title: Pascal Beltrán del Río

text: En 1986 ingresó en la entonces Escuela Nacional de Estudios Profesionales Acatlán de la Universidad Nacional Autónoma de México, donde se licenció en Periodismo y Comunicación Colectiva.


title: Pascal Beltrán del Río

text: De 1988 a 2003 colaboró en la revista "Proceso". Durante su trabajo en el semanario, publicó el libro "Michoacán, ni un paso atrás" (1993), enviado especial en Asia Central y Medio Oriente, donde cubrió las repercusiones de los atentados terroristas de septiembre de 2001 y la invasión de Irak; corresponsal en Washington, D.C. (1994-1999) y subdirector de Información (2001-2003).


title: Pascal Beltrán del Río

text: En octubre de 2003 publicó el texto "Historias de Guerrilleros" basado en entrevistas en la cárcel con Jacobo Silva Nogales ("Antonio") y Gloria Arenas Agís ("Aurora"), miembros del Ejército Revolucionario del Pueblo Insurgente (ERPI). Por este trabajo ganó por primera vez el Premio Nacional de Periodismo.


title: Pascal Beltrán del Río

text: De enero de 2004 a julio de 2005 trabajó en "La Revista," publicación semanal del diario "El Universal", donde escribía la columna «Contratiempo». De septiembre de 2005 a enero de 2006 se desempeñó como editor de política del periódico "El Economista."


title: Pascal Beltrán del Río

text: Fue conductor del noticiario "Antena Radio Primera Emisión", del Instituto Mexicano de la Radio (IMER), de octubre de 2003 a octubre de 2006. Ha sido comentarista de las cadenas Radio Trece, Radio Fórmula e Imagen. También ha sido conductor de espacios de televisión, en CadenaTres, donde colaboró con el segmento «La Silla de "Excélsior"». De mayo de 2007 a diciembre de 2008, condujo el programa de entrevistas "Así se habla".


title: Pascal Beltrán del Río

text: Desde marzo de 2006, es Director Editorial de "Excélsior", donde escribe la columna dominical «Bitácora del Director», donde comenta temas de actualidad, generalmente políticos, aunque también escribe sobre decisiones editoriales. Asimismo, ha colaborado en las revistas mexicanas "Letras Libres" y "Nexos"; y el diario argentino "La Nación".


title: Pascal Beltrán del Río

text: En septiembre de 2007, Beltrán del Río entrevistó en Moscú al ex espía de la KGB, Oleg Nechiporenko, quien hizo labores de contrainteligencia en México entre 1961 y 1971. Dicha entrevista mereció el Premio Nacional de Periodismo de México.


title: Pascal Beltrán del Río

text: Beltrán del Río también ha sido profesor de periodismo en la Universidad Iberoamericana, donde impartió durante tres años el Taller de Periodismo del Departamento de Comunicación.


title: Pascal Beltrán del Río

text: Como director del periódico Excelsior, ha sido parte del cuerpo administrativo que ha censurado la información u opiniones dentro de Excelsior y Grupo Imagen. El periodista Martín Moreno, investigó uno de estos actos de censura sobre la violencia en Tamaulipas en el sexenio de Enrique Peña Nieto.


title: Pascal Beltrán del Río

text: El mismo modo, en un operativo en Chalchihuapan, Puebla en el cual murió un niño herido por una bala de goma disparado por la policía estatal bajo el mano de Facundo Rosas, exsecretario de seguridad pública de Puebla, Pascal Beltrán del Río defendió la versión del entonces gobernador Rafael Moreno Valle y poniendo en duda que la bala haya sido disparada por la policía. Un video demostró que efectivamente, la bala salió de las fuerzas estatales.


title: Pascal Beltrán del Río

text: El periódico que dirige Beltrán del Río tampoco publicó nada sobre la secta NXIVM propiedad de Keith Raniere y cuyo representante en México es Emiliano Salinas, hijo del expresidente Carlos Salinas de Gortari. Emiliano Salinas, estaba al tanto de los abusos sexuales de Raniere dentro de NXIVM.


title: Circo de Gavarnie

text: El circo de Gavarnie forma parte del macizo de Monte Perdido, que fue declarado en 1997 Patrimonio de la Humanidad por la Unesco. La cascada de Gavarnie es una de las más altas de Europa, con más de 400 m de caída vertical. El circo de Gavarnie está situado en los Pirineos, en la comuna francesa de Gavarnie (Altos Pirineos), en región de Occitania, dentro del parque nacional de los Pirineos.


title: Circo de Gavarnie

text: De un diámetro de seis kilómetros, esta muralla rocosa, maravilla de la naturaleza, es uno de los sitios más visitados de todos los Pirineos franceses. El terreno calcáreo, gris, ocre o rosa, ha sido retorcido y elevado hasta más de 3000 m de altitud.


title: Circo de Gavarnie

text: La pared alcanza 1500 m de altura desde el fondo del valle hasta algunas de las cumbres más altas del Pirineo, como el pico Gran Astazu, el pico Marboré, la Torre de Marboré, el pico Casco de Marboré y el pico Taillón. La brecha de Rolando es una curiosidad geológica, una puerta en la cresta rocosa, accesible desde el puerto de Bujaruelo, al que se llega fácilmente por la estación de esquí de Gavarnie-Gèdre. También se puede llegar a Bujaruelo por una empinada ruta, con anchura en algún tramo para un solo vehículo, a la que se accede a la izquierda, nada más pasar el puente de Torla, donde empieza la vía de acceso al parque nacional del valle de Ordesa.


title: Sandunga

text: La sandunga es la gracia, el salero, la chispa, aplicado a una persona, aunque el término puede variar según el lugar y el contexto. Aquél con sandunga es un sandunguero o sandunguera. Es una palabra del idioma español difícilmente traducible, y se considera propia del lenguaje coloquial.


title: Sandunga

text: La Real Academia Española, además de su significado general de «gracia, donaire, salero», define una segunda acepción para "sandunga", particular de Chile, Colombia y Puerto Rico: «parranda», es decir, una juerga bulliciosa.


title: Sandunga

text: Sus derivados son sandunguero, sandunguera (), "sandungueramente" () así como "sandungueo" (), que se refiere al «andar con gracia o bailar con gracia». El sandungueo también son unos pasos de baile latino.


title: Sandunga

text: Se entiende por "sandunguera" la persona que tiene gracia, desenvoltura, jaranera, desea la fiesta y es picante con el resto de personas, baila sin vergüenza, y a veces se libera ignorando lo «moralmente» correcto. En 1847, en la "Colección de canciones españolas", se anota la letra de una canción tradicional andaluza muy antigua, "La flor de la canela". La canción está «dedicada á una morena sandunguera», que tiene «garbo y salero, cuerpo bonito y talle sandunguero», que ablanda a cualquier hombre «por firme que sea», con su «cuerpo tan cachondo y cara tan gitana» los hace a todos «chochear». En Andalucía de le dice popularmente "flor de la canela" a la mujer que es sandunguera.


title: Sandunga

text: En Cuba, se grita "¡Sandunga!" cuando se quiere animar a los músicos de son cubano. Asimismo, en este país se les dice «sandungueras» a las mujeres que bailan con desenvoltura y sensualidad.


title: Sandunga

text: Solo en México, la sandunga es a veces escrita como "zandunga", ya que allí es también una música y baile popular. "La Sandunga" es una canción tradicional de los estados sureños de Chiapas y Oaxaca que nació como una sencilla tonadilla compuesta de un son istmeño y un zapateado.


title: Sandunga

text: Aparece por primera vez en la duodécima edición del "Diccionario de la lengua española", en 1884. En la siguiente edición, de 1899, la Real Academia propone la siguiente etimología entre signos de interrogación: "¿Del alemán salzung?" La dudosidad de esta etimología hizo que fuese retirada en la siguiente edición.


title: Sandunga

text: La hipótesis con más apoyo es, en palabras del lingüista andaluz Miguel Ropero Núñez, que «"sandunga" probablemente sea un », es decir, un préstamo del idioma caló. Por los diferentes diccionarios del habla gitana, parece ser un término común entre los gitanos de España. "Sandunga" queda recogido en el "Vocabulario del dialecto jitano" (1846), el "Diccionario gitano" (1867) o el "Apuntes del dialecto caló o gitano puro" (1943).


title: Sandunga

text: En el "Diccionario crítico etimológico", el lingüista Corominas determina que no es posible encontrar un origen certero, pero propone una posible raíz romaní:


title: Sandunga

text: "La Sandunga" es una canción muy tradicional de Oaxaca. Escrita por Máximo Ramón Ortiz y arreglada por Andrés Gutiérrez, es considerada un himno de este estado al sur de México. De manera que no es extraño que se le intenten buscar etimologías americanistas. Por ejemplo, el autor Hugo de Grial, biógrafo de Máximo Ramón, sostiene que sandunga proviene del zapoteco: "saa" ('música'), "ndu" ('profundo') y "nga" ('esa'), es decir, «esa música profunda». Varios autores han desmentido y polemizado esta teoría.


title: Sandunga

text: Al parecer, Gutiérrez le puso este nombre a "La Sandunga" porque oyó decir a un fraile dominico «¡qué bonito bailan las tehuanas, parecen muchachas sandungueras!».


title: Sandunga

text: Otra hipótesis es que sandunga pudiera ser un africanismo, es decir, un préstamo procedente de alguna lengua africana. Esta teoría se apoya en el sonigo "ngu" presente en la fonética de la palabra, y el histórico comercio de esclavos del Imperio Español. Corominas sugiere una voz compuesta de español "sal" y el congo "ndungu", 'pimienta'. Las teorías africanistas, sin embargo, también han sido puestas en entredicho por varios autores.


title: Sandunga

text: "Sadunga" en el idioma valenciano es atestiguado desde el siglo , al mismo tiempo que aparece en el castellano. La Asociación Internacional de Lengua y Literatura Catalanas destaca el binomio que antiguamente conformaban la sandunga con la sal: "tenir sandunga i salero", o bien "en tota sal i sandunga", etc. Era, sin embargo, una expresión propia de los grupos marginales, como los gitanos.


title: Memristor

text: El memristor (una contracción de las palabras "memoria" y "resistor") fue un término acuñado en 1971 por el ingeniero eléctrico Leon Chua como el componente eléctrico pasivo de dos terminales no lineal faltante, ya que relaciona la vinculación de la carga eléctrica con un flujo magnético. La operación de los dispositivos RRAM (también llamados ReRAM) fue recientemente conectada con el concepto de memristor. De acuerdo con características relaciones matemáticas, hipotéticamente el memristor podría operar de la siguiente manera: la resistencia eléctrica del memristor no es constante sino que depende de la historia de la corriente que ha fluido previamente a través del dispositivo; es decir, su resistencia actual depende de la cantidad de carga eléctrica que ha fluido, y en qué dirección, a través de él en el pasado. El dispositivo recuerda su historia, la llamada "propiedad de no-volatilidad". Cuando el suministro de energía eléctrica es desconectado, el memristor recuerda su resistencia más reciente, hasta que vuelva a ser encendido.


title: Memristor

text: Leon Chua ha argumentado recientemente que la definición podría ser generalizada para cubrir todas las formas de dispositivos de memoria de dos terminales, tanto volátiles como no volátiles, basados en los "efectos de resistencia conmutativa (resistencia variable)". Algunas pruebas experimentales parecen contradecir esta afirmación, ya que el efecto no-pasivo de una nanobatería es observable en la memoria de la resistencia conmutativa. Chua también argumentó que el memristor es el elemento conocido más antiguo de los circuitos, con sus efectos precediendo al resistor, capacitor y al inductor.


title: Memristor

text: En 2008, un equipo de HP Labs afirmó haber encontrado el memristor faltante de Chua, basado en el análisis de una capa fina de dióxido de titanio; el resultado de los laboratorios fue publicado en la revista "Nature". El memristor se encuentra actualmente en desarrollo por varios equipos, incluyendo Hewlett-Packard, SK Hynix y HRL Laboratories.


