Kollektor-Emitter-Spannung
# Kollektor-Emitter-Spannung

Die Kollektor-Emitter-Spannung oder $U_{CE}$ gibt an, wie hoch der Spannungsfall zwischen Kollektor und Emitter eines Bipolartransistors ist.

Solange der Transistor vollständig gesperrt ist, d. h., wenn keine Basis-Emitter-Spannung anliegt, also $U_{BE}$ = 0 V ist, fällt die volle Betriebsspannung des Transistors an der Kollektor-Emitter-Strecke ab.

Ist ein Transistor dagegen voll durchgesteuert (bei einem Silizium-Transistor üblicherweise bei $U_{BE}$ = 0,7 V), fällt noch immer ein kleiner Teil der Betriebsspannung an der Kollektor-Emitter-Strecke ab. Im voll durchgesteuerten Zustand spricht man dann von der Sättigungsspannung eines Transistors, was auch als $U_{CEsat}$ bezeichnet wird. Ein für einen Silizium-Transistor üblicher Wert ist $U_{CEsat}$ = 0,2 V, bei Darlington-Transistoren um 0,9 bis 2,5 V.

Die Kollektor-Emitter-Schicht verhält sich wie eine Hochvolt-Zenerdiode. Der Kennwert für $U_{CEmax}$ wird im Datenblatt eines Transistors vermerkt. Oberhalb $U_{CEmax}$ schlägt der Transistor durch. Wird der Strom nicht begrenzt, zerstört er den Transistor.

