Przerzutnik bistabilny przechowuje bit informacji w pamięci
DDRSDRAM DRAM SRAM SDRAM
A B C D
Każdy bit przechowywany jest w pamięci SRAM w układzie zbudowanym z czterech tranzystorów, które tworzą przerzutnik, oraz z dwóch tranzystorów sterujących. "dynamic random-access memory") – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. Jednostka informacji

Jednostki informacji – najmniejszą jednostką informacji jest bit. Aparatura badawcza przechowuje dane w swojej pamięci. Pamięć ta była wolniejsza od pamięci z nieruchomymi głowicami i droższa, w przeliczeniu na bit przechowywanej informacji, od pamięci dyskowych o podobnej szybkości. "qubit" od "quantum bit", bit kwantowy) – najmniejsza i niepodzielna jednostka informacji kwantowej. Punktem pamięci półprzewodnikowej statycznej jest przerzutnik SR, zbudowany w oparciu o technologię bipolarną lub unipolarną. W strategii tej przechowuje się listę wolnych obszarów pamięci danej wielkości. Ten rodzaj pamięci różni się istotnie od pamięci deklaratywnej, która przechowuje informacje językowe i abstrakcyjne. Przerzutnik typu D

__BEZSPISU__
Przerzutnik typu D (od ang. NX bit

NX bit – znak towarowy rozszerzenia technologii stronicowania pamięci, zastosowany w niektórych procesorach rodziny K8 firmy AMD. Trailer bit) trwa z dwukrotną długością zwykłego bitu informacji. Na każdej pozycji rejestru przechowywany jest jeden bit informacji. bit startu i bit stopu), co łącznie daje liczbę 10 bitów na każdy bajt transmitowanej informacji. bit startu i bit stopu), co łącznie daje liczbę 10 bitów na każdy bajt transmitowanej informacji. bit startu i bit stopu), co łącznie daje liczbę 10 bitów na każdy bajt transmitowanej informacji. Przekaźnik bistabilny

Przekaźnik bistabilny – przekaźnik, który po zmianie stanu pod wpływem działania wielkości wejściowej pozostaje w zmienionym stanie po ustaniu tego działania. Synchroniczny przerzutnik typu RS

Synchroniczny przerzutnik typu RS jest modyfikacją najprostszego przerzutnika, jakim jest asynchroniczny przerzutnik RS. Przerzutnik typu RS

Przerzutnik typu RS – najprostszy rodzaj przerzutnika asynchronicznego. Przerzutnik Schmitta

Przerzutnik Schmitta (nazwa od nazwiska wynalazcy Otto Schmitta). W ich przypadku wewnętrzny przerzutnik Master zapamiętuje stan wejść informacyjnych JK w momencie wystąpienia narastającego zbocza sygnału zegarowego, a zbocze opadające sygnału zegarowego przepisuje bit informacji z przerzutnika Master do przerzutnika Slave (i na wyjścia). Przykłady informacji zgromadzonych w pamięci epizodycznej. Każda pozycja w tablicy stron przechowuje pewne dodatkowe informacje dotyczące strony pamięci, także te przydatne w realizacji pamięci wirtualnej: Pebibit

Pebibit jest wielokrotnością jednostki o nazwie bit używaną w pamięci komputerowej. RNC przechowuje w pamięci relacje zdefiniowane dla komórek obsługiwanych przez podpięte stacje bazowe. Każdy bit przechowywany jest w pamięci SRAM w układzie zbudowanym z czterech tranzystorów, które tworzą przerzutnik, oraz z dwóch tranzystorów sterujących. Produkuje głównie pamięci DRAM i flash. Taka struktura umożliwia znacznie szybsze odczytanie bitu niż w pamięci typu DRAM, oraz w przeciwieństwie do pamięci DRAM nie wymaga odświeżania. "dynamic random-access memory") – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. W komputerach wymagających dużej ilości pamięci jako pamięć operacyjną używa się pamięci DRAM. Słowo „statyczna” oznacza, że pamięć SRAM przechowuje dane tak długo, jak długo włączone jest zasilanie, w odróżnieniu od pamięci typu DRAM, która wymaga okresowego odświeżania. Jednostka informacji

