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ショックレーダイオード
ショックレーダイオード（Shockley diode : 物理学者ウィリアム・ショックレーにちなんで命名）は、4層半導体ダイオードである。これは最初に発明された半導体デバイスの一つである。
PNPNダイオードの一種であり、P型半導体とN型半導体を交互に重ね合わせた層を有している。
ゲートがないサイリスタと等価である。
1950年代後半にショックレー半導体研究所によって製造・販売された。
ショックレーダイオードは、負性抵抗の特性を有している。
ショックレーダイオードは、主にダイアックによって置き換えられた。