title: Memristor

text: Estos dispositivos fueron destinados a aplicaciones en memorias nanoelectrónicas, lógica computacional y para arquitecturas computacionales neuromórficas/neuromemristivas. En octubre de 2011, el equipo anunció que la disponibilidad comercial de la tecnología memristiva estaría al cabo de 18 meses, como un reemplazo a las tarjetas Flash, SSD, DRAM y SRAM. Más recientemente, se anunció que su disponibilidad comercial para una nueva memoria estaría estimada para el 2018. En marzo del 2012, un equipo de investigadores de HRL Laboratories y de la Universidad de Míchigan anunció el primer arreglo de memristores funcional en un chip CMOS.


title: Memristor

text: En 1971, Chua extrapoló una simetría conceptual entre el resistor no-lineal (voltaje contra corriente), capacitor no-lineal (voltaje contra carga eléctrica), y el inductor no-lineal (flujo magnético contra corriente). Después infirió la posibilidad de un memristor como otro elemento no-lineal fundamental conectando el flujo magnético con la carga eléctrica. En contraste con un resistor lineal (o no-lineal), el memristor tiene una relación dinámica entre la corriente y el voltaje incluyendo una memoria del mismo voltaje y corriente que tuvo en el pasado. Otros científicos han propuesto resistores de memoria dinámica, tal como el memistor de Bernard Widrow, pero Chua intentó introducir la generalidad matemática.


title: Memristor

text: La resistencia del memristor depende de la integral de entrada aplicada a sus terminales (en lugar del valor instantáneo de la entrada, como en un varistor). Dado que el elemento "recuerda" la cantidad de corriente que ha pasado a través de él la última vez, fue etiquetado por Chua con el nombre de "memristor". Otra forma de describir al memristor, es como cualquier elemento pasivo de un circuito que posee dos terminales que mantiene una relación funcional entre la integral de la corriente en relación con el tiempo (llamada carga) y de la integral del voltaje en relación con el tiempo (a menudo llamado flujo, por su relación con el flujo magnético). La pendiente de esta función se llama "memristancia" "M" y es similar a la resistencia variable.


title: Memristor

text: La definición del memristor está basada únicamente en las variables fundamentales de circuitos de corriente y tensión (voltaje) y sus integrales con respecto al tiempo, justo como el resistor, el capacitor y el inductor. Sin embargo, a diferencia de estos tres elementos, en que se permite una invariante lineal del tiempo o sistema teórico LTI, los memristores de interés tienen una función dinámica con la memoria, y se pueden describir como una función de la carga neta. No hay tal cosa como un memristor estándar. En lugar de ello, cada dispositivo implementa una función en particular, en donde la integral del voltaje determina la integral de la corriente y viceversa. Un memristor lineal invariante en el tiempo, con un valor constante de "M", es simplemente un resistor convencional". Dispositivos manufacturados nunca son puramente memristores (memristor ideal), pero también exhiben algo de capacitancia y resistencia.


title: Memristor

text: De acuerdo con la definición original en 1971, el memristor fue el cuarto elemento fundamental de los circuitos, formando una relación no-lineal entre la carga eléctrica y el flujo magnético. En 2011 Chua abogó por una definición más amplia que incluyera a todos los dispositivos de memoria de dos terminales no-volátiles basados en la conmutación de la resistencia. Williams argumentó que la MRAM, la memoria de cambio de fase y la RRAM eran tecnologías memristivas. Algunos investigadores argumentaron que las estructuras biológicas como la sangre y la piel se ajustaban a la definición. Otros argumentaron que el dispositivo de memoria en desarrollo por los HP Labs y otras formas de RRAM no eran memristores, sino más bien parte de una clase más amplia de sistemas de resistencia variable y que una definición más amplia de memristor es una apropiación científica injustificable que favoreció las patente del memristor de los HP Labs.


title: Memristor

text: En 2011, Meuffels y Schroeder señalaron que uno de los papeles de los primeros memristores incluían una suposición errónea con respecto a la conducción de iones. En 2012, Meuffels y Soni discutieron algunas cuestiones fundamentales en la realización de los memristores. Indicaron insuficiencias en el modelado electroquímico presentado en artículo de "Nature"""The missing memristor found""" (""Es encontrado el memristor perdido"") debido a que el impacto de los efectos de la polarización de concentración en el comportamiento de las estructuras del óxido de titanio bajo estrés de un voltaje o una corriente no se tomó en consideración. Ésta crítica fue mencionada por Valov "et al" en 2013.


title: Memristor

text: Además, Meuffels y Soni señalaron que las ecuaciones de estado dinámico creadas para un memristor que controlado únicamente por corriente con la llamada propiedad de no-volatilidad viola el principio de Landauer de la cantidad mínima de energía requerida para cambiar estados de "información" en un sistema: Con el fin de exponer la propiedad de no-volatilidad se requiere ""que el memristor interno o los estados de información sean separados uno del otro por las barreras de energía libre de Gibbs"". Siempre hay un límite inferior de energía necesaria para cambiar un valor de bit en un dispositivo binario. Esta crítica fue adoptada por Di Ventra y Pershin en 2013. El concepto de un memristor controlado exclusivamente por corriente no proporciona un mecanismo físico que permita dicho sistema del memristor para hacer frente a las inevitables fluctuaciones térmicas. Tal sistema puede cambiar erráticamente su estado bajo la sola influencia de ruido en la corriente. Memristores cuyos estados de resistencia (memoria) dependen solamente de la historia de corriente o voltaje, serían capaces de proteger sus estados de memoria contra el inevitable ruido de Johnson-Nyquist, y permanentemente sufrir de pérdida de información, llamada "catástrofe estocástica". Tales memristores previstos no pueden existir en dispositivos de estado sólido en la realidad física.


title: Memristor

text: Otros investigadores observaron que los modelos del memristor basados en la hipótesis de la derivada iónica lineal no tienen en cuenta la asimetría entre el tiempo establecido (de alta a baja la variación de la resistencia) y el restablecimiento del tiempo (variación de resistencia de alta a baja) y no proporcionan valores de movilidad iónica coherentes con los datos experimentales. Se han propuesto modelos de esta derivada para compensar su deficiencia.


title: Memristor

text: Un artículo del 2014 de investigadores de ReRAM (RRAM) concluyó que las ecuaciones del modelo inicial del memristor de Strukov (HP) no reflejan la física del dispositivo actual, mientras que los modelos posteriores (basados en la física) como los modelos de ECM de Menzel (coautor del artículo dicho) o el de Pickett poseen previsibilidad adecuada, pero son computacionalmente prohibidos. A partir del 2014, la búsqueda continua por un modelo que pueda equilibrar éstas cuestiones; el artículo identifica los modelos de Chang y de Yakopcic como promesas potenciales.


title: Memristor

text: Martin Reynold, un analista de ingeniería eléctrica, con el equipo de investigación de Gartner, comentó que mientras HP estaba haciendo descuidado en llamar a su dispositivo un memristor, los críticos estaban siendo pedantes al decir que no era un memristor.


title: Memristor

text: Chua sugirió pruebas experimentales para determinar si un dispositivo podría ser categorizado como un memristor:


title: Memristor

text: De acuerdo con Chua, Todas las memorias de resistencia conmutativas incluyendo ReRAM, MRAM, y memorias de cambio de fase reúnen estos criterios y son memristores. Sin embargo, la falta de datos para la curva de Lissajous sobre un rango de condiciones iniciales o sobre un rango de frecuencias, complica las evaluaciones de esta afirmación.


title: Memristor

text: La evidencia experimental demuestra que la memoria de resistencia de óxido-reducción (ReRAM) incluye un efecto de nanobatería contrario al modelo del memristor de Chua. Esto indica que la teoría del memristor necesita ampliarse o corregirse para permitir el modelado de una ReRAM precisa.


title: Memristor

text: El memristor fue definido originalmente en términos de la relación funcional no-lineal entre el flujo magnético "Φ"(t) y la cantidad de carga eléctrica que había fluido, "q(t)":


title: Memristor

text: El "flujo magnético", "Φ" , se generaliza a partir de la característica del circuito de un inductor. No representa un campo magnético en este caso; su significado físico se discute a continuación. El símbolo "Φ" puede ser considerado como la integral del voltaje con respecto al tiempo.


title: Memristor

text: En la relación entre "Φ" y "q (carga eléctrica)", la derivada de una con respecto a otra depende del valor de uno o del otro, por lo que cada memristor se caracteriza por su función de memristancia que describe la tasa dependiente de cambio del flujo con respecto a la carga.


title: Memristor

text: Sustituyendo el flujo por la integral del voltaje con respecto al tiempo, y la carga como la integral de la corriente, la forma más conveniente es:


title: Memristor

text: Para relacionar al memristor con un resistor, capacitor e inductor, es de ayuda el aislar el término "M"("q"), que caracteriza al dispositivo, y escribirlo como una ecuación diferencial.


title: Memristor

text: La tabla anterior cubre todas las proporciones significativas de los diferenciales de "I", "Q", "Φ", y "V". Ningún dispositivo puede relacionar "dI" con "dq", o "dΦ" con "dV", debido a que "I" es la derivada de "Q" y "Φ" es la integral de "V".


title: Memristor

text: Con esto, se puede inferir que la memristancia es una resistencia dependiente de la carga. Si "M"("q(t)") es una constante, entonces obtenemos la Ley de Ohm "R(t)" = "V(t)"/" I(t)". Si "M"("q(t)") es no trivial, la ecuación no es equivalente debido que "q(t)" y "M" ("q(t)") pueden variar con el tiempo. Resolviendo para el voltaje como una función del tiempo obtenemos:


title: Memristor

text: Esta ecuación revela que la memristancia define una relación linear entre la corriente y el voltaje, siempre y cuando "M" no varíe con respecto a la carga. La corriente diferente de cero implica que la carga varía con el tiempo. En corriente alterna, se puede observar la existencia de la dependencia lineal en el funcionamiento del circuito mediante la inducción de un voltaje medible sin el movimiento de la carga neta, siempre y cuando el cambio máximo de "q" no ocasione un cambio significativo en "M."


title: Memristor

text: Además, el memristor es estático si no hay corriente que se le pueda aplicar. Si "I" ("t") = 0, encontramos que "V" ("t") = 0 y "M"("t") se convierte en constante. Esta es la esencia del efecto de una memoria.


title: Memristor

text: Mientras que "M"("q"("t")) varíe un poco, como en corriente alterna, el memristor aparecerá como una resistencia constante. Si "M"("q"("t")) aumenta rápidamente, el consumo de corriente y potencia se detendrá dramáticamente.


title: Memristor

text: "M"("q") está restringida físicamente a ser positiva para todos los valores de "q" (asumiendo que el dispositivo es pasivo y no se convierte en un superconductor en algún valor de "q"). Un valor negativo significaría que suministraría energía constantemente cuando opere con corriente alterna.


title: Memristor

text: En 2008, investigadores de HP Labs introdujeron un modelo para una función de memristancia basado en láminas delgadas de dióxido de titanio. Para R menor a R la función de la memristancia es:


title: Memristor

text: donde R representa el estado de alta resistencia, R representa el estado de baja resistencia, μ representa la movilidad del dopaje en la lámina delgada, y "D" representa el grosor de la lámina. El grupo del laboratorio señaló que “funciones de ventana” eran necesarias para compensar las diferencias entre las medias experimentales con las de su modelo del memristor debido a la incertidumbre no lineal de iones y efectos del límite.


title: Memristor

text: Para algunos memristores, la corriente y voltaje aplicados sobre el provoca un cambio sustancial en la resistencia. Tales dispositivos pueden ser categorizados como interruptores, esto investigando el tiempo y la energía que deben gastarse para lograr un valor esperado de resistencia. Esto supone que el voltaje aplicado permanece constante. Resolviendo para la disipación de energía durante un solo evento de cambio (conmutación) revela que para cambiar a un memristor de "R" a "R" en el tiempo "T" hasta "T", la carga debe cambiar por ΔQ = "Q"−"Q".


title: Memristor

text: Sustituyendo "V=I(q)M(q)", y luego "dq/V = ∆Q/V" por constante "V", resulta en la expresión final. Esta característica de potencia difiere fundamentalmente de la de un transistor, que está basado en un capacitor. A diferencia del transistor, el estado final del memristor en términos de carga, no depende de la polarización del voltaje.


