The different band-gap is why the electrons generated in the n-type AlGaAs thin layer all migrate to the GaAs layer left empty by the previous layer due to the heterojunction formed by the two materials having a different band-gap, forming a quantum well in the GaAs conduction band Figure 1b. Here, electrons are able to move rapidly without hitting any impurities because this layer is non-doped and electrons are confined inside.
Esta diferencia en el ancho de las bandas prohibidas provoca que los electrones generados en la capa fina tipo N de AlGaAs caigan en la capa de GaAs, dejando completamente vacía la capa anterior debido a que la heterounión creada por dos materiales de diferente ancho de banda prohibida forma un pozo cuántico en la banda de conducción en el lado del GaAs, como se observa en la figura 1b, donde los electrones se pueden mover rápidamente sin colisionar con ninguna impureza ya que esta capa no está dopada, y de la que además no pueden escapar.