsatz und verdrängte damit aufgedampftes Aluminium.


text: Seit der Jahrtausendwende wurde verstärkt an der neuartigen High-k+Metal-Gate-Technik geforscht und diese 2007 erstmals in der Massenproduktion eingesetzt.


text: Der Name Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor geht auf die ursprüngliche Schichtfolge des Gate-Schichtstapels zurück. Bis Anfang der 1980er-Jahre dominierte die Verwendung von Aluminium (ein Metall) als Gate-Material, das durch eine nichtleitende Siliziumdioxidschicht (Isolator) vom leitfähigen Kanal im Siliziumsubstrat (Halbleiter) getrennt war. In den 1980er-Jahren verbreiteten sich zunehmend Prozesse, die dotiertes Polysilizium als Gate-Material nutzten. Dies ist bis heute die häufigste Bauform handelsüblicher CMOS-Schaltkreise. Da kein Metall verwendet wird, ist die Bezeichnung MOSFET nicht mehr korrekt, wird aber weiterhin als Synonym genutzt.


text: Mit zunehmender Miniaturisierung zeigen MOS-Transistoren mit Polysilizium-Gate elektrische Nachteile, denn bei bestimmten Beschaltungen bildet sich ein Verarmungsbereich im Gate aus (Polysiliziumverarmung). Daher wurde seit Anfang der 2000er-Jahre nach alternativen Gate-Materialien (z. B. Übergangsmetalle) geforscht. Parallel dazu wurde auch nach alternativen Isolatormaterialien mit hoher Dielektrizitätskonstante (sogenannte High-k-Materialien) geforscht, um die steigenden Leckströme zu reduzieren. 2007 führte Intel als erster Hersteller die Kombination beider Änderungen (vgl. High-k+Metal-Gate-Technik) ein; einige weitere Hersteller von Hochleistungsprozessoren folgten. In diesen Fällen ist die Bezeichnung MOSFET daher wieder korrekt, dennoch ist es oft günstiger, die neutrale Bezeichnung MISFET (Metall-Nichtleiter-Halbleiter-FET) oder ganz allgemein IGFET (FET mit isoliertem Gate) zu verwenden.


text: Ein MOSFET ist ein aktives Bauelement mit mindestens drei Anschlüssen (Elektroden): G (, dt. "Steuerelektrode"), D (, dt. "Abfluss"), S (, dt. "Quelle"). Bei einigen Bauformen wird ein zusätzlicher Anschluss B (, Substrat) nach außen geführt, der mit der Chiprückseite verbunden ist. Da eine Spannung an der Chiprückseite zusätzliche elektrische Felder erzeugt, die auf den Kanal wirken, verschiebt sich, wenn man die Spannung am B-Anschluss ändert, die Threshold-Spannung des MOSFETs. Meistens ist das Substrat jedoch intern mit dem Source verbunden.


text: Wie andere Feldeffekttransistoren wirkt der MOSFET wie ein spannungsgesteuerter Widerstand, das heißt, über die Gate-Source-Spannung "U" kann der Widerstand zwischen Drain und Source "R" und somit der Strom "I" (vereinfacht "I") durch "R" um mehrere Größenordnungen geändert werden.


text: Der Schlüssel zum Verständnis dieser Widerstandsänderung in einer MOS-Struktur liegt in der Entstehung (Anreicherungstypen) bzw. Abschnürung (Verarmungstypen) eines leitenden Kanals unter dem Gate (Details siehe unten).


text: Ähnlich wie der Bipolartransistor kann auch der MOSFET in die zwei grundlegenden Varianten p-Typ (auch p-leitend, p-Kanal oder PMOS) und n-Typ (auch n-leitend, n-Kanal oder NMOS) eingeteilt werden. Werden, beispielsweise in integrierten Digitalschaltungen, beide Typen gemeinsam verwendet, spricht man von CMOS (engl.: ).


text: Zusätzlich gibt es von beiden Varianten jeweils zwei Formen, die sich im inneren Aufbau und in den elektrischen Eigenschaften unterscheiden:


text: Als Grundmaterial dient ein schwach p-dotierter Siliziumeinkristall (Substrat). In dieses Substrat sind zwei stark n-dotierte Gebiete eingelassen, die den Source- bzw. Drain-Anschluss erzeugen. Zwischen den beiden Gebieten befindet sich weiterhin das Substrat, wodurch eine npn-Struktur entsteht, die vorerst keinen Stromfluss zulässt (vgl. npn-Transistor: Ohne Basisstrom ist der Transistor gesperrt). Genau über diesem verbleibenden Zwischenraum wird nun eine sehr dünne, widerstandsfähige Isolierschicht (Dielektrikum, meist Siliziumdioxid) aufgebracht. Das Dielektrikum trennt die darüberliegende Gate-Elektrode vom Silizium (genauer vom Kanalgebiet). Als Gate-Material wurde bis Mitte der 1980er Aluminium verwendet, das von n- bzw. p-dotiertem (entartetem) Polysilizium (Abkürzung für polykristallines Silizium) abgelöst wurde.


text: Durch diesen Aufbau bilden Gate-Anschluss, Dielektrikum und Bulk-Anschluss einen Kondensator, der beim Anlegen einer positiven Spannung zwischen Gate und Bulk aufgeladen wird. Durch das elektrische Feld wandern im Substrat Minoritätsträger (bei p-Silizium Elektronen) an die Grenzschicht und rekombinieren mit den Majoritätsträgern (bei p-Silizium Defektelektronen). Das wirkt sich wie eine Verdrängung der Majoritätsträger aus und wird „Verarmung“ genannt. Es entsteht eine Raumladungszone an der Grenzschicht zum Oxid mit negativer Raumladung. Ab einer bestimmten Spannung "U" (engl. , Schwellspannung) ist die Verdrängung der Majoritätsladungsträger so groß, dass sie nicht mehr für die Rekombination zur Verfügung stehen. Es kommt zu einer Ansammlung von Minoritätsträgern, wodurch das eigentlich p-dotierte Substrat nahe an der Isolierschicht n-leitend wird. Dieser Zustand wird starke „Inversion“ genannt. Im Bändermodell erklärt, führt die erhöhte Gate-Spannung zu einer Bandbiegung von Leitungs- und Valenzband an der Grenzschicht. Das Ferminiveau liegt ab der kritischen Spannung näher am Leitungsband als am Valenzband. Das Halbleitermaterial ist somit invertiert. Der entstandene dünne n-leitende Kanal verbindet nun die beiden n-Gebiete Source und Drain, wodurch Ladungsträger (beinahe) ungehindert von Source nach Drain fließen können.


text: Prinzipiell sind Source- und Drain-Anschluss zunächst gleichwertig. Meist ist der Aufbau aber nicht symmetrisch, um ein besseres Verhalten zu erzielen. Außerdem wird bei den meisten Bauformen Bulk intern elektrisch mit Source verbunden, da ein Potentialunterschied zwischen Source und Bulk die Eigenschaften des Transistors (vor allem die Schwellenspannung) negativ beeinflusst (). Auf die grundlegende Funktion hat diese Verbindung keinen Einfluss. Allerdings entsteht zusätzlich eine Diode zwischen Bulk- und Drain-Anschluss, die parallel zum eigentlichen Transistor liegt. Bulk mit dem p-dotierten Substrat und Drain mit dem n-Gebiet bilden den p-n-Übergang. Diese "Inversdiode" ist als Pfeil im Schaltsymbol des MOSFETs dargestellt. Er zeigt beim n-Kanal-MOSFET vom Bulk-Anschluss zum Kanal.


text: Source bezeichnet den Anschluss, von dem die für den Ladungstransport verantwortlichen Ladungsträger (Majoritätsladungsträger) im leitenden Fall in Richtung des Drain-Anschlusses driften.


text: Beim "p-Kanal-MOSFET" (PMOS, PMOSFET) bilden Defektelektronen (Löcher) die Majoritätsladungsträger, sie fließen in Richtung der technischen Stromrichtung. Bei der Beschaltung von p-Kanal-MOSFET ist das Source-Potential formula_1 (+, näher an formula_2 gelegen) größer als das Drain-Potential formula_3 (−; näher an formula_4 gelegen).


text: Beim "n-Kanal-MOSFET" (NMOS, NMOSFET) bilden hingegen Elektronen die Majoritätsladungsträger. Sie fließen entgegen der technischen Stromrichtung. Bezüglich des elektrischen Potentials ist daher die Lage von Source und Drain entgegengesetzt zum p-Kanal-MOSFET. Das heißt, das Source-Potential formula_1 (−; näher an formula_4 gelegen) ist geringer als das Drain-Potential formula_3 (+; näher an formula_2 gelegen).


text: Mit den steigenden Anforderungen an die elektrischen Eigenschaften von MOSFETs und der Notwendigkeit, mit den Effekten der Miniaturisierung bei den Transistoren (z. B. Kurzkanaleffekte) umzugehen, wurden in den vergangenen Jahrzehnten Varianten des planaren MOSFET entwickelt. Sie unterscheiden sich häufig in der Gestaltung des Dotierungsprofils oder der Materialwahl. Beispiele sind LDD-MOSFETs (von engl. ), Transistoren mit Halo-Implantaten oder gestrecktem Silizium sowie HKMG-Transistoren. Da in der Regel verschiedene Verbesserungen gleichzeitig genutzt werden, lässt sich hier jedoch keine Klassifikation anwenden.


text: Darüber hinaus ist zwischen lateralen (also parallel zu der Oberfläche ausgerichteten) und vertikalen Bauformen zu unterscheiden. Während laterale Transistoren vorwiegend in der Nachrichtentechnik zum Einsatz kommen (, LDMOS), findet sich die vertikale Bauform überwiegend in der Leistungselektronik wieder. Der Vorteil der vertikalen Struktur liegt in der höheren möglichen Sperrspannung der Bauelemente.


text: Als Schaltzeichen werden im deutschsprachigen Raum meist Darstellungen mit den vier Anschlüssen für Gate, Source, Drain und Body/Bulk (mittiger Anschluss mit Pfeil) genutzt. Dabei kennzeichnet die Richtung des Pfeils am Body/Bulk-Anschluss die Kanal-Art, das heißt die Majoritätsladungsträgerart. Hierbei kennzeichnet ein Pfeil zum Kanal einen n-Kanal- und ein Pfeil weg vom Kanal einen p-Kanal-Transistor. Ob der Transistor selbstsperrend oder selbstleitend ist, wird wiederum über eine gestrichelte („Kanal muss erst invertiert werden“ → Anreicherungstyp, selbstsperrend) bzw. eine durchgängige („Strom kann fließen“ → Verarmungstyp, selbstleitend) Kanallinie dargestellt. Darüber hinaus sind vor allem im internationalen Umfeld weitere Zeichen üblich, bei denen der üblicherweise mit Source verbundene Body/Bulk-Anschluss nicht dargestellt wird. Die Kennzeichnung des Transistortyps erfolgt dann wiederum über Pfeile und unterschiedliche symbolische Darstellungen des Kanals sowie über einen Kreis am Gate, vgl. Tabelle. Zur Kennzeichnung der Source-Elektrode wird in manchen Symbolen der Kontakt zum Gate nicht mittig über dem Kanal, sondern direkt gegenüber dem Source-Anschluss dargestellt.


text: Die "Schwellenspannung" formula_9 (engl.: ) stellt ein zentrales Element bei der Modellbetrachtung von MOSFETs dar und hängt stark von der Prozesstechnik ab. Dabei entscheiden die Dotierungen von Source, Drain und des Kanalgebietes über die Größe der Schwellenspannung.


text: Zudem ist die Schwellenspannung abhängig von der Temperatur. Für die Beschreibung reicht die Abhängigkeit 1. Ordnung (lineare Abhängigkeit):


text: wobei formula_13 der Temperaturkoeffizient, formula_14 die Temperatur und formula_15 die Stütztemperatur (beispielsweise die typische Betriebstemperatur) ist.


text: Die Darstellung der Zusammenhänge zwischen dem Drain-Strom formula_16 (auch formula_17, Drain-Source-Strom) und der Drain-Source-Spannung formula_18 in Abhängigkeit von der Gate-Source-Spannung formula_19 wird als Ausgangskennlinienfeld eines MOSFETs bezeichnet.


text: Es ist für alle MOSFETs (NMOS-Anreicherungstyp, NMOS-Verarmungstyp, PMOS-Anreicherungstyp und PMOS-Verarmungstyp) prinzipiell gleich.


text: Unterschiede ergeben sich nur in den Potentialbezugspunkten von Drain und Source sowie im Vorzeichen des Verstärkungsfaktors.


text: Die Kennlinien werden durch weitere Effekte (Temperatur, Substratvorspannung, Kurzkanaleffekte etc.) beeinflusst.


text: Die einzelne "I"-"U"-Kennlinie eines MOSFETs unterteilt sich in drei Bereiche: den Sperrbereich, den aktiven Bereich und den Sättigungsbereich.


