TSMC보다 앞섰다…외신 삼성 세계 최초 3나노 양산 주목
세계 1위보다 먼저 양산한 데 집중 조명…바이든 방한과도 결부시켜 주요 외신들이 삼성전자의 세계 최초 3나노 nm 10억 분의 1m 반도체 양산에 주목했다. 특히 삼성전자가 세계 반도체 위탁생산 파운드리 1위인 TSMC보다 먼저 3나노 공정에 들어간 점을 집중 조명했다. 1일 업계에 따르면 외신들은 삼성의 3나노 반도체 양산이 삼성 파운드리의 전환점이 될 것이라고 분석했다. 로이터는 삼성이 파운드리 1위인 TSMC를 제치고 가장 보된 칩의 대량 생산을 시작했다 며 3나노 공정은 칩 집적도가 높아지며 전력효율성이 높아졌다 고 강조했다. 3나노 파운드리 양산에 참여한 파운드리사업부 반도체연구소 글로벌 제조 인프라총괄 주역들이 손가락으로 3을 가리키며 3나노 파운드리 양산을 축하하고 있다. 사진 삼성전자 블룸버그도 3나노 공정은 TSMC와 경쟁하고 있는 삼성에게 중요한 이정표가 될 것 이라고 말했다. 지난달 바이든 대통령의 방한과 결부시킨 보도도 있었다. 지난달 20일 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 삼성전자 평택캠퍼스를 찾았을 때 삼성이 내놓은 게 바로 3나노 반도체 웨이퍼다. 양국 정상은 3나노 공정 웨이퍼 시제품에 서명도 했다. 테크크런치는 삼성은 3나노 칩을 화성과 평택 공장에서 생산할 것 이라며 특히 평택은 조 바이든 미국 대통령이 반도체 동맹 강화를 위해 지난 5월 아시아 순방 때 찾은 곳 이라고 강조했다. 삼성전자가 세계 최초로 3나노 공정에 성공했지만 생산 경쟁력이 담보되지 않으면 TSMC를 견제하기 어렵다는 분석도 나왔다. 블룸버그는 삼성이 세계최초로 3나노 공정을 시작한 건 의미있는 일 이라면서도 공정 경쟁력을 입증하지 못하면 TSMC를 추격하기 힘들 것 이라고 내다봤다. 앞서 삼성전자는 지난달 30일부터 세계 최초로 게이트올라운드 GAA 기술을 적용한 3나노 반도체 양산에 돌입했다. 삼성전자 3나노 공정은 기존 5나노 공정과 비교해 전력 45% 절감 성능 23% 향상 면적 16% 축소됐다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부장 사장 은 삼성전자는 파운드리 업계 최초로 하이 케이 메탈 게이트 High K Metal Gate 핀펫 FinFET 극자외선 EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고 이번에 MBCFET GAA기술을 적용한 3나노 공정의 파운드리 서비스 또한 세계 최초로 제공하게 됐다 며 앞으로도 차별화된 기술을 적극 개발하고 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다 고 강조했다.
외 외신들은 삼성전자가 지난달 30일부터 세계 최초로 3나노 반도체 양산에 돌입했으며 세계 반도체 위탁생산 파운드리 1위인 TSMC보다 먼저 3나노 공정에 들어간 점을 집중 조명하며 삼성 파운드리의 전환점이 될 것이라 분석했다.