title: Zossen

text: Der älteste Sportverein ist die Sportgemeinschaft Schöneiche, die 2014 ihr 65-jähriges Bestehen feiern konnte.


title: Chinchillas

text: Die Chinchillas (Chinchillidae) sind eine in Südamerika lebende Familie der Nagetiere. Diese umfasst drei Gattungen. Neben den als Pelzlieferant und Heimtier bekannten Eigentlichen Chinchillas gibt es noch die Hasenmäuse und Viscachas mit insgesamt sieben Arten.


title: Chinchillas

text: Chinchillas sind mittelgroße Nagetiere, die durch einen schlanken Körper mit dichtem, weichem Fell und einen langen, buschigen Schwanz charakterisiert sind. Das Fell ist grau oder graubraun gefärbt, wobei die Unterseite heller ist. Ihr Kopf ist groß und hat eine breite Schnauze, die Augen sind groß und die Ohren länglich. Die Vorderbeine sind kurz, die Vorderfüße haben vier Zehen. Die Hinterbeine sind deutlich länger und muskulöser und enden in drei (Viscacha) oder vier (Hasenmäuse und Eigentliche Chinchillas) Zehen. Diese Tiere erreichen eine Kopfrumpflänge von 23 bis 65 Zentimetern und eine Schwanzlänge von 8 bis 40 Zentimetern. Ihr Gewicht liegt zwischen 500 Gramm und 8 Kilogramm.


title: Chinchillas

text: Die Zahnformel lautet wie bei allen Meerschweinchenverwandten I1-C0-P1-M3, insgesamt also 20 Zähne. Die Schneidezähne sind wie bei allen Nagetieren als Nagezähne ausgebildet, aber relativ klein, die Backenzähne sind ebenfalls wurzellos.


title: Chinchillas

text: Chinchillas sind im westlichen und südlichen Südamerika beheimatet, ihr Verbreitungsgebiet umfasst das südliche Peru, Bolivien, Argentinien und Chile.


title: Chinchillas

text: Eigentliche Chinchillas und Hasenmäuse sind Bewohner gebirgiger Regionen, während Viscachas grasbewachsene Ebenen als Lebensraum haben. Alle Arten sind eher nachtaktiv, als Unterschlupf dienen ihnen Höhlen, Felsspalten oder im Fall der Viscachas selbstgegrabene Baue. Alle Arten leben in Gruppen zusammen, deren Größe von einigen wenigen Tieren bis zu mehreren hundert variieren kann. Alle Arten sind Pflanzenfresser. Das Chinchilla kann in Gefahrensituationen Urin spritzen und auch sein Fell verlieren, dem Feind bleibt dann nur ein Büschel Haare.


title: Chinchillas

text: Eigentliche Chinchillas sind als Heimtier und als Lieferant des Chinchillapelzes weit verbreitet und werden auch auf Farmen gehalten. In freier Wildbahn wurden die Bestände aller Arten durch Lebensraumzerstörung und Bejagung stark dezimiert. Das Kurzschwanz-Chinchilla gilt als vom Aussterben bedroht.


title: Chinchillas

text: Die Chinchillas werden innerhalb der Nagetiere zu den Meerschweinchenverwandten gezählt. Aufgrund äußerer Ähnlichkeiten hielt man früher die Chinchillaratten (Abrocomidae) für enge Verwandte der Chinchillas, jüngere Untersuchungen widersprechen dem jedoch. Ähnlichkeiten im Zahnmuster und molekulargenetische Untersuchungen sprechen dafür, die Pakaranas (Dinomyidae) als nächste Verwandte der Chinchillas zu betrachten.


title: Chinchillas

text: Eigentliche Chinchillas und Hasenmäuse sind näher miteinander verwandt und werden manchmal in der Unterfamilie Chinchillinae vereinigt, der das Viscacha (Lagostominae) gegenübersteht.


title: Chinchillas

text: Der Name Chinchilla ist einheimischen Ursprungs, einige andere Theorien sind offensichtlich falsch. In der Sprache des Andenvolks der Chincha, dem sogenannten Aymara, war der Tiername bei der Eroberung des westlichen Teils Südamerikas, beginnend 1532, bereits bekannt. Die ursprünglichen Zusammenhänge des Volksnamens Chincha und der Tierbezeichnung Chinchilla sind unklar.


title: Schildläuse

text: Die Schildläuse oder Coccoidea sind eine Überfamilie der Insekten und gehören zu den Pflanzenläusen (Sternorrhyncha). Von den bekannten 3000 Arten leben in Mitteleuropa über 150 und 153 auch in Deutschland. Die Körperlänge der Tiere beträgt zwischen 0,8 und 6 mm, die größte Art "Aspidoproxus maximus" kann bis zu 38 mm lang werden. Alle Schildläuse ernähren sich von Pflanzensaft und gelten aus diesem Grund häufig als Schädlinge. Ein typisches Beispiel für das Schadverhalten ist die Buchenwollschildlaus.


title: Schildläuse

text: Die männlichen Schildläuse sind in der Regel geflügelt. Dabei sind die Hinterflügel zu Schwingkölbchen umgewandelt, außerdem besitzen sie keine Mundwerkzeuge und nehmen entsprechend auch keine Nahrung auf.


title: Schildläuse

text: Die Weibchen leben meist in großen Kolonien auf verschiedenen Pflanzenteilen. Ihr Körper ist schildförmig und häufig in eine Kapsel eingeschlossen, bei vielen Arten sind die Weibchen vollkommen bewegungsunfähig. Der lange Stechrüssel wird in die Pflanze eingestochen. Oft sind die Schildlausweibchen auch von einem Wachssekret überzogen. Parthenogenese kommt bei Schildläusen vor, die erste Larve ist beweglich und setzt sich sehr schnell fest. Die Weibchen legen unter ihrem Schild riesige Mengen an Eiern ab.


title: Schildläuse

text: Die Junglarven schlüpfen etwa ab Juli und wandern dann auf Blätter und junge Triebe. Durch die Saugtätigkeit kommt es während des Sommers zu Honigtaubildung.


title: Schildläuse

text: Häufig an: Palmen, Oleander, Ficus, Orchideen, Aralien. Sie befallen gerne Farne und hartlaubige Gewächse wie Zitruspflanzen oder Lorbeer.


title: Schildläuse

text: Da eine erwachsene Schildlaus ihren Standort in der Regel beibehält, ist sie auf eine gute Tarnung angewiesen. Meist lebt sie deshalb auf Blattunterseiten oder auf Ästen und ist farblich ihrer Umgebung angepasst. Man erkennt das Vorhandensein von Schildläusen oft erst an deren klebrigen Ausscheidungen als Tropfen auf Blättern und am Boden oder am Auftauchen von Ameisen.


title: Schildläuse

text: Schildläuse ernähren sich hauptsächlich von im Pflanzensaft vorhandenen Eiweißen. Da Pflanzensaft – abgesehen von Wasser – aber hauptsächlich Zucker enthält, scheiden manche Napfschildlausarten den Überschuss als klebrig-klare Honigtautropfen wieder aus. Damit die Laus dabei nicht selbst verklebt, schleudert sie die Tropfen von sich weg.


title: Schildläuse

text: Einige Schildlausarten gehören zu den wirtschaftlich wichtigsten Schädlingen in der Landwirtschaft. Beispielsweise sind die Ananasschmierlaus ("Dysmicoccus brevipes") und "Dysmicoccus neobrevipes" zwei der Hauptschädlinge an Ananaspflanzen, "Asterolecanium coffeae" ist einer an Kaffee und die Australische Wollschildlaus ("Icerya purchasi") ist es an Zitrusfrüchten.


title: Schildläuse

text: Neben Blattläusen und Weißen Fliegen gehören Schildläuse zu den häufigsten Schädlingen an Zimmerpflanzen. Sie entziehen der Pflanze Nährstoffe. Durch den ausgeschiedenen Honigtau einiger Napfschildlausarten und die nachfolgende Bildung von Rußtaupilz wird die Photosynthese beeinträchtigt. Deckelschildläuse geben giftige Stoffe in die Pflanzen ab. All dies hemmt das Wachstum der Pflanze und trägt im Extremfall zum Absterben des Wirtes bei.


title: Schildläuse

text: Honigtau kann für den Menschen störend sein: In Wohnungen verklebt er Böden, Möbel und Fenster, im Freien Autoscheiben. Im Weinbau kann er den Geschmack des Weines beeinträchtigen.


title: Schildläuse

text: Die Ursache eines Schildlausbefalls liegt meistens bei den ungünstigen Rahmenbedingungen der Pflanze. Die Schildläuse stellen also meist nur das Symptom dar. Schildläuse befallen gerne geschwächte und mit Stickstoff überdüngte Pflanzen. Im Winter bekommen viele Zimmerpflanzen zu wenig Licht und stehen sehr warm. Hierdurch verändert sich die Zusammensetzung des Pflanzensaftes und bietet günstige Bedingungen für eine schnelle Vermehrung der Tiere.


title: Schildläuse

text: Als verbessernde Maßnahme sollen in erster Linie die Standortbedingungen der Pflanze und damit die Gesundheit der Pflanze verbessert werden: Hellerer, kühlerer Standort. Der Boden soll gelockert, gemulcht und mit Kompost aufgelockert werden.


title: Schildläuse

text: Bei schwachem Befall an Einzelpflanzen reicht das Abwischen der Tiere von den Pflanzen mit einem befeuchteten Lappen oder einer Bürste, eventuell mit Seifenwasser aus. Besonders schonend und effizient ist das Abduschen mit einem starken Wasserstrahl. Im Frühjahr die Stammmütter zerdrücken. Es eignen sich zudem Spritzbrühen aus Zwiebel- oder Kartoffelschalen, Rhabarberblättern, Knoblauch, Brennnessel, Rainfarn, Wermut oder auch Algenpräparate.


title: Schildläuse

text: Bei stärkerem Befall und in Flächenkulturen können ölhaltige Schädlingsbekämpfungsmittel eingesetzt werden. In Flächenkulturen soll unbedingt die Fruchtfolge und Mischkultur beachtet werden. Unter extremen Umständen kann auf Dimethoat (Präparate zum Beispiel Bi 58, Perfekthion, Rogor usw.) als systemischem Pflanzenschutzmittel zurückgegriffen werden.


title: Schildläuse

text: Gegen Schildläuse gibt es zudem verschiedene Nützlinge, die auf jeweils eine Lausart spezialisiert sind. So ist zum Beispiel gegen Woll- und Schmierläuse im Gewächshaus und Wintergarten der Einsatz australischer Marienkäfer möglich. Weitere natürliche Feinde der Schildlaus sind: Florfliegen, Schwebfliegen, Schlupfwespen, Raubwanzen, Ohrwürmer und Gallmücken. Die genaue Artenbestimmung der Schildläuse durch eine Fachperson wird deshalb empfohlen.


title: Schildläuse

text: Oft wird verkannt, dass Schildläuse nicht nur Schädlinge, sondern auch Nützlinge sind. Teilweise gehen sie Symbiosen ein mit anderen Tieren oder sogar auch mit dem Menschen.


title: Schildläuse

text: Die Herstellung des intensiv-roten Farbstoffes Kermes aus Schildläusen ist seit der Antike bekannt und war zeitweise von hoher ökonomischer Bedeutung. Im Mittelmeerraum wurde dafür die auf Wurzeln immergrüner Eichen lebende Art "Kermes vermilio" verwendet. "Porphyrophora polonica" diente im Mittelalter in Osteuropa als günstigerer Ersatz für Karminrot. Seit der Entdeckung Amerikas wurden beide weitgehend von Cochenille ("echtes Karmin"), dem Farbstoff der amerikanischen, nur auf dem Feigenkaktus "Opuntia ficus-indica" lebenden "Dactylopius coccus" verdrängt, sie war schon den Azteken bekannt. Der Farbstoff war zeitweise (nach den Edelmetallen Gold und Silber) das drittwichtigste Importgut aus der Neuen Welt; irrtümlich wird stattdessen oft die Art "Protortonia cacti" (unter ihrem alten Synonym "Coccus cacti") als Erzeuger angegeben. Seltener wurde auch die in der Kaukasusregion lebende "Porphyrophora hamelii" oder die ostasiatische Lackschildlaus "Kerria lacca" (→Färberlack) eingesetzt. Als Lebensmittelfarbstoff E 120 wird Karmin/Koschenille vor allem in bunten Bonbons verwendet, zudem auch in Marmeladen, Süßwaren und alkoholischen Getränken. Bei in Deutschland erhältlichem Campari ist es jedoch seit einiger Zeit nicht mehr enthalten.


title: Schildläuse

text: Die in Süd- und Südostasien beheimatete Lackschildlaus ("Kerria lacca") liefert den Schellack. Die wohl berühmteste Anwendung sind die Schellack-Schallplatten in der ersten Hälfte des 20. Jahrhunderts und das Haarspray. Heute wird es in der Möbelpflege und im Möbelbau, im Musikinstrumentenbau speziell für Geigen und in der Lebensmittelindustrie als Überzugsmittel E 904 zum Beispiel von Schokoladendragees verwendet.


title: Schildläuse

text: Die männlichen Larven der chinesischen Wachsschildläuse "Ericerus pela" produzieren China- oder Pelawachs. Ein ähnliches Wachs wird auch von den Larven der indischen Wachsschildlaus "Ceroplastes ceriferus" (Syn.: "Coccus ceriferus") (Indische Wachsschildlaus) abgeschieden. Sowie von weiteren Ceroplastes-Arten (z. B. "Ceroplastes irregularis"). Hier scheiden sowohl männliche als auch weibliche Larven das Wachs ab. Auch die in Südamerika beheimatete "Llaveiella taenechina" (Syn.: "Coccus Axin") liefert Axinwachs.


title: Schildläuse

text: Vögel und Insekten: Verschiedene Vogel- und Insektenarten haben Schildläuse auf ihrem Speiseplan. Sie spielen somit bei der Bekämpfung von Schildläusen eine Rolle, siehe oben. Manche Schildlausarten hingegen haben dagegen einen Schutz gefunden: Wegen ihrer bitteren Körperflüssigkeit werden sie von ihren Feinden gemieden.