text: Im Sperrbereich (engl. ), auch Abschaltbereich oder Unterschwellenbereich (engl. ) genannt, liegt die Gate-Source-Spannung formula_19 unterhalb der Schwellenspannung formula_9.


text: Der Leckstrom (engl.: ) eines Anreicherungs-MOSFET berechnet sich aus der Gleichung für den Sperrbereich:


text: Im linearen Bereich (auch Triodenbereich, ohmscher Bereich oder aktiver Bereich genannt, engl.: ( oder )) liegt die Gate-Source-Spannung formula_19 über der Schwellenspannung formula_9 (Im Fall des Anreicherungs-MOSFET), sodass ein durchgehender Kanal zwischen Drain und Source entsteht. Der Bereich wird durch die Kennlinie der Grenzspannung formula_34 begrenzt.


text: Die Bezeichnung stammt von dem Umstand, dass die Kennlinien bei formula_35 nahezu linear durch den Ursprung verlaufen, was dem Verhalten eines ohmschen Widerstands entspricht.


text: Im Sättigungsbereich (engl. , , Abschnürbereich genannt) verläuft die "I"-"U"-Kennlinie näherungsweise parallel zur formula_48-Achse. Das heißt, wird die Spannung zwischen Drain und Source erhöht, hat dies kaum einen steigernden Effekt auf den Strom, der zwischen diesen Kontakten fließt. Die Grenze, ab der sich dieses Verhalten zeigt, wird als formula_49 definiert. Wie im Ausgangskennlinienfeld zu sehen, kann allerdings die Eingangsspannung formula_19 genutzt werden, um den Strom formula_17 direkt zu beeinflussen. In diesem Fall verhält sich der Transistor wie eine durch die Eingangsspannung formula_19 gesteuerte Stromquelle. Weitere Effekte entstehen durch die Kanallängenmodulation.


text: Beim Vergleich mit einem Bipolartransistor muss bei der Verwendung des Begriffs "Sättigungsbereich" darauf geachtet werden, dass der Begriff "Sättigung" beim Bipolartransistor eine andere Bedeutung hat.


text: Wenn eine Substratvorspannung (auch Back-Gate-Spannung) an den Transistor angelegt wird, so hängt die Schwellenspannung formula_9 von der Source-Bulk-Spannung formula_58 ab. Je größer die Spannung formula_58 wird, desto größer wird die Schwellenspannung.


text: Unter dem Begriff "Kanallängenmodulation" wird ein Effekt verstanden, der in seinen Auswirkungen dem Early-Effekt der Bipolartransistoren gleicht. Die Kanallängenmodulation tritt im Sättigungsbereich (formula_65) auf und modelliert die Einschnürung des Kanals (der Kanal erreicht das Drain nicht mehr, die Region ohne Kanal wird auch Pinch-Off-Region genannt). In der Ausgangskennlinie ist die Kanallängenmodulation durch den Anstieg des Drainstromes im Sättigungsbereich bei zunehmender Drain-Source-Spannung zu erkennen (DIBL-Effekt). Spürbare Auswirkungen zeigt die Kanallängenmodulation bei Strukturgrößen von "L" < 1 µm. In Näherung lässt sich diesem Effekt durch folgende Näherungsgleichung Rechnung tragen, wobei der Kanallängenmodulationsparameter formula_66 das Ausmaß charakterisiert:


text: Bei kurzen Kanälen beeinflusst ein Effekt höherer Ordnung die Schwellenspannung, dieser wird „Threshold-Voltage-roll-off“-Effekt genannt. Dabei beeinflusst die Kanallänge die Schwellenspannung:


text: Beim Schalten eines MOSFETs wirken sich primär die Streukapazitäten innerhalb des Bauteils auf das zeitliche Verhalten aus. Wesentlichen Einfluss auf die Schaltzeiten besitzt die sogenannte "Miller-Kapazität," eine parasitäre Kapazität zwischen der Gate-Elektrode zur Drain-Elektrode. Für die Modellbetrachtung des Schaltverhaltens dienen die Parameter "C", "C" und "C" (siehe Bild), wohingegen in Datenblättern "C", "C" und "C" angegeben sind. Das liegt daran, dass letztere einfach messbare Größen darstellen. Nachfolgende Formeln ermöglichen die Umrechnung zwischen beiden Systemen:


text: Während der ersten Phase steuert der MOSFET noch nicht durch, denn zunächst muss die Gate-Source-Kapazität bis zum Erreichen der Schwellspannung aufgeladen werden. Ab dem Punkt "t" beginnt die Drain-Source-Strecke durchzusteuern. Dabei muss der Treiber auch den Entladestrom für die Drain-Gate-Kapazität abführen. Dabei stellt sich ein Gleichgewicht ein, denn je höher "U" steigt, desto schneller fällt "U" und damit "U", wodurch ein höherer Entladestrom fließt. Die Gate-Source-Spannung bildet zeitlich ein Plateau (Miller-Plateau), weil die Drain-Gate-Spannung einem weiteren Anstieg entgegenarbeitet. Die Stärke dieses Effektes hängt folglich direkt mit der Höhe der Versorgungsspannung (U) zusammen.


text: Die letzte Phase sorgt für das vollständige Durchschalten des Transistors, damit ein minimaler Drain-Source-Widerstand (R) erreicht wird. Dadurch verringern sich die ohmschen Verluste, und ein hohes On/Off-Verhältnis, sprich ein hoher Wirkungsgrad, wird erzielt.


text: Der Ausschaltvorgang verläuft umgekehrt, jedoch sind die Zeiten "nicht" identisch. Die Ausschaltzeit ist dabei immer etwas länger als die Einschaltzeit, was häufig in Leistungs-Gegentakt-Endstufen durch entsprechende "Totzeiten" in der Ansteuerung berücksichtigt werden muss.


text: Das gezeigte Modell stellt eine starke Vereinfachung dar und dient dem grundlegenden Verständnis für das Schaltverhalten eines MOSFETs, was für viele Anwendungen auch hinreichend ist. Für detaillierte Betrachtungen muss die Spannungsabhängigkeit der Kapazitäten herangezogen werden sowie die Auswirkung weiterer parasitärer „Bauelemente“. Statt der Gate-Source-Kapazität wird die Gate-Ladung Q betrachtet.


text: Eine Spannung zwischen Source und dem Substrat bewirkt eine Verschiebung der Schwellenspannung. Je höher diese Spannung ist, desto höher wird die Spannung, die zwischen Gate und Source erforderlich ist, damit der Kanal leitend wird. Dieser als Body-Effekt bekannte Einfluss ist in den meisten Anwendungen unerwünscht. Daher ist üblicherweise das Substrat direkt im Transistor elektrisch mit Source verbunden. Auf diese Weise liegen Substrat und Source zwangsweise auf dem gleichen elektrischen Potential. Als Nebenwirkung dieser Verbindung liegt ein p-n-Übergang zwischen Source und Drain, das notwendigerweise gegensätzlich zum Substrat dotiert ist. Dieser Übergang wird leitend, wenn Drain und Source hinsichtlich ihres Potentials die Rollen tauschen. Das ist bei n-Kanal-MOSFETs der Fall, wenn von außen an Source eine höhere Spannung angelegt wird als an Drain. Da dies die umgekehrte Richtung wie im normalen Betrieb ist, wird der p-n-Übergang auch Inversdiode genannt. Eine andere Bezeichnung für den Übergang ist Body-Diode.


text: Ein MOSFET kann nur in Sperrrichtung der Inversdiode als regelbarer Widerstand eingesetzt werden. Als Schaltelement kann ein MOSFET ebenfalls nur in einer Richtung einen Stromfluss unterbinden. Viele Schaltungen sind daher so ausgelegt, dass die Inversdiode nie in Durchlassrichtung betrieben wird. Beispiele dafür sind die Endstufen von Audioverstärkern, oder die Transistoren, die in Computern digitale Signale schalten.


text: Bei manchen Schaltanwendungen ist eine Leitung von Strom entgegen der „normalen“ Richtung sogar erwünscht. So sind Brückenschaltungen so konzipiert, dass die Inversdiode leitend wird. Bei Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz ist allerdings die vergleichsweise lange Sperr-Erholzeit der Inversdiode eine Begrenzung. Außerdem führt ihre recht hohe Flussspannung zu erhöhter Verlustleistung. In diesen Fällen wird extern eine schnelle Schottkydiode mit niedrigerer Flussspannung parallel zur Inversdiode an Source und Drain hinzugefügt.


text: Bei FREDFETs zeigt die Inversdiode ein besseres Schaltverhalten und ermöglicht somit einen kompakteren Aufbau.


text: Bei den Leckströmen handelt es sich um unerwünschte Stromflüsse innerhalb der Transistoren. Diese treten sowohl im gesperrten als auch im leitenden Zustand des Transistors auf. Momentan (Stand 2008) sind hier vor allem der Subthreshold-Leakage (frei übersetzt: Unterschwellspannungsleckstrom), Junction-Leakage als auch der Gate-Oxid-Leckstrom dominierend.


text: In konventionellen CMOS-Techniken mit Siliziumdioxid als Dielektrikum stellen die Leckströme eines der Hauptprobleme beim Chipentwurf dar, wenn Transistoren mit Gatelängen von weniger als 100 nm verwendet werden (praktisch alle 2010 aktuellen Prozessoren). So verursachten die Leckströme Mitte der 2000er-Jahre bei Prozessoren im High-End-Bereich bis zur Hälfte des Gesamtenergieverbrauchs. Eine Variante zur Reduzierung der Leckströme ist die sogenannte High-k+Metal-Gate-Technik, bei der dielektrische Materialien mit hoher Permittivität (High-k-Dielektrikum) statt Siliziumdioxid genutzt werden, beispielsweise dotiertes Hafniumoxid.


text: Neben den konventionellen MOSFET-Varianten in Planartechnik, die weiterhin für typische CMOS-Schaltkreise genutzt werden, existieren noch diverse Spezialvarianten mit verändertem Aufbau. Sie werden für andere Anwendungen als digitale Logik (z. B. höhere Ausgangsspannungen für Treiberschaltungen oder hohe Leistungen) oder zur Verbesserung des Schaltverhaltens bei kleineren Strukturgrößen eingesetzt, was jedoch mit zum Teil deutlich erhöhtem Herstellungsaufwand verbunden ist. Beispiele sind Hochspannungstransistoren, lateraler DMOS-FET (LDMOSFET) und


text: Drain-erweiterter MOSFET (DEMOSFET), Leistungs-MOSFET (z. B. in der Bauform VMOS-, UMOS-, TrenchMOS-FET) sowie Multigate-Feldeffekttransistoren (MuFET), wie der FinFET.


text: Der Drain-erweiterte MOSFET (DE-MOSFET, von engl. ) ist kompatibel mit der CMOS-Planartechnik und kann daher im selben monolithischen integrierten Schaltkreis eingesetzt werden. Kernelement des DEMOSFET ist ein niedriger dotierte Driftzone zwischen dem eigentlichen Drainanschluss und dem entgegengesetz dotiertem Gebiet unter der Gate-Elektrode. Die mit diesem Transistor zu schaltende Source-Drain-Spannung fällt zu großteilen über diese Driftzone hinweg ab, so dass unter der Gate-Elektrode nur noch verhältnismäßig kleine Spannungen auftreten, die unproblematisch für einen Gate-Drain-Durchbruch des Dielektrikums sind. Um das zu erreichen wird das üblicherweise zur Kontraktierung und Potentialverteilung genutzte Silizid über dem Driftbereich bewusst herausgehalten.


text: DEMOSFET können sowohl als p-Kanal- (DEPMOS-FET) sowie als n-Kanal-DEMOSFETs (DENMOS-FET) gefertigt werden.


text: Zudem gibt es diverse Abwandlungen um höhere Source-Drain-Spannungen zu erlauben, z. B. mit STI oder LOCOS zwischen Gate und Drain oder symmetrische DEMOS mit Driftzonen im Drain- und Source-Bereich.


text: Drain-erweiterte Transistoren werden unter anderem in Analog- und Power-Management-Designs verwendet. Die genutzten Spannungen hängen von den genutzten Gateoxid-Dicken ab und liegen für typische 130-nm- und 180-nm-Prozessen im Bereich von 20 bis 40 V (ggf. auch höher). Bei kleineren Technologieknoten sinkt dieser Wert deutlich.


text: Der laterale doppelt-diffundierte MOSFET (LDMOS-FET, von engl. ) ist eine MOSFET-Variante zum Schalten höherer Spannungen. Kernelement des LDMOSFET ist ein selbstjustierender p-leitender Kanal in einer n-dotierten Wanne eines p-dotierten Silizium-Substrats. Der Kanal entsteht durch die Kombination von Bor- und Arsen-Implantation, die aufgrund unterschiedlicher Diffusionskoeffizienten bei den nachfolgenden Temperaturschritten (z. B. Aktivierung und Ausheilen der Kristallschäden) unterschiedlich weit diffundieren (sozusagen doppelt diffundiert). So bildet sich in der n-Wanne eine p-dotierte Wanne ("back gate" oder "body" genannt) die das n-dotierte (Arsen) Source-Gebiet umschließt. Oberhalb des p-dotierten Kanals wird der für MOSFETs typische Schichtstapel aus einer dünnen Nichtleiterschicht (z. B. Gate-Oxid) und der Gate-Elektrode (z. B. Polysilizium) abgeschieden, der deutlich größer als die physikalische Kanallänge ist und das Schaltverhalten kontrolliert. Das Drain-Gebiet auf der anderen Seite des Gates ist abermals ein hochdotierter n-Bereich.


