Leo Esaki
Reona Esaki (, dzimis ), pazīstams arī kā Leo Esaki, ir Japānas fiziķis. 1973. gadā kopā ar Īvaru Jēveru un Braianu Džozefsonu ieguvis Nobela prēmiju fizikā par eksperimentāliem atklājumiem attiecībā uz tuneļefektu.

Agrīnais dzīves posms 
Esaki dzimis 1925. gada 12. martā Japānas Impērijas Osakas prefektūrā, Nakakavači apgabalā, Takaidas ciemā (tagad daļa no Higašiosakas pilsētas). Viņš uzauga Kioto, netālu no Kioto Imperiālās universitātes un Došišas universitātes. Mācījās Došišas Junioru augstskolā. Pēc tam studēja fiziku Tokijas Imperiālajā universitātē, kur 1944. gada oktobrī apmeklēja Hideki Jukavas kodolfizikas teorijas kursu. Studiju laikā viņš pārdzīvoja Tokijas bombardēšanu.

Esaki 1947. gadā kļuva par bakalauru (B.Sc.) un 1959. gadā ieguva doktora (Ph.D.) grādu Tokijas Universitātē.

Karjera 
No 1947. līdz 1960. gadam Esaki strādāja uzņēmumā Kawanishi Corporation (tagad Denso Ten) un Tokyo Tsushin Kogyo (tagad Sony). Tajā laikā amerikāņu fiziķi Džons Bardīns, Volters Brateins un Viljams Šoklijs izgudroja tranzistoru. Tas mudināja Esaki mainīt pētījumu jomu no elektronu lampām uz leģētu germānija un silīcija pētījumiem Sony. Gadu vēlāk viņš atklāja, ka, samazinot germānija PN savienojuma platumu, strāvas-sprieguma raksturlīknē dominē tuneļefekta ietekme un, palielinoties spriegumam, strāva samazinās apgriezti, kas norāda uz negatīvu pretestību. Šis atklājums bija pirmais cietvielu tuneļefekta demonstrējums fizikā, kā rezultātā tika izveidota jauna elektroniskā ierīce izmantošanai elektronikā, ko sauc par Esaki diodi (vai tuneļdiodi). Sakarā ar šo atklājumu Esaki 1959. gadā ieguva doktora grādu Tokijas Universitātē.

1973. gadā Esaki saņēma Nobela prēmiju fizikā par pētījumiem, kas veikti ap 1958. gadu saistībā ar elektronu tunelēšanu cietās vielās. Viņš kļuva par pirmo Nobela prēmijas laureātu, kuram balvu pasniedza karalis Kārlis XVI Gustavs.

Esaki 1960. gadā pārcēlās uz ASV un pievienojās IBM Tomasa Vatsona pētījumu centram, kur viņš kļuva par IBM stipendiātu 1967. gadā. Viņš paredzēja, ka tiks veidoti pusvadītāju superrežģi, lai radītu diferenciālu negatīvās pretestības efektu, izmantojot mākslīgi radītas viendimensionālas periodiskās struktūras izmaiņas pusvadītāju kristālos. Esaki unikālo "molekulāro staru epitaksijas" plānslāņa kristālu augšanas metodi var diezgan precīzi izmantot īpaši augstā vakuumā. Viņa pirmais raksts par pusvadītāju superrežģi publicēts 1970. gadā.

1972. gadā Esaki realizēja savu superrežģu koncepciju III-V grupas pusvadītājos, vēlāk šī koncepcija ietekmēja daudzas jomas, piemēram, metālus un magnētiskos materiālus. 1991. gadā Esaki piešķīra IEEE Goda medaļu "par ieguldījumu un vadību tuneļu veidošanā, pusvadītāju superrežģos un kvantu urbumos" un Japānas balva "par cilvēka radītu superrežģa kristālu koncepcijas izveidi un realizāciju jaunu materiālu ģenerēšanai ar noderīgu pielietojumu" 1998. gadā.

1977. gadā Esaki ievēlēja par Nacionālās inženierzinātņu akadēmijas locekli par ieguldījumu pusvadītāju ierīču projektēšanā.

Pēc atgriesanās Japānā 
Esaki 1992. gadā pārcēlās atpakaļ uz Japānu. Pēc tam viņš bija Cukubas Universitātes un Šibaura Tehnoloģiju institūta prezidents. Kopš 2006. gada viņš ir Jokohamas Farmācijas koledžas prezidents. Esaki ir arī saņēmis Ņujorkas Starptautiskā centra izcilības balvu, Kultūras ordeni (1974) un Uzlecošās saules ordeņa Lielo kordonu (1998).

Godinot trīs Nobela prēmijas laureātu ieguldījumu, 2015. gadā Cukubas pilsētas centrālajā parkā uzstādīja Sinitiro Tomonagas, Leo Esaki un Makoto Kobajaši bronzas statujas.

Pēc Joičiro Nambu nāves 2015. gadā Esaki ir vecākais Japānas Nobela prēmijas laureāts.

Viņa meita Ana Esaki ir precējusies ar Kreigu S. Smitu, bijušo The New York Times Šanhajas biroja vadītāju un The Wall Street Journal Ķīnas biroja vadītāju.

