Now, we are going to take complete design of an amplifier S parameters of a gallium Arsenide MOSFET at 8 GHz are given as follows and these are for biasing condition of Vds equal to 3 volt and Ids equal to 30 mA and our objective is to design an amplifier for gain equal to 10 dB.
अब, हम लेंगे पूरा डिज़ाइन   एक एम्पलीफायर का, 8 GHz पर गैलियम आर्सेनाइड मॉसफेट के  एस पैरामीटर निम्नानुसार दिए गए हैं   , और   यह  है    बायसिंग कंडीशन Vds = 3 volt    और   Ids = 30 mA  और हमारा उद्देश्य 10 db  के बराबर  गेन के लिए एक एम्पलीफायर डिज़ाइन करना है।