text: Die elektrischen Eigenschaften dieser Struktur können durch diverse Maßnahmen verändert werden. Dazu zählt beispielsweise:


text: Eingesetzt werden LDMOS-Komponenten in der Regel in integrierten Leistungs-Verstärkern (MMIC) von 100 MHz bis 3 GHz, wie z. B. Mobilfunkstationen.


text: Laterarale LDMOS werden oft im Rahmen von Mix-Signal-Schaltkreise für High-Side- als auch für Low-Side-Treiber und Brückenschaltungen mit höheren Spannungen (20–100 V sind typisch) eingesetzt. Ein Vorteil gegenüber lateralen DEMOS-Transistoren ist die Schaltung höherer Ströme.


text: FinFETs sind eine Gruppe von nicht-planaren MOSFETs, bei denen sich der leitfähige Kanal an einem dünnen Silicium-Grat (engl. ) befindet. Die Bezeichnung wurde erstmals 1999 in einer Veröffentlichung von Forschern der University of California, Berkeley verwendet und basiert auf dem Einzelgatetransistordesign DELTA.


text: Da sich der Kanal prinzipiell an allen Seiten des Grats befinden kann, werden oft auch Multigate-Feldeffekttransistoren wie der Dual- (Tetrode) oder Tri-Gate-MOSFET als FinFET bezeichnet.


text: FinFETs bieten die Vorteile eines vergrößerten Kanalbereichs und besserer elektrischer Eigenschaften (z. B. kurze Schaltzeiten oder kleinere Leckströme). Zudem benötigen sie bei gleicher Leistungsfähigkeit weniger Platz, was eine höhere Integrationsdichte erlaubt. Eingesetzt werden sie zum Beispiel in HF-Schaltungen (HF-Verstärker, multiplikativer Mischer). Aber auch für Standardlogikschaltungen, wie Hauptprozessoren oder Mikrocontroller, werden diese alternativen Transistorvarianten zunehmend interessant. Intel setzt seit 2012 mit der 22-nm-Technologie "Ivy Bridge" erstmals FinFETs in der Massenproduktion für Prozessoren ein. Seit 2014 bietet auch TSMC einen 16-nm-FinFET-Prozess für die Halbleiterindustrie an; ab 2022 plant das Unternehmen die 3-nm-Volumenfertigung.


text: Ein prinzipieller Nachteil der MOSFET-Technik ist die geringe Oberflächenbeweglichkeit der Ladungsträger im Kanal. Elektronen besitzen dabei eine höhere Beweglichkeit als Defektelektronen, daher haben n-Kanal-MOSFET bessere Eigenschaften als p-Kanal-Typen. Durch die Verkleinerung der Bauelementstrukturen lässt sich dieser Nachteil jedoch ausgleichen und die Schaltgeschwindigkeit erhöht sich. Dadurch gelingt es einerseits, schnellere Einzeltransistoren herzustellen, andererseits lassen sich durch feine Wabenstrukturen auch schnelle MOSFET für große Ströme herstellen. Durch Skalierung in den Submikrometerbereich wird der MOSFET für integrierte digitale Anwendungen mit Taktfrequenzen oberhalb von 1 GHz verwendbar. MOSFETs sind wegen ihres einfachen Herstellungsprozesses (CMOS-Prozess) und der lateralen Struktur besonders für integrierte Schaltungen geeignet.


text: Da bei IGFETs im Gegensatz zu Bipolartransistoren die Steuerung nicht über einen Stromfluss (Basisstrom), sondern über eine Steuerspannung erfolgt, werden sie irreführenderweise als „stromlos“ bezeichnet. Im statischen Betrieb, d. h., bei konstanter Gate-Spannung, fließt über das Gate so gut wie kein Strom. Allerdings ist zur Umladung der Gate-Kapazität ein teilweise erheblicher Lade- und Entladestrom notwendig. Diese Ströme verursachen zusammen mit den Gate-Leckströmen, die bei heutigen Mikroprozessoren nicht mehr vernachlässigbar sind, die hohe Leistungsaufnahme moderner integrierter Schaltkreise.


text: In Leistungsanwendungen ist der Leistungs-MOSFET hinsichtlich kurzer Schaltzeiten und geringer Schaltverluste den Bipolartransistoren und IGBTs überlegen. Er erreicht jedoch nicht deren hohe Sperrspannungen. Gegenüber bipolarer Technik besitzt die Drain-Source-Strecke des MOSFET eine reine Widerstandscharakteristik, die den statischen Spannungsabfall und die statische Verlustleistung im Betrieb bestimmt. Erst dadurch werden die hohen Wirkungsgrade von leistungselektronischen Schaltungen besonders bei niedrigen Spannungen und Batteriebetrieb möglich (vgl. Synchrongleichrichter).


text: Im Gegensatz zu bipolaren Transistoren besitzt der Kanalwiderstand der Drain-Source-Strecke des MOSFET einen positiven Temperaturkoeffizienten. Das bedeutet, dass bei steigender Temperatur auch der Widerstand steigt. Dadurch kann man mehrere MOSFETs bei reinen Schaltanwendungen oft ohne zusätzliche symmetrierende Maßnahmen parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen und den Spannungsfall zu verringern. Sobald einer der MOSFETs durch zu viel Strom zu heiß wird, steigt sein Widerstand. Dadurch reduzieren sich bei MOSFETs Unterschiede der Stromverteilung statt wie bei polaren Transistoren sich zu vergrößern.


text: Leistungs-MOSFETs auf Siliziumbasis werden vorteilhaft beim Schalten von Spannungen bis 800 V und Strömen von bis zu mehreren hundert Ampere eingesetzt. Einsatzgebiete sind u. a. Schaltnetzteile, Synchrongleichrichter, getaktete Strom- und Spannungsregler und auch starke Hochfrequenzsender bis in den UKW-Bereich. In Sonderanwendungen werden Schaltzeiten von nur einigen Nanosekunden bei Spannungen von mehreren Kilovolt durch Reihenschaltung realisiert.


text: MOSFETs weisen durch die sehr hochohmige Isolierung des Gates gegenüber dem Source-Drain-Kanal eine große Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischen Entladungen (engl. , "ESD") auf. Das führt bei unsachgemäßer Handhabung von elektronischen Bauteilen, die aus Feldeffekttransistoren bestehen, zu einem Durchbruch der Gate-Isolierschicht und damit zur Zerstörung der Feldeffekttransistoren. Die daraus resultierenden Schwierigkeiten bei der Handhabung waren einer der Gründe, warum Feldeffekttransistoren sich gegenüber Bipolartransistoren erst einige Jahrzehnte später am Markt durchsetzen konnten. Vielfach konnten schützende Drahtbrücken zwischen Gate und Source (Drain, Bulk) erst nach Einlötung des MOSFETs in der Anwendungsschaltung entfernt werden. Prinzipiell sind jedoch Leistungs-MOSFETs auf Grund ihrer meist im Nanofaradbereich liegenden Gatekapazität ausreichend gegen elektrostatische Aufladung "natürlich" geschützt, so dass besondere Schutzmaßnahmen – wie externe Drahtbrücken – hier meist nicht mehr benötigt werden.


text: Heutige diskrete Kleinleistungs-Feldeffekttransistoren und integrierte Schaltungen haben außerdem meist integrierte Schutzdioden mit Widerständen oder entsprechende Halbleiterstrukturen an den Anschlussleitungen, welche die Auswirkungen von elektrostatischen Entladungen auf die empfindliche Gate-Isolierschicht minimieren. Trotzdem müssen bei der Handhabung von Feldeffekttransistoren immer noch besondere Vorsichtsmaßnahmen zur Vermeidung von elektrostatischen Aufladungen getroffen werden. So sind beispielsweise Arbeits- und Fertigungsbereiche, in denen mit Feldeffekttransistoren gearbeitet wird, durch ESD-Warnschilder gekennzeichnet. Zusätzlich sind immer die Herstellerangaben zu beachten.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Der DFB-Pokal 2022/23 ist die 80. Austragung des Fußballpokalwettbewerbs der Männer. Das Finale wird voraussichtlich am 3. Juni 2023, wie seit 1985 üblich, im Berliner Olympiastadion stattfinden.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Der Pokalsieger erhält einen direkten Startplatz in der Gruppenphase der UEFA Europa League 2023/24. Sollte der Pokalsieger sich bereits über die Bundesliga für einen Startplatz in Champions League oder Europa League qualifiziert haben (Platz 1–5), rückt der Sechstplatzierte der Bundesliga 2022/23 von den Play-offs der UEFA Europa Conference League 2023/24 in die Gruppenphase der Europa League auf, und der Siebte erhält den freigewordenen Play-off-Startplatz in der Conference League.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Für die erste Runde waren 64 Mannschaften sportlich qualifiziert, die sich wie folgt zusammensetzten:


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Die Teilnahme einer zweiten Mannschaft desselben Vereins oder derselben Kapitalgesellschaft an den Spielen um den DFB-Pokal war nicht zugelassen.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Zur Saison 2022/23 reformierte der DFB den Rahmenspielplan des DFB-Pokals. Nach eigenen Angaben sollte so die Attraktivität für TV-Übertragungen gesteigert werden, da weniger Spiele zeitgleich stattfanden. Die Reform umfasste folgende Änderungen:


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Die 32 Partien der 1. Hauptrunde wurden am 29. Mai 2022 ausgelost. Die Lose wurden durch den ehemaligen Nationalspieler Kevin Großkreutz gezogen, DFB-Vizepräsident Peter Frymuth übernahm die Rolle des Ziehungsleiters.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Die erste Hauptrunde zählte als „Aktionsspieltag Klimaschutz“, eine vom DFB ausgerufene Aktion, um Umwelt- und Klimathemen in den Mittelpunkt zu rücken. Aus diesem Grund fingen alle Partien eine Minute später als geplant an. In dieser Minute sollten in allen Stadien Lautsprecherdurchsagen zum Thema Klimaschutz erfolgen.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Die Auslosung fand am 4. September statt und wurde im ZDF live übertragen. Die Paarungen wurden von Para-Schwimmer Josia Topf gezogen. Aufgrund seiner körperlichen Einschränkungen nutzte der Teilnehmer der Sommer-Paralympics 2020 dazu eine Suppenkelle. Als Ziehungsleiter fungierte, erstmals in seiner Amtszeit, DFB-Präsident Bernd Neuendorf.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Die Auslosung fand am 23. Oktober statt und wurde ab 19.15 Uhr live in der ARD übertragen. Als Losfee fungierte Maria Asnaimer, die für den TuS Germania Lohauserholz-Daberg siebtklassig aufläuft. Die Amateurfußballerin war in der abgelaufenen Spielzeit mit 93 Toren in 33 Spielen die bundesweit treffsicherste Preisträgerin der DFB-Auszeichnung Torjägerkanone für alle"." Ziehungsleiter war der Direktor der deutschen Fußballnationalmannschaft Oliver Bierhoff. Die Spiele werden am 31. Januar, am 1., 7. und 8. Februar 2023 ausgetragen.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Wie in der Vorsaison werden alle Spiele des DFB-Pokals live vom Pay-TV-Sender Sky Deutschland übertragen. Insgesamt 15 Partien des Wettbewerbs werden frei empfangbar im Ersten der ARD bzw. im ZDF zu sehen sein.


title: DFB-Pokal 2022/23

text: Der Anteil an den Vermarktungserlösen je Teilnehmer beträgt für die erste Runde 209.247 Euro. Klubs, die in die zweite Runde einziehen, verzeichnen Einnahmen in Höhe von 418.494 Euro. Für das Erreichen des Achtelfinales werden 836.988 Euro ausgezahlt. Die Viertelfinalisten erhalten 1.673.975 Euro, die Halbfinalisten 3.347.950 Euro. Der Verlierer des Finales erhält 2.880.000 Euro und der Gewinner 4.320.000 Euro.


title: Sigismund (HRR)

text: Sigismund von Luxemburg (* 15. Februar 1368 in der Reichsstadt Nürnberg; † 9. Dezember 1437 in Znaim, Mähren), auch "Siegmund" oder "Sigmund" (, , ), stammte aus dem Hause der Luxemburger. Er war Kurfürst von Brandenburg von 1378 bis 1388 und von 1411 bis 1415, König von Ungarn und Kroatien seit 1387 (siehe dazu Kroatien in Personalunion mit Ungarn), römisch-deutscher König seit 1411, König von Böhmen seit 1419 und römisch-deutscher Kaiser von 1433 bis zu seinem Tode.


