And this is based on displacement of a small mass that is etched into the silicon surface of the IC, and suspended by small beams.
এবং এটি নির্ভর করে একটি ছোট ভরের অবস্থানগত পরিবর্তনের উপর, যেটি সিলিকন উপরিস্তরের উপর খোদাই করা আছে, এবং ছোট কড়িকাঠ দ্বারা ঝোলানো আছে |