HEMTs are FET transistors, the conduction channel being replaced by a junction where two semiconductor materials having different band gaps are joined.
Los HEMT son transistores tipo FET, en el que se reemplaza el canal de conducción por una juntura en la que se unen dos materiales semiconductores con diferentes brechas entre las bandas de conducción y de valencia, es decir, distintos anchos en las bandas prohibidas.