Figure 1a shows that the layers forming the heterostructure begin with a semi-insulating substrate on which non-doped GaAs layer is deposited by epitaxial growth; it has a significantly lower band-gap than the AlGaAs-doped layers which follow.
En la figura 1 a las capas que forman la heteroestructura comienzan por un sustrato semi-aislante, sobre el que se deposita por crecimiento epitaxial una capa de GaAs no dopada con un ancho de banda prohibida significativamente inferior al que tienen las capas dopadas de AlGaAs que le continúan.