title: Schildläuse

text: In der klassischen Homöopathie wird die Schildlaus "Coccus cacti" zur Herstellung von Globuli verwendet. Das Mittel wird eingesetzt gegen Spastischen Husten, Keuchhusten und Asthma. Eine über den Placeboeffekt hinausgehende Wirkung ist – wie allgemein bei homöopathischen Präparaten – nicht nachgewiesen.


title: Schildläuse

text: Schildläuse kommen insbesondere als Einschlüsse im Baltischen Bernstein artenreich vor, sind aber auch in kreidezeitlichem und tertiärem Bernstein anderer Lagerstätten nachgewiesen. Ansonsten sind Fossilien dieser Insektengruppe äußerst selten. Als ältester Beleg gilt ein Fund aus der Obertrias (Rhät) oder dem Unterjura Kirgisistans (Familie Mesococcidae). Als ältester Beleg für Brutpflege einer Schildlaus ("Wathondara kotejai") gilt ein Fund in kreidezeitlichem Birmit.


title: Tiefdruckgebiet

text: Ein Tiefdruckgebiet (kurz das Tief, auch die Störung) ist ein Teil der Erdatmosphäre mit niedrigerem Luftdruck gegenüber dessen großräumiger Umgebung. Ihm steht begrifflich und räumlich das Hochdruckgebiet gegenüber. Von einem Tiefdruckgebiet spricht man nur dann, wenn ein Zentrum ausgemacht werden kann, von dem aus gesehen der Druck horizontal in jede Richtung zunimmt. In anderen Fällen handelt es sich um einen Trog.


title: Tiefdruckgebiet

text: Ein thermisches Tiefdruckgebiet bildet sich durch Unterschiede in der Luftdichte, die durch Erwärmung (Sonneneinstrahlung) oder durch Abkühlung hervorgerufen werden.


title: Tiefdruckgebiet

text: Der Luftdruck an einem beliebigen Ort der Erdatmosphäre ist der hydrostatische Druck der Luft, der an diesem Ort herrscht. Dieser Druck entsteht (veranschaulicht) durch die Gewichtskraft der Luftsäule, die auf der Erdoberfläche oder einem Körper steht. Unter einer Luftsäule mit geringerer Dichte ist auch der hydrostatische Druck geringer und mit einem Barometer wird deshalb weniger Luftdruck gemessen, man spricht also von "Tief"druck. Bei Hochdrucklage ist die Luftsäule im Gegensatz dazu schwerer, es wird relativ dazu höherer Druck – "Hochdruck" – gemessen.


title: Tiefdruckgebiet

text: Ein "Bodentief" entsteht, wenn die Dichte der Luft in Bodennähe durch Erwärmung (Sonneneinstrahlung) abnimmt. Umgebende und darüberliegende kältere und damit dichtere Luft erzeugt aufgrund des hydrostatischen Drucks einen Auftrieb der erwärmten, leichteren Luft. Die einströmende kältere Luft wird fortwährend vom sonnenbeschienenen Boden erwärmt und aufgetrieben, so dass sich eine fortgesetzte Strömung warmer Luft nach oben einstellt (Thermik).


title: Tiefdruckgebiet

text: Steigen erwärmte Luftmassen vom Boden auf, kühlen sie sich dabei um ca. 1 °C pro 100 m ab. Man spricht vom „trockenadiabatischen Temperaturgradienten“. Zunächst bleibt die im Luftpaket enthaltene Wasserdampfmenge unverändert. In einer bestimmten Höhe erreicht die Temperatur der Luftmasse den Taupunkt. Hier setzt die Kondensation ein, eine Cumulus-Wolke bildet sich. Die Wolkenuntergrenze liegt also genau auf dieser Höhe.


title: Tiefdruckgebiet

text: Die bei der Kondensation freiwerdende Kondensationswärme führt auch hier zur Dichteverringerung (siehe feuchtadiabatischer Temperaturgradient), sodass auch in der Höhe durch den hydrostatischen Druck der kälteren Umgebungsluft weiterer Auftrieb entsteht. Es entsteht in diesem Bereich allmählich eine Säule weniger dichter Luft mit entsprechend geringerer Gewichtskraft, ein Tiefdruckgebiet mit einem großräumigen Zuströmen fremder Luft (Winde, Stürme).


title: Tiefdruckgebiet

text: Ein "Höhentief" (auch "Höhentiefkern", HTK oder "Upper Level Low", ULL) beschreibt die Situation über einem (Boden-)Hochdruckgebiet. Es entsteht durch kalte Luft, die aus großer Höhe absinkt, wodurch der Luftdruck in den höheren Schichten der Luft vermindert und am Boden erhöht ist. Höhentiefs liegen in mehreren Kilometern Höhe und zeichnen sich durch – im Vergleich zur Umgebung – niedrige Temperaturen aus. Daraus lassen sich Rückschlüsse auf das Alter des Tiefs ziehen. Oft gibt es zu einem Höhentief keinerlei Entsprechung in Bodennähe, sie sind aber teils sehr wetterwirksam. Höhentiefs bestimmen besonders im Herbst in Form von Cut-Off-Lows oder Kaltlufttropfen aus Höhentrögen die Wetteraktivität im Mittelmeerraum, weil das warme Wasser des Mittelmeeres die untersten Luftmassen erwärmt und mit Feuchtigkeit anreichert. Dort sind Höhentiefs Indikatoren für abnorme Niederschläge. Auf der Höhenwetterkarte (z. B. 500 hPa-Topographie) zeichnet sich das Höhentief durch einige abgeschlossene Isobaren ab.


title: Tiefdruckgebiet

text: Ein dynamisches Tiefdruckgebiet (auch "eine Zyklone") liegt vor, wenn die Luftströmung in tiefen Schichten der Atmosphäre zusammenfließt (konvergiert) und in der Höhe wieder auseinanderströmt (divergiert) und dabei an Geschwindigkeit verliert.


title: Tiefdruckgebiet

text: Bei einem Tiefdruckgebiet strömt die Luft aufgrund des Druckgefälles nach innen. Diese Strömung wird auf der Nordhalbkugel durch die Corioliskraft nach rechts abgelenkt und es ergibt sich eine gegen den Uhrzeigersinn gerichtete Rotation.


title: Tiefdruckgebiet

text: Vielfach werden die Bezeichnungen für ein Tiefdruckgebiet "(die Zyklone", Plural "die Zyklonen)" und einen tropischen Wirbelsturm des Indischen Ozeans "(der Zyklon", Pl. "die Zyklone)" verwechselt.


title: Tiefdruckgebiet

text: Anstatt von allen Seiten radial auf das Tiefdruckgebiet zuzuströmen, "rotiert" die zuströmende Luft um eine vertikale Achse ins Tiefdruckgebiet hinein. Dies ist durch die Erdrotation (Corioliskraft) und die Kugelform der Erde bedingt. Auf der Nordhalbkugel der Erde wird eine sich bewegende Luftmasse durch den Corioliseffekt in Bewegungsrichtung nach "rechts" abgelenkt, was sich zur Ablenkung in Richtung des größten Druckgefälles addiert (Barisches Windgesetz) und auf der Südhalbkugel ist es umgekehrt.


title: Tiefdruckgebiet

text: Winde, die in ein Tiefdruckgebiet zuströmen, werden nach rechts abgelenkt. Sie rotieren (von oben betrachtet) "entgegen" dem Uhrzeigersinn – also im mathematisch positiven Drehsinn. Tiefdruckgebiete werden daher auch "Zyklonen" genannt.


title: Tiefdruckgebiet

text: Winde, die aus einem Hochdruckgebiet abströmen, werden ebenfalls nach rechts abgelenkt. Sie rotieren (von oben betrachtet) "im" Uhrzeigersinn – also im mathematisch negativen Drehsinn. Hochdruckgebiete werden daher auch "Antizyklonen" genannt.


title: Tiefdruckgebiet

text: Auf globaler Skala verlaufen Höhenwinde aufgrund der Corioliskraft in etwa entgegengesetzt zu den Bodenwinden, denn im Rahmen der planetarischen Zirkulation strömt warme Luft aus den Tropen in Richtung der Pole. Aufgrund der Corioliskraft wird sie dabei in östlicher Richtung abgelenkt, so dass in der Höhe starke westliche Winde (Jetstream) vorherrschen.


title: Tiefdruckgebiet

text: Die am Boden zurückströmende polare Kaltluft wird durch die Corioliskraft in westliche Richtung abgelenkt (polarer Ostwind).


title: Tiefdruckgebiet

text: Auf regionaler Skala bilden sich thermische Tiefdruckgebiete auch über warmen Wasserflächen, über denen feuchte warme Luft aufsteigt und sich dabei abkühlt. Lokal entstehen so Zirkulationen wie Landwind und Seewind. Dasselbe passiert an Berghängen bei Bergwind und Talwind (welche den Luftaustausch mit Frischluft ermöglichen). Im größeren Maßstab entstehen so die mit heftigen Regenfällen einhergehenden tropischen Wirbelstürme, wobei man bei einer geringen Ausprägung auch von einem tropischen Tief spricht. Bei hoher Windgeschwindigkeit (ab Windstärke 12) können die Stürme schwere Verwüstungen anrichten. Je nach Kontinent spricht man dann von Hurrikanen oder Taifunen.


title: Tiefdruckgebiet

text: Dynamische Tiefdruckgebiete sind unter anderem für die polaren Ostwinde (Polarwirbel) und äquatorialen Passatwinde (Innertropische Konvergenzzone) verantwortlich.


title: Tiefdruckgebiet

text: Ein Tiefdruckwirbel wird dadurch bedingt, dass die in den mittleren Breiten entgegengesetzten Winde nicht in laminarer (wirbelfrei fließender) Strömung aneinander abgleiten, sondern in turbulenter Strömung Wirbel bilden (siehe auch Rossby-Welle). Diese Wirbel haben ihrer Natur gemäß eine eher vertikale Wirbelachse, so dass die Winde am Boden und in der Höhe in nahezu die gleiche Richtung wehen. Ein für Europa typischer Tiefdruckwirbel ist das Islandtief.


title: Tiefdruckgebiet

text: Wenn kalte und warme Luft aus je einem Hochdruckgebiet gemeinsam in ein Tiefdruckgebiet (meist einen Tiefdruckwirbel) einströmen, bilden sich Fronten. Neben diesen Fronten gibt es für verschiedene Bereiche eines Tiefdruckgebiets besondere Bezeichnungen.


title: Tiefdruckgebiet

text: Aufgrund der in den mittleren Breiten insgesamt vorherrschenden westlichen Winde bewegen sich Tiefdruckgebiete von Westen nach Osten. Daher bezeichnet man die somit an einem bestimmten Ort im Regelfall früher eintreffende Ostseite des Tiefs auch als Vorderseite, die Westseite als Rückseite.


title: Tiefdruckgebiet

text: An der Vorderseite des Tiefs gleitet warme – und damit relativ leichte – Luft auf die vor ihr liegende kältere, schwerere Luft auf und wird dabei gehoben. Es entsteht eine "Warmfront". Die aufgleitende Luft kühlt sich dabei adiabatisch ab, es kommt zur Kondensation und es bilden sich zuerst Eiskristallwolken (Cirrus) und dann Schichtwolken (Stratus, Nimbostratus), aus denen es anhaltend regnen kann. Weil die abgekühlte Luft sich zu der kalten Luft an der Vorderseite des Tiefs zuschlägt, wandert die Warmfront (im mit dem Tief rotierenden Bezugssystem) zunehmend in Richtung der Rückseite des Tiefs. Durch die insgesamt entgegen dem Uhrzeigersinn gerichtete Rotation (auf der Nordhalbkugel) des Tiefdruckgebietes entsteht der Eindruck, als ob die Warmfront sich langsam an der Vorderseite des Tiefs einrollt.


title: Tiefdruckgebiet

text: Zwischen der Kalt- und Warmfront befindet sich der "Warmsektor". Oft lösen sich Wolken in diesem Bereich auf und es fällt kein Niederschlag. Die Luft ist jedoch auch häufig feucht- warm und labil geschichtet, so dass sich Schauer und Gewitter bilden können. Da die Kaltfront in der Regel schneller als die Warmfront vorstößt, wird der Warmsektor allmählich schmaler.


title: Tiefdruckgebiet

text: Bei einer "Kaltfront" schiebt sich kalte Luft unter die warme Luft, die sich dabei adiabatisch abkühlt. Dabei regnet es. Weil hier die abgekühlte Luft sich zur Kaltluft auf der Rückseite des Tiefs zuschlägt, wandert die Kaltfront (im mit dem Tief rotierenden Bezugssystem) zunehmend in Richtung der Vorderseite des Tiefs. Durch die insgesamt entgegen dem Uhrzeigersinn gerichtete Rotation des Tiefdruckgebiets entsteht der Eindruck, als ob die Kaltfront sich schnell an der Vorderseite des Tiefs einrollt.


title: Tiefdruckgebiet

text: Die Kaltfront ist gekennzeichnet durch konvektive Bewölkung, auch bekannt als Quellwolken (Cumulus, Cumulonimbus). Es kommt zu Schauern, auch Gewitter können folgen.


title: Tiefdruckgebiet

text: Als "Okklusion" bezeichnet man die Vereinigung einer Kalt- und Warmfront. Dabei wird warme Luft vom Boden abgehoben und es entstehen Verwirbelungen. Zur Bildung einer Okklusion kommt es im Regelfall dadurch, dass infolge der unterschiedlichen Rotationsbewegungen in einem Tief die Kaltfront nach einigen Tagen die Warmfront einholt.


title: Tiefdruckgebiet

text: Die Okklusion ist besonders niederschlagsintensiv, weil sich die Effekte der Warm- und Kaltfront kumulieren. Da sie vergleichsweise nahe am Tiefdruckkern ist, entstehen die lokal schwersten Niederschläge oft in den älteren Tiefs relativ nah an ihrer Trajektorie (Zugbahn).


