Figure 8 shows that the maximum value for current density occurred at the place where the two-dimensional electron gas was, i.e. in the interface between the doped AlGaAs layer and the low doped GaAs layer.
Según la ayuda de DESSIS el valor de la densidad de corriente se encuentra expresado en [A/cm], por lo que el valor máximo de la densidad de corriente en el canal del HEMT es de 1 A/mm.En la figura 8 puede observarse cómo el valor máximo para la densidad de corriente se alcanza justo en el lugar donde se crea el gas de electrones bidimensional, es decir, en la interfaz entre la capa de AlGaAs dopada y la capa de GaAs poco dopada.