title: Sigismund (HRR)

text: In seine Regierungszeit fielen das Konzil von Konstanz (1414–1418), auf dem er die Kirchenspaltung überwinden konnte, aber die Hussitenkriege (1419–1436) auslöste. Auf dem Konzil belehnte Sigismund Friedrich von Hohenzollern mit der Mark Brandenburg und verkaufte anschließend seine damit verbundene erbliche Kurwürde an Friedrich. Sigismund stellte damit eine wesentliche Weiche für den Aufstieg des Hauses Hohenzollern in Brandenburg-Preußen und darüber hinaus.


title: Sigismund (HRR)

text: Sigismund war ein Sohn Kaiser Karls IV. und Halbbruder Wenzels von Luxemburg: Wenzel entstammte Karls dritter Ehe mit Anna von Schweidnitz. Sigismund hingegen war von Karls vierter Frau Elisabeth von Pommern geboren worden. Er galt als hochgebildet, sprach mehrere Sprachen (darunter Deutsch, Latein, Italienisch und Französisch) und war – anders als sein Vater Karl – ein lebenslustiger Mensch, der auch Freude am Turnier hatte. Schon 1378 erhielt er die Mark Brandenburg, die zuvor Wenzel besessen hatte, 1379 mit dem Tode Ottos von Bayern auch die damit verbundene Kurwürde.


title: Sigismund (HRR)

text: Einen Anspruch auf die ungarische Krone erwarb er sich 1387 durch die Heirat mit Maria von Ungarn, doch benötigte er die Hilfe seines Bruders Wenzel, um sich gegen den mächtigen ungarischen Adel und die Erbansprüche des Hauses Anjou (Neapel) durchsetzen zu können.


title: Sigismund (HRR)

text: Die Machtübernahme und Herrschaftsdurchsetzung in Ungarn erwies sich für Sigismund von Luxemburg als eine Phase schwieriger Lehrjahre. Intrigen, diejenigen seiner künftigen Gemahlin eingeschlossen, bürgerkriegsähnliche Zustände, ein konkurrierender Thronprätendent, der 1386 ermordete Karl III. von Anjou-Durazzo, Bruder des französischen Königs Ludwig von Orleans, sowie die Kostspieligkeit der militärischen Eroberung der Residenz Ofen führten erst am 31. März 1387 zur Krönung Sigismunds in Stuhlweißenburg.


title: Sigismund (HRR)

text: Am 4. Juni 1387 konnten seine Truppen unter dem Palatin Nikolaus von Gara die in Novigrad durch die Magnaten Horvath festgehaltene Königin Maria befreien. Sigismund kam seiner Gattin nach Agram (Zagreb) entgegen und wurde jetzt von der Mehrheit der Stände als König akzeptiert.


title: Sigismund (HRR)

text: 1388 verpfändete Sigismund die Mark Brandenburg an seine luxemburgischen Vettern Jobst und Prokop, um seine Militärausgaben in Ungarn zu decken, und gab sie 1417, nachdem er die Mark 1411 nach dem Tod von Jobst an den Burggraf Friedrich VI. als „Sicherheit“ für 150.000 entliehene Goldgulden übergeben hatte, endgültig mit Land und Kur den Hohenzollern als Lehen. 1390 bis 1391 schlugen Truppen unter Gara neue Aufstände in Kroatien nieder und warfen Angriffe der Bosnier unter Tvrtko I. zurück. In Abwehrkämpfen gegen die „Türken“ – womit die ethnisch heterogenen Truppen des Osmanischen Reiches gemeint waren – rief Sigismund die europäische Ritterschaft zur Hilfe. Dem Ruf folgten vor allem die Franzosen und Burgunder, welche dann auch die Führerschaft beanspruchten. Das vereinigte christliche Heer erlitt aber am 25. bis 28. September 1396 in der Schlacht bei Nikopolis eine fürchterliche Niederlage. Sigismund entkam der Gefangenschaft nur mit Hilfe venetianischer Schiffe, die ihn über Konstantinopel und Rhodos nach Dalmatien zurückbrachten. Infolge dieser Niederlage wurde das ungarische Militärwesen ab 1397 neu organisiert. Um an neue finanzielle Mittel zu kommen, beschnitt er kirchliche Rechte und zog sich dadurch die Gegnerschaft des ungarischen Klerus zu.


title: Sigismund (HRR)

text: Sigismund schloss ohne Wissen der ungarischen Stände im Frühjahr 1401 einen wechselseitigen Erbvertrag mit seinem Cousin Markgraf Jobst von Mähren. Am 28. April wurde er darauf durch die aufständischen Stände unter Führung des Erzbischofs Johann Kanizsay von Gran und dem Prior Emerich Bebek von Vrana auf der Ofener Burg gefangengesetzt. Der Palatin Nikolaus von Gara übernahm seine achtzehn Wochen dauernde Bewachung auf der Burg Siklós. Sofort organisierte Jobst von Mähren im Einvernehmen mit Herzog Albrecht IV. von Österreich ein Heer, um Sigismund zu befreien. Sie rückten zwischen der Waag und der Donau vor und eroberten Tyrnau, Frauenmarkt und Preßburg zurück. Teile der ungarischen Stände wollten darauf Wladislaw von Polen als neuen König sehen, doch die zerspaltene Mehrheit unter Stibor von Stiborzice und die Anhänger der Restauration des Hauses Anjou verweigerten dazu ihre Zustimmung. Nachdem der Traum, einen landeseigenen König zu küren, gescheitert war, brachte Stibor seine früheren Kampfgefährten Johannes von Maroth, Nikolaus Frangipan und den Grafen von Cilli dazu, die Wiedereinsetzung Sigismunds zu unterstützen. Hermann II. von Cilli bewog schließlich seinen Schwiegersohn Nikolaus von Gara, ebenfalls umzuschwenken und den König freizugeben. Am Landtag zu Papa am 27. Oktober 1401 erfolgte die offizielle Wiedereinsetzung Sigismunds in die alten Thronrechte. Am 6. März 1402 ließ Sigismund in Begleitung Hermann von Cillis überraschend seinen unbeliebten Bruder König Wenzel auf dem Prager Hradschin verhaften, am 2. Juni wurde der Gefangene auf die Burg Schaunberg bei Eferding überstellt. Herzog Albrecht IV. von Österreich übernahm dessen Ehrenhaft, bis Wenzel im November 1403 die Flucht aus Wien und seine Rückkehr nach Prag gelang. Sigismund hatte seinen Bruder Wenzel bereits nach der Erhebung des Gegenkönigs Ruprecht von der Pfalz bewogen, auf seine Thronrechte zu seinen Gunsten zu verzichten, und dafür ausreichend Bewegungsfreiheit erhalten. Sigismund erneuerte am 18. August 1402 auch die bereits von seinem Vater Karl IV. angestrebte Erbvereinigung der Häuser Luxemburg und Österreich und übertrug daher im Falle seines kinderlosen Todes seine Erbrechte auf seinen Schwager Albrecht IV. Am 5. August 1403 landete mit Unterstützung des Papstes Bonifatius IX. König Ladislaus von Neapel in Zara, pochte auf die alten Ansprüche seines Hauses Anjou und ließ sich sofort vom Erzbischof Kanizsay zum Gegenkönig krönen. Der Bruder des Palatins, Johann von Gara, und Stibor von Stiborzice vereinigten sich darauf bei Preßburg mit dem Aufgebot Sigismunds und eroberten Papa-Minkas und Althofen zurück. Sigismund hatte damit die Invasion des Königs von Neapel erfolgreich abgewehrt. Ladislaus zog sich darauf nach Dalmatien zurück, brachte aber später Bosnien auf seine Seite. Vergeblich wurde derweil Gran belagert, der Fürstprimas von Ungarn behauptete sich hier weiterhin gegen Sigismund. Am Reichstag von Ofen 1403 amnestierte Sigismund seine politischen Gegner und stellte den inneren Frieden wieder her.


title: Sigismund (HRR)

text: Im Jahr 1404 starb Albrecht IV. mit 27 Jahren an Ruhr. Sein Nachfolger Albrecht V. war erst sieben Jahre alt, deshalb übernahm dessen Onkel Herzog Wilhelm die Vormundschaft. Nachdem Herzog Wilhelm zudem mit Johanna, der Schwester von Ladislaus, des Königs von Neapel, vermählt war und zudem im Bund mit dem wieder etablierten König Wenzel von Böhmen lag, war die von Sigismund schwer erarbeitete Stabilität wieder in Frage gestellt. Um sich die Unterstützung des mächtigen Gara-Clans zu erhalten, vermählte sich Sigismund mit der Grafentochter Barbara von Cilli. Tochter aus dieser Ehe war Elisabeth von Luxemburg. Um die dauernd ungefestigte Südgrenze zu festigen, führte Sigismund 1407 ein starkes Heer gegen Bosnien, das wieder zu Ladislaus von Neapel abgefallen war, und unterwarf es seiner Oberhoheit. Der nördliche Teil wurde dem Banat von Macso angeschlossen, der westliche Teil fiel an Kroatien, zu dessen Ban Hermann von Cilli ernannt wurde. Der östliche Teil Bosniens wurde Fürst Stefan Lazarević von Serbien für seine Neutralität überlassen. Dalmatien blieb aber vorerst dem König Ladislaus ergeben und ging später endgültig an die Republik Venedig verloren. Um seine Macht weiter zu festigen, schuf Sigismund 1408 den Drachenorden, in den auch vereinzelt Deutsche aufgenommen wurden. Vom König gefördert, übernahmen die eingewanderten Deutschen eine führende Rolle im Land und bildeten eine starke Stütze seiner Regierung.


title: Sigismund (HRR)

text: Nach dem Tod König Ruprechts von der Pfalz am 18. Mai 1410 war Sigismund neben Jobst von Mähren einer der beiden Kandidaten für dessen Nachfolge. Die Königswahl wenige Monate später ergab einen knappen Sieg für Jobst: drei Kurfürsten (Trier, Pfalz und Brandenburg) stimmten am 20. September für Sigismund, die anderen vier entschieden sich am 1. Oktober für seinen Cousin. Da Jobst jedoch unter ungeklärten Umständen bereits am 18. Januar 1411 verstarb, wurde Sigismund am 21. Juli des Jahres zum König gewählt. Allerdings fehlte ihm im Reich, auch bedingt durch die Politik seines Vaters Karl IV., die nötige Hausmacht, um erfolgreich Reichspolitik betreiben zu können; außerdem war Sigismunds finanzielle Lage immer sehr angespannt. Das größte Problem jener Zeit stellte die Kirchenspaltung dar, das Abendländische Schisma. Die größte Leistung Sigismunds bestand denn auch in der Wiederherstellung der Einheit der römischen Kirche auf dem Konzil von Konstanz (1414 bis 1418). Dabei kam ihm zugute, dass sein Königtum relativ gefestigt war, während das Papsttum fortwährend an Macht und Ansehen verlor. Sigismund ging diplomatisch geschickt vor und setzte sich in zahlreichen Einzelverhandlungen mit den europäischen Herrschern in Verbindung. Sein Versuch einer Reichsreform konnte jedoch nicht in allen Punkten durchgesetzt werden. Die so genannte "Reformatio Sigismundi" war jedoch nur eine anonyme Schrift, die sich auf Sigismund berief. 1414 erließ Sigismund einen Schutzbrief für die Heilbronner Juden.


title: Sigismund (HRR)

text: Die Unruhen und theologischen Streitigkeiten in Böhmen beschäftigten auch das ab November 1414 tagende Konzil von Konstanz. Es galt, das Land vom Vorwurf der Häresie zu befreien. Sigismund sicherte dem Prager Prediger Jan Hus freies Geleit zu und stellte ihm einen Geleitbrief in Aussicht. Hus machte sich aber schon vorher auf den Weg, um seine Ansichten vor dem Konzil darzulegen. Er erreichte am 3. November Konstanz, wo er zunächst drei Wochen in einer Herberge predigte, danach aber festgenommen wurde. Als Sigismund am 24. Dezember 1414 eintraf, gab er sich über den Bruch des freien Geleits zornig, tat aber nichts, um Hus zu befreien. Schließlich erklärten die geistlichen Konzilsteilnehmer die Zusage Sigismunds als nichtig, da Hus seine Ansichten nicht zurücknehmen wolle und deshalb nicht mehr die weltliche Ordnung für ihn zuständig sei, sondern kirchliches Recht. Sigismund widersprach nicht, denn da er die böhmische Krone seines Bruders Wenzel erben wollte, war ihm sehr daran gelegen, den Ruf Böhmens als rechtgläubig zu rehabilitieren.


