Electron backscatter diffraction
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ವಿವರ್ತನೆಯು (ಇಬಿಎಸ್ಡಿ) ವಸ್ತುಗಳ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಬಳಸುವ ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (ಎಸ್ಇಎಂ) ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಕನಿಷ್ಠ ಒಂದು ಫಾಸ್ಫೊರೆಸೆಂಟ್ ಪರದೆ, ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ಲೆನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ-ಬೆಳಕಿನ ಕ್ಯಾಮೆರಾವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಡಿಟೆಕ್ಟರನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕದಲ್ಲಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಸಂರಚನೆಯಲ್ಲಿ, SEM ಘಟನೆಯ ಕಿರಣವು ಬಾಗಿದ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಹೊಡೆಯುತ್ತದೆ. ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಮಾದರಿಯನ್ನು ತೊರೆದಾಗ, ಅವು ಸ್ಫಟಿಕದ ನಿಯತಕಾಲಿಕ ಪರಮಾಣು ಜಾಲರಿ ಸಮತಲಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಕಿಕುಚಿ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು (ಇಬಿಎಸ್ಪಿಗಳು) ರೂಪಿಸುವ ಫಾಸ್ಫರ್ ಪರದೆಯನ್ನು ತಲುಪುವ ಮೊದಲು ವಿವಿಧ ಚದುರುವಿಕೆಯ ಕೋನಗಳಲ್ಲಿ ಬ್ರ್ಯಾಗ್ನ ನಿಯಮದ ಪ್ರಕಾರ ವಿವರಿಸುತ್ತವೆ. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಅಧ್ಯಯನದಲ್ಲಿರುವ ವಸ್ತುಗಳ ಸ್ವರೂಪ ಮತ್ತು ಮಾದರಿ ತಯಾರಿಕೆ ಸೇರಿದಂತೆ ಅನೇಕ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ವಸ್ತುವಿನ ಧಾನ್ಯದ ರಚನೆ, ಧಾನ್ಯದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಮತ್ತು ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಹಂತದ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. ಗಳನ್ನು ಸೂಚ್ಯಂಕ ಮಾಡಬಹುದು. ಕಲ್ಮಶಗಳು ಮತ್ತು ದೋಷದ ಅಧ್ಯಯನಗಳು, ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ವಿರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಸರಾಸರಿ ತಪ್ಪು ನಿರ್ದೇಶನ, ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ವಿನ್ಯಾಸಕ್ಕಾಗಿ ಸಂಖ್ಯಾಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗಾಗಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸುಧಾರಿತ ಹಂತದ ಗುರುತಿಸುವಿಕೆ ಮತ್ತು ವಸ್ತುಗಳ ಆವಿಷ್ಕಾರಕ್ಕಾಗಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ಎನರ್ಜಿ-ಡಿಸ್ಪರ್ಸಿವ್ ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (ಇಡಿಎಸ್), ಕ್ಯಾಥೋಡೋಲುಮಿನಿಸೆನ್ಸ್ (ಸಿಎಲ್) ಮತ್ತು ತರಂಗಾಂತರ-ಡಿಸ್ಪರ್ಸಿವ್ ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (ಡಬ್ಲ್ಯುಡಿಎಸ್) ಯೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಬಹುದು. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಮಾದರಿಗಳಲ್ಲಿನ (ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. ಗಳು) ಬದಲಾವಣೆ ಮತ್ತು ಅವನತಿಯು ವಿವರಿಸುವ ಪರಿಮಾಣದಲ್ಲಿನ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪತೆಯ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಸಿಟಿಯ ಮಟ್ಟವನ್ನು ನಿರ್ಣಯಿಸಲು ಪ್ಯಾಟರ್ನ್ ಡಿಗ್ರೇಡೇಷನ್ (ಅಂದರೆ, ಡಿಫ್ಯೂಸ್ ಕ್ವಾಲಿಟಿ) ಅನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. ವಲಯ ಅಕ್ಷದ ಸ್ಥಾನದಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಉಳಿದಿರುವ ಒತ್ತಡ ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಜಾಲರಿ ಆವರ್ತನಗಳನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಬಳಸಬಹುದು. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯವಾಗಿ ಅಗತ್ಯವಾದ ಸ್ಥಳಾಂತರಗಳ (ಜಿಎನ್ಡಿ) ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಬಗ್ಗೆಯೂ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪವನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖದ ಮಾದರಿಗೆ (ಇಬಿಎಸ್ಪಿ0) ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಅಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯ ಆಯ್ಕೆಯು ಮಾಪನದ ನಿಖರತೆಯ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ; ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಒತ್ತಡದಲ್ಲಿ ವಿರೂಪಗೊಂಡ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯು ಹೆಚ್ಚಿನ-ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ನಕ್ಷೆಯಿಂದ ಪಡೆದ ಕರ್ಷಕ ಒತ್ತಡದ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪರೋಕ್ಷವಾಗಿ ಇತರ ಘಟಕಗಳ ಪ್ರಮಾಣ ಮತ್ತು ಒತ್ತಡದ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ವಿತರಣೆಯ ಮೇಲೆ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0ಯ ಆಯ್ಕೆಯು ಜಿ. ಎನ್. ಡಿ. ಸಾಂದ್ರತೆಯ ವಿತರಣೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಮಾಣದ ಮೇಲೆ ಸ್ವಲ್ಪಮಟ್ಟಿಗೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಮಾದರಿ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಸಂಗ್ರಹ ಸೆಟಪ್ ಜ್ಯಾಮಿತಿ ಮತ್ತು ಮಾದರಿ ರಚನೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರಿಂಗ್ ವಿವರ್ತನ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕಕ್ಕಾಗಿ, ಚಪ್ಪಟೆಯಾದ ನಯಗೊಳಿಸಿದ ಸ್ಫಟಿಕದ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕದ ಕೋಣೆಯೊಳಗೆ ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮಾದರಿಯನ್ನು ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪ್ (ಎಸ್ಇಎಂ) ಫ್ಲಾಟ್ ಸ್ಪೆಸಿಮೆನ್ ಪೊಸಿಷನಿಂಗ್ನಿಂದ ~ 70° ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್ (ಇಬಿಎಸ್ಡಿ) ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗೆ 110° ಬಾಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮಾದರಿಯನ್ನು ತಿರುಗಿಸುವುದರಿಂದ ಟಿಲ್ಟ್ ಆಕ್ಸಿಸ್ಗೆ ಲಂಬವಾಗಿ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯ ಪರಿಮಾಣವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಚದುರುವಿಕೆಯಿಂದಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಮಾದರಿಯನ್ನು ಬಿಡಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಉತ್ತಮ ಕಾಂಟ್ರಾಸ್ಟ್ ಅನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ-ಶಕ್ತಿಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣವು (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 20 ಕೆವಿ) ಸಣ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದ ಮೇಲೆ ಕೇಂದ್ರೀಕೃತವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮಾದರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ~ 20 ಎನ್ಎಂನ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ನಲ್ಲಿ ಚದುರುತ್ತದೆ. ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಕಿರಣದ ಶಕ್ತಿ, ಕೋನೀಯ ಅಗಲ, ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯ ಪರಿಮಾಣ, ಅಧ್ಯಯನದಲ್ಲಿರುವ ವಸ್ತುವಿನ ಸ್ವರೂಪ ಮತ್ತು ಮಾದರಿ ದಪ್ಪದೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಸರಣದಲ್ಲಿ ಕಿಕುಚಿ ವಿವರ್ತನೆಗೆ (ಟಿಕೆಡಿ) ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ; ಹೀಗಾಗಿ, ಕಿರಣದ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವುದರಿಂದ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯ ಪರಿಮಾಣವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ಎಸ್ಇಎಂನ ಮಾದರಿ ಕೊಠಡಿಯೊಳಗೆ ಧ್ರುವದ ತುಂಡಿಗೆ ಸುಮಾರು 90° ಕೋನದಲ್ಲಿ ಇದೆ. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಫಾಸ್ಫರ್ ಪರದೆಯಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳಿಂದ ಪ್ರಚೋದಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ. ಪರದೆಯನ್ನು ಮಸೂರಕ್ಕೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದ್ದು, ಇದು ಫಾಸ್ಫರ್ ಪರದೆಯಿಂದ ಚಿತ್ರವನ್ನು ಚಾರ್ಜ್-ಕಪಲ್ಡ್ ಸಾಧನ (ಸಿಸಿಡಿ) ಅಥವಾ ಕಾಂಪ್ಲಿಮೆಂಟರಿ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ (ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್) ಕ್ಯಾಮೆರಾದ ಮೇಲೆ ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಸಂರಚನೆಯಲ್ಲಿ, ಈ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಮಾದರಿಯನ್ನು ತೊರೆದಾಗ, ಅವು ಸ್ಫಟಿಕದ ನಿಯತಕಾಲಿಕ ಪರಮಾಣು ಜಾಲರಿ ಸಮತಲಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಬ್ರ್ಯಾಗ್ನ ನಿಯಮದ ಪ್ರಕಾರ ಚದುರುವಿಕೆಯ ಕೋನಗಳ (θhkl) ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ ಭಿನ್ನವಾಗುತ್ತವೆ. ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಕಿಕುಚಿ ರೇಖೆಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ-ವಿಭಿನ್ನ ತೀವ್ರತೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಸೆನ್ಸಿಟಿವ್ ಫ್ಲಾಟ್ ಫಿಲ್ಮ್/ಪರದೆಯ ಮೇಲೆ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಫಾಸ್ಫರ್), ಕಿಕುಚಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಕಿಕುಚಿ ರೇಖೆಗಳು ಫಾಸ್ಫರ್ ಪರದೆಯ ಸಮತಲದೊಂದಿಗೆ ಕೊಸೆಲ್ ಕೋನ್ಗಳ ಛೇದನದಿಂದ ರೂಪುಗೊಂಡ ಹೈಪರ್ಬೋಲಾದ ಕುರುಹುಗಳಾಗಿವೆ. ಕಿಕುಚಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ನ ಅಗಲವು ಚದುರುವಿಕೆಯ ಕೋನಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ, ಮಿಲ್ಲರ್ ಸೂಚ್ಯಂಕಗಳಾದ ಎಚ್, ಕೆ, ಮತ್ತು ಎಲ್ ಹೊಂದಿರುವ ಜಾಲರಿ ಸಮತಲಗಳ ನಡುವಿನ ಅಂತರಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ. ಈ ಕಿಕುಚಿ ರೇಖೆಗಳು ಮತ್ತು ಮಾದರಿಗಳಿಗೆ ಸೀಶಿ ಕಿಕುಚಿಯ ಹೆಸರನ್ನು ಇಡಲಾಗಿದೆ, ಅವರು 1928 ರಲ್ಲಿ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಮಿಷನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (ಟಿಇಎಂ) ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಈ ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಮೊದಲು ಗಮನಿಸಿದರು, ಇದು ರೇಖಾಗಣಿತದಲ್ಲಿ ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಕೊಸೆಲ್ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ. ವ್ಯವಸ್ಥಿತವಾಗಿ ಜೋಡಿಸಲಾದ ಕಿಕುಚಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳು, ಅವುಗಳ ಅಗಲದ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ತೀವ್ರತೆಯ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದು, ಆಸಕ್ತಿಯ ಪ್ರದೇಶಗಳ (ಆರ್ಒಐ) ಕೇಂದ್ರದ ಸುತ್ತಲೂ ಛೇದಿಸುತ್ತವೆ, ಇದು ಶೋಧಿತ ಪರಿಮಾಣ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರವನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳು ಮತ್ತು ಅವುಗಳ ಛೇದಕಗಳು ಕಿಕುಚಿ ಮಾದರಿಗಳು ಅಥವಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಮಾದರಿಗಳು (ಇಬಿಎಸ್ಪಿಗಳು) ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುತ್ತವೆ. ವ್ಯತಿರಿಕ್ತತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು, ಸ್ಥಿರ ಹಿನ್ನೆಲೆ ತಿದ್ದುಪಡಿ ಅಥವಾ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಹಿನ್ನೆಲೆ ತಿದ್ದುಪಡಿಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಅನಿಸೋಟ್ರೋಪಿಕ್/ಅಸ್ಥಿರ ಚದುರುವಿಕೆಯನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವ ಮೂಲಕ ಮಾದರಿಗಳ ಹಿನ್ನೆಲೆಯನ್ನು ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಕನಿಷ್ಠ ಒಂದು ಫಾಸ್ಫರ್ ಪರದೆ, ಕಾಂಪ್ಯಾಕ್ಟ್ ಲೆನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ-ಬೆಳಕಿನ ಚಾರ್ಜ್-ಕಪಲ್ಡ್ ಸಾಧನ (ಸಿಸಿಡಿ) ಅಥವಾ ಕಾಂಪ್ಲಿಮೆಂಟರಿ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ (ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್) ಕ್ಯಾಮೆರಾವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ಹೊಂದಿರುವ ಎಸ್ಇಎಂ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಾಣಿಜ್ಯಿಕವಾಗಿ ಲಭ್ಯವಿರುವ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎರಡು ವಿಭಿನ್ನ ಸಿಸಿಡಿ ಕ್ಯಾಮೆರಾಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದರೊಂದಿಗೆ ಬರುತ್ತವೆಃ ವೇಗದ ಅಳತೆಗಳಿಗಾಗಿ, ಸಿಸಿಡಿ ಚಿಪ್ 640x480 ಪಿಕ್ಸೆಲ್ಗಳ ಸ್ಥಳೀಯ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ; ನಿಧಾನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಅಳತೆಗಳಿಗಾಗಿ, ಸಿಸಿಡಿ ಚಿಪ್ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ 1600x1200 ಪಿಕ್ಸೆಲ್ಗಳವರೆಗೆ ಹೋಗಬಹುದು. ಹೈ-ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗಳ ಅತಿದೊಡ್ಡ ಪ್ರಯೋಜನವೆಂದರೆ ಅವುಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆ, ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಪ್ರತಿ ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಯೊಳಗಿನ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ವಿವರವಾಗಿ ವಿಶ್ಲೇಷಿಸಬಹುದು. ರಚನೆ ಮತ್ತು ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಮಾಪನಗಳಿಗಾಗಿ, ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಅವುಗಳ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಗಣನೆಯ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಬಿನ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆಧುನಿಕ ಸಿಸಿಡಿ-ಆಧಾರಿತ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಸೂಚ್ಯಂಕ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಸೆಕೆಂಡಿಗೆ 1800 ಮಾದರಿಗಳ ವೇಗದಲ್ಲಿ ಮಾಡಬಹುದು. ಇದು ತ್ವರಿತ ಮತ್ತು ಶ್ರೀಮಂತ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ನಕ್ಷೆಗಳನ್ನು ರಚಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಮಾದರಿ ತಯಾರಿಕೆ ಮಾದರಿಯು ನಿರ್ವಾತ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರಬೇಕು. ಇದನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ವಾಹಕ ಸಂಯುಕ್ತವನ್ನು ಬಳಸಿ ಜೋಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ (ಉದಾ. ಕ್ಯು) ತುಂಬಿದ ಎಪಾಕ್ಸಿ ಥರ್ಮೋಸೆಟ್, ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣದ ವಿಕಿರಣದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಇಮೇಜ್ ಡ್ರಿಫ್ಟ್ ಮತ್ತು ಸ್ಯಾಂಪಲ್ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ ಗುಣಮಟ್ಟವು ಮೇಲ್ಮೈ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮಾದರಿಯನ್ನು 240 ರಿಂದ 4000 ಗ್ರಿಟ್ನವರೆಗಿನ ಸಿ. ಐ. ಸಿ ಪೇಪರ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿ ಪುಡಿಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಡೈಮಂಡ್ ಪೇಸ್ಟ್ (9 ರಿಂದ 1 