The behaviour of energy bands for different situations is presented and the behaviour of current density in a channel for a high mobility transistor prototype is simulated and results are analysed and compared to those for other reports for similar devices.
También se simula el comportamiento de la densidad de corriente en el canal de un prototipo de transistor de alta movilidad, y finalmente se analizan los resultados obtenidos y se comparan con otros reportados para dispositivos similares.