論文のアブストラクトからタイトルを作ってください。
コロイド量子ドット（QD）の放出制御は、現代の高品質照明・ディスプレイ技術の基礎である。通常、光電子デバイスにおけるコロイドQDの動的放出制御は、光ポンプ強度、または注入電流密度を変化させることによって行われる。ここで我々は、一定の光ポンピング速度におけるQD発光強度の時間変調の明確に異なるメカニズムを提案・実証する。我々のメカニズムは、QDの位置における局所光状態密度（LDOS）の電気制御変調に基づいており、QD自然放出速度、遠距離場発光強度、および量子収率を変化させる。我々は、ゲート付きTiN/SiO<sub>2</sub>/Agプラズモン型ヘテロ構造に組み込まれた窒化チタン（TiN）超薄膜の電界効果誘起光学誘電率変調を介してLDOSを操作する。実証されたコロイドQD放出の電気制御は、ディスプレイや他の光エレクトロニクスの光強度変調の新しいアプローチとなる。
ゲート付きプラズモン型ヘテロ構造における可視光自発発光のパーセル増強の動的制御