የኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት ለሁሉም ሴሚኮንዳክተር ቁሶች ከቀዳዳው ተንቀሳቃሽነት ከፍ ያለ ስለሆነ፣ የተሰጠው ባይፖላር n–p–n ትራንዚስተር ከተመሳሳዩ p–n–p ትራንዚስተር የበለጠ ፈጣን ይሆናል። GaAs የሶስቱ ሴሚኮንዳክተሮች ከፍተኛው የኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት አለው። ለዚህም ነው GaAs በከፍተኛ ድግግሞሽ አፕሊኬሽኖች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው. በአንፃራዊነት የቅርብ ጊዜ የኤፍኢቲ ልማት፣ የከፍተኛ ኤሌክትሮን-ተንቀሳቃሽነት ትራንዚስተር (HEMT)፣ የአሉሚኒየም ጋሊየም አርሴናይድ (አልጋኤኤስ) - ጋሊየም አርሴናይድ (GaAs) የጋኤኤኤስ ኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት በእጥፍ ያለው heterostructure (በተለያዩ ሴሚኮንዳክተር ቁሶች መካከል ያለው መጋጠሚያ) አለው። የብረት ማገጃ መገናኛ. በከፍተኛ ፍጥነት እና ዝቅተኛ ጫጫታ ምክንያት HEMTs በ12 ጊኸ አካባቢ ድግግሞሽ በሚሰሩ የሳተላይት መቀበያዎች ውስጥ ያገለግላሉ። በጋሊየም ኒትሪድ እና በአሉሚኒየም ጋሊየም ኒትሪድ (አልጋኤን/ጋን HEMTs) ላይ የተመሰረቱ HEMTs አሁንም ከፍ ያለ የኤሌክትሮን ተንቀሳቃሽነት ይሰጣሉ እና ለተለያዩ አፕሊኬሽኖች እየተዘጋጁ ናቸው።
HEMTs በብዛት ጥቅም ላይ የሚውለው የት ነው?