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ゲート・プラズモン・ヘテロ構造における可視の自然放出の動的に制御されたパーセル増強
コロイド量子ドット（QD）の放出制御は、現代の高品質な照明及びディスプレイ技術の基礎である。光電子デバイスにおけるコロイドQDの動的な放出制御は、通常、光ポンプ強度又は注入電流密度を変えることによって達成される。ここで、我々は、不変の光ポンピング率でQD放出強度を時間変調するための明瞭に異なるメカニズムを提案し、実証する。我々のメカニズムは、QDの位置における局所光状態密度（LDOS）の電気的に制御された変調に基づき、その結果、QDの自然放出率、遠距離放出強度、及び量子収量の変調を得る。我々は、電界効果によって誘起される超薄窒化チタン（TiN）膜の光学誘電率変調を介してLDOSを操作し、この超薄窒化チタン（TiN）膜はゲートTiN/SiO<sub>2</sub>/Agプラズモン・ヘテロ構造に組み込まれる。実証されるコロイドQD放出の電気的制御は、ディスプレイ及びその他のオプトエレクトロニクスにおける光の強度を変調するための新たな手法を提供する。