title: Tiefdruckgebiet

text: Hinter der Kaltfront folgt der "Kaltsektor". Hier beginnen die an der Rückseite des Tiefs südwärts (respektive nordwärts auf der Südhalbkugel) strömenden Luftmassen um den Tiefkern zu kreisen. Im Kaltsektor klart der Himmel wieder auf, daher wird es nach Durchgang der Kaltfront heiter, aber mit Temperatursturz.


title: Tiefdruckgebiet

text: Hier entstehen auch Wolkengebiete, die man in starker Ausformung Enhanced Cumulus (EC, erweiterte Cumuluswolkenbildung) nennt. Sie bringen typischerweise etwa bei den herbstlichen Atlantiktiefs Europa den Schnee.


title: Tiefdruckgebiet

text: Schon lange vor dem Ankommen der Warmfront ist das Annähern einer Zyklone zu sehen. Mit dem zögernden Aufgleiten der leichteren Warmluft über eine schwerere vorausgegangene Kaltluft sind Advektionsbewölkung und sinkender Luftdruck verbunden. Die Geschwindigkeit des Luftdruckabfalls beim Nahen der Warmfront ist zugleich ein Indikator für die zu erwartende Intensität des Windes. Fällt der Luftdruck um mehr als 2 hPa pro Stunde, kündigt sich Sturm an, so sagt eine Faustregel. Hakenförmig aufgebogene Federwolken (Cirrus uncinus) sind die Vorläufer einer nahenden Warmfront. Sie dichten sich zunächst zu hohen, später mächtigen und tieferen Schichtwolken (Stratus) ab, aus denen zunehmend ergiebiger und lang dauernder Nieselregen, so genannter Landregen fällt, wenn die Kaltluft ortsfest bleibt.


title: Tiefdruckgebiet

text: Das Aufhören der Aufgleitbewegung nach dem Durchzug der Warmfront führt erst einmal zum Aussetzen der Kondensation, und es kann zum Auflösen der Wolkendecke kommen. Warmluft aus südlicher Richtung fließt in den Warmsektor ein und steigt in große Höhen auf, wo es wieder zur Wolkenbildung und evtl. zu örtlichem schauerartigen Niederschlag kommen kann. Der Warmsektor führt zu den höchsten Temperaturen des Zyklonendurchganges.


title: Tiefdruckgebiet

text: Die folgende Kaltfront ist deutlich durch einen Temperaturrückgang um einige Grad zu spüren. Die durch die Kaltluft nach oben verdrängte Warmluft kühlt sich schnell ab. Es entstehen hoch reichende Konvektionswolken (Cumulus). Starke Schauerregen mit großen Tropfen und teilweise Hagelbildung sind die Folge. Mehrfach kommt es auch zu Gewittern. Nach dem Durchzug der Kaltfront hat man bei wieder ansteigendem Luftdruck eine hervorragende Fernsicht aufgrund der klaren Luft. Das Rückseitenwetter nach einem Zyklonendurchgang hängt davon ab, ob weitere Zyklonen folgen. Oft hören die Niederschläge nach dem Durchzug der Kaltfront wieder auf.


title: Tiefdruckgebiet

text: Die in Deutschland und einigen Nachbarländern verwendeten Namen für Tief- und Hochdruckgebiete, die das Wetter in Europa beeinflussen, werden vom Meteorologischen Institut der Freien Universität Berlin vergeben.


title: Götterwelt

text: Unter Götterwelt wird die Gesamtheit von Göttern einer polytheistischen Religion oder Mythologie verstanden. In den meisten Religionen, die an mehrere oder viele Götter glauben, „leben“ diese in einer eigenen, unsichtbaren Welt. In der Vorstellung vieler Mythologien ist die Götterwelt an einen oder mehrere den Göttern vorbehaltene Orte gebunden, beispielsweise residieren die wichtigsten griechischen Götter auf dem Olymp.


title: Götterwelt

text: Die religionswissenschaftliche Bezeichnung Pantheon ist in ihrer Bedeutung nicht genau deckungsgleich, weil ein Pantheon meist mit der Vorstellung einer Rangordnung unter den Göttern verbunden ist. Die deutsche Bezeichnung „Götterwelt“ ist allgemeiner und meint die Gesamtheit der Götter eines Kulturraumes, die aber nicht notwendigerweise auch bereits in der Antike als organisierte Struktur gedacht wurde.


title: The Kominsky Method

text: The Kominsky Method ist eine US-amerikanische Comedyserie, geschaffen von Chuck Lorre, die am 16. November 2018 auf Netflix Premiere hatte. Sie handelt von einem in die Jahre gekommenen Schauspiellehrer, der vor langer Zeit kurzzeitig als Schauspieler erfolgreich war. Hauptdarsteller der Serie sind Michael Douglas, Alan Arkin, Sarah Baker und Nancy Travis. Am 17. Januar 2019 wurde die Serie um eine zweite Staffel verlängert, die am 25. Oktober 2019 auf Netflix erschien.


title: The Kominsky Method

text: Im Juli 2020 wurde eine finale dritte Staffel bestellt, die im Mai 2021 erschien. Alan Arkin stieg jedoch nach der zweiten Staffel aus Altersgründen aus der Serie aus.


title: The Kominsky Method

text: Die Synchronisation der Serie wird bei der VSI Synchron nach Dialogbüchern und unter der Dialogregie von Andreas Pollak in Berlin erstellt.


title: The Kominsky Method

text: Eine ganze Reihe prominenter Schauspieler, Entertainer und Filmschaffender spielt sich in kurzen Episoden innerhalb der Serie selbst. Unter anderem sind dies Morgan Freeman, Jay Leno, Barry Levinson, Elliott Gould, Allison Janney, Patti LaBelle, Bob Odenkirk, Jon Cryer und Eddie Money.


title: Nazismus

text: Das Wort „Nazismus“ ist eine Kurzform des Ausdrucks Nationalsozialismus. Es wird seit spätestens 1933 verwendet. Die Verwendung der Kurzform war zunächst in der DDR, nicht aber der Bundesrepublik üblich. Das Wort ist leicht verwechselbar mit dem ähnlich klingenden Wort Narzissmus.


title: Nazismus

text: Im Schwur von Buchenwald wurde diese Bezeichnung anlässlich der Trauerkundgebung am 19. April 1945 von den überlebenden Lagergefangenen des KZ Buchenwald verwendet. Dessen Kernaussage lautet:


title: Nazismus

text: Victor Klemperer verwendet den Ausdruck "Nazismus" in seinem Buch "LTI – Notizbuch eines Philologen", in welchem er sich mit der Sprache des Nationalsozialismus beschäftigt. Er versucht damit die Spezifika des deutschen Nazismus, die er in Rassismus und Antisemitismus und ihrer Verflechtung und mörderischen Konsequenzen sieht, auch in der Sprache gegen Bezeichnungen wie deutscher Faschismus oder Nationalsozialismus abzugrenzen.


title: Nazismus

text: Saul Friedländer verwendet den Begriff in seinem Buchtitel "Kitsch und Tod. Der Widerschein des Nazismus". Fritz Bauer, der Chefankläger in den Frankfurter Auschwitzprozessen der 1960er Jahre, bezieht sich ebenfalls auf den Begriff:


title: Nazismus

text: „Der Nazismus war die stolz verkündete Verachtung der freiheitlichen, humanitären und internationalistischen Ideale, zu denen die meisten Nationalstaaten zumindest ein Lippenbekenntnis ablegten“, so definierte Telford Taylor, der amerikanische Hauptankläger im Nürnberger Prozess.


title: Nazismus

text: In realsozialistischen Systemen, beispielsweise der DDR, wurden die Worte „Nazi“ und „Nazismus“ gegenüber den eigentlichen Selbstbezeichnungen „Nationalsozialist“ und „Nationalsozialismus“ bevorzugt, vermutlich um die Verwendung des Begriffs „Sozialismus“ im Zusammenhang mit dem ideologischen Feind zu vermeiden.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Der Ford Mustang Mach-E ist ein weltweit vertriebenes, fünftüriges Sport Utility Vehicle der oberen Mittelklasse von Ford mit batterieelektrischem Antrieb. Er wurde am 17. November 2019 in Hawthorne von Bill Ford vorgestellt. Der Mustang Mach-E ist seit Dezember 2020 verfügbar. In Europa kam er im Frühjahr 2021 in den Handel. Seit Sommer 2021 ist auch das Sport-Modell "Mustang Mach-E GT" mit einer höheren Motorleistung verfügbar.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Der Name ist angelehnt an die Modellreihe Ford Mustang Mach 1, die im Jahr 1969 erstmals verkauft wurde. Ford präsentierte bereits im Jahr 1959 das Konzept-Fahrzeug Ford Levacar Mach I, das die Thematik „Mobilität der Zukunft“ aufgriff.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Eine Reservierung der Fahrzeuge war ab dem Tag der Vorstellung möglich. Bereits Ende Dezember 2019 war die First Edition mit 30.000 Fahrzeugen bereits vollständig reserviert. Seit dem 1. Juli 2020 ist das Fahrzeug in den USA bestellbar.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Die Produktion im Cuautitlán-Werk in Mexiko soll im ersten Jahr 50.000 Exemplare umfassen. Aufgrund von Lieferengpässen für die Akkumulatoren ist eine höhere Stückzahl nicht möglich. Die meisten Fahrzeuge, rund 30.000 Stück, sollen nach Europa geliefert werden. In China wird die Baureihe seit Oktober 2021 in Chongqing für den lokalen Markt gebaut. Für 2023 wird eine Produktionskapazität von 200.000 Fahrzeugen geplant.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Im Herbst 2021 wurde das SUV vom Euro NCAP auf die Fahrzeugsicherheit getestet. Es erhielt fünf von fünf möglichen Sternen.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Das Fahrzeug wird mit zwei verschiedenen Akkus angeboten. In der Basisversion ist ein aus 288 Zellen bestehender Akku mit einer Kapazität von 75,7 kWh vorhanden, außerdem gibt es einen aus 376 Zellen bestehenden Akku mit einer Kapazität von 98,8 kWh. Ford gibt in den USA auf den Akku eine Garantie von acht Jahren oder eine Fahrleistung von 100.000 Meilen.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Die Ladeleistung für Wechselstrom-Ladungen beträgt 10,5 kW. Mit der "FordPass-App" kann der Ladestand abgefragt, aber auch die Route geplant und an das Navigationssystem im Fahrzeug weitergegeben werden.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Das Antriebsmodul mit Wärmemanagementsystem wird von BorgWarner geliefert. Der Mustang Mach-E ist bei einer Höchstgeschwindigkeit von 180 km/h und das Modell "Mustang Mach-E GT" bei 200 km/h abgeregelt.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Es gibt keine klassischen Türgriffe mehr. Die Öffnung erfolgt über den Schlüssel, das Smartphone oder eine kleine Tastatur in der B-Säule. Im Armaturenbrett befindet sich ein 25,9 cm großer Monitor sowie oberhalb der Mittelkonsole ein 39,4 cm großer Touchscreen (ähnlich dem Tesla Model S). Besonderheit hierbei ist ein eingearbeiteter Drehknopf für die Lautstärkeregelung.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Der Mach-E verfügt über eine infrarot reflektierende Frontscheibe, diese reflektiert die infraroten Lichtwellen und verringert damit Hitze im Auto bzw. höheren Aufwand für die Klimaanlage und damit geringeren Energieverbrauch, das Panoramadach ist ebenso ausgearbeitet. Der Heck-Kofferraum hat ein Volumen von 402 Liter, mit umgeklappten Rücksitzen beträgt das Ladevolumen 1420 Liter. Ein zusätzlicher Frunk ("front trunk" = vorderer Kofferraum) verfügt über 100 Liter. Der Front-Kofferraum hat wie schon der Kofferraum des Ford Puma eine Ablassschraube für Wasser.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Das Technologie-Paket 1 beinhaltet eine 360°-Kamera, zehn Lautsprecher, eine sensorgesteuerte elektrische Heckklappe, eine intelligente Geschwindigkeitsregelanlage, Verkehrsschilderkennung sowie den Pre-Collision-Assistenten. Das Technologie-Paket 2 beinhaltet zusätzlich den aktiven Park-Assistenten, Panoramadach sowie elektrisch verstellbare Sitze mit Memory-Funktion.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Im ersten Verkaufsjahr 2020 sind in Deutschland 185 Mustang Mach-E – davon 119 mit Allradantrieb – neu zugelassen worden.


title: Ford Mustang Mach-E

text: Im Juli 2020 präsentierte "Ford Performance" gemeinsam mit "RTR Vehicles" den Prototyp "Mustang Mach-E 1400". Dabei handelt es sich um eine Rennwagenversion mit sieben Elektromotoren und einer Leistung von 1.043 kW (1.419 PS) sowie einem Ultrahochleistungs-Akku mit 56,8 kWh. Bei einer Geschwindigkeit von 257 km/h liegt der Anpressdruck an der Hinterachse bei 1.000 kg. Der Wagen kann mit Heckantrieb, Allradantrieb und Frontantrieb betrieben werden. Die Bremsanlage wurde dem "Mustang GT4" entnommen. Geplant ist bei einem NASCAR-Rennen mit dem Fahrzeug zu debütieren. Der Wagen wird so nicht in Serie produziert.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die Fotolithografie (auch "Photolithographie") ist eine der zentralen Methoden der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik zur Herstellung von integrierten Schaltungen und weiteren Produkten. Dabei wird mit Hilfe eines Belichtungsprozesses das Bild einer Fotomaske auf einen lichtempfindlichen Fotolack übertragen. Anschließend werden die belichteten Stellen des Fotolacks aufgelöst (alternativ ist auch die Auflösung der unbelichteten Stellen möglich, wenn der Fotolack unter Licht aushärtet). So entsteht eine lithografische Maske, die die weitere Bearbeitung durch chemische und physikalische Prozesse ermöglicht, etwa das Einbringen von Material in die offenen Fenster oder das Ätzen von Vertiefungen unter den offenen Fenstern.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Das Grundprinzip der Fotolithografie ist die Strukturierung einer dünnen ganzflächig abgeschiedenen Opferschicht aus Fotolack durch eine lokale Änderung der chemischen Eigenschaften des Fotolacks und dessen Entfernen in den veränderten (Positivlack) bzw. unveränderten (Negativlack) Bereichen.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Im ersten Teilschritt wird dazu der flüssige Fotolack durch Rotationsbeschichtung (engl. ) oder andere geeignete Methoden auf ein Substrat (Wafer) aufgebracht. Anschließend wird die Lackschicht mit einem Ausheizschritt bei ca. 110 °C behandelt ( bzw. ), dabei desorbiert das Lösungsmittel sowie ein Großteil des vorhandenen Wassers, wodurch der Fotolack stabilisiert wird. Für die chemischen Reaktionen bei der nachfolgenden Belichtung ist es jedoch wichtig, dass nicht das gesamte Wasser desorbiert und ein gewisses Maß an Restwasser in der Schicht verbleibt.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Vor der Belichtung des Fotolacks wird der Wafer zunächst genau auf das optische System der Belichtungsanlage ausgerichtet. Dazu dienen in der Regel spezielle Markierungen aus vorhergehenden Prozessschritten (direkte Ausrichtung) oder anlagenspezifische Fixpunkte (indirekte Ausrichtung).


