Due to the above conditions, charge carriers acquire very high mobility and high saturation speed, enabling them to react in the presence of very high frequency fields. The scattering effect produced on charge carriers by doping atoms becomes significantly reduced, meaning that the noise emitted by the device also becomes greatly reduced.
Debido a las condiciones anteriores los portadores de carga adquieren una muy alta movilidad y gran velocidad de saturación, habilitándolos para reaccionar a campos que varían a muy altas frecuencias, reduciéndose significativamente el efecto de dispersión que los átomos de dopaje producen sobre los portadores de carga y aminorando en gran medida el ruido que este dispositivo emite.