論文のアブストラクトからタイトルを作ってください。
マルチフェロイックBiFeO<sub>3</sub>薄膜をスピントロニクスデバイスで活用するには、BiFeO<sub>3</sub>における内部磁気電気結合ならびに強磁性被覆層に対する反強磁性秩序の交換結合の両方を決定論的および強固に制御する必要がある。過去の報告では、強誘電性分域を複数有する多段階強誘電体スイッチングに基づく手法を用いた。磁壁は疲労の原因となり、局所電荷を本質的にもしくは欠陥を介して有し、デバイスの再現性および拡大縮小に問題を呈する場合があるので、単一段階スイッチングを有する単磁区磁気電気状態を用いた代替手法が望ましい。本報では、単磁区BiFeO<sub>3</sub>膜と固有の（すなわち磁壁に左右されない）Co被覆層との間の室温、決定論的、および強固な交換結合を実証する。BiFeO<sub>3</sub>反強磁性秩序とCo磁化との間での直接結合が観察され、このとき、数百サイクルにおいて再現可能な単段階スイッチング時の面内Coモーメント回転は約90°である。これは、BiFeO<sub>3</sub>を用いる実際の低電力費揮発性磁気電気デバイスに重要な影響を与える。
単磁区マルチフェロイックBiFeO<sub>3</sub>ヘテロ構造における決定論的かつ堅牢な室温交換結合