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ファンデルワールスヘテロ構造における近ユニティバレー分極を誘発する巨大磁気分裂
半導体遷移金属ジカルコゲナイドの単層は、電荷キャリアの強結合スピンとバレーの自由度に関する興味深い基礎物理を示す。情報処理にこれらの特性を活用する可能性から、バレートロニクスの概念に向けた共同研究活動が促進されたが、スピン－バレー分極の制御を維持することは、個々の単層では困難なことが判明した。有望な代替ルートとして、人工ファンデルワールスヘテロ構造のタイプIIバンド構造を調べる。その結果として生じる層間励起子の形成は、長いキャリア寿命とスピン－バレーロッキングの利点を併せ持つ。ここで我々は、単層系では不可能なバレー間遷移を可能にする2次元ヘテロ構造の人工設計を示す。最終的な巨大な層間励起子の有効g因子は-15であり、これは例え非選択的励起の後でも、高磁場におけるバレー選択的エネルギー分裂により、近ユニティバレー分極を誘発する。我々の結果は、結晶配向を用いてファンデルワールスヘテロ構造の新しいバレー特性を決定論的に設計できる可能性を強調する。