Advanced silicon etching
ಅಡ್ವಾನ್ಸ್ಡ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಎಚ್ಚಣೆ (ಎಎಸ್ಇ) ಸಿಲಿಕಾನ್ನಲ್ಲಿ ಆಳವಾದ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಕಾರ ಅನುಪಾತದ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಕೆತ್ತಿಸಲು ಆಳವಾದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ-ಅಯಾನ್ ಎಚ್ಚಣೆ (ಡಿಆರ್ಐಇ) ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಎಎಸ್ಇಯನ್ನು 1994ರಲ್ಲಿ ಯುಕೆಯಲ್ಲಿ ಸರ್ಫೇಸ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿ ಸಿಸ್ಟಮ್ಸ್ ಪಿಎಲ್ಸಿ (ಎಸ್ಟಿಎಸ್) ರಚಿಸಿತು. ಎಸ್ಟಿಎಸ್ ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ವೇಗವಾಗಿ ಎಚ್ ದರಗಳೊಂದಿಗೆ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸುವುದನ್ನು ಮುಂದುವರೆಸಿದೆ. ಡಾ. ಲಾರ್ಮರ್ ಅವರು ಮೂಲತಃ ಸ್ಟಟ್ಗಾರ್ಟ್ನ ಬಾಷ್ನಲ್ಲಿ ಕಂಡುಹಿಡಿದ ಸ್ವಿಚ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಎಸ್. ಟಿ. ಎಸ್. ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿತು ಮತ್ತು ಮೊದಲು ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸಿತು. ಎರಡು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಹಂತಗಳನ್ನು ಪರ್ಯಾಯವಾಗಿ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಐಸೊಟ್ರೊಪಿಕ್ ಸಿ ಎಚ್ನಲ್ಲಿ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎಸ್ಎಫ್ 6 ಪ್ಲಾಸ್ಮಾವನ್ನು ಬಳಸುವುದು) ಸಾಧಿಸಿದ ವೇಗದ ಎಚ್ ದರಗಳನ್ನು ಶೇಖರಣೆ ಅಥವಾ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯೊಂದಿಗೆ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಿ 4 ಎಫ್ 8 ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಘನೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸುವುದು) ಸಂಯೋಜಿಸುವಲ್ಲಿ ಎಎಸ್ಇ ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. ಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರೊಮೆಕಾನಿಕಲ್ ಸಿಸ್ಟಮ್ಸ್ (ಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರೊಮೆಕಾನಿಕಲ್ ಸಿಸ್ಟಮ್ಸ್ (ಎಂಇಎಂಎಸ್)) ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಲಂಬವಾಗಿ ಅನಿಸೊಟ್ರೊಪಿಕ್ ಆಗಿ ಎಚ್ಚಣೆ ಮಾಡುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳುವಾಗ ಈ ವಿಧಾನವು ವೇಗವಾಗಿ ಎಚ್ಚಣೆ ದರಗಳನ್ನು ಸಾಧಿಸುತ್ತದೆ. ಎಎಸ್ಇ ಎಚ್ಆರ್ಎಂ ಹಿಂದಿನ ತಲೆಮಾರಿನ ಐಸಿಪಿ ವಿನ್ಯಾಸದ ಸುಧಾರಣೆಯಾಗಿದ್ದು, ಈಗ ಡೀಕಪಲ್ಡ್ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಮೂಲವನ್ನು (ಪೇಟೆಂಟ್ ಬಾಕಿ) ಒಳಗೊಂಡಿದೆ. ಬೇರ್ಪಡಿಸಿದ ಮೂಲವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಕೊಠಡಿಯೊಳಗೆ ಹರಡಲು ಅನುಮತಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಶೇಷ ಚೇಂಬರ್ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು, ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು (ಇದು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ನಿಯಂತ್ರಣದ ಮೇಲೆ ನಕಾರಾತ್ಮಕ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ) ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಐಸಿಪಿ ಮೂಲಗಳಿಂದ ಲಭ್ಯವಿರುವ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯಲ್ಲಿ ಫ್ಲೋರೀನ್ ಮುಕ್ತ-ರಾಡಿಕಲ್ಗಳ ಏಕರೂಪದ ವಿತರಣೆಯನ್ನು ಬಿಡುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಫ್ಲೋರಿನ್ ಮುಕ್ತ-ರಾಡಿಕಲ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಎಚ್ ದರಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಅನುಕೂಲ ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೂಲ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯೊಂದಿಗೆ ಸಾಧಿಸಿದ ಎಚ್ ದರಕ್ಕಿಂತ ಮೂರು ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು. ಟಿಪ್ಪಣಿಗಳ ಉಲ್ಲೇಖಗಳು. ಮೇಲ್ಮೈ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನ ತಯಾರಿಕೆ ಮೈಕ್ರೊಟೆಕ್ನಾಲಜಿ ಎಚ್ಚಣೆ (ಮೈಕ್ರೋ ಫ್ಯಾಬ್ರಿಕೇಶನ್)