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拡散接合トランジスタ
拡散接合トランジスタ（かくさんせつごうトランジスタ、diffused junction transistor）とは、半導体基板（ウェハー）にドーパントを拡散させて形成するトランジスタのことである。
拡散プロセスは、バイポーラ接合トランジスタ（BJT）を作るための合金接合プロセスや成長接合プロセスよりも後に開発された。
なおベル研究所は、1954年に最初の試作品である拡散接合型バイポーラトランジスタを開発した。