論文のアブストラクトからタイトルを作ってください。
スピン工学デバイス内でマルチフェロイックBiFeO<sub>3</sub>薄膜を活用するには、BiFeO<sub>3</sub>中の内部磁気電気結合と、その強磁性上層への反強磁性秩序の交換結合との両方を確定的かつロバストに制御することが必要となる。以前の報告は、複数の強誘電ドメインを用いた多ステップの強誘電スイッチングに基づく手法を利用していた。ドメイン壁は、疲労の原因になり得、元々又は欠陥により局所的な電荷を含んでいることがあり、またデバイスの再現性及びスケーリングに関して問題を呈することがあるため、単ステップのスイッチングと共にモノドメインの磁気電気状態を使用する代替の手法が望ましい。ここで、我々は、モノドメインBiFeO<sub>3</sub>膜と、固有である（すなわちドメイン壁に依存しない）Co上層との間の室温における確定的かつロバストな交換結合を実証する。BiFeO<sub>3</sub>反強磁性秩序とCo磁化との間の直接の結合が観察され、単ステップのスイッチング時に約90°の面内Coモーメント回転を伴い、これは数百サイクルにわたって再現可能である。これは、BiFeO<sub>3</sub>を利用した、実用的な低電力の不揮発性磁気電気デバイスに対して重要な結果を有する。
モノドメイン・マルチフェロイックBiFeO<sub>3</sub>ヘテロ構造における確定的かつロバストな室温交換結合