title: Memristor

text: El tipo de memristor descrito por Williams deja de ser ideal después de la conmutación en su rango de valores resistivos, creando histéresis, llamado también en inglés como "hard-switching regime". Otro tipo de interruptor tendría una "M"("q") cíclica, de manera que cada conmutación (apagado/encendido) del evento bajo una tendencia constante. Tal dispositivo actuaría como un memristor en todas las condiciones, pero sería menos práctico.


title: Memristor

text: El memristor fue generalizado a sistemas memristivos por Chua en 1976. Mientras que un memristor posee un estado matemáticamente escalar, un sistema tiene un estado vectorial. El número de variables de estado es independiente del número de terminales.


title: Memristor

text: Chua aplica este modelo a los fenómenos observados empíricamente, incluyendo el modelo de Hodgkin–Huxley del axón y un termistor a una temperatura ambiente constante. También describió los sistemas memristivos en términos de almacenamiento de energía y de características eléctricas de fácil observación. Estas características podrían coincidir con la RRAM, relacionando la teoría con áreas activas de investigación.


title: Memristor

text: En un concepto más general de un sistema de n-ésimo orden memristivo, las ecuaciones que lo definen son:


title: Memristor

text: Donde "u(t)" es una señal de entrada, "y(t)" es una señal de salida, el vector x representa un conjunto de "n v"ariables de estado que describe el dispositivo, y "g" y "f" son funciones continuas. Para un sistema memristivo controlado por corriente, la señal "u(t)" representa a la señal de corriente "i(t)" y la señal "y(t)" representa a la señal de voltaje "v(t)". Para un sistema memristivo controlado por voltaje, la señal "u(t)" representa la señal de voltaje "v(t)" y la señal "y(t)" representa la señal de corriente "i(t)".


title: Memristor

text: El memristor "puro" es un caso particular de estas ecuaciones, es decir, cuando "x" depende solamente de la carga (x="q") y puesto que la carga está relacionada con la derivada de la corriente a través del tiempo d"q"/d"t"="i(t)". Así, para memristores "puros" (es decir, ta tasa de cambio de estado) debe ser igual o proporcional a la corriente "i(t)" .


title: Memristor

text: Una de las propiedades resultantes de los memristores y de sistemas memristivos es la existencia del efecto de histéresis pellizcada. Para un sistema memristivo controlado por corriente, la entrada "u(t)" es la corriente "i(t)," la salida "y(t)" es el voltaje "v(t)", y la pendiente de la curva representa la resistencia eléctrica. El cambio de la pendiente de las curvas de histéresis demuestra que existe conmutación entre diferentes estados resistivos, que es un fenómeno central para las RRAM y otras formas de memoria resistiva de dos terminales. A altas frecuencias, la teoría memristiva predice que el efecto de la histéresis pellizcada se degenerará, resultando en una línea recta representativa de un resistor lineal. Se ha demostrado que algunos tipos de curvaturas de tipo histéresis pellizcadas que no se cruzan (denotadas de tipo II) no pueden ser descritas por memristores.


title: Memristor

text: Algunos investigadores han planteado la cuestión de la legitimidad científica de los modelos del memristor de HP en la explicación que le dan al comportamiento de la RRAM. Han sugerido modelos memristivos extendidos para remediar las deficiencias que percibieron.


title: Memristor

text: Un ejemplo intenta extender el marco de sistemas memristivos incluyendo sistemas dinámicos que incorporan derivadas de alto orden de la señal de entrada "u(t)" como una expansión de la serie:


title: Memristor

text: Donde "m" es un entero positivo, "u(t)" es una señal de entrada, "y(t)" es una señal de salida, el vector x representa un conjunto de "n" variables de estado que describen al dispositivo, y las funciones "g" y "f" son funciones continuas. Esta ecuación produce las mismas curvas de histéresis que cruzan en el origen como sistemas memristivos, pero con una respuesta de frecuencia diferente a la predicción realizada de los sistemas memristivos.


title: Memristor

text: Otro ejemplo sugiere incluir un valor de desplazamiento ""a"" para hacer más notorio el efecto observado en una nanobatería, el cual viola el efecto de la histéresis que cruza el origen.


title: Memristor

text: El interés en el memristor revivió cuando una versión experimental de estado sólido fue reportado por R. Stanley Williams de Hewlett Packard en el 2007. El artículo fue el primero en demostrar que un dispositivo de estado sólido puede tener las características de un memristor basado en el comportamiento de finas láminas a nanoescala. El dispositivo no utiliza un flujo magnético como el memristor teórico sugiere, ni almacena una carga como un capacitor, sino que logra una resistencia que depende de la historia de la corriente.


title: Memristor

text: Aunque no es citado en los informes iniciales de HP de su memristor de TiO, las características conmutativas de resistencia del dióxido de titanio fueron descritas originalmente en los años 60's.


title: Memristor

text: El dispositivo de HP está compuesto de una lámina fina (50 nm) de dióxido de titanio entre dos electrodos de 5 nm de espesor, uno de titanio, y el otro de platino. Inicialmente, había dos capas de lámina de dióxido de titanio, uno de los cuales tenía un ligero agotamiento de los átomos de oxígeno. Las vacantes de oxígeno actúan como portadores de carga, lo que significa que la capa empobrecida tiene una resistencia mucho menor que la capa no empobrecida. Cuando se aplica un campo eléctrico, las vacantes de oxígeno viajan (véase conductor iónico rápido), cambiando el límite entre las capas de alta resistencia y las de baja resistencia. Por lo tanto, la resistencia de la lámina como un todo depende de la cantidad de carga que se ha transmitido a través de él en una dirección en particular, que es reversible con solo cambiar el sentido de la corriente. Dado que el dispositivo de HP muestra una conducción iónica rápida a nanoescala, se considera un dispositivo nanoiónico.


title: Memristor

text: La memristancia aparece solo cuando la capa dopada y la capa empobrecida contribuyen a la resistencia del dispositivo. Cuando suficiente carga ha pasado a través del memristor, los iones ya no pueden moverse, el dispositivo entra en histéresis. Deja de integrar "q"=∫"I"d"t," pero mantiene "q" en un límite superior y "M" fijo, actuando como una resistencia constante hasta que se invierte la corriente.


title: Memristor

text: Aplicaciones en memorias de láminas finas de óxidos han sido un área activa de investigación por un tiempo. IBM publicó un artículo en el 2000 con respecto a estructuras similares a las descritas por Williams. Samsung posee una patente de U.S. para conmutadores basados en óxido-vacantes, similares a los de Williams. Williams también tiene una solicitud de patente relacionada con la construcción de un memristor.


title: Memristor

text: En abril del 2010, laboratorios Hp anunció que tenían memristores prácticos trabajando a 1 ns (~1 GHz) de un tamaño de 3x3 nm, el cual es un buen augurio en el futuro de esta tecnología. A estas densidades podría rivalizar fácilmente la tecnología de memoria flash menor a 25 nm de la actualidad.


title: Memristor

text: En 2004, Krieger y Spitzer describieron un dopaje dinámico de polímeros y materiales dieléctricos inorgánicos que mejoraron las características conmutativas y de la retención requerida para crear celdas de memoria no-volátiles funcionales. Usaron una capa pasiva entre las láminas de electrodo y del activo, lo que mejoró la extracción de iones del electrodo. Es posible utilizar un conductor iónico rápido como capa pasiva, la cual permitiría una reducción significativa del campo de extracción de iones.


title: Memristor

text: En julio de 2008, Erokhin y Fontana afirmaron haber desarrollado un memristor polimérico antes del memristor de dióxido de titanio anunciado recientemente.


title: Memristor

text: En 2012, Crupi, Pradhan y Tozer describieron una prueba de concepto de diseño para crear circuitos de memoria sináptica usando memristores orgánicos basados en iones. El circuito sináptico demostró una potenciación a largo plazo en el aprendizaje, así como una inactividad basada en el olvido. Usando una red de circuitos, un patrón de luz fue almacenado y después recuperado. Esto imita el comportamiento de las neuronas V1 de la corteza visual primaria que actúan como filtros espacio-temporales que procesan las señales visuales, tales como el movimiento de líneas y bordes.


title: Memristor

text: En 2014, Bessonov et al. informaron sobre un dispositivo memristivo flexible que comprende una heteroestructura MoO/MoS intercalada entre electrodos de plata en una lámina plástica. El método de fabricación se basa totalmente en las tecnologías de impresión y de soluciones de procesamiento, usando dicalcogenuros de metales en transición (TMDs) en capas bidimensionales. Los memristores son mecánicamente flexibles, ópticamente transparentes y con un bajo costo de producción. Se encontró que el comportamiento memristivo de interruptores estaba acompañado por un efecto prominente memcapacitivo. El alto rendimiento de interruptores demostró la plasticidad y sostenibilidad sináptica a las deformaciones mecánicas para emular características parecidas a sistemas neuronales biológicos en nuevas tecnologías computacionales.


title: Memristor

text: El memristor ferroeléctrico está basado en una delgada barrera ferroeléctrica intercalada entre dos electrodos metálicos. El cambio de polarización de un material ferroeléctrico al aplicar un voltaje positivo o negativo a través de su unión puede conducir a una orden de dos variaciones de magnitudes resistivas: (un efecto llamado túnel de electro-resistencia). En general, la polarización no cambia abruptamente. La inversión se produce gradualmente a través de la nucleación y del crecimiento de los dominios ferroeléctricos con la polarización opuesta. Durante este proceso, la resistencia no se encuentra en el estado R ni R sino en medio. Cuando se active el voltaje, la configuración del dominio ferroeléctrico evoluciona, permitiendo un ajuste en el valor resistivo. Las principales ventajas del memristor ferroeléctrico son que la dinámica de dominio ferroeléctrico se pueden cambiar, ofreciendo una forma de diseñar la respuesta del memristor, y que las variaciones de la resistencia se deben a fenómenos puramente electrónicos, ayudando a la fiabilidad del dispositivo, sin implicar ningún cambio profundo en la estructura del material.


title: Memristor

text: Chen y Wang, investigadores del fabricante de discos duro Seagate Technology describieron tres ejemplos de posibles memristores magnéticos. Un dispositivo de resistencia se produce, cuando el espín de los electrones en una sección de los puntos del dispositivo en una dirección distinta de los que están en otra sección, creando la "la pared de dominio", un límite entre las dos secciones. Los electrones que fluyen a través del dispositivo poseen un cierto espín, el cual altera el estado de magnetización del dispositivo. Cambiando la magnetización, a su vez, mueve la pared de dominio y cambia la resistencia. La importancia del trabajo llevó a una entrevista por la IEEE Spectrum. Una primera prueba experimental del memristor espirotrónico basado en el movimiento de la pared de dominio por corrientes de espín en un túnel de unión magnético fue dada en el 2011.


title: Memristor

text: El túnel de unión magnética se ha propuesto para actuar como un memristor por medio de varios mecanismos potencialmente complementarios, tanto extrínsecos (reacciones redox, carga atrapada/liberada y electromigración dentro de la barrera) como intrínsecos (torque de transferencia de espín).


title: Memristor

text: Sobre la base de la investigación realizada entre 1999 y 2003, Bowen et al publicaron experimentos en 2006 sobre el efecto túnel de unión magnética (MTJ) dotado de estados biestables dependientes del espín (conmutación resistiva). El MTJ consiste en a barrera de tipo túnel de SrTiO3 (STO) que separa al óxido semimetálico LSMO y a los electrodos del metal ferromagnético CoCr. Los estados resistivos del dispositivo MTJ, caracterizados por una alineación paralela o antiparalela de magnetización de un electrodo, son alterados al aplicar un campo eléctrico. Cuando el campo eléctrico es aplicado desde el CoCr hacia el electrodo del LSMO, el radio del túnel de magneto-resistencia (TMR) es positivo. Cuando la dirección del campo eléctrico se invierte, el TMR es negativo. En ambos casos, se encuentran amplitudes grandes del TMR en el orden del 30%. Debido a que una corriente de espín polarizado fluye desde el electrodo del LSMO, dentro del modelo de Julliere, el cambio de signo sugiere un cambio de polarización del espín efectivo de la interfaz del STO/CoCr. El origen de este efecto de multiestatal recae en la migración observada de Cr en la barrera y en su estado de oxidación. El cambio de signo de la TMR puede provenir de las modificaciones a la densidad de estados de la interfaz del STO/CoCr, así como de los cambios en el túnel en la interfaz STO/CoCr inducido por reacciones de óxido reducción del CrOx.


