An article setting out the results of a HEMT with 3-5 technology and 50 nm channel length Thayne 2004, reported 0.9 A/mm current density for VDS = 1.2V and VG = 0V. These values were similar to those obtained in HEMT prototype simulation using DESSIS.
En un artículo donde se exponen los resultados del estudio de un HEMT con tecnología III-V y 50 nm de largo del canal Thayne, 2004, se reporta una densidad de 0,9 A/mm para un VDS = 1,2 V y VG = 0 V, valor similar al obtenido en la simulación en DESSIS del prototipo de HEMT.