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die Belichtung selbst kann auf sehr unterschiedliche Art und Weise durchgeführt werden. Hierfür stehen verschiedene Belichtungstechniken (siehe unten) zur Verfügung, die sich nicht nur in der Wellenlänge des genutzten monochromatischen Lichts unterscheiden, sondern auch in der Position der Maske, die Abfolge der Belichtung (Flutbelichtung, Stepper, Scanner, …), der verwendeten Polarisation des Lichtes usw. Dabei werden die chemischen Eigenschaften des Fotolacks in den belichteten Bereichen durch eine photochemische Reaktion verändert – je nach Art des Fotolacks wird der Lack entweder löslich oder unlöslich gegenüber der eingesetzten Entwicklerlösung.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Ein erneuter Temperschritt (engl. ) dient zur Diffusion der (photo-)chemischen Komponenten (Glättung der Fotolackstrukturprofile) und ggf. zur Verstärkung der photochemischen Reaktion bei photochemisch verstärkten Fotolacken (engl. , CAR).


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Im dritten Teilschritt erfolgt die Entwicklung des Fotolacks, das heißt, die löslichen Bereiche der Schicht werden mithilfe einer Entwicklerlösung (z. B. eine schwach basische TMAH-Lösung) nasschemisch durch Sprühen, Tauchen oder Auftropfen gelöst und entfernt. Anschließend wird der Wafer mit deionisiertem Wasser gespült und trocken geschleudert. Danach erfolgt nochmals ein Temperschritt (engl. , ca. 100 bis 180 °C), bei dem der nun strukturierte Fotolack nochmals getrocknet und ggf. durch eine Vernetzungsreaktion stabilisiert wird. Dies ist notwendig, da die Schicht in den nachfolgenden Prozessschritten (Trockenätzen, Ionenimplantation) stark beansprucht wird.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Abschließend wird der gesamte Prozess überprüft. Dies kann neben einer optischen Inspektion Detektion von Defekten (eingeschlossene Partikel, nicht entwickelte Bereiche usw.) auch die Messung der Ausrichtung gegenüber vorhergehenden Prozessschritten (Overlay-Messung, optisch sowie per Rasterelektronenmikroskop) oder der Linienbreite (CD-Messung; Rasterelektronenmikroskop) umfassen. Sollten hierbei zu viele Fehler festgestellt worden sein, wird die Fotolackschicht vorzeitig entfernt und die gesamte Prozedur nochmals wiederholt (Nacharbeitung, engl. ).


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die so strukturierten Fotolackschichten dienen in der Regel als Hilfsmittel für weitere Prozesse, wie dem Ätzen darunterliegender Schichten, dem Einbringen von Fremdatomen (vgl. Dotierung und Ionenimplantation) oder der selektiven Abscheidung von Materialien (vgl. LIGA und Lift-off). Die Fotolackschicht dient hierbei als Maskierungsschicht, um bestimmte Bereiche vor dem nachfolgenden Prozessschritt zu schützen. Nach dieser Strukturübertragung wird die Fotolackmaske wieder vollständig entfernt. Dazu werden in der Regel Plasmaverascher (Sauerstoffplasma) genutzt. Alternativ dazu kann die Fotolackschicht auch nasschemisch aufgelöst werden. Welches Entfernungsverfahren eingesetzt wird, ist abhängig vom eingesetzten Lack und dem gesamten Herstellungsprozess, beispielsweise kann sich der Lack beim Trockenätzen einer unterliegenden Schicht stark verändern und so nicht mehr löslich sein, oder die eingesetzten Chemikalien reagieren mit anderen Schichten. Das Wiederholen dieser Prozessabfolge aus Herstellung der strukturierten Fotolackschicht und Strukturübertragung auf unterschiedlichste Schichten ist eine Schlüsseltechnologie bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (umgangssprachlich „Mikrochips“). Die Weiterentwicklung der Fotolithografie bzw. ihre Ablösung durch neuere Verfahren sind mit entscheidend dafür, wie lange die Entwicklung der Mikroprozessortechnologie noch der Planungsgrundlage „Mooresches Gesetz“ folgen kann.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Um die Haftung der Fotolackschicht zu verbessern, wird der Wafer oftmals vor dem Auftrag des Fotolacks mit einem Haftvermittler wie Hexamethyldisilazan (HMDS) behandelt. Des Weiteren kommen Hilfsschichten zur Reduzierung von Reflexionen und stehenden Wellen (Antireflexionsschicht), Verbesserung der Planarität der Oberfläche (bessere Kontrolle der Schichtdickenhomogenität) oder zum Schutz des Fotolacks bei der Immersionslithografie zum Einsatz.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Vor allem in der industriellen Produktion wird während des Prozesses die Rückseite und der Wafer-Rand (Vorderseite; bis zu 2 mm) mit Lösungsmittel besprüht. Dies soll zum einen Lackansammlungen auf der Rückseite und die Ausbildung einer Lackwulst am Rand verhindern. Hintergrund ist, dass Lackreste oder andere Partikel bei der Belichtung zwischen Wafer und Auflage (engl. ) liegen und zu einer lokalen Erhöhung der Waferoberfläche bzw. Verbiegung des Wafers führen. Diese geringen Höhendifferenzen liegen außerhalb der Toleranzgrenzen für den Fokus und führen zu Fehlern bei der Abbildung. Die Randentlackung (engl. , EBR) hingegen soll die unerwünschte Lackwulst am Wafer-Rand entfernen, sie bildet sich durch die Oberflächenspannung der Lacke bei der Beschichtung. Lackwülste sind gekennzeichnet durch Schichtdickenänderungen im Randbereich, die wiederum den Belichtungsprozess in diesem Bereich negativ beeinflussen. Um eine maximale Ausbeute an Chips zu erreichen, ist es daher notwendig, die Schichtdicke in diesem Bereich anzugleichen. Dies kann durch den Einsatz der Randentlackung, also der lokalen Verdünnung des Fotolacks (die verdünnten Anteile werden durch die Fliehkraft vom Wafer weg geschleudert), erreicht werden. Zusätzlich kann die Homogenität und Stabilität des Fotolacks am Schichtrand durch eine breitbandige Kantenbelichtung verbessert werden. Sie erfolgt direkt nach der Beschichtung und dem „soft bake“ des Fotolacks.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Bei der Beschreibung der fotolithografischen Abbildung müssen verschiedene Formen des lithografischen Bildes unterschieden werden. Sie beschreiben die Entwicklung des Bildes von der Fotomaske bis zur entwickelten Struktur im Fotolack. Wegen fehlender deutschsprachiger Fachliteratur werden folgende, meist englischsprachige, Begriffe verwendet:


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Bei der optischen Lithografie wird die Struktur einer Fotomaske mittels Schattenwurf oder Projektion in einen lichtempfindlichen Fotolack übertragen. Das Auflösungsvermögen, das heißt die Fähigkeit des optischen Systems, die kleinsten Strukturen in den Fotolack abzubilden, wird im Wesentlichen von der verwendeten Lichtwellenlänge und der Fähigkeit des Systems, genug Beugungsordnungen der Maske einzufangen, bestimmt. Sie lässt sich näherungsweise beschreiben durch:


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: formula_2 die kritische Abmessung, das heißt die kleinste abbildbare Linienbreite (oft auch mit den englischen Begriffen oder bezeichnet),


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: formula_3 ein vom Abbildungs- und Lacksystem abhängiger Faktor, der in der Produktion ungefähr den Faktor 0,4 beträgt,


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Ausgehend von dieser Gleichung, kann das Auflösungsvermögen durch die Reduzierung der verwendeten Wellenlänge und des k-Faktors verbessert werden.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Hier wurden in den letzten Jahren zahlreiche Verbesserungen in die fotolithografischen Prozesse (Lackchemie usw.) eingeführt, durch die der k-Faktor von ca. 0,8 bis auf 0,38 bei heutigen Spitzenprodukten reduziert werden konnte (theoretisches Minimum liegt bei 0,25). Auch die verwendete Wellenlänge (genauer Vakuumwellenlänge) wurde über die Jahre hinweg stufenweise reduziert, um das Auflösungsvermögen zu verbessern. So nutzte man Mitte der 1970er Jahre zunächst die g-Linie (434 nm) und seit Anfang der 1980er Jahre die i-Linie (365 nm) des Emissionsspektrums einer Quecksilberdampflampe. In den 1990er Jahren folgte der Umstieg auf monochromatisches Licht von Excimerlasern, hier nutzte man zunächst KrF-Excimerlaser (248 nm, auch engl. , DUV, genannt) und später (bis heute) ArF-Excimerlaser (193 nm).