title: Memristor

text: Informes sobre conmutación memristiva basada en el MgO dentro del MTJ de MgO aparecieron a partir del 2008 y el 2009. Mientras que el flujo de las vacantes de oxígeno dentro de la capa aislante del MgO se ha propuesto para describir los efectos memristivos, otra explicación podría adjudicarse en los estados localizados del oxígeno y su impacto en la espintrónica. Esto enaltece la importancia del entendimiento del papel que las vacantes de oxígeno juegan en la operación memristiva de los dispositivos que implementan óxidos complejos con una propiedad intrínseca, tales como la ferroelectricidad o la multiferrocidad.


title: Memristor

text: El estado de magnetización de un MJT puede ser controlado por un torque de transferencia de espín, y por lo tanto, puede a través de este mecanismo físico intrínseco, exhibir un comportamiento memristivo. Este giro es inducido por la corriente que fluye a través de la unión, y conduce a un medio eficiente de lograr una MRAM. Sin embargo, la longitud de tiempo en que la corriente fluye a través, determina la cantidad de corriente necesaria, es decir, la carga es la variable clave.


title: Memristor

text: La combinación de mecanismos intrínsecos (torque de transferencia de espín) y extrínsecos (resistencia conmutativa) conduce naturalmente a un sistema memristivo de segundo orden descrito por el vector x = ("x","x"), donde "x" describe el estado magnético de los electrodos, y "x" denota el estado resistivo de la barrera de MgO. En este caso, el cambio de "x" es controlado por corriente (el torque del espín se debe a una alta densidad de corriente) mientras que "x" es controlado por voltaje (el flujo de vacantes de oxígeno se debe a altos campos eléctricos). La presencia de ambos efectos en una unión magnética de tipo túnel memristivo llevó a la idea de un sistema nanoscópico de sinapsis neuronal.


title: Memristor

text: Un mecanismo fundamentalmente diferente para el comportamiento memristivo ha sido propuesto por Pershin y Di Ventra. Los autores muestran que ciertos tipos de estructuras espintrónicas de semiconductores pertenecen a una amplia clase de sistemas memristivos, como lo definen Chua y Kang. El mecanismo del comportamiento memristivo en dichas estructuras se basa totalmente en el grado de libertad de espín del electrón, el cual permite un control más conveniente que el transporte iónico en nanoestructuras. Cuando se cambia un parámetro de control externo (como el voltaje), el ajuste de la polarización del espín del electrón se retrasa debido a procesos de difusión y relajación, causando histéresis. Este resultado fue anticipado en el estudio de la extracción del espín en interfaces semiconductoras/ferromagnéticas, pero no fue descrita en términos del comportamiento memristivo. En una escala de corto tiempo, estas estructuras se comportan casi como un memristor ideal. Este resultado amplía la gama de posibilidades en aplicaciones de semiconductores espintrónicos y da un paso adelante en futuras aplicaciones prácticas.


title: Memristor

text: El memristor de estado sólido de Williams se puede combinar en dispositivos llamados , el cual podría sustituir a los transistores en los ordenadores del futuro, dada su mayor densidad del circuito.


title: Memristor

text: Se pueden formar potencialmente en memorias de estado sólido no-volátiles, lo que permitiría una mayor densidad de datos que los discos duros con tiempos de acceso similares a DRAM, en sustitución de ambos componentes. HP prototipó una memoria de tipo "crossbar latch" que puede contener 100 gigabits por centímetro cuadrado, y propuso un diseño escalable en 3D (que consta de hasta 1000 capas o de 1 petabit por centímetro cúbico). En mayo de 2008, HP informó que su dispositivo actualmente alcanza cerca de una décima parte de la velocidad de DRAM. La resistencia de los dispositivos se lee con corriente alterna, para que así el valor almacenado no se vea afectado. En mayo de 2012 se informó que el tiempo de acceso había sido mejorado a 90 nanosegundos, si no es que más rápido, aproximadamente cien veces más rápido que la memoria Flash contemporánea, durante el uso de un 1% de energía.


title: Memristor

text: Patentes del memristor incluyen aplicaciones en lógica programable, procesamiento de señales, redes neuronales, sistemas de control, computación reconfigurable, interfaces cerebro-computadora y RFID. Dispositivos memristivos son utilizados potencialmente en implicación lógica, permitiendo un reemplazo para la computación de lógica basada en CMOS. Se reportan varias obras tempranas en esta dirección.


title: Memristor

text: En 2009, un circuito electrónico sencillo que consiste de una red LC y un memristor fue utilizado para modelar experimentos sobre el comportamiento de la adaptación de organismos unicelulares. Se demostró que somete a un tren de impulsos periódicos, el circuito aprende y anticipa el siguiente pulso similar al comportamiento de los modelos del limo "Physarum polycephalum," donde la viscosidad de los canales en el citoplasma responden a los cambios periódicos del entorno. Las aplicaciones de tales circuitos pueden incluir, por ejemplo, reconocimiento de patrones. El proyecto "" de DARPA financió los laboratorios HP, en colaboración con los Laboratorios Neuromórficos de la Universidad de Boston, han estado desarrollando arquitecturas neuromórficas basados en sistemas memristivos. En 2010, Versace y Chandler describieron el modelo de MoNETA (de sus siglas en inglés Modular Neuronal Exploring Travelling Agent). MoNETA es el primer modelo de redes neuronales a gran escala para implementar circuitos en todo el cerebro para alimentar un agente virtual y robótico utilizando hardware memristivo. La aplicación de la estructura de travesaño ("crossbar") en la construcción de un sistema análogo de software computacional fue demostrado por Merrikh-Bayat y Shouraki. En 2011 se mostraron como unos memristores de tipo "crossbar" pueden ser combinados con lógica difusa para crear un sistema analógico memristivo neuro-difuso de computación con terminales de entrada y salida difusas. El aprendizaje se basa en la creación de relaciones difusas inspiradas en la regla de aprendizaje de Hebbian.


title: Memristor

text: En 2013, Leon Chua publicó un tutorial que subraya el amplio lapso de fenómenos complejos y aplicaciones que abarcan los memristores y cómo pueden ser utilizados como memorias analógicas no volátiles, y pueden imitar los fenómenos clásicos de habituación y de aprendizaje.


title: Memristor

text: En 2009, Di Ventra, Pershin y Chua extendieron la noción de sistemas memristivos a elementos capacitivos e inductivos en forma de memcapacitores y meminductores, cuyas propiedades dependen del estado y la historia del sistema, ampliado en 2013 por Di Ventra y Pershin.


title: Memristor

text: En septiembre de 2014, Mohamed-Salah Abdelouahab, Rene Lozi y Leon Chua, publicaron una teoría general del primer, segundo, tercer y n-ésimo orden de un elemento memristivo utilizando derivados fraccionarios.


title: Memristor

text: Sir Humphry Davy es proclamado por Leon Chua al haber realizado los primeros experimentos que muestran los efectos de un memristor.


title: Memristor

text: Bernard Widrow acuña el término memristor (es decir, resistencia de memoria) para describir los componentes de una red neuronal artificial rudimentaria llamada ADALINE.


title: Memristor

text: Argall publica un artículo que muestra los efectos de la resistencia conmutativa frete al TiO que más tarde fue reclamado en 2008 al ser una evidencia de un memristor por los investigadores de Hewlett Packard.


title: Memristor

text: Leon Chua postula un nuevo elemento de circuitos de dos terminales que se caracteriza por una relación entre la carga eléctrica y el flujo magnético como el cuarto elemento fundamental de circuitos.


title: Memristor

text: Chua y su estudiante Sung Mo Kang generalizaron la teoría de los memristores y sistemas memristivos incluyendo una propiedad de la curva de Lissajous de cruce en el origen, que caracteriza el comportamiento de la corriente contra el voltaje.


title: Memristor

text: El 1 de mayo, Strukov, Snider, Stewart y Williams publicaron un artículo en la revista "Nature", identificando un vínculo entre el comportamiento de conmutación de una resistencia de dos terminales que se encuentra en los sistemas a nanoescala y en memristores.


title: Memristor

text: El 10 de agosto, el Dr. Kris Campbell da a conocer un nuevo enfoque para desarrollar, fabricar y probar los memristores en la parte superior de los chips CMOS.


title: Memristor

text: El 23 de enero Di Ventra, Pershin y Chua extendieron la noción de sistemas memristivos a los elementos capacitivos e inductivos, a saber capacitores e inductores cuyas propiedades dependen del estado e historia del sistema.


title: Memristor

text: El 1 de mayo Kim, et al. describieron un material nuevo de un memristor basado en nanopartículas de magnetita y propuso un modelo del memristor extendido que incluye tanto a la resistencia y capacitancia dependiente del tiempo.


title: Memristor

text: El 13 de julio Mouttet describe un circuito de reconocimiento de patrones basados en un memristor que puede realizar una variación analóogica de la función XOR. La arquitectura del circuito se propuso como una manera de evitar la arquitectura y el cuello de botella de Von Neumann para los procesadores utilizados en los sistemas robóticos de control.


title: Memristor

text: El 4 de agosto Choi, et al. describieron la realización física de una matriz eléctricamente modificable de las sinapsis neuronales memristivas.


title: Memristor

text: El 8 de abril Borghetti, et al. describieron una matriz de memristores que demuestran la capacidad de realizar operaciones lógicas.


title: Memristor

text: El 1 de junio Mouttet argumentó que la interpretación del memristor como cuarto elemento fundamental era incorrecta, y que el dispositivo de los laboratorios HP fue parte de una clase más amplia de sistemas memristivos.


title: Memristor

text: El 31 de agosto HP anunció que se habían unido con Hynix en un equipo para la creación de un producto comercial llamado "ReRAM".


title: Memristor

text: El 7 de diciembre So y Koo desarrollaron un hidrogel de forma memristiva que se especula que es útil para construir una interfaz cerebro-computadora.


title: Memristor

text: En octubre, Tse demostró que los contadores memristivos impresos basados en el procesamiento de soluciones, con un potencial de aplicaciones como componente de bajo costo de embalaje (sin necesidad de una batería; impulsados por mecanismos de captación de energía).


title: Memristor

text: El 23 de marzo HRL Laboratories y la Universidad de Míchigan anunciaron la primera matriz memristiva funcional integrada en un chip CMOS para aplicaciones en arquitecturas neuromórficas de computación.


title: Memristor

text: El 5 de julio, los investigadores italianos del Politecnico di Torino, Alon Ascoli y Fernando Corinto, mostraron que un circuito puramente pasivo, que emplea componentes ya existentes, pueden exhibir dinámica memristivas. El circuito se compone de un puente de diodos ya existentes y un circuito RLC en serie, introduciendo la no-linealidad y el comportamiento dinámico del sistema, respectivamente. En su más reciente clasificación de los sistemas memristivos, que data de septiembre del 2013, el profesor L.O. Chua clasificó este circuito como un ejemplo de un memristor generalizado.


title: Memristor

text: El 31 de julio, Meuffels y Soni se cuestionaron sobre la aplicabilidad del concepto de un memristor no volátil controlado solamente por corriente a cualquier dispositivo físicamente realizable.


title: Memristor

text: El 27 de febrero Thomas et al., demostraron que un memristor puede utilizarse para imitar una sinapsis más sencilla a comparación con la tecnología CMOS tradicional, y que puede ser utilizado como la base para la construcción de circuitos físicos capaces de aprender. El enfoque utiliza memristores como componentes clave en un modelo para un cerebro artificial.


title: Memristor

text: El 23 de abril Valov, et al., argumentaron que la teoría memristiva actual debe extenderse a una teoría completamente nueva para poder describir adecuadamente a los elementos conmutativos resistivos a base de óxido-reducción (RRAM). La razón principal es que la existencia de nanobaterías en interruptores resistivos basados en redox viola el requisito de la teoría del memristor para una histéresis pellizcada.


title: Memristor

text: El 10 de febrero, Nugent y Molter presentaron una nueva forma de computación denominada "AHaH Computing", la cual utiliza pares diferenciales de memristores como medio de almacenamiento para pesos sinápticos. La arquitectura propuesta proporciona una solución al "cuello de botella de Von Neumann" mediante la fusión del procesador y la memoria, y el hardware del futuro basado en esta tecnología puede reducir el consumo de energía de las aplicaciones de aprendizaje de máquina.


