Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen
# Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen

Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen werden zur schnellen Identifikation von typischen elektrischen Bauelementen eingesetzt, die auf Halbleitern basieren.

## Pro-Electron-Norm / EECA

Die Pro-Electron-Norm, heute durch die EECA (European Electronic Component Manufacturers Association, dt. „Europäische Vereinigung der Hersteller elektronischer Bauelemente“) geführt, sieht dazu folgendes Schema vor:

* 1. Buchstabe: Halbleitermaterial (siehe Tabelle)
* 2. Buchstabe: Halbleitertyp (siehe Tabelle)
* 3. Buchstabe (optional): Anwendungsgebiet – nur angegeben wenn kommerzielle /militärische höhere Anforderungen an das Bauteil in der Entwicklung berücksichtigt wurden. Häufig verwendet werden die Buchstaben R, S, T, V, W, X, Y oder Z, aber auch andere können vorkommen. Diese Zeichen bezeichnen keine speziellen Eigenschaften.

Es folgt eine 2- bis 4-stellige Ziffernfolge, die das Bauteil individualisiert und auf ein bestimmtes Datenblatt festlegt. Ist ein Halbleiter mit 3 Buchstaben gekennzeichnet, dann ist die folgende Ziffernkombination in der Regel zwei- oder dreistellig, andernfalls ist die folgende laufende Nummer drei- oder, selten, vierstellig. Daran können ggf. noch weitere Buchstaben- oder Ziffernkombinationen angehängt sein, die beispielsweise verschiedene Spannungsfestigkeits- oder Verstärkungswerte angeben.

Bedeutung des 1. Buchstaben :

| 1. Zeichen | Bedeutung |
| - | - |
| A | Germanium |
| B | Silizium |
| C | Galliumarsenid |
| D | Keramik |
| R | Verbindungshalbleiter, z. B. Cadmiumsulfid |

Bedeutung des 2. Buchstabens :

| 2. Zeichen | Bedeutung | Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse $R_{thJG}$ (soweit nach Gehäusetyp notwendig) | Bemerkung (weitere wichtige Eigenschaft) |
| - | - | - | - |
| A | Diode | | |
| B | Kapazitätsdiode | | |
| C | Tonfrequenz-Transistor | > 15 K/W | |
| D | Leistungs-Tonfrequenz-Transistor | < 15 K/W | |
| E | Tunneldiode | | |
| F | HF-Transistor | > 15 K/W | |
| G | Hybride | | |
| H | Diode | | magnetfeldabhängig |
| K | HF-Transistor | > 15 K/W | |
| L | Leistungs-HF-Transistor | < 15 K/W | |
| M | Mischer | | |
| N | Optokoppler | | |
| P | Strahlungsempfänger | | Phototransistor, Photodiode |
| Q | Strahlungserzeuger | | LED, Laser-Diode |
| R | Thyristor oder Triac | | kleine Leistung |
| S | Schalttransistor | > 15 K/W | |
| T | Thyristor oder Triac | | |
| U | Leistungs-Schalttransistor | < 15 K/W | |
| V | Antenne | | |
| W | Oberflächenwellenbauteil | | |
| X | Diode | | |
| Y | Diode | | |
| Z | Z-Diode | | |

## Weitere Normen

* JEDEC-Norm JESD370B (USA), 1N... für Dioden; 2N... für Transistoren
* JIS-Norm (Japan), 2SA..., 2SB... für PNP- und 2SC..., 2SD... für NPN-Transistoren, 2SJ...,2SK... für MOS-Fets, 1S... für Dioden
* Industriestandards: Viele Halbleiterhersteller sind dazu übergegangen, eigene, firmenspezifische Kennungen zu verwenden, Motorola führte beispielsweise MJ bzw. MJE für Transistoren ein.
