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ガスからの高調波発生により、アト秒バーストが発生し、原子および分子中で電子動力学を調査する高調波分光法が可能となる。近年、固体からの高調波発生が報告されており、その結果、気相媒体にはない新規現象や独自の放出制御が見受けられている。本報では、制御可能な誘起光キャリア密度を有する半導体から発生する高調波、ならびに駆動波長について調査をする。著者らは、支配的発生メカニズムはキャリア密度を用いて高調波スペクトルの変化を監視することで識別できることを実証する。さらに、高周波スペクトルの駆動波長への依存度が報告されており、気相媒体中の既知のものからの別の依存度が観察されている。著者らの研究は、半導体からの高調波過程の明確な制御を可能にし、基本的メカニズムを明確にし、未来の固体アト秒光源の高調波特性を最適化する支援を行う。
半導体からの高調波発生における光キャリアドーピングおよび駆動波長の役割