An example of applying the latter was recently presented by Fujitsu who developed a power amplifier based on the heterojunction of HEMTs made with GaN/AlGaN Fujitsu 2010.
Un ejemplo de aplicación de estos últimos fue presentado recientemente por Fujitsu, firma que desarrolló un amplificador de potencia basado en HEMT fabricados con la heterounión de GaN/AlGaN Fujitsu, 2010.