title: Memristor

text: El 10 de noviembre, Bessonov et al. demostraron un nuevo tipo de memristor flexible que comprende heteroestructuras MoO/MoS intercaladas entre electrodos de plata en una lámina plástica.


title: Memristor

text: El 21 de marzo, Bio Inspired Technologies of Boise, Idaho introdujo el primer memristor discreto comercial disponible en el mercado. El memristor está fabricado en silicio y está basado en el diseño de una batería conductora de calcogenuro de plata. El dispositivo es analógico y está programado en varios estados de programado y borrado por la aplicación de voltaje en corriente directa o pulsos discretos. El componente forma un bloque de construcción para los investigadores interesados en el diseño y creación de prototipos de circuitos neuromórficos y arquitecturas de memoria avanzada.


title: Soulcalibur VI

text: Su fecha de lanzamiento fue el 19 de octubre de 2018. El año de lanzamiento marcó un lapso de seis años entre esta entrega y su antecesor inmediato "Soulcalibur V".


title: Soulcalibur VI

text: Según el productor Motohiro Okubo, el videojuego es una celebración del 20 aniversario de la franquicia Soul.


title: Soulcalibur VI

text: Según Bandai Namco, "Soulcalibur VI" tiene lugar durante el siglo XVI y revisita los eventos y acontecimientos vistos en el primer juego de "Soulcalibur" para "descubrir verdades ocultas".


title: Soulcalibur VI

text: Como todos los juegos de "Soulcalibur" anteriores a esta entrega, las peleas de "Soulcalibur VI" tienen lugar en un ambiente tridimensional, donde los luchadores se enfrentan con varios tipos de armas. "Soulcalibur VI" presenta una nueva mecánica de juego llamada "Reversal Edge", que actúa de manera similar al sistema de combos visto en "Killer Instinct", y a la mecánica de "Burst", vista en los luchadores de Arc System Works. Cuando se ejecuta, la esquina inferior muestra el contraataque, en una vista de cámara dinámica. El sistema de movimiento 8-Way Run que ha estado en la franquicia desde la primera "Soulcalibur" regresa en esta entrega. La mecánica de Ring-Out que estuvo ausente en la entrega spin-off free to play de "", también está de regreso.


title: Soulcalibur VI

text: "Soulcalibur VI" también presenta el retorno del Modo Versus ("Jugador contra Jugador" y "Jugador contra CPU") y los modos multijugador en línea, que también estuvieron ausentes en "Soulcalibur: Lost Swords," ya que este último se enfocó en la experiencia de un solo jugador.


title: Soulcalibur VI

text: "Soulcalibur VI" contiene una plantilla compuesta por personajes que regresan de anteriores juegos, y algunos luchadores totalmente nuevos. Tres de ellos son invitados de otras franquicias: Geralt de Rivia ("The Witcher"), 2B ("") y Haohmaru ("Samurai Shodown").


title: Soulcalibur VI

text: "Soulcalibur VI" fue anunciado durante el evento de The Game Awards de 2017, por Bandai Namco Entertainment.


title: Soulcalibur VI

text: El videojuego salió a la venta para las plataformas PlayStation 4, Xbox One y Microsoft Windows. El desarrollo del juego comenzó hace más de tres años.


title: Soulcalibur VI

text: Según Bandai Namco, el juego estaría centrado en la historia. Al igual que el anterior juego de lucha de Bandai Namco, "Tekken 7", "Soulcalibur VI" se ejecuta con el motor de juego Unreal Engine 4, el productor del juego es Motohiro Okubo.


title: Soulcalibur VI

text: Según Okubo, el nombre código del título era "Luxor" debido a las intenciones del equipo de hacer que el juego se sintiera más brillante, como lo fue en el primer "Soulcalibur". La mecánica adicional ayuda a educar a los jugadores, con la curva de aprendizaje del videojuego, que el equipo diseñó a través de Reversal Edge.


title: Soulcalibur VI

text: El 15 de marzo de 2018, fue anunciado como personaje jugable Geralt de Rivia, protagonista principal de los videojuegos "The Witcher".


title: Soulcalibur VI

text: Además, el escenario Kaer Morhen, basado en los juegos de la saga de "The Witcher", es uno de los escenarios de combate.


title: Soulcalibur VI

text: El videojuego ha recibido críticas positivas. Game Informer y EGM elogiaron los modos de historia. VideoGamer.com elogió los gráficos, mientras que Destructoid elogió la música y la lista de personajes. El crítico de Game Revolution opinó que era "uno de los juegos de lucha más divertidos que he jugado". IGN lo resumió: "Las nuevas mecánicas agregan nuevas capas de estrategia y juegos mentales, mientras que el doble golpe de Libra de Soul y Soul Chronicle proporcionará horas y horas de contenido fantástico para un solo jugador". En 4Players elogiaron el netcode, mientras que en HobbyConsolas se elogió la creación de personajes. En GameSpot Tamoor Hussain dijo que era "Un tanto intuitivo y profundo".


title: Soulcalibur VI

text: El juego alcanzó el número 5 en la lista de ventas del Reino Unido. En Japón, vendió 24,049 copias en su primera semana de ventas, alcanzando el número 3. Alcanzó el número 8 en Australia y el número 7 en Nueva Zelanda. En los EE. UU., Fue el octavo videojuego más descargado de octubre en la PlayStation Store.


title: Oriel Briant

text: Aurelia Catalina Briant (La Plata; 1947-City Bell; 13 de julio de 1984), conocida como Oriel Briant, fue una profesora de inglés argentina. Fue víctima de un femicidio cuando fue salvajemente asesinada el 13 de julio de 1984. Procedente de una familia de ascendencia británica, residía en la localidad de City Bell, partido de La Plata, provincia de Buenos Aires con su esposo, Federico Pippo, con el que tuvo 4 hijos; Julián, Tomas, Christopher y Martina. Su caso generó conmoción en la sociedad argentina y fue objeto de una extensa cobertura periodística. Su asesinato sigue sin resolverse hasta hoy debido a las irregularidades de los investigadores en la recolección de pruebas que permitió a la defensa exonerar a los sospechosos a pesar de las pruebas que los comprometían.


title: Oriel Briant

text: El 9 de julio de 1984, Briant, de treinta y siete años de edad, se encontraba en casa de su madre, junto a Christopher, de tres años, el menor de sus hijos, desde el 7 de julio, día en que su esposo intentó agredirla con un cuchillo, provocando la separación del matrimonio.


title: Oriel Briant

text: Cerca de las 23.30, llamaron a la puerta, y ella reconoció a quien estaba del otro lado, por lo que accedió a abrir. Era un día lluvioso, frío, y su única ropa era un camisón y un par de medias de color azul celeste que pasaban por sobre sus rodillas.


title: Oriel Briant

text: El 13 de julio de 1984 fue hallado el cadáver de Briant en un costado de la ruta 2, km. 75 en una pequeña arboleda.


title: Oriel Briant

text: Allí empezaría una extensa cobertura periodística y una investigación para descubrir al asesino. A pesar de que la policía investigó el caso durante años, jamás se descubrió a su asesino.


title: Oriel Briant

text: Su cuerpo presentaba veintidós puñaladas y varios cortes en todo el cuerpo, la mayoría de ellas en la zona genital y dos heridas de bala, uno en el glúteo derecho y el otro en la cara. Había tres heridas de consideración: un gran corte en la zona torácica, un gran corte y extirpación del estómago, y una hendidura y deformación de la zona genital. Se encontraba solo con las medias azul celeste que llevaba en el momento de su desaparición.


title: Oriel Briant

text: La huellas del lugar y las pruebas fueron totalmente destruidas por la inexperiencia del personal policial a cargo, quienes, entre otros actos de impericia, no pudieron evitar vomitar al costado del cadáver ante la impresión por la escena del crimen. Cuando el fiscal que llevó la causa a juicio, Bruno Casteller, se hizo cargo dos semanas después, las pruebas no tenían utilidad judicial.


title: Oriel Briant

text: A lo largo de la causa hubo varios sospechosos que fueron arrestados y posteriormente liberados, dejando la causa inconclusa:


title: Oriel Briant

text: Bruno Castell fue el fiscal encargado y Julio Burlando (padre de Fernando Burlando) el primer responsable de la causa.


title: Oriel Briant

text: La causa prescribió sin resolverse y sin acusados. Federico Pippo obtuvo una exoneración en 1997, y fue internado en 2001 en el neuropsiquiátrico de Melchor Romero en calidad de detenido. Falleció el 5 de junio de 2009. En 1999, se había informado que uno de los hijos de Pippo y Briant, Julián, fue detenido «un par de veces» por tentativa de robo, y que durante su adolescencia, tuvo


title: Oriel Briant

text: antecedentes de agresiones hacia su padre. En septiembre de 2009 sus hijos Christopher y Julián fueron arrestados en un intento de robo y por tenencia de drogas.


title: Kim Ji-hyun (actriz nacida en 1982)

text: Kim Ji-hyun (en hangul, 김지현; nacida el 2 de enero de 1982) es una actriz surcoreana de musicales, cine y televisión.


title: Kim Ji-hyun (actriz nacida en 1982)

text: En 2018 la actriz se vio envuelta sin motivo, por una cuestión de homonimia, en el caso de acoso y violencia sexual por el que fue condenado el dramaturgo y director Lee Yun-taek tras las acusaciones de varias actrices que fueron sus víctimas.


title: Kim Ji-hyun (actriz nacida en 1982)

text: Ha desarrollado gran parte de su carrera en el ámbito de los musicales, donde debutó en 2007 con 김종욱 찾기 ("Encuentra a Kim Jong-wook"), y ha tenido una presencia continua desde 2014. Sus últimos papeles en este campo han sido el de Aldonza Lorenzo en "El hombre de La Mancha" (2021) y Seon-hee en "Let Me Fly" (2022).


title: Kim Ji-hyun (actriz nacida en 1982)

text: Junto a esta consolidada carrera en el musical, y después de algunos papeles menores entre 2008 y 2014, desde 2018 la actriz ha tenido una participación creciente en la televisión.


title: Kim Ji-hyun (actriz nacida en 1982)

text: En 2019 estuvo en el reparto de la serie "Justice" como la fiscal Cha Nam-sik, una mujer que se siente cómoda con la estructura jerárquica y que ganó poder a través de ella.


title: Kim Ji-hyun (actriz nacida en 1982)

text: En 2020 fue Choi Dae-soon, la hermana mayor del protagonista Dae-hyun (Ji Chang-wook), en "La novata de la calle."


title: Kim Ji-hyun (actriz nacida en 1982)

text: En 2021 interpretó el personaje de Joo-yeon, la nuera mayor del Grupo Sungjin y representante de la Galería de Arte, en el drama de suspenso y misterio "Artificial City," emitido por JTBC entre diciembre de ese año y febrero del siguiente.


title: Kim Ji-hyun (actriz nacida en 1982)

text: En febrero de 2022 se estrenará "Treinta y nueve," coprotagonizada por Kim Ji-hyun junto a Son Ye-jin y Jeon Mi-do. Interpreta el papel de gerente de cosméticos en unos grandes almacenes, persona tímida y que nunca ha experimentado una relación amorosa a pesar de estar a punto de llegar a los 40 años.


title: Cañamero

text: Cañamero es un municipio español de la provincia de Cáceres, en la comunidad autónoma de Extremadura. Está situado en el extremo Sureste de la provincia, en la mancomunidad de Villuercas-Ibores-Jara, limitando su término con la provincia de Badajoz.


title: Cañamero

text: Conocido por su vino de pitarra, el municipio da nombre a una de las subzonas de la denominación de origen Ribera del Guadiana. El pueblo se sitúa sobre la EX-102, entre Logrosán y Guadalupe.


title: Cañamero

text: Cañamero se fundó entre el y la época visigoda. De la Edad Media se conservan en la montaña que preside la localidad los restos del Castillo de Cañamero. Además, en 1538 se le concedió a Cañamero el título de villa.


