Gelecekte kullanacağımız teknolojik cihazlarda 2nm ve 3nm gibi gelişmiş üretim teknolojileri kullanılacak. Samsung tarafından 2nm sürecinde üretilen çipler ise 2025 yılında seri üretime girecek.
Samsung Foundry iş birimi başkanı Dr. Siyoung Choi, Samsung Foundry’nin 2025’in ikinci yarısında 2nm üretim sürecini kullanarak seri çip üretme yolunda olduğunu açıkladı. Yarı iletken üretim süreciyle ilgili yeni bilgilerin paylaşıldığı duyuru, Samsung Foundry Forum 2021‘de yapıldı.
Samsung Foundry, öncü üretim teknolojileri geliştirme konusunda emin adımlarla ilerlerken Intel ve TSMC ile rekabet etmeye devam edeceklerini belirtti. Hatta 2nm üretim süreciyle Intel ve TSMC’ye karşı üstünlük sağlayabilirler. Dr. Siyoung Choi, konu hakkında şunları söyledi:
“2nm’nin 2025’in ikinci yarısında seri üretime başlaması bekleniyor. Gerçekleştiğinde bu adım, GAA uygulamalı proses teknolojilerinin üçüncü neslini temsil edecek. Sonuç olarak, 3nm ile önceki deneyimler sayesinde endüstrinin 2nm’ye geçişinin sorunsuz olmasını bekliyoruz. Geleceğe hazırlık olarak Samsung Foundry, proses teknolojilerindeki yetkinliklerini güçlendirmeye devam edecek.”
Samsung, 2nm sınıfı üretim teknolojisinin özelliklerini açıklamıyor, ancak bu yeni üretim tekniği, önceki nesil süreçlere kıyasla bazı performans, güç ve transistör yoğunluğu iyileştirmelerini beraberinde getirecek.
Samsung Foundry, 3GAE (3 nm gate all-around early) ve 3GAP (3 nm gate all-around plus) üretim süreçleriyle çok yönlü alan etkili transistörlere (GAAFET’ler) geçişi duyuran ilk yonga üreticisi olmuştu. Yarı iletken devi, 2021 SFF’de bu teknolojinin 2022’nin ilk yarısında seri üretime hazır olacağını açıkladı. İlk 3GAA test çipleri üretim bandından çıktı ve teknoloji seri üretime hazırlanıyor diyebiliriz.
Öte taraftan Intel, yeni nesil Intel 7, Intel 4 ve Intel 3 nodunda FinFET’lere güvenecek ve şirket en erken 2024’ün ikinci yarısında GAA transistörlere (şirket terminolojisinde RibbonFET adında) geçecek. Bu arada Intel, 2025’in ikinci yarısı için 2. nesil GAA uygulama süreci olan 18A üretim teknolojisini hazırlıyor.
TSMC ise N4 (2022) ve N3 (2022/2) süreçlerinde FinFET transistör tasarımına bağlı kalacak ve sonrasında 2024 yılında beklenen N2 (2nm) fabrikasyon teknolojisi ile GAA transistörlerini tanıtması bekleniyor.
Yeni bir transistör yapısına geçiş yapmak, hem çip üreticileri hem de çip tasarımcıları için her zaman zorluklar çıkarmıştır. Yeni geometrilerde artan değişkenlik, yeni yerleştirme metodolojileri, zemin planı kuralları ve tanıtılan yeni elektronik tasarım otomasyonu (EDA) araçları tarafından ele alınan yönlendirme kurallarını benimsemek gerekiyor. Buna ek olarak, yonga üreticilerinin yeni ürünlerle verimleri nasıl en üst düzeye çıkaracaklarını öğrenmeleri gerekiyor. Çip tasarımcıları ayrıca yeni bir IP’ye ihtiyaç duyacak.
Samsung’un 2nm sınıfı MBCFET üretim sürecinin 2025 yılının ikinci yarısında (1 Temmuz) seri üretime girmesi bekleniyor. Ekim ayında ilk çip grubunun gönderileceğini düşünürsek, 20226 yılının ilk yarısında bu teknolojiden yararlanan ürünlerin piyasaya çıktığını görebiliriz.