title: Sigismund (HRR)

text: Prozess und Verurteilung von Hus erfolgten schließlich durch Angehörige der Kurie ohne direkte päpstliche Beteiligung, da Papst Gregor XII. während des Konzils abgedankt hatte und Papst Johannes XXIII. kurz zuvor abgesetzt worden war. Am 6. Juli 1415 wurde Hus als Häretiker zum Feuertod verurteilt und auf dem Scheiterhaufen verbrannt. Beteiligt am kirchlichen Schuldspruch waren der Kardinalbischof von Ostia, der Bischof von Lodi, der Bischof von Concordia und der Erzbischof von Mailand.


title: Sigismund (HRR)

text: Sigismund verpfändete am 30. April 1415 die Mark Brandenburg an Burggraf Friedrich für 400.000 Gulden.


title: Sigismund (HRR)

text: Am 3. November 1415 nahm König Heinrich V. von England ihn in den Hosenbandorden auf, seine feierliche Investitur fand im Mai 1416 statt.


title: Sigismund (HRR)

text: In Böhmen führten das Konstanzer Urteil und die Verbrennung des Reformators Hus zu Volksaufständen. Im Sommer 1419 spitzte sich der Konflikt zu, wozu auch König Wenzels als mehr und mehr tyrannisch empfundene Herrschaft beigetragen hatte. Ende Juli 1419 gelang es den Hussiten, Prag in ihre Hand zu bekommen. Wenzel floh, doch starb er bereits am 16. August desselben Jahres. Seinen Bruder Sigismund wollten die Hussiten keinesfalls als neuen König anerkennen, weil er am Konzil seine Zusage für Hus nicht eingehalten hatte. In den Tagen nach dem Tode Wenzels zwangen hussitische Volksmassen in Prag Kirchen und Klöster gewaltsam zur Kelchkommunion oder zerstörten und verbrannten sie. Der Aufstand dauerte mehrere Wochen. Im Dezember 1419 erlitt eine katholische Einheit in der Nähe von Pilsen eine erste Niederlage gegen ein kleines hussitisches Kontingent.


title: Sigismund (HRR)

text: Papst Martins V. Kreuzzugsbulle vom März 1420 führte dazu, dass aus dem Aufstand ein Krieg wurde. Ende März nur wenige Tage nach Erlass der Bulle griffen katholische Truppen in Südböhmen vergeblich hussitische Truppen bei Sudoměř an. Dabei wandten die Hussiten die von ihnen entwickelte Taktik der Wagenburg erstmals erfolgreich an. Diese Niederlage begründete den militärischen Ruhm des Hussitenführers Jan Žižka. Zwar zogen im Juni 1420 königliche Truppen auf die Prager Burg, den Hradschin, doch der Versuch, die Stadt zu erobern, wurde am 14. Juli in der Schlacht am Prager St. Veitsberg von den Hussiten abgewehrt. Trotzdem konnte sich Sigismund am 28. Juli 1420 im Prager Veitsdom zum König von Böhmen krönen lassen.


title: Sigismund (HRR)

text: Gegen die aufständischen Hussiten rief Sigismund zum Kreuzzug auf, der aber sehr rasch die Form eines langwierigen Kleinkrieges annahm und erst 1436 beendet werden konnte. Sein treuester Verbündeter in diesem Krieg wurde der Herzog von Österreich, Albrecht V., der später auch zu seinem Nachfolger bestimmt wurde. Am 1. November 1420 hatten die Hussiten den königlichen Truppen in der Schlacht auf dem Berg Witkow (Ziskaberg) eine Niederlage beigebracht, doch gelang ihnen nicht die Eroberung der anderen Prager Burg, des Wyschehrad. Am 28. September 1421 kam Sigismund mit Albrecht in Preßburg über die Bedingungen überein, unter welchen dieser Sigismunds minderjährige Tochter, Prinzessin Elisabeth zur Frau erhalten sollte. Für die Abtretung Mährens, die am 4. Oktober 1423 an den Herzog erfolgte, musste Albrecht V. fast allein die Last des Hussitenkrieges tragen. Neue Söldnertruppen, die Sigismund 1422 gegen die Hussiten einsetzte, wurden in der Schlacht bei Deutsch-Brod ebenfalls geschlagen. Die Hussiten unter Žižka führten ein hartes Regiment, das unter anderem zum Tod und zur Vertreibung vieler Deutscher aus Böhmen führte.


title: Sigismund (HRR)

text: Im Frühjahr 1423 brachen schwere Differenzen zwischen den verschiedenen hussitischen Strömungen auf. Im Juni kam es in Konopischt zu einem zeitweiligen Ausgleich zwischen den Parteien. Nachdem im Oktober 1423 Friedensverhandlungen der Utraquisten in Prag mit Sigismund gescheitert waren, brach der innerhussitische Gegensatz wieder auf.


title: Sigismund (HRR)

text: Insbesondere gegen die zeitweilige Vernachlässigung des Reiches im Angesicht der Hussitengefahr bildete sich 1424 der Binger Kurverein der sechs Kurfürsten, die ein stärkeres Mitspracherecht in der Reichspolitik forderten. Nachdem es Sigismund gelungen war, Friedrich I. von Sachsen auf seine Seite zu bringen, brach das Bündnis faktisch zusammen.


title: Sigismund (HRR)

text: Im Juni 1424 behielt Žižka in der Schlacht bei Maleschau erneut die Oberhand gegen die Prager. Der Schwerpunkt der Kämpfe verlagerte sich nun nach Mähren. Während Herzog Albrecht von Österreich im Juli von Süden her versuchte, das Land in die Hand zu bekommen, begann von Westen her ein verheerender hussitischer Angriff. Habsburgisch-katholisch gesinnte Städte wurden eingenommen und dem Erdboden gleichgemacht. Nach dem Tode Žižkas übernahm im Oktober 1424 Andreas Prokop die Führung der Hussiten und sie blieben weiterhin siegreich. Im Jahre 1425 stießen die Hussiten erstmals nach Schlesien vor, ansonsten beschränkten sich die Kämpfe, die von beiden Seiten mit großer Grausamkeit geführt wurden, bis Herbst 1425 noch weitgehend auf mährisch-böhmisches Gebiet.


title: Sigismund (HRR)

text: Im November 1425 drangen hussitische Heere erneut nach Niederösterreich vor, um Herzog Albrecht abzulenken, der in Mähren mit wechselndem Erfolg operierte, auch um die Belastung des eigenen Landes zu verringern und um Beute zu machen. Zahlreiche Klöster und Städte wurden geplündert. Zur Aufstellung eines neuen Kreuzzuges gegen die Hussiten beschloss der Reichstag zu Frankfurt unter König Sigismund am 2. Dezember 1427 eine Steuer, auch Hussitenpfennig genannt. Darauf gingen die Hussiten unter Andreas Prokop zum Angriff auf katholische Bastionen über. 1428 wurden Niederösterreich und Teile Schlesiens verheert, 1429 auch die Lausitz. Der Hussitenzug des Jahres 1430 betraf bereits die Provinzen Schlesien, Brandenburg, Oberpfalz und Oberfranken, der des Jahres 1431 erneut Brandenburg sowie die westliche Slowakei. Auch ein Beschluss zur Bekämpfung der Hussiten auf dem Reichstag zu Nürnberg im Jahre 1431 konnte das Kriegsglück nicht wenden.


title: Sigismund (HRR)

text: Der Kreuzzug unter Kardinal Giuliano Cesarini endete am 14. August 1431 mit einer blamablen Niederlage in der Schlacht bei Taus. Der Kaiser suchte hierauf nach einer Lösung auf Verhandlungsbasis. Währenddessen folgten 1432/34 die ausgreifendsten Operationen der Hussiten, die im Osten nach Oberschlesien und in die westliche Slowakei führten, in Richtung Norden in die Lausitz und nach Niederschlesien. Ein weiterer Vorstoß vom 18. März bis 5. Mai 1432 betraf erneut Brandenburg und die westlichsten Teile Schlesiens.


title: Sigismund (HRR)

text: Da den königlichen und päpstlichen Truppen bis auf kleinere erfolgreiche Gefechte der Sieg gegen die Hussiten verwehrt blieb, wurde zwischen 1431 und 1433 mit diesen verhandelt. Zwar hatte Kurfürst Friedrich II. von Sachsen am 23. August 1432 schon einen Sonderfrieden mit den Hussiten auf zwei Jahre geschlossen, doch erst 1436 endeten die Kriegshandlungen überall. Auf dem Basler Konzil wurden den Hussiten mit den Prager Kompaktaten einige Zugeständnisse gewährt. Am 21. September 1433 wurde ein Teilkontingent des hussitischen Belagerungsheeres, das in die Oberpfalz eingedrungen war, um dort Truppenversorgung zu erbeuten, von dem wesentlich kleineren Heer des Pfalzgrafen Johann von Pfalz-Neumarkt vernichtend geschlagen.


title: Sigismund (HRR)

text: Während des Konzils von Basel kehrte der gemäßigte Hussitenflügel der Utraquisten bzw. Calixtiner wieder in den Schoß der katholischen Kirche zurück und verbündete sich sogar mit den kaiserlichen Truppen gegen die radikalen Taboriten. Diese wurden schließlich am 30. Mai 1434 in der Schlacht bei Lipan vernichtend geschlagen. Am 23. September 1434 erlitten die Hussiten in der Zweiten Schlacht bei Brüx gegen katholische Truppen unter Friedrich II. von Sachsen und Heinrich von Schwarzburg eine weitere schwere Niederlage. Damit waren die Hussitenkriege in Böhmen im Wesentlichen beendet. Die Böhmen mussten am 5. Juli 1436 auf dem Landtag von Iglau die Kompaktaten des Konzils von Basel und Kaiser Sigismund als König von Böhmen anerkennen.


title: Sigismund (HRR)

text: Im Reich stieß Sigismund auf die Opposition besonders der rheinischen Kurfürsten, die auf der Seite des deutschen Ordensstaats standen und deshalb seine wohlwollende Politik gegenüber Polen-Litauen beargwöhnten. Der von Herzog Ernst von Bayern-München im Auftrag Sigismunds 1430 zum Zwecke der Inauguration des litauischen Herzogs Vytautas begonnene Feldzug wurde durch dessen Tod vereitelt.


title: Sigismund (HRR)

text: Sigismunds diplomatisches Talent zeigte sich dann besonders während seines 1431 begonnenen Italienzugs, als er im komplexen Netz der Bündnisse seinen Vorteil suchte und meistens fand. Einerseits wollte er durch ein Bündnis mit den oberitalienischen Städten die Macht der Republik Venedig schwächen, andererseits wollte er seine gespannten Beziehungen zum heiligen Stuhl verbessern und Papst Eugen IV. für die Beschlüsse des Konzils von Basel gewinnen. Unmittelbar nach der Niederlage der Kreuzritter in der Schlacht bei Taus trat Sigismund mit einigen hunderten Ungarn seinen Zug nach Rom an.


title: Sigismund (HRR)

text: Herzog Filippo Maria Visconti von Mailand war schnell gewonnen; unter dessen Schutz empfing Sigismund am 25. November 1431 die Eiserne Krone der Lombardei für Reichsitalien. Im Dezember 1431 erreichte Sigismund ein formelles Bündnis mit dem Amadeus VIII., dem Herzog von Savoyen und den Markgrafen von Montferrat gegen Venedig. Über Piacenza und Parma begab er sich nach Siena, wo ihn die Truppen der Republik Florenz zwischen Juli 1432 und Mai 1433 für zehn Monate einschlossen. Nur das Geschick seines Kanzlers Kaspar Schlick bewahrte Sigismund hier vor einer diplomatischen Niederlage. Nachdem Sigismund die Bedeutung des apostolischen Stuhls anerkannt und sich zur Ausrottung der böhmischen Ketzerei verpflichtet hatte, weihte ihn der Papst am 31. Mai 1433 in Rom zum Kaiser und setzte Sigismund die erstrebte Krone auf. Im Frieden von Ferrara vom 7. April 1434 bereinigten Kaiser und Papst endgültig ihre Differenzen; Venedig, Mailand und Florenz schlossen sich diesem Ausgleich an.


title: Sigismund (HRR)

text: Nach dem Ende des siebzehnjährigen grausamen Religionskrieges gegen die Hussiten hielt der Kaiser am 23. August 1436 mit seiner Gemahlin feierlichen Einzug in Prag. Noch während seiner Regierung wurde über Sigismunds Nachfolge spekuliert. Er selbst favorisierte seinen Schwiegersohn Albrecht, Herzog von Österreich. Darin unterstützten ihn die adeligen Katholiken und die gemäßigten Utraquisten sowie einige Königsstädte. Seine Frau Barbara von Cilli mit ihren Anhängern unter Führung von Hynek Ptáček von Pirkstein zog dagegen den polnischen König Wladyslaw vor und betrieb im Geheimen die Absetzung Sigismunds. Der erkrankte Kaiser erfuhr in Prag rechtzeitig von dem Verrat und hieß den gesamten Hof sofort aufbrechen, um durch ein rechtzeitiges Zusammentreffen mit Albrecht V. den geplanten Staatsstreich zu verhindern. In seiner letzten Stunde und im Angesicht des Todes ließ sich der Kaiser im südmährischen Znojmo (deutsch "Znaim") im vollen Ornat noch auf den Thron heben. Dort sitzend, starb er am 9. Dezember 1437 und wurde in der ungarischen Königsgruft im Dom von Großwardein dem gotischen Vorgängerbau der heutigen barocken Kathedrale St. Mariä Himmelfahrt (Oradea) beigesetzt. Der Ort gehört heute zu Rumänien (rum. "Oradea", ung. Nagyvárad). In der zweiten Hälfte des 16. Jahrhunderts zerstörten nach ungarischer Historiographie die Osmanen die Königs- und Heiligengräber, darunter das von Sigismund, während die rumänische Geschichtsschreibung die Schändung protestantischen Aufständischen anlastet.


