陽極酸化型プローブメモリ 
ナノ電極リソグラフィとも呼ばれ、チタン金属薄膜の表面をカンチレバーに電流を流すことにより陽極酸化させてナノサイズの酸化チタンドットを形成しそのふくらみを原子間力顕微鏡(AFM)で読み出す陽極酸化型プローブメモリ

電荷蓄積型プローブメモリ 
窒化シリコン膜/酸化シリコン膜(NO 膜)界面に電荷を蓄積する

サーモメカニカルプローブメモリ 
(:en:Millipede memory)という非公式の愛称が付けられており、半導体チップ上の高分子製記憶媒体の熱による変形を原子間力顕微鏡で使用されているようなカンチレバーで物理的にナノスケールの点字のような穴を形成することにより、読み書きするもので、記録密度は理論的には 1Tビット/平方インチとされる。