Using gallium arsenide GaAs to replace silicon as semiconductor material in active devices has been of great interest because electron mobility in GaAs is six times higher than that for silicon 8,600 cm/Vs for GaAs and 1,350 cm/Vs for Si.
La utilización del arseniuro de galio GaAs en sustitución del silicio, como material semiconductor base en dispositivos activos, ha sido de gran interés debido a que la movilidad de los electrones en el GaAs es seis veces superior a la del silicio 8.600 cm/Vs del GaAs por 1.350 cm/Vs del Si.