title: Sigismund (HRR)

text: Mit Sigismund, der als großer Reichs- und Kirchenreformer gilt, endete die Luxemburger Dynastie im männlichen Stamm. Nach seinem Tode kam es zu offenen Auseinandersetzungen. Das Ende des Hauses Luxemburg sah die Überforderung seiner Kräfte, um ein mittel-osteuropäisches Herrschaftsgebilde sicher lenken zu können. Dennoch sollte diese Idee später von den Habsburgern aufgegriffen und mit der Donaumonarchie verwirklicht werden. Die Meinung der Zeitgenossen über Kaiser Sigismund war gespalten. So wurde ihm nach seinem Tod unter anderem vorgeworfen, er habe gegen die Interessen seiner Untertanen unnötig Kriege geführt und allzu leichtfertig sein Hausgut und Vermögen auf das Spiel gesetzt.


title: Sigismund (HRR)

text: Sigismund heiratete zweimal, aus jeder seiner beiden Ehen ging ein Kind hervor. Das Erstgeborene, wahrscheinlich ein Sohn, kam aufgrund eines Reitunfalls, den Königin Maria von Ungarn erlitten hatte, als sie hochschwanger war, zu früh zur Welt. Mutter und Kind starben beide kurz nach der Geburt in den Budaer Bergen am 17. Mai 1395. Dies führte zu einer tiefen Nachfolgekrise, da Sigismund nur aufgrund des Thronanspruchs seiner Frau über Ungarn herrschte. Zwar gelang es ihm, dort weiterhin die Macht zu halten, jedoch unter ständigen Krisen. Aus seiner zweiten Ehe mit Barbara von Cilli stammte die Tochter Elisabeth von Luxemburg, geboren 1409, und damit einzige Erbin der Thronansprüche im Reich, in Ungarn, Böhmen und Kroatien, die allerdings sämtlich Wahlmonarchien waren. 1421/22 heiratete sie Herzog Albrecht von Österreich, mit dem sie bereits im Alter von zwei Jahren verlobt worden war. Dieser wurde als Nachfolger seines Schwiegervaters zum römisch-deutschen, ungarisch-kroatischen und böhmischen König gewählt und begründete damit das bis 1806 fast ununterbrochen andauernde Kaisertum des Hauses Habsburg sowie den Länderkomplex der Habsburgischen Erblande. Die Besitzungen der Luxemburger westlich des Rheins wurden in den Länderkomplex des Hauses Burgund integriert, das einige Jahrzehnte später ebenso von den Habsburgern beerbt wurde.


title: Sigismund (HRR)

text: Vom Leben und Wirken des Kaisers erzählt das Kaiser Sigismunds Buch des Eberhard Windeck, das in drei Handschriften überliefert ist. Die reich illustrierte spätmittelalterliche "Sigismundhandschrift" (C) aus der Werkstatt von Diebold Lauber entstand 1445–1450. In 174 Illustrationen werden die spektakulärsten Ereignisse beschrieben, Intrigen und Schlachten, Giftmorde und die Verbrennung des Jan Hus, der 1415 ohne Widerspruch des späteren Kaisers auf dem Scheiterhaufen hingerichtet wurde. Außerdem enthält die Handschrift die drei ältesten Darstellungen der Jeanne d’Arc. Die Handschrift wurde, nachdem sie 50 Jahre lang als verschollen galt, 2009 bei Sotheby’s mit einem Schätzwert von 1,5 Millionen Euro versteigert. Die Handschrift umfasst noch 306 Blätter. Sie war früher im Privatbesitz in Irland und ursprünglich Bestandteil der Bibliothek Phillippica, Cheltenham, Cod. 10381.


title: Sigismund (HRR)

text: Ein Standbild Sigismunds mit den beiden Büsten Lippold von Bredows und Bernd Rykes als Nebenfiguren schuf Eugen Börmel für die Siegesallee in Berlin. Es wurde am 6. Mai 1900 als Denkmalgruppe 14 enthüllt und ist heute in der Zitadelle Spandau aufgestellt.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Die Stadt ist zentraler Wirtschaftsstandort der Region Oberer Bayerischer Wald mit der Funktion eines Oberzentrums in Bayern. Als Wirtschaftszentrum mit modernen Gewerbegebieten am Stadtrand, die über die Grenzen des Landkreises hinaus Bedeutung haben, zeichnet sich die Stadt durch eine große Branchenvielfalt aus.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Cham liegt etwa 60 km nordöstlich von Regensburg am Fluss Regen, einem linken Nebenfluss der Donau, in der Cham-Further Senke, einem langgestreckten Taleinschnitt, der die quer dazu verlaufenden Mittelgebirgszüge des Oberpfälzer Waldes im Nordosten vom Bayerischen Wald bzw. dem Künischen Gebirge im Südosten teilt. Etwa 20 km nordöstlich des Hauptortes verläuft die tschechische Grenze, und etwa 90 km nordöstlich liegt Pilsen. Cham wird deshalb auch als „Tor zum Bayerischen Wald und zum Böhmerwald“ bezeichnet. Weil der Regen die Chamer Altstadt in einem weiten Bogen umschließt, gibt es für Cham in der Touristik auch die Bezeichnung „Stadt am Regenbogen“.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Die Stadt Cham grenzt im Norden an die Gemeinden Waffenbrunn und Willmering, im Nordosten an Weiding und im Osten an Runding sowie Chamerau. Im Südosten liegt die Gemeinde Zandt, im Süden Traitsching, im Südwesten Schorndorf, im Westen die Stadt Roding und im Nordwesten die zur Verwaltungsgemeinschaft Stamsried gehörende Gemeinde Pösing sowie die Gemeinde Pemfling.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Auf dem Stadtgebiet existieren die 14 Gemarkungen Altenmarkt, Cham, Chameregg, Chammünster, Gutmaning, Haderstadl, Hof, Katzberg, Loibling, Rhanwalting, Schachendorf, Thierlstein, Vilzing und Windischbergerdorf. Nur Jeweils der Gemarkungsteil 0 der Gemarkungen Haderstadl und Rhanwalting liegt auf dem Gebiet der Stadt Cham.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Der Burg- und Stadtname "Cham" bzw. "Camma" ist keltischen Ursprungs und bedeutet „an der Kurve“ oder „Krümmung“ (vgl. ‘gebogen, verbogen; unaufrichtig; falsch’, ‘gebogen, verbogen; schief, krumm; einäugig’, ‘gebogen, verbogen, verdreht; missgestaltet; hinterlistig; schief, krumm’ < altirisch "camm" ‘gebogen, verbogen, gewunden, verdreht’ < urkeltisch "*kambos"). Von dem keltischen Wort leitet sich auch der tschechische Name der Stadt, "Kouba", ab. In der Nähe des Chamer Stadtteils Altenstadt mündet das windungsreiche Flüsschen Chamb in den Regen. Deshalb ist es vermutlich der keltische Namensgeber für die spätere "Königsburg Camma" und die erste Siedlung „am Regenbogen“. Später wurde der Name "Cham" volksetymologisch zu „Kamm“ gestellt (, ), weshalb das Wappen der Stadt auch einen Kamm enthält.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Die spätere "Mark Camma" war zur Zeit der Agilolfinger (6. bis 8. Jahrhundert) Herzogsland. Sie wurde im Jahr 788 Königsland und war damit an den römisch-deutschen Wahlkönig oder Kaiser gebunden. Im Jahr 748 gründeten Benediktinermönche aus dem Regensburger Kloster Sankt Emmeram in Chammünster, einem heutigen Stadtteil von Cham, eine "Cella" (klösterliche Niederlassung). Sie wurde als sogenannte Urpfarrei (mit dem späteren Marienmünster) zu einem Ausgangspunkt der Besiedelung und Christianisierung des Oberen Bayerischen Waldes sowie des mittleren Böhmerwaldes. Während der Regierungszeit der Liudolfinger (Ottonen) wurde um 976 mit der auf Königsland erbauten "Burg Camma" und weiteren befestigten Burgen eine Grenzsicherungsorganisation errichtet, in welcher sich mit anderen Orten auch die spätere Stadt Cham "(Camma)" entwickelte.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Zu der im 10. Jahrhundert geschaffenen, 1055 erstmals genannten "Mark Camma" (Böhmische Mark) mit der "Burg Camma" (Cham) besaßen die Diepoldinger-Rapotonen, Burggrafen des Nordgaus und Markgrafen von Cham und Vohburg auch Schloss Rohrau und die Herrschaft Rohrau (Niederösterreich) bei Bruck an der Leitha. 1204 nach dem Erlöschen ihrer Manneslinie fiel die "Markgrafschaft Camma" an das Haus Wittelsbach. 1255 gelangte die "Mark Camma" bei der Teilung Bayerns an Niederbayern, bei dem es bis auf die Jahre 1708–1714 verblieb.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Der Ort Cham wurde im Jahr 976 als "" erstmals als Stadt erwähnt. Sie lag damals auf dem Höhenzug bei dem Dorf Altenstadt und war der "Reichsburg Camma", die den Handelsweg nach Böhmen sicherte, untertänig. Um das Jahr 1000 erhielt Cham eine eigene Münzstätte, welche den sogenannten Chamer Denar prägte.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Im 12. bzw. 13. Jahrhundert wurde die Stadt an ihren heutigen Standort verlegt. Die erste Nachricht über eine christliche Kirche stammt aus dem Jahr 1210, als Herzog Ludwig der Kelheimer aus dem Hause Wittelsbach eine "ecclesia in novo foro chambe", eine Kirche auf dem neuen Markt Cham, dem Deutschen Orden in Regensburg schenkte.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Während der Hussitenkriege im 15. Jahrhundert durchlebten die Chamer Bürger harte Zeiten. 1429 belagerten eine Heeresgruppe der Hussiten, die 1420 die Stadt Prachatitz (Prachatice) in Südböhmen erobert und grausam gegen die Bevölkerung gewütet hatten, von Goldenkron kommend, wo sie 1429 das Kloster Zlatá Koruna niedergebrannt hatten, die Stadt. Bei Satzdorf, vor den Toren Chams, gelang einem Ritterheer des Deutschen Ordens am 29. September 1429 ein Sieg über die Hussiten. Heinrich Notthafft von Wernberg der Reiche, auf Burg Runding bei Cham, trug erheblich zu diesem Sieg bei. Eine weitere Niederlage der Hussiten in der nahen Schlacht bei Hiltersried am 21. September 1433 hinderte deren Vordringen nach Regensburg und Niederbayern.


title: Cham (Oberpfalz)

text: 1489 gründeten Adelige im Bayerischen Wald den Löwlerbund, eine Adelsgesellschaft des 15. Jahrhunderts, die gegen den bayerischen Herzog Albrecht IV. (Bayern) und dessen Ansprüche hinsichtlich finanzieller Leistungen für seine kriegerischen Auseinandersetzungen, gerichtet war. Dieser Bund tagte in einem Gebäude am Marktplatz der Stadt Cham, dem späteren Gasthof "Zur Krone".


