इस ट्रांसिस्टम में  एमिटर और  बेस क्षेत्र को अलग-अलग सेमीकंडक्टर मटेरियल द्वारा डोप किया जाता है और बेस में भारी  डोपड बेस् क्षेत्र का उपयोग कर के, बेस  रजिस्टेंस को कम किया जा सकता है.
ఈ ట్రాన్సిస్టర్ లో, ఎమిటర్ మరియు బేస్ రీజియన్ వేర్వేరు సెమీకండక్టర్ మెటీరియల్స్ ద్వారా డోప్ చేయబడతాయి మరియు హెవీలీ డోప్డ్ బేస్ రీజియన్ ని ఉపయోగించడం ద్వారా, ఈ ట్రాన్సిస్టర్ ల యొక్క బేస్ రెసిస్టెన్స్ ను తగ్గించవచ్చు.