Jednostki informacji – najmniejszą jednostką informacji jest bit. Aparatura badawcza przechowuje dane w swojej pamięci. Jest to następna po SIPP generacja modułów pamięci DRAM. Pamięć ta była wolniejsza od pamięci z nieruchomymi głowicami i droższa, w przeliczeniu na bit przechowywanej informacji, od pamięci dyskowych o podobnej szybkości. Kingston Technology Corporation jest największym niezależnym producentem modułów pamięci DRAM, posiada obecnie 64,7% udziału w rynku DRAM na świecie. wyświetlacze ciekłokrystaliczne, oparte na tranzystorach cienkowarstwowych oraz układy pamięci DRAM. Wyposażony w 2,25 MiB wbudowanej pamięci DRAM (eDRAM) w procesie 90 nm. "qubit" od "quantum bit", bit kwantowy) – najmniejsza i niepodzielna jednostka informacji kwantowej. Dram

Dram (orm. "synchronous dynamic random-access memory") – rodzaj pamięci DRAM pracującej synchronicznie z magistralą systemową, co odróżnia ją od klasycznej pamięci DRAM typu FPM i EDO, które pracują asynchronicznie. Magistrala pamięci HBM jest bardzo szeroka w porównaniu do innych pamięci DRAM, takich jak DDR4 lub GDDR5. Specjalizuje się w produkcji cyfrowych nośników przechowywania danych takich jak: karty pamięci, HDD, SSD, pamięci USB oraz DRAM. Punktem pamięci półprzewodnikowej statycznej jest przerzutnik SR, zbudowany w oparciu o technologię bipolarną lub unipolarną. Karta ta może być wyposażona maksymalnie w 4 GB pamięci DRAM( 4 x 1GB). W strategii tej przechowuje się listę wolnych obszarów pamięci danej wielkości. Cykl dostępu do pamięci DRAM na ogół obejmuje cały wiersz do 1024 bitów. A-DATA jest drugim co do wielkości producentem pamięci DRAM na świecie (2008). Qimonda

Qimonda AG – wiodący producent półprzewodników pamięci DRAM, siedzibą firmy jest Monachium (Niemcy). Ten rodzaj pamięci różni się istotnie od pamięci deklaratywnej, która przechowuje informacje językowe i abstrakcyjne. Każdy bit przechowywany jest w pamięci SRAM w układzie zbudowanym z czterech tranzystorów, które tworzą przerzutnik, oraz z dwóch tranzystorów sterujących. SRAM (pamięci komputerowe)

SRAM (ang. "dynamic random-access memory") – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. Słowo „statyczna” oznacza, że pamięć SRAM przechowuje dane tak długo, jak długo włączone jest zasilanie, w odróżnieniu od pamięci typu DRAM, która wymaga okresowego odświeżania. Jednostka informacji

Jednostki informacji – najmniejszą jednostką informacji jest bit. Aparatura badawcza przechowuje dane w swojej pamięci. "static random-access memory", w skrócie SRAM) oraz pamięci dynamiczne (ang. Pamięć ta była wolniejsza od pamięci z nieruchomymi głowicami i droższa, w przeliczeniu na bit przechowywanej informacji, od pamięci dyskowych o podobnej szybkości. "qubit" od "quantum bit", bit kwantowy) – najmniejsza i niepodzielna jednostka informacji kwantowej. SRAM Punktem pamięci półprzewodnikowej statycznej jest przerzutnik SR, zbudowany w oparciu o technologię bipolarną lub unipolarną. W strategii tej przechowuje się listę wolnych obszarów pamięci danej wielkości. Ten rodzaj pamięci różni się istotnie od pamięci deklaratywnej, która przechowuje informacje językowe i abstrakcyjne. Przerzutnik typu D

__BEZSPISU__
Przerzutnik typu D (od ang. NX bit

NX bit – znak towarowy rozszerzenia technologii stronicowania pamięci, zastosowany w niektórych procesorach rodziny K8 firmy AMD. Trailer bit) trwa z dwukrotną długością zwykłego bitu informacji. Na każdej pozycji rejestru przechowywany jest jeden bit informacji. bit startu i bit stopu), co łącznie daje liczbę 10 bitów na każdy bajt transmitowanej informacji. bit startu i bit stopu), co łącznie daje liczbę 10 bitów na każdy bajt transmitowanej informacji. bit startu i bit stopu), co łącznie daje liczbę 10 bitów na każdy bajt transmitowanej informacji. Przekaźnik bistabilny