title: Cham (Oberpfalz)

text: In den Jahren 1555 bis etwa 1628 war Cham nach dem Augsburger Reichs- und Religionsfrieden, welchem sich Ottheinrich von der Pfalz aus dem Hause Wittelsbach angeschlossen hatte, evangelisch-lutherisch und wurde nach drei Generationen während der Rekatholisierung in Bayern wieder römisch-katholisch.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Während des Dreißigjährigen Kriegs (1618–1648) wurde „die kleine Festung Cham“ an der Heeresstraße von Böhmen nach Süddeutschland fünf Mal von wechselnden Söldnerheeren und deren Kommandeuren besetzt, zu Zahlungen und Einquartierungen gezwungen. Während der Bayerischen Diversion im Spanischen Erbfolgekrieg unter Kurfürst Max II. Emanuel kam auch die Stadt Cham nach dessen gescheiterten Rangerhöhungsplänen im Jahre 1703 an den römisch-deutschen Kaiser Joseph I. (1678–1711). Dieser belehnte Kurfürst Johann Wilhelm mit der Oberpfalz und auch der Grafschaft Cham, bis das neuerworbene Gebiet nach dem Friedensschluss 1715 wieder an Bayern fiel. Der letzte Aufstand gegen diese Inbesitznahme wurde am 16. Januar 1706 niedergeschlagen. 1742 eroberten die Panduren während des Österreichischen Erbfolgekriegs (1740–1748) unter Franz Freiherr von der Trenck die Stadt, die sie neun Tage lang plünderten und schließlich am 9. September 1742 in Brand setzten, ehe sie weiterzogen. Der Stadtkern mit seinen historischen Bauwerken wurde wieder aufgebaut.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Cham erhielt im Zuge der Industrialisierung im Jahr 1861 einen Eisenbahnanschluss. Es folgte eine Phase relativen Wohlstands, da Cham zu den wichtigsten süddeutschen Holzumschlagplätzen gehörte. Hier wurde das auf dem Regen aus dem Bayerischen Wald getriftete Holz auf die Bahn verladen. Mit der Eröffnung der Bahnlinie von Deggendorf nach Bayerisch Eisenstein im Künischen Gebirge im Jahr 1877 ging die Bedeutung der Stadt Cham als Holzumschlageplatz zurück.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Im Jahr 1933 wurden noch 66 jüdische Einwohner gezählt (1,3 % von 5.039), die infolge des "Judenboykotts" und der zunehmenden Repressalien in den folgenden Jahren teilweise auswanderten beziehungsweise in andere Orte verzogen. Zu gewaltsamen Aktionen gegen jüdische Geschäfte kam es ab Dezember 1936 (Schuhgeschäft Eisfeld). Die Anzahl jüdischer Einwohner in Cham sank von 24 im Oktober 1938 auf 20 am 1. Januar 1939. Infolge der Novemberpogrome 1938 verließen weitere jüdische Einwohner die Stadt. Bis zum 1. Januar 1940 verblieben in Cham noch sechs, 1942 vor Beginn der Deportationen noch zwei jüdische Personen.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Gegen Ende des Zweiten Weltkriegs (1939–1945) wurden in der Nacht vom 17. auf den 18. April 1945 bei einem Luftangriff 63 Menschen getötet und 46 verletzt, als 90 Lancaster und 11 Mosquito der No. 5 Bomber Group der Royal Air Force die Bahnanlagen von Cham angriffen. Bereits am 1. März waren bei einem Tieffliegerangriff auf einen in Altenschwand haltenden Zug mit Flüchtlingen aus dem Protektorat Böhmen und Mähren, dem Sudetengau und Ostdeutschland 28 Menschen getötet und über 70 verletzt worden. Am 23. April 1945 wurde Cham von der 11. US-Panzerdivision eingenommen. Anschließend wurde Cham für drei Tage zur Plünderung freigegeben. Im Ortsteil Janahof wurde ein Kriegsgefangenenlager für 20.000 Menschen eingerichtet. Von Regensburg kommend, besetzten Ende Mai 1945 amerikanische Truppen die Stadt Cham, das Regental und Böhmen bis zur Linie Karlsbad, Pilsen und Budweis. Im Oktober 1945 übergaben sie das von ihnen in breiter Front besetzte Gebiet in West- und Südböhmen russisch-sowjetischen Truppenverbänden. Durch zahlreiche Heimatvertriebene aus Schlesien und dem Sudetenland, die in Cham ansässig wurden, erhöhte sich die Einwohnerzahl der Stadt nach Kriegsende von 5.860 auf über 10.000. Der Ortsteil Michelsdorf wurde in der Nachkriegszeit vor allem von weißrussischen Emigranten besiedelt. Im Grenzgebiet zu Niederbayern und der Oberpfalz bestanden bis zur Revolution von 1989 die Grenzbefestigungen der ČSSR im Kalten Krieg mit Visumzwang und strengsten Kontrollen durch die Tschechoslowakische Sozialistische Republik.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Am 25. Mai 2009 erhielten die Stadt und der Landkreis Cham den von der Bundesregierung verliehenen Titel „Ort der Vielfalt“ und baute neue Erwerbsquellen durch mittelständische Betriebe und Förderung der Touristik aus.


title: Cham (Oberpfalz)

text: 1946 wurde ein Teil der damals aufgelösten Gemeinde Katzberg in die Stadt Cham eingegliedert. Im Rahmen der Gebietsreform in Bayern wurden zum 1. Januar 1972 die bis dahin selbstständigen Gemeinden Altenmarkt, Loibling mit dem übrigen Teil der ehemaligen Gemeinde Katzberg, Thierlstein sowie Teile der Gemeinden Penting und Rhanwalting in die Stadt Cham eingemeindet. Am 1. Mai 1978 kamen die Gemeinden Chammünster (mit den 1946 eingemeindeten Gemeinden Chameregg, Gutmaning und Hof sowie den 1972 eingemeindeten Schachendorf, Vilzing und Haderstadl) und Windischbergerdorf sowie Gebietsteile von Willmering hinzu.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Cham wuchs zwischen 1988 und 2018 von 16.641 auf 16.907 um 266 Einwohner bzw. um ca. 1,6 %. 2002 hatte die Stadt einen Höchststand von 17.366 Einwohnern erreicht. Am 30. September 2019 zählte Cham 16.990 Einwohner.


title: Cham (Oberpfalz)

text: In Cham gibt es sieben katholische Pfarreien bzw. Seelsorgeeinheiten, die dem Dekanat Cham im Bistum Regensburg zugeordnet sind:


title: Cham (Oberpfalz)

text: In der Kernstadt von Cham bestehen die beiden Pfarreien St. Jakob (Cham-Mitte und Cham-Ost) mit der Expositur St. Laurentius im Stadtteil Vilzing und St. Josef (Cham-West) mit der Filialgemeinde Katzberg sowie die vom Redemptoristenkloster Cham betreute katholische Krankenhausseelsorge. Daneben gibt es die Pfarreien Mariä Himmelfahrt in Chammünster, St. Martin in Untertraubenbach und St. Michael in Windischbergerdorf. Die Pfarreien St. Josef in Cham-West und St. Martin im Stadtteil Untertraubenbach bilden zusammen eine Seelsorgeeinheit.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Das Redemptoristenkloster Cham bildet mit seinem Exerzitienhaus ein wichtiges geistliches Zentrum der Stadt und umfasst mit der Klosterkirche Maria Hilf zudem eine eigene Klostergemeinde.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Außerdem bestehen in Cham eine Evangelisch-Lutherische Kirchengemeinde (Dekanatsbezirk Cham), eine Baptistengemeinde, die dem Bund Evangelischer Freikirchlicher Gemeinden in Deutschland zugeordnet ist, sowie eine Gemeinde der Neuapostolischen Kirche (Kirchenbezirk Nürnberg-Ost).


title: Cham (Oberpfalz)

text: Im Hauptort existiert auch eine islamische Kultusgemeinde. Zudem gibt es eine buddhistische Glaubensgemeinschaft und Anhänger des Falun Gong. Im Stadtteil Michelsdorf befindet sich der Königreichssaal der Zeugen Jehovas.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Der Stadtrat Cham besteht aus 24 Mitgliedern. Seine Zusammensetzung ist neben den politischen Parteien traditionell stark geprägt durch zahlreiche Wählergemeinschaften bzw. Stadtteillisten. Die Kommunalwahlen seit 2008 hatten folgende Ergebnisse:


title: Cham (Oberpfalz)

text: Seit dem Jahr 2000 ist Cham der juristische Sitz des grenzüberschreitenden Aktionskreises Künisches Gebirge e. V.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Im Zuge der Kleinen Landesgartenschau „Natur in der Stadt Cham“ im Jahr 2001 wurden Grünanlagen der Stadt erneuert und teilweise neu angelegt. Der nur wenige Gehminuten vom Zentrum entfernte Stadtpark beim Redemptoristenkloster bildet die grüne Lunge der Stadt. Südöstlich vom Zentrum befindet sich mit der Quadfeldmühle eine große Grünfläche, die auch zum Sport einlädt. Außerdem findet man vor allem am Regenufer in die Natur eingefügte Promenaden.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Die 1. Herrenmannschaft spielt seit dem Aufstieg in der Saison 2020/2021 in der Bayernliga Süd-Ost, der vierthöchsten deutschen Spielklasse des Handballsports. Die Spiele finden in der Halle des Joseph-von-Fraunhofer-Gymnasiums in Cham statt.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Der ASV Cham und die DJK Vilzing spielen in der Bayernliga, der fünfthöchsten Spielklasse im deutschen Fußball. Das Stadion der DJK Vilzing trägt seit dem 23. September 2005 den Namen „Manfred-Zollner-Stadion“.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Bekanntester Spieler der beiden Vereine ist der in Vilzing geborene Bundesliga-Profi Christoph Janker von Hertha BSC, der in der Jugend für beide Mannschaften antrat.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Die Luftpistolenmannschaft der Reichsburgschützen Siechen Altenstadt e. V. schießt im vierten Jahr in der Bayernliga Nord Ost.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Die Stadt Cham ist zentraler Wirtschaftsstandort der Region Oberer Bayerischer Wald mit der Funktion eines Oberzentrums. Als Wirtschaftszentrum mit modernen Gewerbegebieten am Stadtrand, die über die Grenzen des Landkreises hinaus Bedeutung haben, zeichnet sich Cham durch eine große Branchenvielfalt aus. In der Kreisstadt sind rund 600 kleine und mittlere Betriebe sowie einige größere Unternehmen ansässig. Über die Region hinaus bekannt sind die Siemens AG, die Zollner Elektronik AG, die Ensinger GmbH, die Müller Präzision GmbH, die Firma Kappenberger + Braun und die Frey Handelsgruppe.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Seit 1959 ist Cham Bundeswehrstandort. In der "Nordgaukaserne" waren in der Vergangenheit Truppenteile der Jäger- bzw. Panzergrenadierbrigade 11 wie z. B. das "Panzergrenadierbataillon 113" untergebracht. Bis Ende des Jahres 2014 war sie Standort des "Fernmeldebataillons 4" der Panzerbrigade 12.


title: Cham (Oberpfalz)

text: In Cham kreuzen sich die drei Bundesstraßen 85 (Amberg–Schwandorf–Passau), 22 (Bayreuth–Weiden–Oberviechtach–Cham) und 20 (Straubing–Furth im Wald). Die nächstgelegenen Autobahnen sind die A 3 bei Straubing (30 km Entfernung) und die A 93 bei Schwandorf (45 km Entfernung).


title: Cham (Oberpfalz)

text: Cham liegt an der Bahnstrecke Schwandorf–Furth im Wald. Am Bahnhof Cham (Oberpfalz) zweigen die beiden Nebenstrecken nach Waldmünchen und nach Lam ab. Die Hauptstrecke wird von der Regentalbahn unter der Bezeichnung Oberpfalzbahn im Auftrag der Deutschen Bahn AG im Stundentakt, die Nebenstrecken jeweils im Zweistundentakt betrieben.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Außerdem gibt es täglich sieben Alex-Zugverbindungen zwischen München und Prag sowie zwei von der Deutschen Bahn AG betriebene Regionalexpress-Verbindungen zwischen Nürnberg und Furth im Wald mit Halt in Cham.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Die Stadt Cham verfügt über zwei Stadtbuslinien. Die Stadtbuslinie 1 verkehrt innerhalb der Kernstadt und Janahof, die Linie 2 verbindet die Kernstadt mit weiteren Stadtteilen. Der öffentliche Personennahverkehr (Bahnverkehr, Stadt- und Regionalbuslinien) ist dem Tarifsystem der Verkehrsgemeinschaft Landkreis Cham angeschlossen.


title: Cham (Oberpfalz)

text: Im Jahre 1923 gab Cham lokale Notgeldscheine aus, die auf Werte zwischen 500.000 und 500 Milliarden Mark lauteten. Außerdem gab es vier Wertstufen, die auf Goldmark lauteten. Alle diese Noten wurden wie auch das Kötztinger Notgeld bei der Buch- und Akzidenzdruckerei J[osef] Wein hergestellt.


title: Oxford

text: Oxford () ist die Hauptstadt der Grafschaft Oxfordshire in England, Großbritannien. Die Stadt liegt an Themse und Cherwell 90 km nordwestlich von London, hat über 150.000 Einwohner und ist Sitz der alten und renommierten Universität Oxford sowie der jüngeren Oxford Brookes University. Oxford bildet zugleich einen eigenständigen Distrikt innerhalb der Grafschaft.


title: Oxford

text: Oxford ist bekannt als "", ein Begriff, den Matthew Arnold aufgrund der harmonischen Architektur der Universitätsgebäude prägte. Anders als der große Rivale Cambridge ist Oxford zugleich eine Industriestadt.


title: Oxford

text: Oxford tauchte zum ersten Mal zur Zeit der Sachsen unter dem Namen "Oxanforda" auf, welches „Ford of the Oxen“, also Furt der Ochsen, also Ochsenfurt, bedeutet. Es geht auf die Gründungen des Klosters einer sächsischen Prinzessin und Nonne namens Frideswide im 8. Jahrhundert zurück und wurde in der Angelsächsischen Chronik von 912 erstmals urkundlich erwähnt. Im 10. Jahrhundert wurde Oxford eine militärisch äußerst bedeutende Stadt im Kampf zwischen den Königreichen Mercia und Wessex.


