तर आपल्या टेम्पेराचरतील फरकांचे मूल्य भिन्न आहे म्हणून पृष्ठभागावर T देखील बदलू शकते. जर या आयताकृती डायच्या सेमीकंडक्टरच्या मटेरियल उच्च लेयर्मल कंडकटीविटी नसेल तर आपल्याकडे व्हेलॉसिटी वेगळ्या बिंदूंवर भिन्न टेम्पेराचर असेल तर जर व्हेलॉसिटी वेगळ्या बिंदूंवर व्हेलॉसिटी वेगळे टेम्पेराचर असेल तर तेथे लेयर्मल स्ट्रेस निर्माण होईल जे या डायवर निर्माण होणार आहेत जे चिपच्या संपूर्ण संरचनात्मक अखंडतेसाठी हानिकारक आहे,
எனவே வெப்பநிலை வேறுபாட்டின் உங்கள் மதிப்பு வேறுபடுகிறது, எனவே இந்த செவ்வக டைஇன் இந்த குறைக்கடத்தி பொருளின் பொருள் அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன் இல்லாவிட்டால் மேற்பரப்பில் இருக்கும் T இம் மாறுபடும் நீங்கள் வெவ்வேறு புள்ளிகளில் வெவ்வேறு வெப்பநிலைகளைக் கொண்டிருக்கப் போகிறீர்கள், எனவே வெவ்வேறு புள்ளிகளில் வெவ்வேறு வெப்பநிலை இருந்தால், வெப்ப தகைவுகள் இருக்கும், அவை இந்த டைஇல் உருவாகப் போகின்றன சிப்பின் ஒட்டுமொத்த கட்டமைப்பு ஒருமைப்பாட்டிற்கு தீங்கு விளைவிக்கும்,