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Weiterhin ist eine Verbesserung der Auflösung auch über die Erhöhung der numerischen Apertur möglich. Auch hier gab es zahlreiche Verbesserungen und Optimierungen. So betrug die NA für Spitzenprodukte mit g-Linien-Belichtung maximal 0,45 (theoretisches Maximum für ein Nichtimmersionssystem beträgt 1). Bei heutigen, in der Industrie eingesetzten Systemen auf Basis von ArF-Excimerlasern wurde dieser Wert auf ca. 0,93 gesteigert.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Durch diese Verbesserungen können heute (2016) auch Strukturen unterhalb von 22 nm aufgelöst werden – weitere Reduzierungen sind durch den Einsatz von Immersionsflüssigkeiten (siehe Immersionslithografie) und noch kürzeren Wellenlängen möglich.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Ein weiterer wichtiger Parameter bei der optischen Abbildung ist die Schärfentiefe (engl. , DOF) des abbildenden Systems.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: mit formula_7 einem weiteren prozessspezifischen Parameter (auch Rayleigh-Koeffizient genannt). Für eine möglichst gute Abbildung in einem Lack endlicher Dicke ist eine hohe Schärfentiefe wünschenswert. Auf diese Weise kann über die gesamte Schichtdicke eine gleichförmige Abbildung erreicht und auch typischerweise auftretende Unebenheiten in der Wafer-Topografie ausgeglichen werden. Wie in der vorhergehenden Gleichung zu sehen ist, sinkt auch die Schärfentiefe mit steigender numerischer Apertur. Aus diesem Grund muss in der Praxis die NA mit dem restlichen Prozess und den gewünschten Anforderungen abgestimmt werden.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Außerdem werden heutzutage für die Belichtung von kritischen Ebenen, das heißt der Herstellung der kleinsten Strukturen in ICs, wie dem Gate-Kontakt oder die ersten Metallisierungsebenen, diverse Techniken eingesetzt, die das Auflösungsvermögen und die Abbildungstreue verbessern. Zu nennen sind hier vor allen die (OPC), Phasenmasken (engl. PSM), Schrägbelichtung (engl. , OAI) und reflexionsmindernde Techniken (z. B. Antireflexionsschichten) sowie Mehrfachstrukturierungsverfahren wie das "Double-Exposure"- und das "Double-Patterning"-Verfahren. Mithilfe dieser Techniken lassen sich auch deutlich kleinere Strukturbreiten unterhalb der Beugungsgrenze herstellen, beispielsweise 65 nm mit 193-nm-ArF-Excimerlaser, bzw. 28 nm, wenn zusätzlich ein Immersionmedium eingesetzt wird. Aus Kostengründen wird in der Produktion aber nicht nur eine spezifische Technik genutzt, sondern es kommen je nach Anforderungen an das Auflösungsvermögen Systeme verschiedener Wellenlängen zum Einsatz. So sind die Anforderungen bezüglich der Auflösung bei höheren Metallisierungsebenen bei Weitem nicht so hoch, wie sie bei der Strukturierung des Gates (eines MOSFETs) benötigt werden.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Defekte sind eines der wesentlichen Kriterien für die Beurteilung der Abbildungsqualität eines fotolithografischen Prozesses.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die Hauptursache von Defekten sind Partikel aus der Umgebung oder vorhergehenden Prozessen sowie Schichtdickeninhomogenitäten des Fotolacks. Auch mechanische Beschädigungen der Maske oder der Wafer sind mögliche Defekte, die vor allem bei der Kontaktbelichtung auftreten können. Neben der Erkennung von Defekten auf dem Wafer sind vor allem die Erkennung und Entfernung von Defekten auf der Fotomaske wichtig. Denn in einem Belichtungsfeld einer Fotomaske befindet sich das Layout von ca. 2 bis 6 Chips (Belichtung im Step-and-Repeat-Verfahren). Ein Defekt auf der Fotomaske würde sich daher gleich vielfach auf dem Wafer abbilden und somit die Ausbeute drastisch reduzieren.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Partikel aus der Umgebung sind meist natürlich vorkommende Staubteilchen in der Luft. Sie können sich beispielsweise auf der Fotomaske oder der Oberseite der aufgetragenen Fotolackschicht absetzen und dort zu zusätzlichen Maskierungen führen. Ähnlich wie bei lokalen Defekten in der Fotomaske (z. B. Chromreste oder zu viel entferntes Chrom) selbst sind Abbildungsfehler die Folge. Aus diesem Grund findet die Belichtung und die gesamte Handhabung der Fotomasken und Wafer in einer Reinraumumgebung mit stark reduzierter Staubkonzentration statt. Da sich solche Partikel aber auch in dieser Umgebung nicht ganz verhindern lassen, wird die Maske regelmäßig auf Defekte inspiziert und ggf. mit gereinigter Luft abgeblasen. Zusätzlich wird die strukturierte Seite der Fotomaske durch ein sogenanntes Pellikel geschützt. Ein Pellikel ist eine transparente Schutzfolie, die in einem Abstand von wenigen Millimetern über dem Belichtungsfeld der Fotomaske gespannt ist. Sie soll verhindern, dass sich Partikel in den feinen Gräben der Maske festsetzen.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Neben den Partikeln, die einen maskierenden Effekt haben, sind Partikel auf der Waferrückseite oder der Waferauflage eine weitere Ursache für Abbildungsfehler. Sie verursachen eine lokale Verschiebung der Lackschicht in Z-Richtung und führen damit zu einer fehlerhaften Fokussierung. Quellen für solche Partikel können u. a. vorhergehende Prozesse sein, beispielsweise Partikel, die bei einer CVD-Beschichtung entstanden sind und sich an der Waferrückseite anheften.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Defekte in der Lackschicht können zum einen globale Abweichungen in der Schichtdicke vom Zielwert, zum anderen lokale Inhomogenitäten durch Partikel sein und z. B. durch Probleme bei Belackung auftreten. Die globalen Schichtdickenunterschiede können beispielsweise durch falsche Prozessparameter oder Änderungen in den Lackeigenschaften verursacht werden. Sie sind relativ leicht beherrschbar und können durch regelmäßige Testbeschichtungen weitgehend verhindert werden. Lokale Schichtdickenunterschiede entstehen beispielsweise durch Partikel auf dem Wafer, sie stören die gleichmäßige Verteilung des Lacks und ergeben in der Regel einen Defekt mit kometenähnlichem Aussehen. Andere Ursachen sind nachtropfende Lackdüsen oder Rückspritzer.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Zur Detektion von Defekten werden sowohl optische Verfahren als auch die Rasterelektronenmikroskopie eingesetzt. So wird beispielsweise der beschichtete und prozessierte Wafer optisch inspiziert und vollautomatisch mit einem Referenzbild verglichen. Damit lassen sich größere Defekte, vor allem lokale Defekte in der Lackdicke erkennen. Der Einsatz der Rasterelektronenmikroskopie auf belackte und belichtete Wafer wird weitgehend vermieden und nur zur lokalen Detailuntersuchung oder der Linienbreitenmessung (zur Überwachung der Belichtungsdosis und des Fokus) eingesetzt. Hauptgrund dafür ist, dass der Elektronenstrahl den Lack chemisch verändert und somit Einfluss auf die abgebildete Struktur hat. Dies kann sich nachteilig auf nachfolgende Prozesse wie das Trockenätzen auswirken.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Auch die Inspektion der Fotomasken erfolgt zu einem Großteil mit optischen Messverfahren. Hierbei haben sich vor allem automatische Verfahren durchgesetzt, bei denen die örtliche Intensitätsverteilung der transmittierten und reflektierten Anteile eines senkrecht einfallenden Laserstrahls gemessen wird. Durch den Vergleich mit den Layoutdaten lassen sich so Defekte bei der Maskenherstellung ermitteln. In der Produktion erfolgt der Vergleich meist mit Daten einer Referenzmessung oder mit einem benachbarten gleichen Chip auf der gleichen Fotomaske.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Hier wird die Fotomaske in direkten Kontakt mit dem Wafer gebracht (siehe auch Mask Aligner). Das Verfahren bietet die beste Auflösung von den Schattenwurfverfahren, da der Auflösungsverlust durch Lichtbeugung auf das durch die Lackdicke bedingte Minimum reduziert wird. Nachteilig ist jedoch, dass die Maske bzw. der auf dem Wafer aufgebrachte Fotolack durch den Kontakt beschädigt werden kann, z. B. wenn sich ein Staubkorn zwischen beiden befindet. Außerdem werden auch Defekte (z. B. Verunreinigungen der Maske) ebenso wie die erwünschten Strukturen 1:1 auf den Fotolack übertragen, was zu groben Fehlern wie beispielsweise Kurzschlüssen auf dem Wafer führen kann.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Bei dieser Art der Belichtung wird die Maske mit einem Abstand (engl. ) von ca. 10–50 Mikrometern über dem Fotolack positioniert. Dieser Abstand hilft, Resist und Maske vor Beschädigung zu schützen.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Bei der Projektionsbelichtung wird die Fotomaske nicht im Maßstab 1:1 im Resist abgebildet, wie es bei der Kontakt- und Proximitybelichtung naturgemäß der Fall ist, sondern die Masken werden durch ein Linsensystem verkleinert (typischerweise im Maßstab 5:1 oder 4:1) abgebildet. Ein großer Vorteil dabei ist, dass Partikel, die sich auf der Maske abgesetzt haben, auch verkleinert werden und daher einen geringeren Einfluss auf die erzeugten Strukturen haben. Weiterhin sind die verwendeten Fotomasken wesentlich einfacher (und preiswerter) zu fertigen, da auf ihnen die Strukturbreiten um ein Vielfaches größer sind.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Da die Abbildung einer Maske auf diese Weise nicht den ganzen Wafer abdecken kann, werden die Wafer mittels extrem präziser Mechaniken (z. B. Piezo-Linearantrieb) bewegt und so positioniert, dass die Abbilder der Maske auf einem Raster mit engen Toleranzen liegen (sogenanntes "Step-and-repeat"-Verfahren, die dazu verwendeten Apparate heißen auch „Wafer-Stepper“). Wegen der endlichen Schärfentiefe der Abbildungsoptiken können nur dünne Fotolacke mit dieser Methode belichtet werden, während mit Kontakt- und Proximitybelichtung auch Lithografie in dicken Fotolacken möglich ist (ein extremes Beispiel ist der Dicklack SU-8).


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Um tiefere Strukturen (genauer: Strukturen mit hohen Aspektverhältnissen, also Strukturen, die tiefer sind als breit) ausgehend von der Projektionsbelichtung zu erzeugen, wird der (dünne) Fotolack auf eine dicke Schicht von Material aufgebracht, das nach der Entwicklung anisotrop geätzt werden kann. Anisotrope Ätzverfahren sind beispielsweise das reaktive Ionenätzen oder Ionendünnung.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die Immersionslithografie entspricht im Wesentlichen der Projektionsbelichtung. Jedoch liegt bei der Belichtung zwischen Projektionslinse und Fotolack nicht Luft, sondern ein flüssiges Medium. Die Immersionsflüssigkeit kann zum Beispiel Reinstwasser sein. Deren im Vergleich zu Luft höherer Brechungsindex vergrößert die numerische Apertur des Abbildungssystems. Dies erlaubt es, kleinere Strukturen zu erzeugen.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Erste Entwicklungen veröffentlichte IBM im Februar 2006. Schon damals zeigten sie in Laborversuchen eine Strukturabbildung mit einer Linienbreite (engl. , CD) von 29,9 nm. Diese Technik wurde 2007 erstmals in der Massenproduktion eingeführt. Hier kamen auch erstmals Spiegellinsenobjektive zum Einsatz.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Zurzeit (Januar 2010) werden mit dieser Technik in der Produktion von Chips Strukturgrößen von 32 nm erreicht (mit 193-nm-Laserstrahlung).


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Durch den Einsatz der Immersionslithografie konnte der Umstieg auf neue und damit teurere Lithografiekonzepte wie der Röntgen- oder der Elektronenstrahllithografie bislang verschoben werden.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Dabei kommen zumindest teilweise weitere Techniken und Belichtungsverfahren zum Einsatz, die es erlauben, kleinere Strukturen im Fotolack abbilden zu können. Beispiele hierfür sind das "Double-Exposure"- und das "Double-Patterning"-Verfahren, bei denen ein Wafer zweimal belichtet wird. Zunächst wird eine Struktur mit der maximal erreichbaren optischen Auflösung aufgebracht (z. B. mit 45 nm Strukturbreite), danach die Position des Wafers um die halbe Auflösung verändert (22 nm) und dann eine zweite Struktur projiziert. Die Positioniergenauigkeit der Wafer-Stepper reicht für diesen Prozess aus, durch die wiederholte Belichtung erhöhen sich aber die Prozesszeiten. Durch konnten in Kombination mit der Immersionslithografie bei 193 nm bereits Strukturgrößen von 22 nm erzielt werden. Eine Kombination von und der 32-nm-Immersionslithografie könnte gar eine Strukturgröße von 16 nm ermöglichen, die bisher der EUV-Lithografie vorbehalten schienen.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Um dieses Ziel zu erreichen, sind die optischen Eigenschaften von Reinstwasser als Immersionsflüssigkeit nicht mehr ausreichend. So kommen derzeit auch Immersionsflüssigkeiten mit einem höheren Brechungsindex von bis zu 1,8 zum Einsatz bzw. es wird an Alternativen geforscht. Sie sollen unter anderem eine bessere Anpassung an das Linsensystem ermöglichen (eines der Ziele ist beispielsweise die weitere Erhöhung der numerischen Apertur).


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die Grautonlithografie wurde mit dem Ziel entwickelt, eine gewünschte Lacktopografie nach der Entwicklung zu erhalten und so neue Anwendungen im Bereich der Mikrosystemtechnik zu ermöglichen, beispielsweise für die Herstellung von 3D-Strukturen. Damit wird ein neues Konzept der Fotolithografie verfolgt, bei der es normalerweise um die Herstellung von binären Strukturen, das heißt Strukturen bestehend aus entfernten und unveränderten Bereichen, geht. Die Oberflächentopografie wird durch eine laterale Variation der Belichtungsdosis unter Ausnutzung der monoton aber nichtlinear verlaufenden Entwicklungsrate von der Belichtung realer Fotolacke erreicht. Bei dicken Lackschichten, das heißt Dicken über 5 µm, also deutlich oberhalb der Eindringtiefe der verwendeten UV-Strahlung von 1–2 µm, kann ein ähnlicher Effekt auch über die Steuerung der Belichtungszeit erreicht werden. Hierbei wird ausgenutzt, dass der Lack nach der Belichtung eine wesentlich geringere Absorption für die verwendete UV-Strahlung aufweist.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Nach der Entwicklung kann die Fotolackstruktur beispielsweise durch stark anisotrope Trockenätzprozesse in die darunterliegende funktionale Schicht übertragen werden.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Praktisch realisieren lässt sich eine variable Belichtungsdosis zum einen über Mehrfachbelichtungen zum anderen über Grautonmasken und Pseudo-Grautonmasken.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Bei Mehrfachbelichtungen wird je nach gewünschter Struktur entweder eine Maske schrittweise verschoben oder mehrere binäre Masken mit unterschiedlichen Abschattungen genutzt. Zusätzlich kann jeder Belichtungsschritt auch unterschiedliche Belichtungsdosen aufweisen, um bessere Ergebnisse zu erzielen.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Pseudo-Grautonmasken sind normale binäre Masken, bei denen Strukturen verwendet werden, die kleiner sind als die Auflösungsgrenze des Projektionsobjektives (diffraktive Optik). Dies führt zu einer Helligkeitsmodulation im Bildbereich (ähnlicher Effekt wie bei gerasterten Bildern z. B. im Zeitungsdruck).