title: Cañamero

text: El escudo heráldico de Cañamero fue aprobado mediante la "Orden de 9 de abril de 1991, de la Consejería de Presidencia y Trabajo, por la que se aprueba el Escudo Heráldico y Bandera Municipal para el Ayuntamiento de Cañamero (Cáceres)", publicada en el Diario Oficial de Extremadura el 16 de abril de 1991 luego de haber aprobado el expediente el pleno del ayuntamiento el 19 de julio de 1989 y haber emitido informe favorable la Real Academia de la Historia el 8 de marzo de 1991. El escudo se define oficialmente así:


title: Cañamero

text: Cañamero está situado al sureste de la provincia de Cáceres, lindante con los municipios de Guadalupe, Logrosán, Alía, Berzocana y Valdecaballeros. Se encuentra en las estribaciones de la sierra de Las Villuercas.


title: Cañamero

text: La sierra domina la mayor parte del espacio. Se levanta desde elevaciones suaves a las que se agarran el olivo, cerezo o castaño para irse empinando, cubierta de pino, roble y alcornoque donde la tierra es abundante. Donde el suelo es escaso dominan la jara y el brezo, y más arriba aún, arraclanes y enebros. La cuarcita corona todas las alturas; se trata de una roca dura, con múltiples fracturas que ha llegado a formar extensas pedreras típicas de la zona. En las zonas llanas dominan las encinas.


title: Cañamero

text: El río Ruecas, afluente del Guadiana, forma el valle en el que se asienta el pueblo. En ésta y otras corrientes de agua hay bosques de alisos de pocos metros de anchura pero kilómetros de longitud, formando túneles vegetales en los que apenas penetra la luz hasta la llegada del otoño. Se pueden encontrar también loros, acebos, mostajos y arces.


title: Cañamero

text: En cuanto a la fauna, junto a otras especies más comunes está el omnipresente jabalí. En zonas boscosas abundan ciervos y corzos, y junto a los cursos de agua sobreviven algunas nutrias. Es frecuente la presencia de buitres leonados y negros, y ocasionalmente de alimoches. La Sierra de las Villuercas y el valle del Guadarranque han sido declarados zona de especial protección para las aves.


title: Cañamero

text: Las primeras muestras de presencia humana se remontan al Paleolítico, cuando la zona era recorrida por pueblos nómadas dedicados a la caza de grandes herbívoros y a la recolección de frutos silvestres. Los primeros asentamientos son del Neolítico que dejan en la zona rastros como dólmenes, grabados y pinturas rupestres. La Edad del Bronce, época en la que se explotaban los yacimientos de estaño del vecino pueblo de Logrosán y los aluviones auríferos del Ruecas, deja también sus huellas en forma de inscripciones tartésicas sobre piedra. Más adelante la zona es poblada por pueblos celtas, ganaderos y guerreros, que construyen asentamientos fortificados y se aliarán con Viriato en la lucha contra la invasión romana.


title: Cañamero

text: La época romana alcanza desde los tiempos de Viriato (139 a. C.) hasta hace unos mil quinientos años. Los romanos no llegan a colonizar plenamente la zona hasta el d. C. de cuya época son los innumerables vestigios arqueológicos de las explotaciones agrícolas que encontramos repartidos por toda la Colonia, las Víboras, los Carrascales, la Dehesa Boyal, la Olivilla, etc. Por los alrededores pasaba una de las vías romanas que unían las ciudades de Mérida y Toledo, camino que perdurará durante toda la Edad Media con el nombre de “camino sevillano”.


title: Cañamero

text: Los vestigios arqueológicos hallados en el interior del casco urbano, tres aras funerarias, permiten suponer que la población de Cañamero debió nacer en el , alrededor de una villa romana que explotaba el rico valle del Vacianchas y que sirvió, en sucesivas etapas, como núcleo de población aglutinante de lo que sería el futuro Cañamero.


title: Cañamero

text: En la época visigoda (siglos V-VIII) se construye un fortín dominando el pueblo, en la peña conocida como El Castillo. El pueblo era conocido como "Villa Realenga de Cañamero", pasando tiempo después a denominarse "Cañamero", posiblemente por darse en abundancia el cultivo del cáñamo por la zona.


title: Cañamero

text: En el año 713 los árabes conquistan Mérida y en su paso hacia Toledo ocupan la zona, en la que más tarde se asentarán algunos guerreros de las tribus bereberes de los Nafza, Miknasa y Hawara. Como en el resto de la Península ocupada, la población indígena se islamiza y arabiza paulatinamente. En esta época se construye el �castillo de Cañamero y varios asentamientos militares en los alrededores. Es posible que el castillo de Cañamero corresponda al "hisn" o fortaleza de "al-Yanah" o al de la "Peña de Abu Hasan", citados ambos por el geógrafo del Ibn 'Abd al Mun'im al-Himyari recopilando fuentes anteriores, situados en los alrededores de "Luqrushán" (Logrosán).


title: Cañamero

text: La conquista castellana se produce hacia el año 1133, cuando las tropas de Alfonso VII pasan por el lugar de regreso de una expedición en Sevilla. Cañamero, no obstante, seguirá siendo un lugar fronterizo y testigo de las luchas entre andalusíes y castellanos.


title: Cañamero

text: En 1220 las tropas cristianas, al mando del infante Sancho Fernández de León "el Cañamero", hijo del rey Fernando II de León y hermanastro de Alfonso IX de León, se apoderaron del castillo de Cañamero, aunque la mayoría de sus acompañantes, desengañados por las promesas que el infante Sancho Fernández les había hecho de que se dirigirían al reino de Marruecos, abandonaron al infante Sancho, quien fortificó el castillo de Cañamero y desde allí, atacó las tierras cristianas y musulmanas colindantes.


title: Cañamero

text: El infante Sancho Fernández de León "el Cañamero" falleció el día 25 de agosto de 1220, a los treinta y cuatro años de edad, como consecuencia del ataque de un oso, que lo mató cuando el infante salió a cazar, en Cañamero.El día 25 de agosto de 1220, dos días después de la defunción del infante Sancho Fernández de León, el gobernador musulmán de Badajoz se apoderó del castillo de Cañamero y asesinó a todos los cristianos que en él moraban.


title: Cañamero

text: A partir de estas fechas, y dado el valor estratégico de Cañamero en la defensa de la frontera, se producen los primeros asentamientos dispersos de colonizadores cristianos y judíos procedentes del reino de Castilla. El lugar de Cañamero se reagrupa debajo de su castillo; sus escasos moradores cultivan lino y cáñamo, de donde le viene el nombre a la población. Cañamero queda incluido dentro del concejo de Trujillo.


title: Cañamero

text: En el año 1415 el dominico San Vicente Ferrer predica en Cañamero para conseguir la conversión de los judíos y moriscos que habitaban "algunas caserías divididas, todos hortelanos y labradores". San Vicente los reúne con los cristianos de la "aldea vieja" y levantan la iglesia parroquial consagrada a Santo Domingo de Guzmán, cerca de la cual se formará el futuro "barrio nuevo".


title: Cañamero

text: En el año 1457 el rey Enrique IV concede al noble trujillano Diego de Orellana el lugar de Cañamero. Orellana reconstruyó el castillo y se dedicó a asaltar a los abastecedores, ganados y peregrinos del cercano monasterio de Guadalupe. Por eso, apenas tres años más tarde, en 1461, el mismo Enrique IV ordena al Concejo de Trujillo que derriben el castillo de Cañamero y que "no se construya nunca más en dicha peña, ni torre ni castillo ni otra casa fuerte ni edificio alguno". Cañamero tenía entonces unos 400 vecinos, siendo uno de los pueblos más grandes del término de Trujillo.


title: Cañamero

text: Los hombres útiles de Cañamero se alistaron a menudo como soldados en expediciones contra el Reino de Granada, y también hubo más adelante una emigración, considerable dado el volumen de la población, hacia América. En 1520 Juan García de Cañamero pasa a la conquista de México con el capitán Pánfilo de Narváez.


title: Cañamero

text: En el año 1538 el pueblo de Cañamero se separa de la jurisdicción de Trujillo pagando seis mil ducados al rey Carlos I de España, recolectados entre todos sus 450 vecinos. La aldea es declarada "villa exenta, con jurisdicción civil y criminal propias", con facultad de tener cárcel, cadenas, horca, rollo y picota.


title: Cañamero

text: Cañamero conoce su etapa de mayor prosperidad en los años 1590-1640, años en los que se duplica la población y se amplía el pueblo, y más tarde su etapa de mayor decadencia, entre 1700 y 1850.


title: Cañamero

text: A la caída del Antiguo Régimen la localidad de constituye en municipio constitucional, entonces conocido como Cañameros en la región de Extremadura que desde 1834 quedó integrado en Partido Judicial de Logrosánque en el censo de 1842 contaba con 310 hogares y 1698 vecinos.


title: Cañamero

text: En 1845 tenía 1698 habitantes y 260 casas, con calles malas y sucias, una casa-ayuntamiento sin uso y una escuela con 50 niños.


title: Cañamero

text: Durante la Segunda República el Ayuntamiento estuvo gobernado por Izquierda Republicana. El pueblo fue ocupado por las tropas rebeldes en julio de 1936 y permaneció durante un tiempo en la línea del frente. El Castillo (es decir, el promontorio donde estuvo ubicado el antiguo castillo) volvió a utilizarse como posición estratégica contra posiciones republicanas en los alrededores del pueblo.


title: Cañamero

text: En los años 1960 hay una intensa emigración de cañameranos hacia zonas industrializadas de Europa: Alemania, Francia..., así como las regiones españolas más industrializadas: Madrid y Cataluña.


title: Cañamero

text: En 1985 se construye la presa de Cancho del Fresno, con un volumen de embalse de 15 hm³. El río nuevamente vuelve a ser embalsado en el vecino municipio de Logrosán.


title: Cañamero

text: Cañamero tiene habitantes, población que se duplica en verano con el regreso de los numerosos emigrantes y su descendencia. Su densidad de población es de h/km².


title: Cañamero

text: En la siguiente tabla se muestran los votos en las elecciones municipales de Cañamero, con el número de concejales entre paréntesis, en las elecciones municipales desde 2003:


title: Cañamero

text: Es conocido por su producción de vino de pitarra. Produce también miel y aceite de oliva. Cañamero se integró como subzona en la denominación de origen Ribera del Guadiana. Los municipios en ella comprendidos son: Alía, Berzocana, Cañamero, Guadalupe y Valdecaballeros. La miel goza del reconocimiento de una denominación de origen conocida como D.O. Miel Villuercas-Ibores. La localidad dispone de notables servicios relacionados con el turismo (alojamientos y hostelería), tanto por el que visita la localidad, como por su cercanía a Guadalupe y su Monasterio. Comercialmente, en materia de educación secundaria y en salud pública depende de la vecina localidad de Logrosán, cabeza del partido judicial. Estas dos poblaciones, de una gran tradición de hermanamiento, están separadas por apenas 14 km y pertenecen a la misma mancomunidad por lo que comparten muchos proyectos. Cañamero también dispone de un pequeño polígono industrial.


title: Cañamero

text: El casco urbano de la villa está atravesado por la carretera autonómica EX-102, que lleva por el suroeste a Logrosán, Zorita y Miajadas y por el noreste a Guadalupe y la provincia de Toledo. La carretera está por lo general en buen estado, aunque la orografía del terreno hace que cuente con algunos tramos de curvas peligrosas y también algunos de fuertes pendientes. Al este del término, sale por el sur de la EX-102 la también carretera autonómica EX-116, que lleva a Navalvillar de Pela y también está en buen estado.


title: Cañamero

text: En cuanto a las carreteras secundarias, al norte de la villa sale la carretera provincial CC-21.3, que al final de su recorrido se bifurca en las carreteras de Berzocana y Navezuelas. La CC-21.3 carece de arcén y apenas tiene tramos rectos. Al sureste del municipio, sale de la EX-116 la EX-316, carretera autonómica que lleva a Valdecaballeros y Castilblanco. La EX-316, que es una carretera en buenas condiciones, no debe confundirse con el camino rural CC-21.2, que une la EX-102 con el cruce de la EX-116 con la EX-316.


title: Cañamero

text: En la villa hay un colegio público de infantil y primaria, el CEIP Fausto Maldonado. La educación secundaria se estudia en el IES Mario Roso de Luna de Logrosán.


