So, here is the structure of gallium arsenide based MESFET and it provides better performance over other transistor due to the higher mobility of these materials.
इसलिए वे अपेक्षाकृत तेज होते हैं और वे अपेक्षाकृत उच्च आवृत्तियों पर काम करते हैं तो यहां है संरचना गैलियम आर्सेनाइड आधारित  मैसफेट  की और यह इन सामग्रियों की   उच्च गतिशीलता के कारण अन्य ट्रांसिस्टर   से बेहतर प्रदर्शन प्रदान करता है.