Przekaźnik bistabilny – przekaźnik, który po zmianie stanu pod wpływem działania wielkości wejściowej pozostaje w zmienionym stanie po ustaniu tego działania. Synchroniczny przerzutnik typu RS

Synchroniczny przerzutnik typu RS jest modyfikacją najprostszego przerzutnika, jakim jest asynchroniczny przerzutnik RS. Przerzutnik typu RS

Przerzutnik typu RS – najprostszy rodzaj przerzutnika asynchronicznego. Przerzutnik Schmitta

Przerzutnik Schmitta (nazwa od nazwiska wynalazcy Otto Schmitta). W ich przypadku wewnętrzny przerzutnik Master zapamiętuje stan wejść informacyjnych JK w momencie wystąpienia narastającego zbocza sygnału zegarowego, a zbocze opadające sygnału zegarowego przepisuje bit informacji z przerzutnika Master do przerzutnika Slave (i na wyjścia). Każdy bit przechowywany jest w pamięci SRAM w układzie zbudowanym z czterech tranzystorów, które tworzą przerzutnik, oraz z dwóch tranzystorów sterujących. Obecnie do rodziny pamięci SDRAM zaliczamy:

W 1993 roku Samsung wprowadził na rynek pierwszy moduł pamięci synchronicznej SDRAM KM48SL2000. Produkcję pamięci DDR SDRAM rozpoczęto w 1999 roku. Początkowo pod nazwą SDRAM kryły się układy obecnie nazywane SDR SDRAM (przedrostek SDR pojawił się po wprowadzeniu pamięci DDR SDRAM). "dynamic random-access memory") – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. Jest ona modyfikacją dotychczas stosowanej pamięci SDRAM (ang. Stosowane są dwa rodzaje oznaczeń pamięci DDR SDRAM. Jednostka informacji

Jednostki informacji – najmniejszą jednostką informacji jest bit. Standardowo kartę wyposażano w 32 MB pamięci SDRAM w modelach średniej klasy lub DDR SDRAM w modelach wysokiej klasy. Aparatura badawcza przechowuje dane w swojej pamięci. Przed pojawieniem się pamięci typu DDR SDRAM, pamięć SDR SDRAM nazywano SDRAM (pomijając przedrostek SDR), ponieważ był to jedyny reprezentant tej technologii na rynku. Pamięć ta była wolniejsza od pamięci z nieruchomymi głowicami i droższa, w przeliczeniu na bit przechowywanej informacji, od pamięci dyskowych o podobnej szybkości. Pamięci SDRAM DDR2 występują w modułach o pojemności od 256MB do 4GB. Kryształ procesora umieszczono w jednej obudowie z dwoma kryształami pamięci operacyjnej SDRAM. SIMM EDO są taktowane tylko nieco słabszym zegarem od pamięci SDRAM. Kości pamięci RDRAM wydzielają także znacząco więcej ciepła niż kostki SDRAM. SDRAM

SDRAM (od ang. "qubit" od "quantum bit", bit kwantowy) – najmniejsza i niepodzielna jednostka informacji kwantowej. SDR SDRAM

SDR SDRAM (ang. DDR SDRAM

DDR SDRAM (ang. Różne modele procesorów K8 wymagają jednego lub dwóch kanałów pamięci DDR SDRAM. czas dostępu do danych znajdujących się w pamięci RAM, który dla najstarszych pamięci DDR-SDRAM wynosi ok. 4 ns. Produkcja została zaprzestana z powodu pojawienia się w 2000 roku wydajniejszych pamięci DDR SDRAM. Punktem pamięci półprzewodnikowej statycznej jest przerzutnik SR, zbudowany w oparciu o technologię bipolarną lub unipolarną. Wyróżnia się sześć następujących rodzajów modułów pamięci DDR4:

Pamięci DDR4 SDRAM występują w modułach o pojemności od 2GB do 32GB.