So, by changing the doping levels of the different regions, you can change the threshold voltage of the transistors.
எனவே, வெவ்வேறு பகுதிகளின் ஊக்க அளவை மாற்றுவதன் மூலம், டிரான்சிஸ்டர்களின் த்ரெஸ்ஹோல்டு மின்னழுத்தத்தை மாற்றலாம்.