AlGaAs/GaAs heterostructure can be used for faicating a GaAsbased field effect transistor called HEMT as seen above, using a heterojunction from a thin AlGaAs layer having highly-doped n-type impurity and a thin undoped or slightly doped GaAs layer.
La heteroestructura AlGaAs/GaAs puede ser usada para fabricar un transistor de efecto de campo basado en GaAs, llamado HEMT, como ya se vio, utilizando la heterounión de una capa fina de AlGaAs altamente dopada con impurezas tipo n, y una capa no dopada, o poco dopada, de GaAs.