title: Oxford

text: Die University of Oxford ist erstmals in Aufzeichnungen aus dem 12. Jahrhundert zu finden. Die ersten Colleges der Universität waren das University College (1249), Balliol College (1263) und Merton College (1264).


title: Oxford

text: Im Jahr 1322 fand ein Konzil in Oxford statt, bei dem unter anderem die Abnahme der Beichte bei Frauen an dunklen Orten verboten wurde.


title: Oxford

text: Die Christ Church Cathedral ist eine Collegekapelle und eine Kathedrale. Ursprünglich die Hauptkirche von "St. Frideswide", wurde das Gebäude erweitert und als Kapelle in die Struktur des "Christ Church College" eingegliedert. Seine doppelte Funktion sowohl als Kapelle für das College als auch als Kathedrale für die "Diocese of Oxford" hat es seit 1546. Diese Partnerschaft war des Öfteren sehr schwierig und viele Studenten wurden am "St Scholastica Day riot" von 1355 getötet.


title: Oxford

text: Während des "English Civil War" 1642 war Oxford, nachdem der König aus London vertrieben worden war, Regierungssitz des Königs Charles I., obwohl es in der Stadt eine breite Unterstützung für die Parlamentarier gab. Die Stadt stritt unter General Fairfax 1646 für die Sache der Parlamentarier.


title: Oxford

text: Seit 1790 verbindet der Oxford Canal die Stadt mit Coventry und dem Industriegebiet um Birmingham. Für eine kurze Zeit zählte der Oxford Canal zu den wichtigsten und profitabelsten Verkehrsstrecken in England, über die die Oxford Canal Company den Großteil des Handels zwischen London und den Midlands abwickelte. Transportiert wurden mit sog. Narrowboats vor allem Kohle, Stein und landwirtschaftliche Produkte. Mit der Inbetriebnahme des Kanals sank der Kohlepreis in Oxford innerhalb kürzester Zeit auf ein Achtel.


title: Oxford

text: In den 1840er Jahren stellten die Great Western Railway und die London and North Western Railway eine Eisenbahn-Verbindung nach London her.


title: Oxford

text: Im 19. Jahrhundert rückte der Streit um die Oxford-Bewegung in der Anglikanischen Kirche die Stadt in das Blickfeld der Bevölkerung. Das Rathaus von Oxford wurde während der Herrschaft von Königin Victoria errichtet. Obwohl Oxford schon seit 1542 den Status einer City hat, wird das Rathaus weiterhin "Town Hall" genannt.


title: Oxford

text: In den ersten Jahrzehnten des 20. Jahrhunderts erlebte Oxford einen großen Aufschwung, nachdem sich vor allem Druckereien und Verlagshäuser dort niedergelassen hatten. Infolgedessen stieg auch die Zahl der Einwohner erheblich. Etwa zur gleichen Zeit gründete William Morris die Morris Motor Company in Cowley, einem Vorort von Oxford. Wegen dieser Industrialisierung gewann Oxford 40.000 mehr Bewohner. Das von ihm begründete Werk produziert heute noch Autos und gehört mittlerweile als Produktionsstätte des Minis zum BMW-Konzern. Im Zweiten Weltkrieg blieb Oxford vor Angriffen durch die deutsche Luftwaffe verschont.


title: Oxford

text: Die Automobilproduktion brachte zahlreiche Gastarbeiter nach Oxford. Zusammen mit den Einwanderern aus Südostasien und den vielen Studenten geben sie der Stadt einen kosmopolitischen Charakter. Das gilt besonders für den Stadtteil Headington und die Cowley Road mit ihren vielen Kneipen, Cafés, Restaurants, Clubs, Asia Shops und Fast-Food-Restaurants.


title: Oxford

text: Neben der Oxford University beherbergt die Stadt auch eine weitere Universität, die Oxford Brookes University, deren Entstehung bis ins Jahr 1865 zurückzuverfolgen ist. Den Titel „University“ trägt sie seit 1992 mit Hauptsitz in Headington.


title: Oxford

text: 2015 enthüllte ein Bericht, dass in Oxford und ganz Oxfordshire von 2000 bis 2015 373 Mädchen ab einem Alter von 11 Jahren Opfer bandenmäßigen sexuellen Missbrauchs von Kindern und Jugendlichen, Kinderprostitution und Menschenhandel durch britisch-pakistanische Männer wurden. Wie in ähnlichen Fällen in Rochdale, Rotherham, Derby und Bristol schritten die Behörden trotz Hinweisen nicht ein. Wie bei anderen Missbrauchsskandalen in Großbritannien reagierten die Behörden nicht, weil sie befürchteten, rassistische Vorurteile zu bedienen. Die Mädchen waren in der Regel weiße Britinnen.


title: Oxford

text: In den Randbereichen des Distrikts liegen vier kleinere Gemeinden (Civil Parish): Blackbird Leys, Risinghurst and Sandhills, Littlemore und Old Marston. Der weit überwiegende Teil steht als "unparished area" außerhalb dieses Systems. Das bedeutet, dass die anfallenden Entscheidungen auf der Ebene des Distrikts gefällt werden, ebenso die Erledigung damit verbundener Aufgaben.


title: Oxford

text: Barton, Binsey, Blackbird Leys, Botley, Cowley, Cowley Marsh, Cutteslowe, East Oxford, Godstow, Grandpont, Greater Leys, Headington, Headington Quarry, Iffley, Jericho, Littlemore, Marston, New Headington, New Hinksey, Kennington, New Marston, Norham Manor, North Hinksey, North Oxford, Osney, Risinghurst, Rose Hill, Sandhills, South Hinksey, Summertown, Temple Cowley, Walton Manor, Wolvercote, Wood Farm.


title: Oxford

text: Oxford liegt etwa 80 Kilometer nordwestlich von London und ist über den Motorway M40 nach Südosten mit der Hauptstadt und nach Norden hin mit Birmingham verbunden. Es bestehen Eisenbahnverbindungen u. a. nach London Paddington, Birmingham, Worcester und Bicester. Des Weiteren besteht eine direkte Expressbus-Verbindung zwischen Oxford und London Victoria Coach Station, die von zwei Busgesellschaften mit mehreren Abfahrten in der Stunde betrieben wird.


title: Oxford

text: Der Oxford Canal verbindet Oxford mit der Stadt Coventry. Er hat seine wirtschaftliche Bedeutung als Verkehrsweg verloren und dient heute nur noch den Freizeitkapitänen auf ihren zu schwimmenden Ferienwohnungen umgebauten Narrowboats.


title: Oxford

text: In Kidlington (etwa 7 km nördlich des Stadtzentrums) liegt der London Oxford Airport, ein Flughafen, der für Privat- und Geschäftsflugzeuge genutzt wird.


title: Oxford

text: Die Innenstadt von Oxford soll ab August 2021 emissionsfrei sein. Dazu wurde das Projekt Zero Emission Zone (ZEZ) ins Leben gerufen.


title: Oxford

text: Wohl am bekanntesten dürfte die Rudermannschaft sein, die jedes Jahr gegen die Mannschaft von Cambridge in einem Rennen (Boat Race) auf der Themse antritt. Das Kassam Stadium in Blackbird Leys ist die Heimspielstätte des Fußballvereines Oxford United, der trotz hoher Investitionen nur in den unteren Ligen Englands spielt.


title: Oxford

text: Am 13. März 1909 verlor die deutsche Fußballnationalmannschaft in Oxford mit 0:9 gegen die Engländer. Dies blieb bis heute die höchste Niederlage der deutschen Auswahl.


title: Oxford

text: Neben dem Rudern ist das sogenannte Punting in Oxford (wie auch in Cambridge) äußerst beliebt, welches dem Tübinger Stocherkahn ähnelt.


title: Oxford

text: Im Motorradsport gehört das Oxforder Speedway-Elite-League Profi-Team der Oxford Cheetahs zu den bekanntesten auf der britischen Insel.


title: Oxford

text: Oxford hat viele große Touristenattraktionen, einige davon im Zusammenhang mit der Universität, wie z. B. das Ashmolean Museum, das Pitt Rivers Museum und die Bodleian Library. Im Stadtzentrum befindet sich der Carfax Tower aus dem 11. Jahrhundert. Im Sommer sind Bootsfahrten auf der Themse und dem Cherwell beliebt. Weitere Sehenswürdigkeiten sind


title: Oxford

text: Die Kriminalromane um „Inspektor Morse“ von Colin Dexter spielen in Oxford und wurden auch hier geschrieben. Weitere Autoren, die mit Oxford in Verbindung standen:


title: André Rieu

text: André Léon Marie Nicolas Rieu (* 1. Oktober 1949 in Maastricht) ist ein niederländischer Violinist, Orchesterleiter, Arrangeur und Musikproduzent.


title: André Rieu

text: Rieu wurde in Maastricht geboren. Er stammt aus einer Musikerfamilie und wuchs mit klassischer Musik auf. Sein Vater André Rieu sen. (1917–1992) war Chefdirigent des Limburgs Symfonie Orkest LSO, in dem André jun. bis 1989 als Geiger spielte. Ersten Violinunterricht hatte er mit fünf Jahren, später studierte er an den Konservatorien von Lüttich und Maastricht sowie bei dem ungarischen Violinisten André Gertler in Brüssel; er nahm an Kursen bei Herman Krebbers teil.


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text: Seine Hinwendung zur Salonmusik begann 1978 mit seinem Musikensemble „Het Maastrichts Salon Orkest“, mit dem er sich vor allem in den Niederlanden und im deutsch-belgischen Grenzraum einige Bekanntheit erwarb. Einige seiner damaligen Weggenossen waren noch lange in seinem Ensemble. Aus dieser Zeit stammen seine ersten Schallplattenaufnahmen.


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text: Seit Mitte der 1990er Jahre reist Rieu mit seinem „Johann-Strauß-Orchester“ (ca. 60 Musiker) um den Globus. Seit einigen Jahren spielt Rieu auf einer Violine von Antonio Stradivari, vorher auf einer Guarnerius-Kopie von Jean-Baptiste Vuillaume. Seine Tourneen durch Deutschland verdankt er Auftritten bei Karl Moik im Musikantenstadl, mit dem er eng befreundet war. Neben den Konzerten auf Tourneen produziert Rieu in der Regel Specials mit verschiedenen Popgrößen, welche im Fernsehen zu sehen oder auf DVD erhältlich sind. Seine Ensembles bestehen aus Solisten und Sängern.


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text: 2009 trat Rieu neben seinen üblichen Konzerten in großen Hallen bei seiner „World Stadium Tour“ weltweit auch in Stadien auf. Hierzu benutzt er eine Kulisse des Schlosses Schönbrunn in annähernd Originalgröße für das Orchester und Schaueinlagen, wobei alles auf Großbildleinwände übertragen wird. Es trat dabei das Ballett der Wiener Staatsoper und Wiener Volksoper auf. Fester Bestandteil der Konzerte sind zudem Auftritte verschiedener Gastkünstler, etwa der Platin-Tenöre, der Berlin Comedian Harmonists oder der Sopranistinnen Carmen Monarcha und Mirusia Louwerse.


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text: Rieu spielt mit seinem Orchester klassische Stücke in populärem Arrangement und will durch Präsentation und Showeffekte ein möglichst breites Publikum erreichen. Ergänzt wird das klassische Repertoire durch Orchesterversionen von Schlagern und Popsongs wie z. B. dem „Chianti-Lied“. Er setzt neben Beleuchtungseffekten auch viel Technik zur Tonverstärkung und Färbung ein. Die der Ernsten Musik zugewandten Kritiker halten seine Produktionen für musikalisch oberflächlich, da Rieu bekannte Melodien der klassischen Musik nutze, um sie gefällig zu präsentieren.


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text: Auffallend an seinen Auftritten ist, dass er als Dirigent des „Johann-Strauß-Orchesters“ selbst immer mit seiner Geige mitspielt und überwiegend zum Publikum bzw. zu den Fernsehkameras gewandt auftritt und so das Orchester gar nicht im eigentlichen Sinne dirigiert. Johann Strauss Sohn trat allerdings bereits zu seiner Zeit in dieser Form als Stehgeiger auf.


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text: André Rieu ist verheiratet. Er und seine Frau Marjorie, die er während seines Studiums 1975 heiratete, haben zwei Söhne, Marc (* 1978) und Pierre (* 1981).


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text: Er ist Pate der Björn-Steiger-Stiftung für das Projekt „Retten macht Schule“. Zudem engagiert er sich für Patienten mit der seltenen genetischen Lichtunverträglichkeit Erythropoetische Protoporphyrie. Im Jahr 2015 unterstützte er die Geschenkaktion Weihnachten im Schuhkarton des Vereins Geschenke der Hoffnung.