Phonon drag
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲಿಸುವ ಸ್ಫಟಿಕ ಜಾಲರಿಯೊಂದಿಗಿನ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳಿಂದಾಗಿ ವಾಹಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಅಥವಾ ವೇಲೆನ್ಸ್ ಹೋಲ್ಗಳ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿಯಲ್ಲಿ ಫೋನಾನ್ ಡ್ರ್ಯಾಗ್ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಜಾಲರಿಯಲ್ಲಿ ಪರಮಾಣುಗಳನ್ನು ದಾಟಿ ಚಲಿಸುವಾಗ ಅದರ ಚಾರ್ಜ್ ಹತ್ತಿರದ ಜಾಲರಿಯನ್ನು ವಿರೂಪಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಧ್ರುವೀಕರಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಪರಿಣಾಮವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ (ಅಥವಾ ರಂಧ್ರ) ಚಲನಶೀಲತೆಯಲ್ಲಿನ ಇಳಿಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ವಾಹಕತೆಯಲ್ಲಿನ ಇಳಿಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಫೋನಾನ್ ಡ್ರ್ಯಾಗ್ನೊಂದಿಗೆ ಸೀಬೆಕ್ ಗುಣಾಂಕದ ಪ್ರಮಾಣವು ಹೆಚ್ಚಾದಂತೆ, ಇದು ನೇರ ಶಕ್ತಿ ಪರಿವರ್ತನೆ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರಯೋಜನಕಾರಿಯಾಗಬಹುದು. ಈ ಪರಿಣಾಮದ ಪ್ರಮಾಣವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ (<200 ಕೆ) ಮಾತ್ರ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಫೋನಾನ್ಗಳು ಯಾವಾಗಲೂ ಸ್ಥಳೀಯ ಉಷ್ಣ ಸಮತೋಲನದಲ್ಲಿರುವುದಿಲ್ಲ; ಅವು ಉಷ್ಣದ ಇಳಿಜಾರಿನ ವಿರುದ್ಧ ಚಲಿಸುತ್ತವೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು (ಅಥವಾ ಇತರ ವಾಹಕಗಳು) ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕದಲ್ಲಿನ ದೋಷಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುವ ಮೂಲಕ ಅವು ಆವೇಗವನ್ನು ಕಳೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಫೋನಾನ್-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯು ಪ್ರಧಾನವಾಗಿದ್ದರೆ, ಫೋನಾನ್ಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ವಸ್ತುವಿನ ಒಂದು ತುದಿಗೆ ತಳ್ಳುವ ಪ್ರವೃತ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಆವೇಗವನ್ನು ಕಳೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಇದು ಈಗಾಗಲೇ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರುವ ಥರ್ಮೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಕ್ಷೇತ್ರಕ್ಕೆ ಕೊಡುಗೆ ನೀಡುತ್ತದೆ. ಫೋನಾನ್-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚದುರುವಿಕೆಯು ಪ್ರಧಾನವಾಗಿರುವ ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಈ ಕೊಡುಗೆ ಅತ್ಯಂತ ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. θD ಎಂಬುದು ಡೆಬೈ ತಾಪಮಾನವಾಗಿರುವಲ್ಲಿ ಇದು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಎಳೆಯಲು ಕಡಿಮೆ ಫೋನಾನ್ಗಳು ಲಭ್ಯವಿವೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಅವು ಫೋನಾನ್-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚದುರುವಿಕೆಯ ಬದಲು ಫೋನಾನ್-ಫೋನಾನ್ ಚದುರುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಆವೇಗವನ್ನು ಕಳೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಸೀಬೆಕ್ ಗುಣಾಂಕ-ವರ್ಸಸ್-ತಾಪಮಾನ ಕಾರ್ಯದ ಈ ಪ್ರದೇಶವು ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ವ್ಯತ್ಯಾಸಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಕಿಟ್ಟೆಲ್, ಚಾರ್ಲ್ಸ್ (1996) ಇಂಟ್ರೊಡಕ್ಷನ್ ಟು ಸಾಲಿಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ ಫಿಸಿಕ್ಸ್, 7 ನೇ ಆವೃತ್ತಿ, ಜಾನ್ ವಿಲೇ ಅಂಡ್ ಸನ್ಸ್, ಇಂಕ್. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್.