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: „Richtige“ Grautonmasken weisen hingegen Bereiche mit unterschiedlichem Transmissionsgrad auf. Dieser wird in der Regel über eine Schicht eines (teilweise) absorbierenden Materials realisiert, deren Dicke im Bereich vollständiger Absorption und Transmission variiert wird. Dies kann z. B. über ein sehr fein abgestuftes Profil realisiert werden.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Mit UV-Strahlungsquellen wie UV-LEDs, Halbleiterlasern, frequenzvervielfachten Festkörperlasern oder Excimer-Lasern oder ähnlichen Quellen kann der Kopierschritt der Lithografie durch eine direkte Strukturierung ersetzt werden. Für hohe Auflösungen können z. B. ultrakurze Laserpulse mit einer Ein-Photonen-Energie unterhalb der Absorptionsschwelle des photosensitiven Mediums verwendet werden, vergleichbar mit der Multiphotonenmikroskopie. Dies bedeutet, dass das zu belichtende Material transparent für das verwendete Laserlicht ist. Wird jedoch dieser Laserstrahl stark fokussiert, so werden im fokalen Volumen Mehrphotonen-Absorptionsprozesse wahrscheinlich. Dies ermöglicht eine chemische oder physikalische Modifikation im fokalen Volumen, und letztlich eine selektive Löslichkeit des belichteten Bereichs relativ zu dem umgebenden. Nach dem Bad in einem Entwickler können so, abhängig von dem verwendeten fotoempfindlichen Material unbelichtete oder belichtete Bereiche herausgelöst werden. Somit können nahezu beliebige 3D-Strukturen aus unterschiedlichen photosensitiven Materialien (z. B. SU-8, Ormocere, Polydimethylsiloxan, Chalkogenid-Gläser) hergestellt werden. Bei geringeren Auflösungen wird die lineare Absorption verwendet und dynamisch über ein Raster- oder ein abtastendes Verfahren ein latentes Bild im Fotolack generiert.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die Ursprünge der Fotolithografie als Verfahren der Halbleitertechnik liegen in der gleichnamigen Drucktechnik, einem der ältesten fotografischen Verfahren. Diese erstmals 1822 vom Franzosen Niépce genutzte Technik erlaubt das Übertragen eines fotografischen Negatives (z. B. einer transparenten Zeichnung) auf den Lithografiestein. Ihm war bekannt, dass eine lichtempfindliche Asphaltschicht ihre Löslichkeit verliert (Photopolymerisation), wenn man sie einige Stunden dem Sonnenlicht aussetzt. Mit Ether wurde der belichtete Stein entwickelt, und ein positives Asphaltbild blieb stehen, das Farbe annahm und auf Papier übertragen werden konnte. Diese Technik, von der die Bezeichnung Fotolithografie, also „Zeichnen mit Licht auf Stein“, stammt, wurde in 1955 durch Jules Andrus und Walter L. Bond (Bell Labs) für die Strukturierung von Leiterplatten und Wafern adaptiert. Seitdem wurden zahlreiche Verbesserungen eingeführt, wie Lichtquellen mit brillanterer und kurzwelliger Strahlung, Fotolacke usw., und das Verfahren ist zu einer Schlüsseltechnologie bei der Herstellung mikroelektronischer Bauelemente und Schaltkreise sowie Mikrosysteme geworden.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die Haupttreiber für die stetige Verbesserung der Fotolithografie und die Bereitstellung ausreichend guter Abbildungstechniken für die Weiterentwicklung der Mikroelektronik zu immer kleineren Strukturgrößen waren in der Vergangenheit die Nutzung von Licht kürzerer Wellenlängen, Verbesserungen der Lithografieanlagen im Bereich der Beleuchtungs- und Projektionslinsenoptik und Weiterentwicklung der Fotolacke sowie die Entwicklung neuer Belichtungstechniken für die Korrektur und Ausnutzung von Beugungseffekten.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: In den Anfängen der Mikroelektronik Anfang der 1970er Jahre wurde für die fotolithografische Strukturierung die starke g-Linie (434 nm) des Emissionsspektrums einer Quecksilberdampflampe genutzt. Sie ermöglichte zusammen mit der damals üblichen Kontakt- bzw. Proximitybelichtung und typischen Fotolacken auf Basis von Novolak (mit oder ohne Diazonaphthoquinon (DNQ) zur Erhöhung des Entwicklungskontrasts) die Herstellung von Strukturen im Bereich von 5 bis 6 μm (für CPUs wie den Intel 8080). Aufgrund der damals typischen Wafergrößen mit Durchmessern von 2 bzw. 3 Zoll wurde der gesamte Wafer mit einem Belichtungsschritt prozessiert. Dieses Verfahren findet aufgrund seiner Einfachheit auch heute noch in der Forschung Verwendung.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Anfang der 1980er Jahre stieg die Industrie auf die Nutzung der i-Linie (365 nm) um. Die i-Linien-Lithografie war Mitte der 1980er die Spitzenmethode, mit der Strukturgrößen um die 1 μm (für CPUs wie den Intel 80386) gefertigt werden konnten. Mit diesem Umstieg wurden auch erste Projektionsbelichtungsanlagen mit Verkleinerungsfaktoren von 4 bzw. 5 eingeführt. Damit verbunden war auch die Einführung von sogenannten Steppern, da die Maskengrößen für eine Vollbelichtung von 4-Zoll-Wafern nicht effizient waren. Bei Steppern wird der Wafer in mehreren Schritten rasterförmig mit immer derselben Maske belichtet. Dabei werden mit jedem Schritt ein oder mehrere Dies belichtet. Die Herstellung von Strukturgrößen unterhalb von einem Mikrometer galt zunächst noch als große Herausforderung für die optische Lithografie und das Erreichen dieses Ziels nicht als sicher.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Die ersten Lithografieanlagen, die Strukturgrößen unter einem Mikrometer ermöglichen, wurden Anfang der 1990er Jahre eingeführt. Sie nutzten Strahlungsquellen mit einer Wellenlänge von 240 bis 255 nm, das waren zunächst Quecksilberdampflampen und etwas später KrF-Excimerlaser (248 nm, auch engl. , DUV, genannt). Der Umstieg auf diese Wellenlänge und die gestiegenen Anforderungen hinsichtlich der Auflösung machten die Entwicklung neuer Fotolacke notwendig. Dazu gehören unter anderem chemisch verstärkte Fotolacke (engl. , CAR) auf Basis von Poly(hydroxystyrol) (PHS). Diese Fotolacke setzen unter Bestrahlung mit Licht der Wellenlänge 248 nm einen Fotosäuregenerator (PAG) frei, der beispielsweise den Positivfotolack photokatalytisch zersetzt und somit die benötigte Belichtungsdosis und somit auch die Belichtungszeit verringert. Die Steigerung der Empfindlichkeit sowie die Einführung von Phasenmasken (engl. , PSM) führte dazu, dass 1993 kommerziell erhältliche Produkte mit Strukturgrößen im Bereich von 0,5 µm herstellbar waren.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Anfang der 2000er Jahre folgte der bislang letzte Umstieg hinsichtlich der Wellenlänge in der Industrie hinzu ArF-Excimerlaser mit einer Wellenlänge von 193 nm, daher auch 193-nm-Lithografie genannt. Sie wird auch heute standardmäßig genutzt und ermöglicht die Herstellung der kleinsten Strukturen für den 45-nm-Technologieknoten („trocken“) bzw. die 28-nm-Planartechnik und 22-nm-FinFET-Technik mittels Immersionslithografie.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Zuletzt endete diese Entwicklung der stetigen Verringerung der genutzten Wellenlänge mit der erfolglosen Umsetzung der 157-nm-Lithografie mit F-Excimerlasern (157 nm). Ein Grund für die aufgegebene Umsetzung war der nochmals höhere Entwicklungsaufwand, das heißt die Suche nach passenden Materialien und deren Herstellung in benötigter Qualität. So konnte beispielsweise Calciumfluorid (CaF), das Material für die letzte Linse im optischen System, 2003 noch nicht in der notwendigen Qualität hergestellt werden. F-Excimerlaser und CaF-Linsen waren 2002 mit Vorstellung und der anschließenden raschen Einführung der Immersionslithografie bei einer Wellenlänge von 193 nm nicht mehr notwendig. Die effektive Wellenlänge – die Wellenlänge im Medium zwischen der letzten Linse und dem Fotolack – liegt bei dieser Konfiguration sogar unter der einer trockenen 157-nm-Lithografie, denn bei Nutzung von Wasser als Immersionsmedium (Brechungsindex 1,436) liegt diese für einen ArF-Excimerlaser bei 193,4 nm/1,436 = 134,7 nm. Da der Entwicklungsaufwand für eine 157-nm-Immersionslithografie (effektive Wellenlänge 118 nm, etwa 12 Prozent geringer) die möglichen Vorteile deutlich übersteigt, ist die 193-nm-Immersionslithografie vermutlich der Schlusspunkt in der Entwicklung der „optischen Lithografie“.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Neben dieser Entwicklung der Belichtungstechnik (inkl. Verbesserung der numerischen Apertur) wurden zahlreiche weitere Techniken zur Verbesserung der Prozessfensters durch die Verringerung das k-Werts entwickelt und eingeführt. Neben den bereits genannten Verbesserungen der Fotolacke sind dies vor allem Auflösung erhöhende Techniken (, RETs). Dazu zählen Techniken zur Optimierung der Belichtung, wie Schrägbeleuchtung (engl. , OAI), Belichtung mit polarisiertem Licht und Quellen-Masken-Optimierung (engl. , SMO), und Verbesserungen der Fotomaske, wie die genannten Phasenmasken (PSM), (OPC, dt. "optische Nahbereichskorrektur") und weitere Hilfsstrukturen (engl. , SRAFs), die vor allem Beugungseffekte ausgleichen sollen.


title: Fotolithografie (Halbleitertechnik)

text: Trotz aller Verbesserungen steht die Industrie weiterhin vor der Tatsache, dass auch die aktuellen Techniken in der Herstellung von Spitzenprodukten bald an ihre praktischen Grenzen stoßen. Diese liegt dank Mehrfachstrukturierung für die 193-nm-Immersionslithografie vermutlich noch nicht bei der 22-nm-Planartechnik, aber spätestens Produkte in 11-nm- bzw. 10-nm-Technik werden neue Lithografieverfahren brauchen. Da dieser Zeitpunkt sich seit Jahren immer wieder hinzu kleineren Strukturgrößen verschiebt und das Grundproblem somit lange bekannt ist, wird seit den 1990er-Jahren nach alternativen Lithografieverfahren gesucht, die die Nachfolge der optischen Fotolithografie antreten können. Diese Verfahren werden häufig unter der Bezeichnung Next-Generation-Lithografie (dt. "Lithografie der nächsten Generation") zusammengefasst. Die Verfahren können grob in drei Gruppen eingeteilt werden:


title: Kuchen

text: Der Kuchen gehört zu den feinen Backwaren. Es handelt sich um ein zumeist süßes Backwerk. Man unterscheidet vor allem nach der Art der Herstellung Blechkuchen sowie Kuchen, die in einer Backform gebacken werden. Im Gegensatz zu einer Torte wird ein Belag oder eine Füllung nicht nach dem Backen zugesetzt, sondern mitgebacken. Umgangssprachlich wird dieser Unterschied nicht immer strikt eingehalten, es werden also auch gewisse Kuchen als Torten bezeichnet (z. B. Quarktorte, Bündner Nusstorte, Linzer Torte). Zum Teil wird der Kuchen nach dem Backen glasiert. Herzhafte Kuchen sind Zwiebelkuchen, Flammkuchen und Speckkuchen.


title: Kuchen

text: Der Kuchenteig besteht je nach Rezept zumeist aus Mehl, Zucker, Bindemittel, (z. B. Ei) sowie Fett (Butter oder Margarine), einer Flüssigkeit (Milch, Wasser oder Fruchtsaft), Aromen (z. B. Backaroma) und einem Triebmittel (Backpulver oder Hefe), die miteinander vermengt werden. Für manche Kuchen werden einige dieser Zutaten ausgetauscht oder weggelassen, beispielsweise enthalten glutenfreie Kuchen statt handelsüblichem Mehl aus Getreide geriebene Nüsse, Samen oder Kokosmehl. Die Zugabe von Flüssigkeit ist auch nicht bei allen Kuchen notwendig, und bei manchen Teigarten wie beispielsweise Biskuit kann das Triebmittel weggelassen werden, da die aufgeschlagenen Eier für ausreichend Luftigkeit sorgen. Wichtige Teigarten sind Hefeteig, Mürbeteig (Knetteig) und Rührteig.


title: Kuchen

text: Bäckereien und Konditoreien bieten Kuchen stückweise oder als Backblecheinheiten an. In Supermärkten gibt es von Großbäckereien hergestellte Kuchen.


title: Kuchen

text: Das Backen von Kuchen ist vor allem in Europa und Nordamerika traditionell verbreitet, während es auf anderen Kontinenten nur eine untergeordnete Rolle spielt; in Asien sind fast ausschließlich Reiskuchen bekannt. In China haben außerdem die Mondkuchen eine besondere Bedeutung.


title: Kuchen

text: In Europa wird Kuchen traditionell nachmittags zu Kaffee und Kuchen oder zum Sonntagskaffee verzehrt. Häufig wird Kuchen zu Geburtstagsfeiern oder zu besonderen Anlässen gebacken.


title: Kuchen

text: Verschiedene Gerichte oder Backwaren, die den Kuchenbegriff im Namen tragen, wie "Pfannkuchen" (Eierspeisen), auch der "Berliner Pfannkuchen" als Siedegebäck, "Schmandkuchen" oder die regional als "Erdbeerkuchen" bezeichnete Erdbeertorte, zählen nicht zu den Kuchen. Auch der Kalte Hund oder Kellerkuchen, der nicht im eigentlichen Sinne gebacken, aber zumeist als „Kuchen“ serviert wird, ist demnach ein Dessert oder auch Süßspeise, ähnlich wie Tiramisu.


title: Kuchen

text: Im antiken Griechenland war "plakous" das Wort für Kuchen und hatte denselben Stamm wie das Wort für "flach" (verwandt mit "Fladen"). Im Lateinischen wurde daraus "placenta", was heute in abgewandelter und übertragener Bedeutung der Begriff für Mutterkuchen ist, und im Deutschen Plätzchen. Im zweiten Jahrhundert v. Chr. beschrieb Cato einen Kuchen, der dem modernen Käsekuchen ähnelte. Die Römer verwendeten in der Antike bereits Hefe zum Backen. Im Mittelalter war der verbreitetste Kuchen eine Art süßes Brot oder Früchtebrot. Feines Gebäck kam erst mit der Verbreitung feinen Zuckers seit dem 16. Jahrhundert auf; in diese Zeit fällt die Einführung des Biskuitteigs. Spätestens im 17. Jahrhundert wurden frühe Modelle der Springform zum Backen verwendet. Im 19. Jahrhundert kamen Speisesoda und Backpulver auf den Markt. Neue Zutaten wie Schokolade bzw. Kakao und Vanille wurden erst ab dem 18. Jahrhundert für Kuchen und Torten verwendet.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Marineschule Mürwik (MSM) in Flensburg-Mürwik ist die Offizierschule der Deutschen Marine. An ihr werden seit 1910 deutsche Marineoffiziere ausgebildet.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Offiziere der Marine erhalten an der MSM ihre allgemeine militärische Ausbildung. Fach- und weiterführende Ausbildung finden an streitkräftegemeinsamen Ausbildungsstätten der Bundeswehr und an Fachschulen der Marine statt. Die Ausbildungsbedingungen und Ausbildungsbewertung lässt die Marineschule durch das Sozialwissenschaftliche Institut der Bundeswehr fortlaufend evaluieren.


title: Marineschule Mürwik

text: Architekt war Baurat Adalbert Kelm von der Marinebauverwaltung in Kiel. Vorbild war die Ordensburg Marienburg, was dem Wunsch Kaiser Wilhelms II. entsprach. Dieser ließ zeitgleich verschiedene Schlossprojekte verwirklichen: die Rekonstruktion der Hohkönigsburg (1901–1908), die Renovierung der Ordensburg Marienburg (1896 bis 1918) und den Neubau des Residenzschlosses Posen (1905–1913). Der Gebäudekomplex aus rotem Backstein liegt an der Flensburger Förde und wird deshalb auch als "Rote Burg an der Förde," wie auch als "Rotes Schloss am Meer" bezeichnet. Auf der Südseite liegt in einer Schlucht zudem der Bach Osbek. In der Umgebung wurden weitere Gebäude für die MSM errichtet, darunter der Marine-Wasserturm und das Marinelazarett Flensburg-Mürwik.


