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縮退ドープした半導体におけるk保存則および少数キャリアの熱化を調査する反ストークスフォトルミネセンス
反ストークスフォトルミネセンスは、電子ガスに直接励起する場合に縮退nドープしたリン化ナノワイヤ中で観測できることが最近分かってきた。この反ストークスメカニズムは、以前に観測されたことがなく、標準的なフォトルミネセンス技術を用いたキャリアの緩和および再結合についての研究を可能する。この反ストークスフォトルミネセンスがバルク半導体中で発生すること、ならびにキャリアの再結合および緩和との関係について知ることは重要である。本報では、類似する反ストークスフォトルミネセンスが、縮退ドープバルクリン化インジウムおよびヒ化ガリウム中で実際に観測できること、およびフォノンによる高運動量までの少数キャリアの拡散によって発生することを示す。また、放射電子正孔は運動量の保存に優れていること、および光生成少数キャリアが低温でバンド端まで緩和する前に再結合することについても分かっている。これらの所見により、高度ドープデバイスの分析において少数キャリアの熱化を想定するモデルの使用に挑む。