title: Cañamero

text: Pertenece a la zona de salud de Logrosán dentro del área de salud de Cáceres y cuenta con un consultorio local en la carretera de Berzocana. No hay ningún establecimiento sanitario privado registrado a fecha de 2013, por lo que en algunos servicios sanitarios como ópticas o clínicas dentales depende de poblaciones cercanas de mayor tamaño. El municipio cuenta con una sola farmacia, que coordina sus turnos de guardia con las de Alía, Guadalupe y Logrosán.


title: Cañamero

text: En 1926 se planteó la construcción de un ferrocarril que uniera Talavera de la Reina (Toledo) con Villanueva de la Serena (Badajoz). En 1964 las obras fueron abandonadas definitivamente con lo cual el tren jamás existió. En agosto de 2007 se inauguró oficialmente la vía verde denominada de "las Vegas del Guadiana y las Villuercas". Son 56 kilómetros acondicionados entre Villanueva de la Serena y Logrosán ("ver artículo Camino Natural de las Vegas del Guadiana"). El siguiente tramo de poco más de 26 kilómetros transcurre entre Logrosán, tierras de Cañamero y Guadalupe donde aguarda un espectacular viaducto. La estación de Cañamero se encuentra situada junto a la carretera que une la localidad con Valdecaballeros. Existe el deseo de unir esta vía verde con el tramo toledano convertido actualmente en la vía verde "de la Jara" (52 kilómetros; Minas de Santa Quiteria (comarca de la Jara) - estación de Calera y Chozas, cerca de Talavera).


title: Cañamero

text: En 1995 se fundó el club de tiro con arco Los Rucones, que actualmente cuenta con alrededor de 30 socios, la mayoría provenientes del propio pueblo, pero que acoge también a arqueros y arqueras de pueblos cercanos, como Logrosán, Guadalupe o Deleitosa.


title: Cañamero

text: El club ha logrado ser campeón de Extremadura en los últimos años, también ha logrado varias medallas de plata.


title: Cañamero

text: Alejandro Rodríguez Arévalo, miembro del club, ha conseguido ser subcampeón de España en 2016, batir dos récord nacionales, permanecer entre los 10 primeros de España durante más de 5 años y optar a un clasificatorio de un mundial.


title: Jenson Brooksby

text: Jenson Brooksby (26 de octubre de 2000) es un tenista profesional estadounidense que alcanzó el ranking 33 de la ATP el 11 de junio de 2022.


title: Jenson Brooksby

text: El 12 de agosto de 2018, Brooksby derrotó a Brandon Nakashima para ganar el campeonato nacional sub-18 de la USTA Boys. Esta victoria le valió una invitación para el cuadro principal del Open USA de 2018. Perdió en primera ronda ante el eventual cuartofinalista, John Millman.


title: Jenson Brooksby

text: Brooksby en 2019, se clasificó para el cuadro principal del US Open 2019, donde derrotó al finalista de Wimbledon 2010 Tomáš Berdych en 4 sets en la primera ronda. Sin embargo, en la segunda ronda, Brooksby cayó en un reñido partido de cuatro sets ante el decimoséptimo cabeza de serie, el georgiano Nikoloz Basilashvili.


title: Jenson Brooksby

text: En 2020 no compitió debido a una lesión. En 2021, Brooksby ganó tres trofeos Challenger, en Potchefstroom-2, Orlando-1 y Tallahassee. Alcanzó el Nº 149 del mundo el 14 de junio de 2021.


title: Jenson Brooksby

text: También llegó a su primera final ATP Tour en el torneo de Newport 2021, derrotando a Evgeny Donskoy, Denis Kudla, Peter Gojowczyk y el séptimo cabeza Jordan Thompson. Se convirtió en el segundo jugador más joven en llegar a la final en los 45 años de historia del torneo en las canchas de césped de Newport. Perdió ante el octavo cabeza de serie Kevin Anderson en la final. Como resultado de esta buena racha, Brooksby subió hasta el puesto 126 de la ATP, el 19 de julio de 2021.


title: Jenson Brooksby

text: En el Citi Open de Washington 2021, Brooksby derrotó a Félix Auger-Aliassime, para avanzar a su primer cuarto de final de un ATP 500. Luego venció a John Millman para avanzar a su primera semifinal ATP 500, donde perdió ante el quinto cabeza de serie (y eventualmente campeón) Jannik Sinner. Brooksby entró en el top 100 por primera vez, convirtiéndose en el Nº 99 del mundo el 9 de agosto de 2021.


title: Jenson Brooksby

text: La semana siguiente en el National Bank Open 2021 de Toronto, Brooksby hizo su debut en el nivel ATP 1000 pero perdió en la primera ronda ante Nikoloz Basilashvili.


title: Jenson Brooksby

text: Brooksby recibió una invitación para el US Open 2021. Llegó a la cuarta ronda de un Major por primera vez, derrotando a Mikael Ymer, a su compatriota Taylor Fritz, y al preclasificado 21 Aslan Karatsev. Brooksby, de 20 años, se convirtió en el estadounidense más joven en llegar a la cuarta ronda del US Open desde que Andy Roddick, de 20 años, lo hizo en 2002. En cuartos cayó ante el 1 ATP, Novak Djokovic.


title: María Antonia Trujillo

text: María Antonia Trujillo Rincón (Peraleda del Zaucejo, Badajoz, 18 de diciembre de 1960) es una política y profesora universitaria española, ministra de Vivienda de España en el primer gobierno de José Luis Rodríguez Zapatero. Previamente había sido consejera de Presidencia y de Fomento de la Junta de Extremadura, durante la presidencia de Juan Carlos Rodríguez Ibarra.


title: María Antonia Trujillo

text: Licenciada en Derecho en el año 1985, obtuvo el título de doctora en Derecho en 1991 en la Universidad de Extremadura (UEX), siendo galardonada con el Premio Extraordinario de Doctorado.


title: María Antonia Trujillo

text: Desde 1993 es profesora titular de Derecho Constitucional en la UEX, trabajo que hasta su llegada al ministerio compatibilizaba con su actividad política. Trujillo es autora de monografías, artículos y otras publicaciones sobre Derecho Constitucional. Además, como experta en Derecho Autonómico, ha participado también en varias líneas de investigación relativas al desarrollo del Estado de las Autonomías, a la reforma del Estado en Latinoamérica o al tratamiento jurídico-constitucional de la mujer, tanto en nuestro ordenamiento jurídico, como en el ámbito comunitario y en Hispanoamérica. En la UEX ha sido delegada de Relaciones Internacionales y presidenta de la Junta de Personal Docente e Investigador.


title: María Antonia Trujillo

text: Cuenta con el Premio Nicolás Pérez Serrano del Centro de Estudios Políticos y Constitucionales por el libro "Los conflictos entre órganos constitucionales del Estado" (que fue su tesis doctoral) y el galardón Diego Muñoz Torrero de la Asamblea de Extremadura por "La potestad legislativa de las Comunidades Autónomas. Referencia a la Comunidad Autónoma de Extremadura".


title: María Antonia Trujillo

text: En 1996, ocupó el cargo de consejera del Consejo Económico y Social de Extremadura. En 1999, Juan Carlos Rodríguez Ibarra, presidente de la Junta de Extremadura, la nombró consejera de la Presidencia. Posteriormente, y hasta su nombramiento como ministra, era consejera de Fomento y dirigía un Plan Regional de Vivienda.


title: María Antonia Trujillo

text: La política de vivienda que llevó a cabo María Antonia Trujillo en Extremadura sirvió de referencia al PSOE para elaborar su programa electoral en 2004, y aportaba importantes innovaciones como la aportación suelo público de forma gratuita a los promotores para que estos construyan viviendas a precio asequible —unos 60.000 euros— y un relevante impulso de la vivienda protegida.


title: María Antonia Trujillo

text: Fue nombrada ministra de Vivienda en 2004. Como responsable de la cartera de Vivienda, fue la encargada de recuperar la política de vivienda como política de Estado, marcando una agenda internacional de vivienda. Entre sus acciones más destacadas están la promulgación del Código Técnico de la Edificación, la elaboración del Plan Estatal de Vivienda y Rehabilitación (2005-2008) (con el primer programa específico de vivienda joven) y la aprobación de la nueva Ley de Suelo. Su programa de vivienda joven se basó en incentivar y posibilitar el acceso de numerosos jóvenes al mercado inmobiliario a través del alquiler, fomentando el arrendamiento de viviendas a un precio inferior al de mercado durante los periodos de estudio o primer empleo de estos.


title: María Antonia Trujillo

text: María Antonia Trujillo creó la Sociedad Pública del Alquiler, que contó con un capital social inicial de veinte millones de euros y un presupuesto para el año 2006 de seis millones. La Sociedad Pública de Alquiler cumplió parte de los objetivos marcados en su creación, aunque se encontró con la oposición de gran parte del Consejo de Ministros, lo que le impidió completar la totalidad de los mismo.


title: María Antonia Trujillo

text: Como ministra en 2005, Trujillo llamó "irresponsables" a los medios que avisaban de una "burbuja inmobiliaria":


title: María Antonia Trujillo

text: En 2007 estalló una crisis inmobiliaria en España. El 6 de julio de ese año fue relevada como ministra de Vivienda, siendo nombrada en su sustitución Carme Chacón.


title: María Antonia Trujillo

text: El 9 de marzo de 2008 obtuvo un acta de diputada por la provincia de Cáceres. El 5 de mayo de 2008 fue elegida presidenta de la Comisión de Medio Ambiente, Agricultura y Pesca del Congreso de los Diputados.


title: María Antonia Trujillo

text: En 2011, Trujillo regresó a la docencia en la Universidad de Extremadura, una ocupación que compagina con distintas actividades en dos sectores, el inmobiliario y el energético. Asimismo participó en programas de debate y actualidad como "La vuelta al mundo" (2011-2012) en Veo Televisión y "El cascabel al gato" (2013-2017) y "La Marimorena" (2013-2017) en 13TV.


title: María Antonia Trujillo

text: En octubre de 2018, fue nombrada consejera de Educación en la embajada española en Marruecos. A partir de 2019, Trujillo dejó la actividad docente propiamente dicha. De 2015 a diciembre de 2020, mantuvo una relación sentimental con el marroquí Nordin Fatah.


title: María Antonia Trujillo

text: Fue destituida de este puesto en mayo de 2022. Ese mismo año, en septiembre, manifestó que Ceuta y Melilla "(...) Son vestigios del pasado que interfieren en la independencia económica y política de este país y en las buenas relaciones entre los dos países (...)". Estas afirmaciones fueron rechazadas públicamente tanto por el PSOE nacional como por sus federaciones en dichas ciudades autónomas españolas. Un mes más tarde se reiteraría diciendo que hay que "devolver" Ceuta y Melilla a Marruecos, añadiendo que "la libertad de expresión e información está más amparada en Marruecos que en España".


title: Tsunami del estrecho de la Sonda de 2018

text: El 22 de diciembre de 2018, un tsunami causado por una erupción del volcán "Anak Krakatau" en el estrecho de la Sonda golpeó la región costera de Bantén y Lampung, Indonesia. La Agencia Meteorológica, Climatológica y Geofísica de Indonesia (BMKG) atribuyó el tsunami a la marea alta y a un deslizamiento submarino causado por una erupción volcánica. Hasta el 10 de enero se registraban 439 fallecidos, 7200 heridos y 15 desaparecidos.


text: Ubicado en el cinturón de fuego del Pacífico, Indonesia experimenta un alto número de sismos, y es hogar de al menos 127 volcanes activos. Uno de estos volcanes es el Anak Krakatau (hijo de Krakatoa), un volcán activo en el estrecho de la Sonda, que emergió en 1927 después de la erupción del Krakatoa de 1883, una de las erupciones más violentas de la historia moderna, que mató a más de 30 000 personas por una serie de tsunamis, y la lluvia de ceniza.


text: Los meses previos al tsunami, el Anak Krakatau registró un aumento en su actividad, con una erupción el 21 de diciembre que duró dos minutos y produjo una nube de cenizas de 400 m (1300 pies) de alto.