Atsauces

Ārējās saites 

 Leo Esaki biogrāfija Nobela prēmijas mājaslapā 

Nobela prēmijas laureāti fizikā
Japāņu fiziķi
Japānā dzimušie
Reona Esaki ( , dzimis ) , pazīstams arī kā Leo Esaki , ir Japānas fiziķis . gadā kopā ar Īvaru Jēveru un Braianu Džozefsonu ieguvis Nobela prēmiju fizikā par eksperimentāliem atklājumiem attiecībā uz tuneļefektu . Agrīnais dzīves posms Esaki dzimis gada martā Japānas Impērijas Osakas prefektūrā , Nakakavači apgabalā , Takaidas ciemā ( tagad daļa no Higašiosakas pilsētas ) . Viņš uzauga Kioto , netālu no Kioto Imperiālās universitātes un Došišas universitātes . Mācījās Došišas Junioru augstskolā . Pēc tam studēja fiziku Tokijas Imperiālajā universitātē , kur gada oktobrī apmeklēja Hideki Jukavas kodolfizikas teorijas kursu . Studiju laikā viņš pārdzīvoja Tokijas bombardēšanu . Esaki gadā kļuva par bakalauru ( B.Sc . ) un gadā ieguva doktora ( Ph. D. ) grādu Tokijas Universitātē . Karjera No līdz gadam Esaki strādāja uzņēmumā Kawanishi Corporation ( tagad Denso Ten ) un Tokyo Tsushin Kogyo ( tagad Sony ) . Tajā laikā amerikāņu fiziķi Džons Bardīns , Volters Brateins un Viljams Šoklijs izgudroja tranzistoru . Tas mudināja Esaki mainīt pētījumu jomu no elektronu lampām uz leģētu germānija un silīcija pētījumiem Sony . Gadu vēlāk viņš atklāja , ka , samazinot germānija PN savienojuma platumu , strāvas -sprieguma raksturlīknē dominē tuneļefekta ietekme un , palielinoties spriegumam , strāva samazinās apgriezti , kas norāda uz negatīvu pretestību . Šis atklājums bija pirmais cietvielu tuneļefekta demonstrējums fizikā , kā rezultātā tika izveidota jauna elektroniskā ierīce izmantošanai elektronikā , ko sauc par Esaki diodi ( vai tuneļdiodi ) . Sakarā ar šo atklājumu Esaki gadā ieguva doktora grādu Tokijas Universitātē . 1973. gadā Esaki saņēma Nobela prēmiju fizikā par pētījumiem , kas veikti ap gadu saistībā ar elektronu tunelēšanu cietās vielās . Viņš kļuva par pirmo Nobela prēmijas laureātu , kuram balvu pasniedza karalis Kārlis XVI Gustavs . Esaki gadā pārcēlās uz ASV un pievienojās IBM Tomasa Vatsona pētījumu centram , kur viņš kļuva par IBM stipendiātu gadā . Viņš paredzēja , ka tiks veidoti pusvadītāju superrežģi , lai radītu diferenciālu negatīvās pretestības efektu , izmantojot mākslīgi radītas viendimensionālas periodiskās struktūras izmaiņas pusvadītāju kristālos . Esaki unikālo " molekulāro staru epitaksijas " plānslāņa kristālu augšanas metodi var diezgan precīzi izmantot īpaši augstā vakuumā . Viņa pirmais raksts par pusvadītāju superrežģi publicēts gadā . 1972. gadā Esaki realizēja savu superrežģu koncepciju III - V grupas pusvadītājos , vēlāk šī koncepcija ietekmēja daudzas jomas , piemēram , metālus un magnētiskos materiālus . gadā Esaki piešķīra IEEE Goda medaļu " par ieguldījumu un vadību tuneļu veidošanā , pusvadītāju superrežģos un kvantu urbumos " un Japānas balva " par cilvēka radītu superrežģa kristālu koncepcijas izveidi un realizāciju jaunu materiālu ģenerēšanai ar noderīgu pielietojumu " gadā . 1977. gadā Esaki ievēlēja par Nacionālās inženierzinātņu akadēmijas locekli par ieguldījumu pusvadītāju ierīču projektēšanā . Pēc atgriesanās Japānā Esaki gadā pārcēlās atpakaļ uz Japānu . Pēc tam viņš bija Cukubas Universitātes un Šibaura Tehnoloģiju institūta prezidents . Kopš gada viņš ir Jokohamas Farmācijas koledžas prezidents . Esaki ir arī saņēmis Ņujorkas Starptautiskā centra izcilības balvu , Kultūras ordeniun Uzlecošās saules ordeņa Lielo kordonu Godinot trīs Nobela prēmijas laureātu ieguldījumu , gadā Cukubas pilsētas centrālajā parkā uzstādīja Sinitiro Tomonagas , Leo Esaki un Makoto Kobajaši bronzas statujas . Pēc Joičiro Nambu nāves gadā Esaki ir vecākais Japānas Nobela prēmijas laureāts . Viņa meita Ana Esaki ir precējusies ar Kreigu S. Smitu , bijušo The New York Times Šanhajas biroja vadītāju un The Wall Street Journal Ķīnas biroja vadītāju . Atsauces Ārējās saites Leo Esaki biogrāfija Nobela prēmijas mājaslapā Nobela prēmijas laureāti fizikā Japāņu fiziķi Japānā dzimušie