title: Marineschule Mürwik

text: Mit dem Bau der Schule sollte auch eine zugehörige Garnisonkirche errichtet werden. Die Pläne sahen zunächst an der Wasserseite, nördlich der Schule eine große viertürmige Schlosskirche vor, die von der später ebenfalls nicht weiter ausgebauten Burgmauer mit umschlossen sein sollte. Die Pläne wurden jedoch nicht realisiert. Die Aula sollte deshalb als Andachts- und Kirchenraum mitbenutzt werden. In der Weimarer Republik fehlte das benötigte Geld. In der NS-Zeit zeigte der nationalsozialistische Staat kein Interesse. Seit den 1930er Jahren besaß der Stadtteil Mürwik aber eine kleine Kapelle. In den 1950er Jahren beteiligte sich die Bundeswehr am Bau der Christuskirche, die seitdem mit als Garnisonkirche des Stützpunktes dient. Um 2000 wurde zudem im Hauptgebäude der Schule eine kleine ökumenische Kapelle eingerichtet. Sie befindet sich neben der Aula der Schule, welche weiterhin zeitweise mitbenutzt wird.


title: Marineschule Mürwik

text: Mit dem Ersten Flottengesetz von 1898 begann die Aufrüstung der Flotte. Statt 70 bis 80 mussten 200 Seekadetten pro Jahrgang ausgebildet werden. Deshalb schlug der damalige Staatssekretär des Reichsmarineamts Admiral Alfred von Tirpitz den Neubau in Mürwik vor. Sie sollte als Ersatz für die 1888 fertiggestellte Marineakademie und -schule Kiel errichtet werden. Vizeadmiral Volkmar von Arnim sah in Kiel auch politische (sozialdemokratische) Gefährdungen des Marinenachwuchses. Wie ihre Vorgängerin sollte die MSM der Kaiserlichen Marine zur Ausbildung von Seeoffizieren dienen. Am 22. Juni 1903 genehmigte Kaiser Wilhelm II. die Verlegung. Der Magistrat der Stadt Flensburg bot am 9. Mai 1905 ein 15 ha großes Gelände im fast unbesiedelten Mürwik kostenlos unter der Bedingung an, dass die Marineschule bis zum 1. April 1909 dorthin verlegt werden würde. Die Marine stimmte zu und kaufte 2 ha hinzu. Die Marineschule Mürwik wurde schließlich ab 1907 als Ersatz für die "Marineakademie und -schule Kiel" gebaut. Nur drei Jahre später, am 3. Oktober 1910 konnte der Ausbildungsbetrieb der neu errichteten Schule beginnen. Kurz darauf am 21. November 1910 reiste der Kaiser in Begleitung von Admiral von Tirpitz mit dem Depeschenboot "Sleipner" an und weihte offiziell den Neubau ein.


title: Marineschule Mürwik

text: Mit dem Beginn des Ersten Weltkrieges wurde der Lehrbetrieb an der Marineschule eingestellt. Die Seekadetten und Fähnriche wurden auf die Hochseeflotte verteilt. Einige der leer stehenden Räumlichkeiten wurden anschließend von der Funkschule genutzt. Als Offizierschule diente die MSM nach dem Ersten Weltkrieg auch der Reichsmarine und der Kriegsmarine.


title: Marineschule Mürwik

text: 1920 mussten die deutschen Soldaten die Stadt verlassen; denn sie sollten an der bevorstehenden Volksabstimmung zur Zugehörigkeit zu Deutschland oder Dänemark nicht teilnehmen. Britische Soldaten zogen in die Marineschule. Das besagte Regiment der Sherwood Foresters sollte den Ablauf der Volksabstimmung in Schleswig überwachen. Schon im Juni 1920 bezog die Reichsmarine die Marineschule wieder.


title: Marineschule Mürwik

text: Während des Zweiten Weltkrieges blieb die Marineschule bei den Luftangriffen auf Flensburg unbeschädigt. Zum Ende des Krieges gehörten große Teile des Hauptgebäudes zum Marinelazarett Flensburg-Mürwik. Nach dem 3. Mai 1945 war die Schule kurzzeitig Teil des Sonderbereichs Mürwik. Die angrenzende Marinesportschule diente am Ende des Weltkrieges und des Dritten Reichs der geschäftsführenden Reichsregierung unter Großadmiral Karl Dönitz als Regierungssitz. Am 14. Mai 1945 kam es zu einem Zwischenfall, bei dem der Kommandeur der Schule Kapitän zur See Wolfgang Lüth von einem Wachsoldaten erschossen wurde. Am 18. Mai 1945 wurde die Schule von alliierten Soldaten nach SS-Angehörigen durchsucht. Am 23. Mai 1945 besetzten die Alliierten den Sonderbereich Mürwik und verhafteten die Regierung Dönitz. Die Marineschule wurde von den britischen Besatzungstruppen anschließend demilitarisiert und zum Teil leergeräumt. So kamen Modellschiffe, Gemälde und die kaiserlichen Flaggen die sich beim Haupteingang der Marineschule befanden ins National Maritime Museum in Greenwich, London. Weitere Gegenstände gelangten offenbar in den Fundus des Regimentsmuseums der King’s Shropshire Light Infantry nahe London.


title: Marineschule Mürwik

text: Nach dem Weltkrieg wurde die Schule zunächst als Teil des Marinelazarettes, dann als Pädagogische Hochschule (PH) und als Zollschule genutzt. Die erwähnte PH zog später zum Volkspark um. In den 1990er Jahren entwickelte sich die PH zur Flensburger Universität. Sie liegt heute beim Sandberg. Von 1950 bis 1956 befand sich in einem großen Teil der Marineschule die besagte Zollschule Flensburg, die im Jahr 1938 in Flensburg eingerichtet worden war. 1956 benötigte die Marine das Gebäude wieder und die Zollschule verließ Flensburg. Die Innerdeutsche Grenze hatte an Bedeutung gewonnen und der Kalte Krieg hatte begonnen.


title: Marineschule Mürwik

text: Zum 2. Mai 1956 wurde die "Marine-Akademie" in Kiel-Holtenau aufgestellt. Bereits am 2. Juli 1956 wurde sie im Zuge der Verlegung nach Flensburg-Mürwik in Marineschule Mürwik umbenannt und von der neu gegründeten Bundesmarine (seit 1990 „Deutsche Marine“) übernommen. Zunächst teilten sich die Marinesoldaten und PH-Studenten die Gebäude, was schließlich zu mehreren Eheschließungen zwischen Lehrerinnen und Offizieren führte. Im Herbst 1959 endete die zivile Nutzung endgültig und die Marineschule wurde alleiniger Hausherr.


title: Marineschule Mürwik

text: Anfang der 1980er Jahre begannen umfassende Restaurierungsarbeiten an den Gebäuden, die fast 30 Jahre dauern sollten. 1989 absolvierten erstmals fünf Frauen die Offizierslaufbahn an der Marineschule. Im September 1990 begannen die ersten Offiziere ihre Ausbildung, die aus der Nationalen Volksarmee stammten. Nach der Wiedervereinigung am 3. Oktober bildete die Schule erstmals Offiziersanwärter aus ganz Deutschland aus, die der nunmehr gemeinsamen Deutschen Marine dienen sollten.


title: Marineschule Mürwik

text: 2010 wurde das 100-jährige Bestehen der Marineschule gefeiert. Bundespräsident Christian Wulff besuchte am 13. August 2010, dem Tag der Vereidigung der Offiziersanwärter, die Schule. Die Deutsche Post gab zum Anlass eine „Ganzdrucksache“ heraus. Es handelte sich um einen Briefumschlag, auf dem die Marineschule abgebildet war, mit einer Briefmarke der Gorch Fock aus dem Jahr 2008.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Marineschule wird von einem Flottillenadmiral als Kommandeur geführt. Sie unterstand vom 1. Oktober 2012 bis zum 31. März 2020 dem Abteilungsleiter Personal, Ausbildung, Organisation im Marinekommando in Rostock. Seit 1. April 2020 ist sie dem Kommandeur Unterstützung im Marinekommando unterstellt.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Marineschule Mürwik gliedert sich in verschiedene Lehrgruppen und spezielle Organisationselemente. Dem Kommandeur der Schule untersteht außerdem das Segelschulschiff "Gorch Fock".


title: Marineschule Mürwik

text: Die "Lehrgruppe Ausbildung" mit dem Lehrpersonal, das hier an der Schule als Truppenfachlehrer oder auch zivile Lehrkraft tätig ist, erarbeitet die Grundsätze der Offizierausbildung der Marine und stellt den Mittler zwischen den Vorschriften der Ausbildung und den Lehrenden dar. Zu ihr gehören die zwei Fachbereiche „Vorgesetztenausbildung“ und „Nautik“ sowie die drei Fachlehrergruppen für „Recht“, „Sprachausbildung“ und „Sport“.


title: Marineschule Mürwik

text: Die "Lehrgruppe A" mit ihren drei Inspektionen ist sowohl für die Ausbildung von Offiziersanwärtern als auch für die fachliche Aus- und Weiterbildung von Offizieren zuständig. Sie bildet die Offiziere sowohl nach den Grundsätzen der Inneren Führung als auch im Bereich der Nautik aus.


title: Marineschule Mürwik

text: Das ankerförmige Hauptgebäude, die eigentliche Marineschule, hat zur Wasserseite eine Länge von über 200 Meter. Es birgt neben Unterrichtsräumen, Büros und Unterkunftsräumen für die Offiziersanwärter weitere Räumlichkeiten:


title: Marineschule Mürwik

text: Der zweischiffige, flachgedeckte Säulengang mit Spitzbogenarkaden befindet sich im ersten Obergeschoss des Ostflügels und wurde ursprünglich als „Modellsaal“ genutzt. Seit vielen Jahrzehnten werden dort nicht nur Schiffsmodelle, sondern auch andere wechselnde Ausstellungen präsentiert. Am Ende des Säulenganges hängt heute das Bildnis von Wilhelm II. in Großadmiralsuniform.


title: Marineschule Mürwik

text: Der Remter dient als Speisesaal und liegt am oberen Ende der zentralen Freitreppe zur Wasserseite des Hauptgebäudes. Auf den Remterwänden befinden sich Fresken mittelalterlicher Hansestädte, die von 1944 bis 1955 durch den Maler Otto Thämer erschaffen wurden. Die Fresken ersetzten die Ausmalungen des Remters aus dem Jahr 1923, welche Seekriegsszenen des Ersten Weltkrieges zeigten. Im Südflügel ist zudem der „Junior Navy Pub“.


title: Marineschule Mürwik

text: Der Remter erhielt des Weiteren Glasfenster mit den Wappen der fünf wichtigsten Marinehäfen: Danzig, Flensburg, Kiel, Sonderborg und Wilhelmshaven. Die im Zweiten Weltkrieg zerstörten Fenster von Flensburg, Wilhelmshaven und Kiel wurden im Jahr 2010 durch eine Spende der Marine-Offizier-Vereinigung anlässlich ihres hundertjährigen Bestehens ersetzt.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Aula wurde von Adalbert Kelm zeitgleich mit dem Bau der Schule geplant und ausgeführt. Die Decke der Aula beherbergt die 26 Wappen der Bundesstaaten des ehemaligen Kaiserreichs. Gemäß der damaligen Verfassung waren die Landstreitkräfte Ländersache, während die „kaiserliche“ Marine allein vom Reich getragen wurde. Kelm wollte in diesem Kontext mit der Deckengestaltung auf die Einheit des Reiches verweisen. Der Reichsadler im Zentrum der Decke blickt ungewöhnlicherweise, vom Betrachter aus gesehen, nach rechts, damit aber auch zur Wasserseite mit der Flensburger Förde. Die Aula der Marineschule Mürwik wird zurzeit in Teilen neu gestaltet. Sie soll zukünftig auch die jüngste Geschichte der Deutschen Marine widerspiegeln. In der Aula stehen Büsten von Karl Rudolf Bromme, Albrecht von Stosch, Rolf Johannesson, Dieter Wellershoff, Adalbert von Preußen und Alfred Kranzfelder.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Bibliothek wurde im Jahre 1910 eingerichtet. Das älteste Buch stammt aus dem Jahr 1573 und beschäftigt sich mit der Sternennavigation. Die Bibliothek besitzt über 60.000 Medien mit einem fachspezifischen Schwerpunkt mit Bezug zur Schule und Marine. Die Bibliothek befand sich zunächst im Dachgeschoss des Mittelteils vom Hauptgebäude. Ihre Lage war von Admiral Alfred von Tirpitz festgelegt worden. Doch in der Zeit danach wechselte sie mehrfach ihren Standort. Heute befindet sie sich im Unterrichtsflügel „Süd“. Die Bibliothek hat in der Woche durchgehend von 7 bis 12 Uhr geöffnet. Montag und Mittwoch hat sie zudem bis 16:30 Uhr, sowie Dienstag und Donnerstag sogar bis 19 Uhr geöffnet. Seit 2009 ist die Bibliothek, Dienstag und Donnerstag 14 bis 19 Uhr, auch für die Öffentlichkeit zugänglich.


title: Marineschule Mürwik

text: Für die Ausbildung von Offizieranwärtern, Wachoffizieren und nautischen Personals in Astronavigation verfügt der Fachbereich Nautik der Marineschule Mürwik seit dem 14. Januar 1986 über ein für die astronomische Navigation geeignetes Kleinplanetarium Zeiss (ZKP 2 Skymaster) zur audiovisuellen Bespielung der mit 26 konzentrisch angeordneten Sitzplätzen ausgestatteten Kuppel mit sechs Metern Durchmesser, als Nachfolgemodell eines bereits während des Zweiten Weltkriegs installierten Gerätes. Dieses einzige militärische Planetarium Deutschlands befindet sich im Ostflügel des Hauptgebäudes. Die Kuppel stammt aus der Zeit des Zweiten Weltkrieges. Das nächste öffentliche Planetarium ist das Menke-Planetarium in Glücksburg. Das Planetarium der Marineschule nutzt im Gegensatz zu diesem einen konventionellen Projektor, bei dem die Sterne intensiver leuchten.