text: A las 21:03 hora local (14:03 UTC), el Anak Krakatau hizo erupción dañando equipos sismológicos locales, sin embargo una estación sismográfica cercana detectó temblores continuos. La Agencia de Meteorología, Climatología y Geofísica de Indonesia (BMKG) detectó un evento de tsunami alrededor de las 21:27 hora local (14:27 UTC) en la costa occidental de la provincia de Bantén, pero la agencia no detectó ningún evento tectónico previo. El portavoz de la Agencia Nacional para Prevención de Desastres (BNPB) de Indonesia, emitió una declaración en la que atribuye el tsunami a las mareas anormalmente altas causadas por la Luna, combinadas con un deslizamiento submarino de tierra causado por la erupción del Anak Krakatau.


text: Previamente, el BMKG había emitido una alerta de oleaje alto para las aguas que rodeaban el estrecho. El mareómetro para el tsunami, registró cerca de 90 cm (35 pulgadas) en Serang, y 30 cm (12 pulgadas) en la provincia de Lampung sobre las mareas altas de 2 metros (6,6 pies). Mientras Indonesia posee un sistema de alerta de tsunami causados por terremotos, no existe ninguno para tsunamis volcánicos, y por tanto no hubo alertas tempranas.


text: La Junta Nacional de Indonesia para el Manejo de Desastres (BNPB, por sus siglas en inglés) reportó inicialmente 20 muertes y 165 lesiones. Al día siguiente, la cifra se había revisado a 43 muertes: treinta y tres en Pandeglang, siete en Lampung del Sur y tres en Regencias de Serang, con 584 heridos y dos desaparecidos; la mayoría de las lesiones registradas (491) también ocurrieron en Pandeglang. Las áreas de Pandeglang Regency golpeadas por la ola incluyen playas que son destinos turísticos populares, como Tanjung Lesung. La cifra de muertos se actualizó aún más a 62 con 20 personas desaparecidas más tarde ese día. También se informó de personas desaparecidas en islas pequeñas que forman parte de Pandeglang Regency. Para las 13:00 hora local del 23 de diciembre, el BNPB había confirmado 168 muertes y 745 heridos, de los cuales 30 habían sido reportados como desaparecidos, y la cifra se incrementó a 281 muertos y 1.016 heridos. El 24 de diciembre, el número de muertos reportado aumentó a 429, con 1.459 heridos y al menos 150 desaparecidos. Para el 29 de diciembre se tenían contabilizados ya 431 muertos, 7200 heridos y 15 desaparecidos.


text: Entre las víctimas se encontraban Aa Jimmy, un popular actor y comediante indonesio, y varios miembros de la banda Seventeen: el bajista M. Awal "Bani" Purbani, el guitarrista Herman Sikumbang, el mánager de carretera Oki Wijaya y el miembro del equipo logístico Ujang. Después de unas horas, el baterista Windu Andi Darmawan y la actriz y presentadora de televisión Dylan Sahara (esposa del cantante principal de Seventeen) fueron encontrados muertos. Un vídeo circuló en línea mostrando cómo el escenario de la banda era golpeado por el tsunami en medio de su show en Tanjung Lesung, lo que provocó el colapso y la huida de la audiencia. Los grupos turísticos de la empresa estatal PLN y el Ministerio de Deportes y Juventud también se vieron afectados por el tsunami, con algunos de sus miembros muertos, desaparecidos o heridos.


title: Taxímetro

text: Un taxímetro (del griego "τάξις", tasa, y -metro, medir. Que mide la tasa.), es un aparato de medida mecánico o electrónico usualmente instalado en los llamados taxis, similar a un odómetro. Y mide el importe a cobrar en relación con el tiempo que transcurre durante el trayecto.


title: Taxímetro

text: El primer taxímetro equipado con el invento fue el Daimler Victoria fabricado por Gottlieb Daimler en 1897.


title: Taxímetro

text: En la antigua Roma, existían taxímetros que funcionaban por medio de un mecanismo solidario con el eje de una carreta que iba liberando pequeñas bolas. Al final del trayecto, el pasajero pagaba en función de las bolas liberadas.


title: Taxímetro

text: En algunos lugares utilizan un pequeño cartel luminoso para indicar si están libres. En Argentina es llamado "banderita", nombre que acarrea desde los taxímetros mecánicos, en los que se giraba una banderita ocultándola para comenzar un viaje, y al finalizarlo se volvía a la posición visible. También pueden utilizar con el mismo fin un cartel luminoso en el techo.


title: Taxímetro

text: Las tarifas varían según la zona, pero se adaptan a un modelo general. Lo mismo sucede con el funcionamiento.


title: Taxímetro

text: El taxímetro tiene varias posiciones de funcionamiento, y en cada una tiene un comportamiento especial.


title: Taxímetro

text: La mayoría de los taxímetros nuevos, al pasar a esta posición apagan la banderita y el display. Pero siguen controlando la distancia recorrida y manteniendo la hora. Generalmente desde esta posición se pasa a la posición de controles.


title: Taxímetro

text: En esta posición se pueden ver en pantalla o imprimir distinta información para que el dueño o chofer controle a los choferes. Y en algunos casos para control del reparador y legal, se incluye un ticket con información sobre el ajuste del reloj.


title: Taxímetro

text: El modelo de tarifa cambia mucho según la zona. En algunas zonas se utilizan varias tarifas que cambian manualmente o automáticamente según la hora, día festivo, la zona, etc.


title: Taxímetro

text: Estos son los valores básicos de los que consta una tarifa. En algunas zonas la primera ficha puede tener un valor, distancia o tiempo distinto a las siguientes.


title: Taxímetro

text: Hay tres formas básicas según las cuales se computa por tiempo o por distancia. Pero en la mayoría de los casos el tiempo y la distancia están vinculados.


title: Taxímetro

text: Que el tiempo y la distancia estén vinculados significa que se suman sus fracciones para llegar a la ficha. Por ejemplo: si la tarifa indica que debe sumarse una ficha cada 200 metros o 60 segundos, bastará con realizar 100 metros (no en "espera") y 30 segundos de espera para sumar una ficha. La condición es la siguiente:


title: Taxímetro

text: Las tres formas de pasar a contar por tiempo o distancia son: manualmente (a través de un botón), automáticamente al deternerse completamente el vehículo por más de un determinado tiempo, o automáticamente a través de la velocidad de cruce (lá más utilizada).


title: Taxímetro

text: La velocidad de cruce es la velocidad que marca el límite entre contar por tiempo, o por distancia, según cobre más. Se calcula automáticamente a partir de los valores de distancia y tiempo, y puede deducirse con una regla de tres.


title: Taxímetro

text: Y k es una constante para convertir las unidades, por ejemplo si la "distancia" está expresada en "metros", el "tiempo" en "segundos", y queremos obtener la velocidad en "Kilómetros por cada hora", entonces:


title: Taxímetro

text: Aplicando los valores dados como ejemplo (los de la Ciudad Autónoma de Buenos Aires), tendríamos una velocidad de cruce de 12 kilómetros/hora.


title: Instintos ocultos

text: Instintos ocultos (título original, Voyagers) es una película de ciencia ficción estadounidense de 2021, escrita, coproducida y dirigida por Neil Burger. Está protagonizada por Tye Sheridan, Lily-Rose Depp, Fionn Whitehead, Colin Farrell, Chanté Adams, Isaac Hempstead-Wright, Viveik Kalra, Archie Renaux, Archie Madekwe y Quintessa Swindell, y sigue a un grupo de astronautas adolescentes enviados a una misión multigeneracional en el año 2063 para colonizar un exoplaneta habitable en medio del cambio climático desbocado y la disminución de la habitabilidad en la Tierra, que descienden a la paranoia y al conflicto social después de descubrir que sus personalidades y emociones estaban siendo reprimidas artificialmente. Ha sido descrito como «El señor de las moscas en el espacio». La película se estrenó en cines el 9 de abril de 2021 por Lionsgate y tuvo un desempeño en taquilla muy pobre, recaudando únicamente 4,2 millones de dólares frente a un presupuesto de producción de 29 millones de dólares.


title: Instintos ocultos

text: En 2063, los astrofísicos de una Tierra devastada por el cambio climático encuentran un planeta habitable. Se envía una misión de exploración, aunque el vuelo de 86 años significa que los nietos de los astronautas de la tripulación de lanzamiento serán los que lleguen al planeta. Para ayudar a la tripulación de lanzamiento a sobrellevar el conocimiento de que sus vidas restantes probablemente las pasarán principalmente en vuelo, los 30 miembros originales de la tripulaciónse crían mediante fecundación in vitro (FIV) y se mantienen aislados del resto del mundo. Para extender su tiempo de vuelo, son lanzados en la nave espacial Humanitas cuando son preadolescentes, con un solo adulto, el comandante sénior del programa, Richard (Colin Farrell), para guiarlos durante la primera parte del viaje. Para conservar los recursos, el plan es que la FIV se realice cuando la tripulación cumpla 24 años y se repita en esos descendientes cuando cumplan 24 años.


title: Instintos ocultos

text: Durante el décimo año del vuelo, Christopher (Tye Sheridan) y Zac (Fionn Whitehead) descubren que a los adolescentes adultos se les da una sustancia química azul en la comida para suprimir el deseo sexual y la respuesta de placer, manteniéndolos dóciles y manejables. La pareja deja de tomar el químico y sus hormonas en aumento los llevan a volverse competitivos, descuidados y ansiosos por tener relaciones sexuales, específicamente con su compañera de tripulación Sela (Lily-Rose Depp), quien ha sido entrenada para ser la directora médico.


title: Instintos ocultos

text: Durante un trabajo reparación fuera de Humanitas para abordar un sistema de comunicación terrestre fallido, Richard, que se ha desempeñado como oficial en jefe, muere, aparentemente por una entidad invisible, y un incendio daña más sistemas de la nave. Christopher es elegido como el nuevo director general, lo que molesta a Zac, quien luego les dice a los demás que dejen de ingerir el químico. La misión desciende a la locura, ya que muchos de los hombres y mujeres jóvenes vuelven a su estado más primitivo.


title: Instintos ocultos

text: Zac les dice a los demás que un extraterrestre mató a Richard, que los protegerá y les permitirá comer toda la comida (muy conservada) que quieran, y convence a todos menos a cinco de que lo sigan a él en lugar de a Christopher. Christopher y Sela, que se han convertido en pareja, encuentran y reparan un disco de video que revela que Zac mató a Richard, lo que precipitó más daños en los sistemas, al conectar la electricidad a la matriz de comunicaciones mientras Richard trabajaba en ella. Muestran las nuevas pruebas a los demás, pero Zac aún convence a muchos de que un extraterrestre habita en la nave, lo que lleva a muchos a seguir a Zac.


title: Instintos ocultos

text: Christopher, sin darse cuenta, lleva a Zac a un compartimento oculto en la nave, que resulta ser armas para que sus nietos las usen en el planeta. Christopher, Sela y Phoebe (Chanté Adams) son los únicos que se resisten. Phoebe muere y la manada busca a Christopher y Sela. La pareja engaña a Zac para que sea expulsado al espacio y la paz vuelve a Humanitas. Luego, Sela es elegida directora general. La tripulación decide renunciar permanentemente al químico azul y aprender a manejar sus emociones naturales, además de enamorarse y tener hijos de forma natural, en lugar de mediante FIV como se había planeado originalmente.


title: Instintos ocultos

text: Décadas más tarde, Humanitas y su tripulación multigeneracional llegan al planeta, que desde la órbita parece ser tan parecido a la Tierra como se esperaba.


title: Instintos ocultos

text: El proyecto se anunció en enero de 2019, con Neil Burger como escritor y director de la película. La película fue ampliamente descrita por los críticos y el personal como «El señor de las moscas en el espacio». En abril de 2019, Colin Farrell, Tye Sheridan, Lily-Rose Depp y Fionn Whitehead fueron elegidos como los personajes principales de la película, y que el rodaje comenzaría en Rumania en junio. En junio de 2019, Viveik Kalra, Quintessa Swindell, Archie Madekwe y Archie Renaux se unieron al elenco de la película como personajes secundarios, y la productora canadiense Lionsgate fue elegido como distribuidora de la película.


title: Instintos ocultos

text: Originalmente estaba programado para estrenarse el 25 de noviembre de 2020, pero su calendario se retrasó significativamente debido a las consecuencias de la pandemia de COVID-19, que afectó negativamente la producción de una cantidad sustancial de películas. Posteriormente se reprogramó para su estreno el 9 de abril de 2021.