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ファン・デル・ワールス・ヘテロ構造における1付近の谷偏極を誘発する巨大磁気分裂
半導体性の遷移金属ジカルコゲニドの単層は、電荷キャリアについて、強力に結合したスピンと谷の自由度の興味深い基礎物理を示す。これらの性質を情報処理に活用する可能性は、バレートロニクスの概念に向かう協調的な研究活動を促したが、スピン－谷偏極に対する制御を維持することは、個々の単層においては難しいことが判明した。有望な代替策は、人工的なファン・デル・ワールス・ヘテロ構造におけるタイプII型のバンド配列を探るものである。それにより得られる層間エキシトンの形成は、長いキャリア寿命の利点とスピン－谷固定の利点とを併せ持つ。ここで、我々は、単層系では得ることのできない谷間遷移を可能にする、2次元ヘテロ構造の人工的な設計を実証する。それにより得られる層間エキシトンについて-15という巨大な有効g因子は、非選択的な励起の後であっても、高磁場における谷選択的なエネルギー分裂を介した1付近の谷偏極を誘発する。我々の結果は、結晶学的配列を使用してファン・デル・ワールス・ヘテロ構造内で新規な谷特性を確定的に作り出す可能性に光を当てるものである。