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K保存及び少数キャリアの熱化を究明する縮退ドープ半導体における反ストークス線の光ルミネッセンス
近年、電子ガスの中に直接励起するときに、縮退nドープリン化インジウムのナノワイヤ中で反ストークス線の光ルミネッセンスが観察可能であることが判明した。この反ストークス線メカニズムは、以前には観察されておらず、標準的な光ルミネッセンス技術を使用したキャリアの緩和及び再結合の研究を可能にする。この反ストークス線の光ルミネッセンスがバルク半導体でも発生するかどうかに加えて、キャリア再結合及び緩和とのその関係を知ることが重要である。ここで、我々は、同様の反ストークス線の光ルミネッセンスが、縮退ドープされたバルク・リン化インジウム及びガリウムヒ素でも実際に観察可能であり、少数キャリアが音子によって高い運動量まで散乱することによって生じることを示す。また、我々は、放射性正孔再結合は運動量保存性が非常に高いこと、及び低温度では光生成した少数キャリアが再結合した後にバンド端まで緩和することを突き止める。これらの観察は、高度にドープされたデバイスの分析において少数キャリアの熱化を想定する模型の使用に課題を投げかけるものである。