title: Marineschule Mürwik

text: Der dominierende Turm der Schule wurde 1998 auf Grund von Bauschäden abgetragen und bis 2000 originalgetreu wieder aufgebaut. Im Turm befindet sich auch die Turmuhr, deren Uhrwerk im Inneren einsehbar ist. Ganz oben im Turm befindet sich ein Turmzimmer, von dem durch Fenster auf jeder Seite, das Schulareal sowie die Förde betrachtet werden kann. Auf dem Turm weht die Bundesdienstflagge.


title: Marineschule Mürwik

text: Von der ursprünglichen gärtnerischen Gestaltung der Außenanlage ist nur noch ein Teil der Lindenallee auf der Rückseite des Hauptgebäudes erhalten geblieben, welche gesondert als Kulturdenkmal eingetragen wurde. Große Teile der denkmalgeschützten Außenanlagen sind von großzügigen Rasenflächen geprägt. Das Grünrondell vor dem Südflügel verbirgt einen überwucherten Brunnen aus den 1930er Jahren, der ebenfalls gesondert als Kulturdenkmal verzeichnet wurde. Der nationalistische Wortlaut am Brunnenrand blieb erhalten, der Reichsadler, der auf dem Brunnen saß, nicht. Hier und da stehen in der Gartenanlage Gedenksteine, Statuen, Anker und weitere Maritime Objekte. Zur Wasserseite befindet sich die sogenannte Admiralswiese.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Kommandeursvilla wurde mit dem Schulgebäude gebaut und diente dem jeweiligen Kommandeur und seiner Familie als Wohnhaus. Später stand sie lange Zeit leer und verfiel. Ab 1989 wurde sie vom damaligen Landesbauamt Schleswig-Holstein erneuert. Seit 1991 beherbergt die Villa das Wehrgeschichtliche Ausbildungszentrum der Marineschule Mürwik. Das Wehrgeschichtliche Ausbildungszentrum dient in erster Linie der Ausbildung der Offizieranwärter und der Marineoffiziere. Auf vier Stockwerken erschließt das WGAZ die Deutsche Marinegeschichte, mit über 10.000 Objekten, bestehend aus Schiffsmodellen, Schiffswappen, Urkunden, Gemälden, Zeichnungen, Fotografien, Flaggen, Uniformen und weiteren maritimen Gegenständen. Das WGAZ führt auch die sogenannte Bolzenakte.


title: Marineschule Mürwik

text: Das Gorch-Fock-Haus wurde mit dem Hauptgebäude der Marineschule gebaut. Heute beherbergt es das Evangelische Militärpfarramt und das Dezernat S 12 des Bundessprachenamts als Sprachendienst der Marineschule.


title: Marineschule Mürwik

text: Der Bootshafen der Marineschule Mürwik wurde zeitgleich mit dem Bau der Marineschule erstellt und befindet sich unterhalb der Freitreppe. Er ist Liegeplatz für Motor- und Segelboote, die für die seemännische Ausbildung benötigt werden.


title: Marineschule Mürwik

text: Beim früheren Trampedachlager handelt es sich um 1937 gebaute Unterkunftsbaracken für Offizieranwärter der Kriegsmarine. Am 22. Februar 1940 wurde das Lager nach Fregattenkapitän "Claus Trampedach" benannt, der in der Nordsee gefallen war. Nach 1945 als Flüchtlingsunterkunft genutzt, wurde das Lager 1956 von der Bundesmarine als Unterkunft übernommen. Fünf der ehemalig sieben Baracken wurden abgerissen (Baracke 3–7). Baracke 1 wurde wieder der militärischen Nutzung zugeführt. Baracke 2 soll zu einem Ausstellungsgebäude umfunktioniert werden, in dem die Geschichte des „Trampedachlagers“ durch Exponate, Fotos und Info-Tafeln dargestellt wird.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Sportschule wurde 1936 bis 1937 gebaut und als Marinedienststelle genutzt. Dort war 1945 der eigentliche Amtssitz der Regierung Dönitz. Der Gebäudekomplex steht heute zum großen Teil unter Denkmalschutz und wird weiterhin als Sportstätte genutzt. Im nördlichen Gebäude der Sportschule wurde der Simulator für die nautische Ausbildung (AANS) eingebaut.


title: Marineschule Mürwik

text: Zunächst diente ein Wachhaus des Schiffsjungenschulschiffs SMS König Wilhelm als Pferdestall, für die Reitausbildung der Offizieranwärter. Reiten galt damals wie Segeln und Fechten als „Offizierssportart“. 1937 entstand nördlich der Sportschule bei Twedter Mark ein großer Reitstall mit zugehörigem Reitgelände(). Nach 1945 wurde der besagte Reitstall zivil genutzt. Seit dem 3. März 1960 nutzte die neu eingerichtete „Nordmark Fahr- und Reitschule“ die Anlage. 1985 wurde die Reitanlage schließlich abgerissen. Die dortige Straße "Am Sattelplatz", die ihren Namen im Jahre 1973 erhielt, erinnert noch heute an den Reitstall mit der Reitbahn. In dem angrenzenden Gebiet stehen heute Wohnhäuser. Die Liegenschaft der Marine-Reitschule existiert heutzutage also nicht mehr.


title: Marineschule Mürwik

text: Ungefähr unterhalb des Trampedachlagers am Fördeufer in Richtung Twedter Mark befand sich früher das Mürwiker Freibad (auch: Mürwiker Badeanstalt und Schwimmanstalt), das zur Schwimmausbildung der Soldaten diente. Wann genau es eingerichtet wurde, ist unklar. Im Jahr 1912 existierte das Schwimmbad schon. In der Zeit nach dem Krieg wurde das Schwimmbad von der Flensburger Bevölkerung stark genutzt. Das erwähnte Freibad wurde irgendwann nach 1965 wegen Baufälligkeit von der Marine abgerissen. Zuvor, im Jahr 1963, war das städtische Hallenbad im Bahnhofsviertel in der Südstadt eröffnet worden.


title: Marineschule Mürwik

text: Nach Abriss des Freibades baute die Bundeswehr nahe der Torwache der Marineschule Mürwik ein neues Schwimmbad, die "Mürwiker Bundeswehrschwimmhalle", die heute noch besteht. Nach Initiative des Kreisschwimmverbandes beim damaligen Verteidigungsminister Georg Leber konnten dort ab September 1975 auch Zivilisten trainieren. Für die Schwimmsportler der DLRG und von Vereinen aus dem Stadt- und Landkreisgebiet, darunter des "Flensburger Schwimmklubs", bot sich die Möglichkeit, in den frühen Abendstunden dort zunächst sechs, dann acht Stunden zu trainieren. Ab Herbst 1996 erhöhten die Vereine ihre Trainingseinheiten in der Halle.


title: Marineschule Mürwik

text: Das Gebäude für den Stabszug liegt gegenüber der Marinesportschule auf der anderen Seite der Fördestraße. Die Werkstattgebäude wurden als Lehrwerkstatt für die praktische Ausbildung der Technischen Offiziere 1939/40 erbaut. Neben besagtem Gebäude an der Fördestraße befand sich damals noch das Heinz-Krey-Lager. Nach 1945 wurde es zunächst zivil genutzt. In der Zeit des Kalten Krieges befand sich im Gebäude des Stabszugs die "Bundeswehr-Fachschule".


title: Marineschule Mürwik

text: 1938 wurde nördlich vom Trampedachlager bei Twedter Mark die Lehrwerkstatt für die Ausbildung der Waffenoffiziere erstellt. Nach 1945 wurde sie zivil genutzt und 1960 von der Bundesmarine übernommen. Die Liegenschaft diente zuletzt bis 2013 dem früheren Fernmeldebereich 91 als Sitz (vgl. Marinefernmeldestab 70). Die Gebäude werden heute vom benachbarten Kraftfahrt-Bundesamt genutzt.


title: Marineschule Mürwik

text: Der 2012 nordöstlich der Schule errichtete Gorch-Fock-Übungsmast dient der Schulung und Ausbildung an Mast und Takelage, zur Vorbereitung des Einsatzes auf dem Schulschiff Gorch Fock.


title: Marineschule Mürwik

text: Die Einrichtung dient der theoretischen und praktischen nautischen Ausbildung der angehenden Marineoffiziere und von Brückenbesatzungen des Bundespolizeiamts See. Dazu wurde ein hydraulisch beweglicher Schiffsbrückensimulator installiert, der mit Videoprojektoren eine realistische Situation auf See darstellen kann. Es können verschiedene Schiffe mit entsprechendem nautischen Verhalten und Eigenschaften sowie verschiedene Wettersituationen und Zwischenfälle (Feuer, Systemausfälle, Kollision, jedoch kein Waffeneinsatz) simuliert werden. Die Brücke ist über eine Sprechanlage mit sechs weiteren Kabinen verbunden, in denen allerdings nur die für die Navigation wichtigsten Geräte installiert sind, so dass insgesamt sieben Gruppen gleichzeitig virtuell „zur See fahren“ können. In einem zentralen Briefingraum werden die Ausbildungsabschnitte vorher besprochen und die gefahrenen Manöver hinterher mit Hilfe der Computertechnik analysiert. Die Einrichtung wurde in der angrenzenden Marinesportschule untergebracht.


title: Marineschule Mürwik

text: Schulschiffe wurden schon vor dem Bau der Marineschule Mürwik für die Marineausbildung genutzt (vgl. Liste von deutschen Schulschiffen). In den 1930er Jahren dienten offenbar die Schiffe der Gorch-Fock-Klasse, wie beispielsweise die Horst Wessel und die Albert Leo Schlageter der Marineschulausbildung auf See. Doch offenbar unterstanden die Schulschiffe damals noch nicht direkt dem Kommando der Marineschule Mürwik. Nach dem Krieg dienten die Schiffe der Gorch-Fock-Klasse als Reparationszahlungen. Auch nach dem Krieg unterstanden die Schulschiffe noch nicht der Marineschule Mürwik. Die Schulschiffe unterstanden seit 1961 dem Kommando der Schulschiffe. Deren Schulschiffe dienten grundlegend der Ausbildung der Marineschule Mürwik. Die Graf Spee sowie die Hipper, welche 1959 in Dienst gestellt worden waren, wurden 1964 außer Dienst gestellt. Im Dienst verblieben das Segelschulschiff Gorch Fock (von 1958) und die 1963 in Dienst gestellte Deutschland. Als das Kommando der Schulschiffe 1966 aufgelöst wurde, wurden die verbliebenen Schulschiffe der Marineschule Mürwik unterstellt. Das Marineschulschiff Deutschland wurde 1990 außer Dienst gestellt.


title: Marineschule Mürwik

text: Auslandsreisen von Schulschiffen tragen als „Botschafter in Blau“ zur Förderung der zwischenstaatlichen Beziehungen bei. Schulschiffe als Kriegsschiff unter Segeln und ohne Waffen sind Anziehungspunkt für die Bevölkerung und exklusive Plattform für offizielle Empfänge. Durch Landgang der Kadetten tritt nebst Schiff auch die Besatzung im Hafen bzw. im Stadtbild in Erscheinung, lädt zu Gesprächen ein, und repräsentiert den Staat in der Welt. Durch umfangreiche Berichterstattung in der Lokalpresse, durch Gespräche bei offiziellen Empfängen, sowie durch Begegnungen der Besatzung mit Einheimischen wird die Außenpolitik des Staates unterstützt.


title: Marineschule Mürwik

text: Ein jeder Marineoffiziersschüler wird einer neugebildeten Crew des jeweiligen Jahrgangs zugeordnet. Die erste Crew der Marineschule Mürwik war die Crew 09, die am 1. Oktober 1910 eingezogen wurde. Die Crew I/56 wurde die erste Crew der Bundesmarine, nachdem sie die Gebäude am 7. August 1956 bezogen hatte. Einmal im Jahr, im Juli–August, findet die Vereidigung der Marineoffiziersanwärter statt (vgl. Vereidigung und Gelöbnis von Soldaten der Bundeswehr).


title: Marineschule Mürwik

text: Schon in den Jahren 1916–1918 wurden an der Marineschule Mürwik auch bulgarische Seeoffiziersanwärter der damaligen "Maschinenschule Seiner Majestät" (Warna, Bulgarien) als Vorgänger der heutigen Marineakademie Warna ausgebildet, ein besonderer Moment in der Genesis des Bildungssystems der Marine und des Marineoffizierkorps in Bulgarien. Es ist deshalb kein Zufall, dass zwischen den beiden Weltkriegen dieses Phänomen nachhaltiges öffentliches Interesse in Bulgarien für die Marineschule Mürwik weckte, und zu Veröffentlichung von Erinnerungen von Kadetten aus Flensburg führte, auch nach 1945. Marineakademie Warna ist heute Partner der Marineschule Mürwik im Zuge der Zusammenarbeit zwischen Marineakademien aus NATO-Staaten.


title: Marineschule Mürwik

text: Auch heutzutage nehmen ausländischen Marineangehörige an den Lehrgängen in Mürwik teil. Die ausländischen Lehrgangsteilnehmer werden heute offensichtlich den Crews des jeweiligen Jahrgangs zugerechnet.


title: Marineschule Mürwik

text: Ein Tag der offenen Tür findet gewöhnlich mehrmals im Jahr statt. Die Marineschule beteiligt sich am Tag des offenen Denkmals. Einmal im Jahr tagt der Flensburger Stadtrat in der Aula der Schule. Kostenlose Karten müssen vorbestellt werden.


title: Just Mercy

text: Just Mercy ist ein Gerichtsfilm von Destin Daniel Cretton, der im September 2019 im Rahmen des Toronto International Film Festivals seine Premiere feierte, am 25. Dezember 2019 in ausgewählte US-amerikanische und am 27. Februar 2020 in die deutschen Kinos kam. In der Filmbiografie wird zum einen der Fall Walter McMillian aufgegriffen, zum anderen zeigt der Film die Arbeit des Strafverteidigers Bryan Stevenson, der McMillian vor Gericht vertreten hatte.