HEMT, also known as heterostructure field effect transistors HFET or modulation-doped FET MODFET are a type of field effect transistor incorporating a conduction channel rather than a doped region as in MOSFET, being a junction between two materials having different band-gaps. This is known as a heterojuntion.
Los HEMT también se conocen como HFET Heterostructure Field Effect Trasistor o MODFET Modulation-doped FET, transistores de efecto de campo que tienen como canal de conducción, en vez de una región dopada, como en el caso de los MOSFET, una unión entre dos materiales con bandas prohibidas diferentes; esta unión se conoce como heterounión o heterojuntura.