title: Collecteur commun
text: # Collecteur commun
  
  En électronique, un collecteur commun ou émetteur-suiveur est un type d’amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. L’expression de collecteur commun vient du fait que l’électrode « collecteur » du transistor est reliée à l’alimentation. Dans ce montage, la base du transistor sert d’entrée ; le collecteur est relié à un « rail » d’alimentation ou à la masse ; l’émetteur est relié à la charge à piloter. L'expression d’émetteur suiveur vient du fait que la sortie reliée à l’émetteur suit quasiment le signal d’entrée appliqué à la base.
  
  Le montage à collecteur commun possède un gain en tension proche de l'unité. Cela signifie que les signaux alternatifs présents à son entrée se retrouveront de façon presque identique en sortie — si la charge reliée à la sortie n'est pas trop importante. Le gain en courant de ce montage dépend fortement du $h_{FE}$ du transistor. Un petit changement du courant d’entrée entraîne un changement plus important du courant fourni à la charge reliée à la sortie. Ainsi un montage possédant un faible courant maximum de sortie peut être utilisé pour piloter une charge de faible impédance par l'intermédiaire d'un amplificateur à collecteur commun. Ce montage est généralement utilisé comme étage de sortie dans les amplificateurs de classes B et AB. La polarisation du transistor est alors modifiée pour qu'il fonctionne en classe B ou AB. Dans le cas d'un fonctionnement en classe A, la résistance de sortie est parfois remplacée par une source de courant active afin d'améliorer la linéarité et/ou augmenter le rendement.
  
  ## Caractéristiques en petits signaux
  
  ### Remarque
  
      Les segments parallèles indiquent que les composants de part et d'autre sont disposés en parallèle.
  
  ### Gain en tension
  
      ${V_{\mathrm {out} } \over V_{\mathrm {in} }}={(1+\beta _{0})(R_{\mathrm {E} }\|R_{\mathrm {load} }) \over r_{\pi }+(1+\beta _{0})(R_{\mathrm {E} }\|R_{\mathrm {load} })}$
  
  ### Résistance d'entrée
  
      $r_{\mathrm {in} }=R_{1}\,\|\,R_{2}\,\left\|\,\left(r_{\pi }+(1+\beta _{0})(R_{\mathrm {E} }\|R_{\mathrm {load} })\right)\right.\,$
  
  ### Gain en courant
  
      $A_{\mathrm {vm} }=Av*{r_{\mathrm {in} } \over R_{\mathrm {load} }}$
  
  ### Résistance de sortie
  
      $r_{\mathrm {out} }=R_{\mathrm {E} }\left\|{\frac {(R_{1}\|R_{2})+r_{\pi }}{(1+\beta _{0})}}\right.$
      $(R_{\mathrm {E} }=R_{\mathrm {3} })$
  
  La résistance $R_{g}$ du générateur qui attaque l'étage en collecteur commun influe sur la résistance de sortie. Ce peut être la résistance de sortie de l'étage précédent. La résistance de sortie devient :
  
      $r_{\mathrm {out} }=R_{\mathrm {E} }\left\|{\frac {(R_{g}\|R_{1}\|R_{2})+r_{\pi }}{(1+\beta _{0})}}\right.$
  
  La formule est valable avec des impédances.
  
  Les variables non listées sur le schéma sont :
  
  * $g_m$ : la transconductance en siemens, calculée grâce à $g_{m}={I_{\mathrm {C} } \over V_{\mathrm {T} }}\,$, avec :
     * $I_{\mathrm {C} }\,$ : le courant de polarisation du collecteur,
     * $V_{\mathrm {T} }={kT \over q}\,$ est la tension thermique. Elle dépend de la constante de Boltzmann k, de la charge élémentaire q et de la température T du transistor en kelvins. À température ambiante elle est de 25 mV (cf. Google calculator).
  * $\beta _{0}={I_{\mathrm {C} } \over I_{\mathrm {B} }}\,$ est le gain en courant à basse fréquence (communément appelé $h_{FE}).$ C'est un paramètre spécifique à chaque transistor. Il est indiqué dans sa fiche technique.
  * $r_{\pi }={\beta _{0} \over g_{m}}={V_{\mathrm {T} } \over I_{\mathrm {B} }}\,$
  