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種々の起源の固有グラフェン欠陥におけるグラフェン被覆銅の酸化挙動
超薄バリア膜の開発は、高度半導体技術にとって枢要である。グラフェンは保護被膜として有望と思われるが、工学的に作られたグラフェンの多結晶性及び欠陥性が、その実際的応用の妨げとなる。ここで、我々は、種々の起源の固有グラフェン欠陥におけるグラフェン被覆Cu箔の酸化挙動を調査する。様々なグラフェン欠陥の空間的分布及び酸化抵抗に関するマクロスケールの情報は、ホットプレートアニーリング後の光学及び電子顕微鏡検査を使用して容易に得られる。制御酸化実験により、構造的欠陥の度合いは、構造的欠陥の起源、基礎となるCu粒子の結晶配向、グラフェンの成長条件、及びグラフェン成長の動力学に強く依存することが明らかになる。得られた実験結果及び理論的結果は、周囲空気中の水分子から分解された酸素ラジカルが、促進剤の介助により、Stone-Wales欠陥のところで有効に反転されてグラフェン/Cu界面になることを示している。