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3元スピネルカルコゲナイドにおける高マグネシウム移動性
マグネシウム電池は、現在のリチウムイオン技術が直面する安全性及びエネルギー密度限界を克服する実行可能な選択肢であると考えられる。競争的なマグネシウム電池の開発は、固体中での不十分なマグネシウム移動性という既知の考えに悩まされる。ここで我々は、第1原理計算、核磁気共鳴及びインピーダンス分光測定を使用することによって、最密充填フレームワーク、具体的にはマグネシウムスカンジウムセレナイドスピネルにおいて高マグネシウムイオン移動性（298Kで約 0.01～0.1 mScm<sup>-1</sup>）が、実際に達成され得ることを実証する。我々の理論予測はまた、他のカルコゲナイドスピネルにおいても高マグネシウムイオン移動性が可能であることを示し、他のマグネシウム固体イオン導電体の実現、及び最終的には全固体マグネシウム電池の開発への扉が開かれる。