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ゲート型プラズモンヘテロ構造における可視自然放出の動的に制御されたパーセル増強
コロイド状量子ドット（QD）の放出制御は、現在の高品質照明技術およびディスプレイ技術の基礎となっている。通常、光電子デバイスにおけるコロイド状QDの動的放出制御は、光ポンプの強度または注入電流密度を変化させることで実現される。本報では、一定の光ポンプ流量でQD放出強度を一時的に調整するための明らかに異なるメカニズムを提案し実証する。著者らのメカニズムは、QDの位置における電気的制御による局所状態密度（LDOS）の調整に基づいており、その結果QD自然放出率、遠距離放出強度、および量子収量が調整される。著者らは、超薄窒化チタン（TiN）膜に対し電界効果に誘導される光学誘電率調整を行うことでLDOSの操作を行う。なお、超薄TiNはゲート型TiN/SiO<sub>2</sub>/Agプラズモンヘテロ構造に組み込まれている。コロイド状QD放出の電気的制御の実証により、ディスプレイや他のオプトエレクトロニクスにおいて光度を調整するための新たな手法が提供される。