論文のアブストラクトからタイトルを作ってください。
超薄バリア膜の開発は、最先端の半導体業界にとって極めて重要である。グラフェンは保護被覆として期待できるが、人工グラフェンの多結晶および欠陥性はその実際的な適用を妨げる。本報では、発端が異なる内因性グラフェン欠陥時のグラフェン被覆銅箔の酸化挙動について調査する。各種グラフェン欠陥の空間分布と酸化抵抗に関するマクロスケールの情報は、熱板焼鈍後に光学および電子顕微鏡法を用いて容易に入手することができる。制御酸化実験により、構造的欠陥の度合いは構造欠陥の発端、内在するCu粒子の結晶方位、グラフェンの成長条件、およびグラフェン成長の動力学に大きく左右さえることが明らかとなっている。得られた実験結果および理論的結果は、大気中で水分子から分解された酸素ラジカルは、ストーン・ウェールズ欠陥においてグラフェン／Cu界面にファシリテータの助けを得て効果的に反転される。
発端が異なる内因性グラフェン欠陥におけるグラフェン被覆銅の酸化挙動