Spintronik
# Spintronik

Die Spintronik (aus den Wörtern Spin und Elektronik), manchmal auch Spinelektronik oder Fluxtronik genannt, ist ein modernes Forschungsgebiet, das sowohl Teil der Grundlagenforschung (Festkörperphysik, Nanotechnologie) als auch besonders stark anwendungsbezogen (Nanoelektronik, Quantentechnologie) ist. Die Spintronik basiert auf dem magnetischen Moment des Elektrons zur Informationsdarstellung und -verarbeitung und nicht nur auf dessen elektrischer Ladung wie die herkömmliche Halbleiterelektronik.

Unter dem älteren Begriff Magnetoelektronik wird im Wesentlichen ebenfalls die Nutzung des Elektronenspins zur Informationsverarbeitung verstanden. Im Gegensatz dazu ist in dem allgemeineren Begriff Spintronik jedoch u. a. die Erkenntnis enthalten, dass man Spins nicht nur mit Magnetfeldern, sondern z. B. auch mit elektrischen Feldern manipulieren kann.

## Grundlagen

Die Spintronik beruht auf der Möglichkeit der sogenannten Spininjektion in Halbleitermaterialien, aber auch in organischen oder metallischen Materialien, und die Spininjektion kann z. B. vom Metall in den Halbleiter erfolgen. Mit der Spininjektion können in den genannten Materialien spinpolarisierte Ströme erzeugt werden. Diese weisen mit Betrag und Richtung des Spinerwartungswerts weitere Freiheitsgrade auf, die als zusätzliche Eigenschaften für die Informationsdarstellung genutzt werden können. Zusätzlich können spinpolarisierte Ströme magnetische Materialien beeinflussen, wodurch beispielsweise magnetische Domänen in einen anderen Zustand überführt werden können, wodurch Informationen kodiert werden können.

## Anwendungen

Eine Anwendung der Spintronik sind Festplatten mit „Spinvalve“-Dünnschicht-Leseköpfen, die den GMR-Effekt (Riesenmagnetowiderstand) oder TMR-Effekt nutzen. Der GMR-Effekt ermöglicht es, sehr kleine magnetische Domänen zu detektieren und so die Kapazität von Festplatten deutlich zu steigern. Für die Entdeckung des GMR-Effektes wurde Albert Fert und Peter Grünberg 2007 der Nobelpreis für Physik verliehen.

## Speichermedien: Ferromagnetismus versus Antiferromagnetismus

Während man bei den gegenwärtigen Anwendungen ausschließlich mit ferromagnetischen Speichermedien und Lese- bzw. Schreibköpfen arbeitet, um die genannten Effekte auszunutzen, sind seit einiger Zeit (~ 2013 bis 2014) auch antiferromagnetische Materialien Gegenstand aktueller Forschungen, da mit antiferromagnetischem Material die Bits 0 und 1 ebenso gut wiedergegeben werden können, wie mit ferromagnetischem Material. Statt der gewohnten Zuordnung,

* 0 ↦ „Magnetisierung nach oben“ bzw.
* 1 ↦ „Magnetisierung nach unten“,

benutzt man etwa:

* 0 ↦ „vertikal-alternierende Spinkonfiguration“ bzw.
* 1 ↦ „horizontal-alternierende Spinkonfiguration“.

Dies entspricht mathematisch dem Übergang von der Drehgruppe SO(3) zu der zugehörigen relativistischen Überlagerungsgruppe, der „Doppelgruppe“ SU(2).

Die Hauptvorteile des Einsatzes von antiferromagnetischem gegenüber ferromagnetischem Material sind

* die Unempfindlichkeit gegen Streufelder und
* die um Größenordnung kürzeren Umschaltzeiten.
