section_heading: Koncentracije nosioca
paragraph_text: Kad je poluvodič dopiran, koncentracija njegovih većinskih nosioca je veća od koncentracije intrinsičkih nosioca za faktor koji ovisi o razini dopiranja. Ipak, umnožak koncentracija većinskih i manjinskih nosioca i dalje ostaje jednaka kvadratu koncentracije intrinsičkih nosioca. Na primjer, razmotrimo intrinsički poluvodič na temperaturi na kojoj je ukupna koncentracija manjinskih i većinskih nosioca (šupljina i elektrona) jednaka 10<sup>13</sup>/cm<sup>3</sup>. Ako je poluvodič n-dopiran na 10<sup>16</sup>/cm<sup>3</sup>, tada će koncentracija šupljina biti 10<sup>10</sup>/cm<sup>3</sup>. To proizlazi iz toga da je koncentracija manjinskih nosioca u dopiranom poluvodiču ovisna o temperaturi na kvadrat mjere koncentracije nosioca u intrinsičkom poluvodiču, dok je koncentracija većinskih nosioca praktički fiksirana na razinu određenu dopiranjem.