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್) ಬಳಸಿ ನಯಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ 50 ಎನ್ಎಂ ಕೊಲೊಯ್ಡಲ್ ಸಿಲಿಕಾದಲ್ಲಿ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ನಂತರ, ಇದನ್ನು ಎಥೆನಾಲ್ನಲ್ಲಿ ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಡಿಯೋನೀಕರಿಸಿದ ನೀರಿನಿಂದ ತೊಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬಿಸಿ ಗಾಳಿ ಬೀಸುವ ಯಂತ್ರದಿಂದ ಒಣಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದರ ನಂತರ ಅಂತಿಮ ಮೇಲ್ಮೈ ತಯಾರಿಕೆಗಾಗಿ ಅಯಾನು ಕಿರಣದ ಹೊಳಪು ನೀಡಬಹುದು. ಎಸ್ಇಎಂ ಒಳಗೆ, ಮಾಪನ ಪ್ರದೇಶದ ಗಾತ್ರವು ಸ್ಥಳೀಯ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಮತ್ತು ಮಾಪನ ಸಮಯವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ಉತ್ತಮ-ಗುಣಮಟ್ಟದ ಇಬಿಎಸ್ಪಿಗಳಿಗೆ ಸಾಮಾನ್ಯ ಸೆಟ್ಟಿಂಗ್ಗಳು 15 ಎನ್ಎ ಕರೆಂಟ್, 20 ಕೆವಿ ಕಿರಣ ಶಕ್ತಿ, 18 ಎಂಎಂ ಕೆಲಸದ ದೂರ, ದೀರ್ಘ ಮಾನ್ಯತೆ ಸಮಯ ಮತ್ತು ಕನಿಷ್ಠ ಸಿಸಿಡಿ ಪಿಕ್ಸೆಲ್ ಬೈನಿಂಗ್. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಫಾಸ್ಫರ್ ಪರದೆಯನ್ನು 18 ಎಂಎಂ ಕೆಲಸದ ದೂರದಲ್ಲಿ ಹೊಂದಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಒತ್ತಡ ಮತ್ತು ಸ್ಥಳಾಂತರದ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗಾಗಿ ನಕ್ಷೆಯ ಹಂತದ ಗಾತ್ರವು 0.5 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದೆ. ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕದೊಳಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣದಿಂದ ಅನಿಲ ಹೈಡ್ರೋಕಾರ್ಬನ್ಗಳ ವಿಭಜನೆಯು ಇಂಗಾಲದ ಶೇಖರಣೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಸ್ವಾಧೀನ ವಿಂಡೋದ ಹೊರಗಿನ ಇಬಿಎಸ್ಪಿಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಪರಿಶೀಲಿಸಿದ ಪ್ರದೇಶದೊಳಗೆ ಇಬಿಎಸ್ಪಿಗಳ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಕುಗ್ಗಿಸುತ್ತದೆ. ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದ ಇಂಗಾಲದ ಸ್ಪಷ್ಟ ಶೇಖರಣೆಯೊಂದಿಗೆ ಶೋಧಿತ ವಲಯದೊಳಗೆ ಚಲಿಸುವ ಮಾದರಿಯ ಅವನತಿಯ ಇಳಿಜಾರು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಕಿರಣದ ತ್ವರಿತ-ಪ್ರೇರಿತ ಇಂಗಾಲದ ಶೇಖರಣೆಯ ಕಪ್ಪು ಕಲೆಗಳು ಕೂಡ ಒಟ್ಟುಗೂಡಿಸುವಿಕೆ ಸಂಭವಿಸದಿದ್ದರೂ ಸಹ ತಕ್ಷಣದ ಶೇಖರಣೆಯನ್ನು ಎತ್ತಿ ತೋರಿಸುತ್ತವೆ. ಆಳದ ನಿರ್ಣಯ ಆಳದ ನಿರ್ಣಯದ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನದ ಬಗ್ಗೆ ಯಾವುದೇ ಒಮ್ಮತವಿಲ್ಲ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಇದನ್ನು ಸಂಕೇತದ ~92% ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವ ಆಳ ಎಂದು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಬಹುದು, ಅಥವಾ ಮಾದರಿಯ ಗುಣಮಟ್ಟದಿಂದ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಬಹುದು, ಅಥವಾ "ಉಪಯುಕ್ತ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಪಡೆಯುವಲ್ಲಿ" ಅಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿರಬಹುದು. ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಕ್ಕೂ ಸಹ, ಆಳದ ನಿರ್ಣಯವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಶಕ್ತಿಯೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲಾದ ವಸ್ತುವನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಅಂಶಗಳ ಸರಾಸರಿ ಪರಮಾಣು ದ್ರವ್ಯರಾಶಿಯೊಂದಿಗೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆಃ ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಇದು 20 ಕೆವಿ ಶಕ್ತಿಯಲ್ಲಿ ಸಿ ಗೆ 40 ಎನ್ಎಂ ಮತ್ತು ನಿ ಗೆ 10 ಎನ್ಎಂ ಎಂದು ಅಂದಾಜಿಸಲಾಗಿದೆ. ದಪ್ಪದ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಬದಲಾಗುವ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಅಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಣ್ಣ ಮೌಲ್ಯಗಳು ವರದಿಯಾಗಿವೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ಕೆಲವು ಎನ್ಎಂ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಕ್ರೋಮಿಯಂನೊಂದಿಗೆ ಲೇಪಿಸುವುದರಿಂದ 15 ಕೆವಿ ಶಕ್ತಿಯಲ್ಲಿ ಆಳದ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಅನ್ನು ಕೆಲವು ಎನ್ಎಂಗೆ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇದಕ್ಕೆ ತದ್ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ, ಇಸಾಬೆಲ್ ಮತ್ತು ಡೇವಿಡ್ ಅವರು ಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಚದುರುವಿಕೆಯಿಂದಾಗಿ (ಸ್ಪರ್ಶಕ ಸ್ಮೀಯರಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಚಾನೆಲಿಂಗ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ) ಏಕರೂಪದ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಲ್ಲಿನ ಆಳದ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಸಹ 1 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ವರೆಗೆ ವಿಸ್ತರಿಸಬಹುದು ಎಂದು ತೀರ್ಮಾನಿಸಿದರು. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಡೆಪ್ತ್ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಕುರಿತ ವರದಿಗಳ ನಡುವಿನ ಇತ್ತೀಚಿನ ಹೋಲಿಕೆಯು, ಕೊಕೊ ಮತ್ತು ಇತರರು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಕಟಣೆಗಳು ಆಳದ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ನ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಕ್ಕೆ ತಾರ್ಕಿಕತೆಯನ್ನು ಪ್ರಸ್ತುತಪಡಿಸುವುದಿಲ್ಲ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಕಿರಣದ ಗಾತ್ರ, ಓರೆಯಾದ ಕೋನ, ಕಿರಣದಿಂದ ಮಾದರಿ ಮತ್ತು ಸ್ಯಾಂಪಲ್-ಟು-ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ದೂರಗಳ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿಲ್ಲ. ಆಳದ ನಿರ್ಣಯವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಅಥವಾ ಅನುಕರಿಸಲು ಇವು ನಿರ್ಣಾಯಕ ನಿಯತಾಂಕಗಳಾಗಿವೆ. ಕಿರಣದ ಪ್ರವಾಹವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪ್ರಯೋಗಗಳು ಅಥವಾ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ಗಳಲ್ಲಿ ಆಳದ ನಿರ್ಣಯದ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ ಎಂದು ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಇದು ಕಿರಣದ ಸ್ಪಾಟ್ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಸಿಗ್ನಲ್-ಟು-ಶಬ್ದ ಅನುಪಾತದ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ, ಪರೋಕ್ಷವಾಗಿ, ಮಾದರಿಯ ವಿವರಗಳು ಮತ್ತು ಅದರ ಆಳದ ಮಾಹಿತಿಯ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಮಾಂಟೆ ಕಾರ್ಲೊ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ಗಳು ಇಬಿಎಸ್ಪಿಗಳ ರಚನೆಗೆ ಆಳದ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಮಾಣೀಕರಿಸಲು ಪರ್ಯಾಯ ವಿಧಾನವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತವೆ, ಇದನ್ನು ಬ್ಲೋಚ್ ತರಂಗ ಸಿದ್ಧಾಂತವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಅಂದಾಜು ಮಾಡಬಹುದು, ಅಲ್ಲಿ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು-ಸ್ಫಟಿಕ ಜಾಲರಿಯೊಂದಿಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸಿದ ನಂತರ-ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ನಿರ್ಗಮಿಸುತ್ತವೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುವ ಪರಿಮಾಣದ ಸ್ಫಟಿಕೀಯತೆಯ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಸಾಗಿಸುತ್ತವೆ. ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು (ಬಿಎಸ್ಇ) ಶಕ್ತಿಯ ವಿತರಣೆಯು ವಸ್ತುವಿನ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಕಿರಣದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಬಿಎಸ್ಇ ತರಂಗ ಕ್ಷೇತ್ರವು ಉಷ್ಣ ಪ್ರಸರಣ ಚದುರುವಿಕೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಪ್ರಭಾವಿತವಾಗಿದೆ, ಇದು ಬ್ರಾಗ್ ವಿವರ್ತನೆಯ ಘಟನೆಗಳ ನಂತರ ಅಸಂಬದ್ಧ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ (ಶಕ್ತಿಯ ನಷ್ಟ) ಚದುರುವಿಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ-ಇದು ಇನ್ನೂ ಸಂಪೂರ್ಣ ಭೌತಿಕ ವಿವರಣೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿಲ್ಲ, ಅದು ಇಬಿಎಸ್ಪಿ ಆಳದ ನಿರ್ಣಯವನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿರಬಹುದು. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಪ್ರಯೋಗ ಮತ್ತು ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ಗಳೆರಡೂ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎರಡು ಊಹೆಗಳನ್ನು ಮಾಡುತ್ತವೆಃ ಮೇಲ್ಮೈ ಪ್ರಾಚೀನವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಏಕರೂಪದ ಆಳದ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ; ಆದಾಗ್ಯೂ, ಅವುಗಳಲ್ಲಿ ಯಾವುದೂ ವಿರೂಪಗೊಂಡ ಮಾದರಿಗೆ ಮಾನ್ಯವಾಗಿಲ್ಲ. ಸೆಟಪ್ ಜ್ಯಾಮಿತಿಯನ್ನು ಚೆನ್ನಾಗಿ ವಿವರಿಸಿದರೆ, ವಿವರ್ತನ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿರುವ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯ ಪರಿಮಾಣದೊಳಗಿನ ವಸ್ತುವಿನ ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ಸ್ಫಟಿಕ ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ. ಪ್ರತಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ಅದನ್ನು ರೂಪಿಸಿದ ಡಿಫ್ರ್ಯಾಕ್ಟಿಂಗ್ ಪ್ಲೇನ್ನ ಮಿಲ್ಲರ್ ಸೂಚ್ಯಂಕಗಳಿಂದ ಸೂಚ್ಯಂಕ ಮಾಡಬಹುದು. ಹೆಚ್ಚಿನ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ, ಕೇವಲ ಮೂರು ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳು/ಸಮತಲಗಳು ಛೇದಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಕ್ಕೆ (ಅವುಗಳ ಅಂತರ ಸಮತಲ ಕೋನಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ) ಒಂದು ವಿಶಿಷ್ಟ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ವಿವರಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ವಾಣಿಜ್ಯ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಸೂಚ್ಯಂಕಕ್ಕೆ ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಸ್ಫಟಿಕ ದತ್ತಸಂಚಯಗಳೊಂದಿಗೆ ಲುಕ್-ಅಪ್ ಕೋಷ್ಟಕಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ. ಈ ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವು ಪ್ರತಿ ಮಾದರಿ ಬಿಂದುವಿನ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖ ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ. ಮಾದರಿ ಸಂಗ್ರಹದ ನಂತರ ಸೂಚ್ಯಂಕವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೊದಲ ಹಂತವಾಗಿದೆ. ಮಾದರಿಯನ್ನು ಎಲ್ಲಿಂದ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗಿದೆ ಎಂಬುದರ ಮಾದರಿಯ ಒಂದೇ ಪರಿಮಾಣದಲ್ಲಿ ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ಗುರುತಿಸಲು ಇದು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಸಾಫ್ಟ್ವೇರ್ನೊಂದಿಗೆ, ಮಾದರಿಯ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮಾರ್ಪಡಿಸಿದ ಹಾಫ್ ರೂಪಾಂತರವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಗಣಿತದ ದಿನಚರಿಯ ಮೂಲಕ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ಹಾಫ್ ಜಾಗದಲ್ಲಿರುವ ಪ್ರತಿ ಪಿಕ್ಸೆಲ್ ಇಬಿಎಸ್ಪಿಯಲ್ಲಿನ ವಿಶಿಷ್ಟ ರೇಖೆ/ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಹಾಫ್ ರೂಪಾಂತರವು ಬ್ಯಾಂಡ್ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಮೂಲ ಇಬಿಎಸ್ಪಿಯಲ್ಲಿ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ನಿಂದ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚುವುದು ಕಷ್ಟ. ಬ್ಯಾಂಡ್ ಸ್ಥಳಗಳನ್ನು ಪತ್ತೆ ಮಾಡಿದ ನಂತರ, ಈ ಸ್ಥಳಗಳನ್ನು ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳ ನಡುವಿನ ಕೋನಗಳು ಜಾಲರಿ ಸಮತಲಗಳ ನಡುವಿನ ಕೋನಗಳನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತವೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ಮೂರು ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳ ನಡುವಿನ ಸ್ಥಾನ/ಕೋನಗಳು ತಿಳಿದಾಗ ಓರಿಯೆಂಟೇಶನ್ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಬಹುದು. ಹೆಚ್ಚು ಸಮ್ಮಿತೀಯ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ, ಓರಿಯೆಂಟೇಶನ್ ಮಾಪನವನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಮತ್ತು ಪರಿಶೀಲಿಸಲು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೂರಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಶಬ್ದವನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲು, ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ವಿರೂಪಗಳನ್ನು ಸರಿಪಡಿಸಲು ಮತ್ತು ತೀವ್ರತೆಯನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯಗೊಳಿಸಲು ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಪೂರ್ವ-ಸಂಸ್ಕರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ನಂತರ, ಪೂರ್ವ-ಸಂಸ್ಕರಿಸಿದ ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತಿರುವ ವಸ್ತುವಿನ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಗಳ ಗ್ರಂಥಾಲಯಕ್ಕೆ ಹೋಲಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಸ್ತುವಿನ ತಿಳಿದಿರುವ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕ ಜಾಲರಿಯ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ಆಧರಿಸಿ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಳತೆ ಮಾಡಲಾದ ಮಾದರಿಯೊಂದಿಗೆ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುವ ಸ್ಫಟಿಕ ಜಾಲರಿಯ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ವಿವಿಧ ಕ್ರಮಾವಳಿಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ವಾಣಿಜ್ಯ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ತಂತ್ರಾಂಶವು ಸೂಚ್ಯಂಕದ ಮೂರು ಪ್ರಮುಖ ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆಃ ತ್ರಿವಳಿ ಮತದಾನ; ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಮಾದರಿ ಮತ್ತು ಗಣನೆಯಿಂದ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನದ ನಡುವಿನ 'ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯನ್ನು' ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು, ಮತ್ತು/ಮತ್ತು ನೆರೆಯ ಮಾದರಿ ಸರಾಸರಿ ಮತ್ತು ಮರು-ಸೂಚ್ಯಂಕ, ಎನ್ಪಿಎಆರ್). ಸೂಚ್ಯಂಕವು ನಂತರ ಏಕ ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಕ್ಕೆ ಒಂದು ಅನನ್ಯ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ, ಅದು ಕ್ಷೇತ್ರ-ವೀಕ್ಷಣೆಯೊಳಗಿನ ಇತರ ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ. ತ್ರಿವಳಿ ಮತದಾನವು ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಕ್ಕೆ ವಿಭಿನ್ನ ಪರಿಹಾರಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಅನೇಕ 'ತ್ರಿವಳಿಗಳನ್ನು' ಗುರುತಿಸುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ; ಪ್ರತಿ ತ್ರಿವಳಿಗಳಿಂದ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾದ ಪ್ರತಿ ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವು ಒಂದು ಮತವನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತದೆ. ನಾಲ್ಕು ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳು ಒಂದೇ ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ಗುರುತಿಸಬೇಕಾದರೆ, ನಂತರ ನಾಲ್ಕು (ನಾಲ್ಕು ಮೂರು ಆಯ್ಕೆ, ಅಂದರೆ) ಆ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಪರಿಹಾರಕ್ಕಾಗಿ ಮತಗಳನ್ನು ಹಾಕಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಮತಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಅಭ್ಯರ್ಥಿಯ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವು ಪ್ರಸ್ತುತ ಇರುವ ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪರಿಹಾರವಾಗಿದೆ. ಒಟ್ಟು ಮತಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಲಾದ ಪರಿಹಾರಕ್ಕೆ ಮತಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯು ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ಪರಿಹಾರದ ಮೇಲಿನ ವಿಶ್ವಾಸವನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ. ಈ 'ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಸೂಚ್ಯಂಕ' ವನ್ನು ಅರ್ಥೈಸಿಕೊಳ್ಳುವಲ್ಲಿ ಕಾಳಜಿಯನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬೇಕು ಏಕೆಂದರೆ ಕೆಲವು ಹುಸಿ-ಸಮಮಿತಿಯ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಗಳು ಒಂದು ಅಭ್ಯರ್ಥಿಯ ವಿರುದ್ಧ ಇನ್ನೊಂದಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆ ವಿಶ್ವಾಸಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ತ್ರಿವಳಿಗಾಗಿ ಸಾಧ್ಯವಿರುವ ಎಲ್ಲಾ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಗಳೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಅಭ್ಯರ್ಥಿ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಹೆಚ್ಚಾದಂತೆ, ಸಂಭವನೀಯ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯು ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಒಂದು ಪರಿಹಾರಕ್ಕೆ ಒಮ್ಮುಖವಾಗುತ್ತದೆ. ಅಳತೆ ಮಾಡಿದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಮತ್ತು ಸೆರೆಹಿಡಿದ ಮಾದರಿಯ ನಡುವಿನ 'ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯನ್ನು' ನಿರ್ಧರಿಸಬಹುದು. ಒಟ್ಟಾರೆಯಾಗಿ, ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ಯಲ್ಲಿ ಸೂಚ್ಯಂಕ ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಗಳು ಸಂಕೀರ್ಣವಾದ ಕ್ರಮಾವಳಿಗಳು ಮತ್ತು ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ನಲ್ಲಿ ವಸ್ತುಗಳ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ರಚನೆ ಮತ್ತು ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಇದು ಅತ್ಯಗತ್ಯವಾಗಿದೆ. ಸೂಚ್ಯಂಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ನಿರಂತರವಾಗಿ ವಿಕಸನಗೊಳ್ಳುತ್ತಿದ್ದು, ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ನಿಖರತೆ ಮತ್ತು ವೇಗವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಹೊಸ ಕ್ರಮಾವಳಿಗಳು ಮತ್ತು ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. ನಂತರ, ಸೂಚ್ಯಂಕದ ಫಲಿತಾಂಶದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಸೂಚ್ಯಂಕವನ್ನು ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಸೂಚ್ಯಂಕವು ಅಳತೆ ಮತ್ತು ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಗಳ ನಡುವಿನ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಆಧರಿಸಿದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಇದು ಶಬ್ದ ಮಟ್ಟ, ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಮತ್ತು ಮಾದರಿ ಗುಣಮಟ್ಟದಂತಹ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸುತ್ತದೆ. ಬ್ರ್ಯಾಗ್ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಚಲನಶಾಸ್ತ್ರದ ದ್ರಾವಣಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಈ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ವಿವರಣೆಯು ಬಹಳ ಶಕ್ತಿಯುತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಮತ್ತು ವಿನ್ಯಾಸ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗೆ ಉಪಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ, ಇದು ಸ್ಫಟಿಕದ ಜಾಲರಿಯ ಜ್ಯಾಮಿತಿಯನ್ನು ಮಾತ್ರ ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ವಿವರಿಸುವ ವಸ್ತುವಿನೊಳಗೆ ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಅನೇಕ ಭೌತಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ನಿರ್ಲಕ್ಷಿಸುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬೀಮ್ ಸ್ಕ್ಯಾಟರಿಂಗ್ ಪ್ಯಾಟರ್ನ್ (ಇಬಿಎಸ್ಪಿ) ಒಳಗೆ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾದ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳನ್ನು ಸಮರ್ಪಕವಾಗಿ ವಿವರಿಸಲು, ಒಬ್ಬರು ಅನೇಕ-ಕಿರಣಗಳ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಬಳಸಬೇಕು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ತೀವ್ರತೆಗಳಲ್ಲಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ರಚನೆಯ ಅಂಶಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಚಲನಶಾಸ್ತ್ರದ ಪರಿಹಾರಕ್ಕೆ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುವುದಿಲ್ಲ). ಮಾದರಿ ಕೇಂದ್ರ ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ವಿವರಿಸಲು, ಎಕ್ಸ್-ರೇ ವಿವರ್ತನೆಯ (ಎಕ್ಸ್ಆರ್ಡಿ)ಂತೆಯೇ, ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ರೇಖಾಗಣಿತವನ್ನು ತಿಳಿದುಕೊಳ್ಳಬೇಕು. ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ, ಮಾದರಿ ಕೇಂದ್ರವು ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗೆ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯ ಪರಿಮಾಣದ ದೂರವನ್ನು ಮತ್ತು ಫಾಸ್ಫರ್ ಪರದೆಯ ಮೇಲಿನ ಫಾಸ್ಫರ್ ಮತ್ತು ಮಾದರಿಯ ನಡುವಿನ ಹತ್ತಿರದ ಬಿಂದುವಿನ ಸ್ಥಳವನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ. ಆರಂಭಿಕ ಕೆಲಸವು ತಿಳಿದಿರುವ ದೃಷ್ಟಿಕೋನದ ಒಂದೇ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಎಸ್ಇಎಂ ಚೇಂಬರ್ಗೆ ಸೇರಿಸುವುದನ್ನು ಬಳಸಿತು, ಮತ್ತು ಇಬಿಎಸ್ಪಿಯ ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯವು ಮಾದರಿ ಕೇಂದ್ರಕ್ಕೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿದೆ ಎಂದು ತಿಳಿದುಬಂದಿದೆ. ನಂತರದ ಬೆಳವಣಿಗೆಗಳು ಇಬಿಎಸ್ಪಿಯ ಉತ್ಪಾದನೆ ಮತ್ತು ಚೇಂಬರ್ ಜ್ಯಾಮಿತಿಯ (ನೆರಳು ಎರಕ ಮತ್ತು ರಂಜಕ ಚಲನೆ) ನಡುವಿನ ವಿವಿಧ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಸಂಬಂಧಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿತ್ತು. ದುರದೃಷ್ಟವಶಾತ್, ಈ ಪ್ರತಿಯೊಂದು ವಿಧಾನವೂ ತೊಡಕಿನದ್ದಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯ ನಿರ್ವಾಹಕರಿಗೆ ಕೆಲವು ವ್ಯವಸ್ಥಿತ ದೋಷಗಳಿಗೆ ಗುರಿಯಾಗಬಹುದು. ವಿಶಿಷ್ಟವಾಗಿ ಅವುಗಳನ್ನು ಅನೇಕ ಗೊತ್ತುಪಡಿಸಿದ ಬಳಕೆಗಳೊಂದಿಗೆ ಆಧುನಿಕ ಎಸ್ಇಎಂಗಳಲ್ಲಿ ಸುಲಭವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಹೀಗಾಗಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ವಾಣಿಜ್ಯ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಇಂಡೆಕ್ಸಿಂಗ್ ಅಲ್ಗಾರಿದಮ್ ಅನ್ನು ಸ್ಫಟಿಕ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ಮತ್ತು ಸೂಚಿಸಿದ ಮಾದರಿಯ ಕೇಂದ್ರ ಸ್ಥಳದ ಪುನರಾವರ್ತಿತ ಚಲನೆಯೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತವೆ. ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಮಾದರಿಗಳಲ್ಲಿರುವ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳು ಮತ್ತು ಲುಕ್-ಅಪ್ ಕೋಷ್ಟಕಗಳ ನಡುವಿನ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಮಾದರಿಯ ಮಧ್ಯದ ಸ್ಥಳದಲ್ಲಿ ಮಾದರಿಯ ಅಗಲದ ~ 0.5-1% ನಿಖರತೆಗೆ ಒಮ್ಮುಖವಾಗುತ್ತದೆ. ಆಸ್ಟ್ರೋಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಮತ್ತು ಪಿಸಿ ಗ್ಲೋಬಲ್, ಓಪನ್-ಸೋರ್ಸ್ ಮ್ಯಾಟ್ಲ್ಯಾಬ್ ಕೋಡ್ಗಳ ಇತ್ತೀಚಿನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು, ಮಾದರಿ ಕೇಂದ್ರವನ್ನು (ಪಿಸಿ) ನಿರ್ಧರಿಸುವ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಿತು ಮತ್ತು-ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ-ಎಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಸ್ಟ್ರೈನ್ಗಳನ್ನು ಮಾದರಿ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಇಎಮ್ಸಾಫ್ಟ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಮಾದರಿಯನ್ನು ಅನುಕರಿಸುತ್ತದೆ. ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ ಮ್ಯಾಪಿಂಗ್ ಸೂಚ್ಯಂಕದ ಫಲಿತಾಂಶಗಳನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡುತ್ತಿರುವ ಮೇಲ್ಮೈಯ ಪ್ರತಿಯೊಂದು ಹಂತದಲ್ಲೂ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನದ ನಕ್ಷೆಯನ್ನು ರಚಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣವನ್ನು ನಿಗದಿತ ಶೈಲಿಯಲ್ಲಿ ಸ್ಕ್ಯಾನ್ ಮಾಡುವುದು (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಚೌಕ ಅಥವಾ ಷಡ್ಭುಜಾಕೃತಿಯ ಗ್ರಿಡ್ನಲ್ಲಿ, ಮಾದರಿ ಓರೆಯಾಗುವುದರಿಂದ ಚಿತ್ರದ ಮುನ್ಸೂಚನೆಯನ್ನು ಸರಿಪಡಿಸುವುದು) ಅನೇಕ ಸಮೃದ್ಧ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ನಕ್ಷೆಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ನಕ್ಷೆಗಳು ವಿಚಾರಣೆಗೊಳಗಾದ ವಸ್ತುವಿನ ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ಪ್ರಾದೇಶಿಕವಾಗಿ ವಿವರಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರೊಟೆಕ್ಚರ್ ಮತ್ತು ಮಾದರಿ ರೂಪವಿಜ್ಞಾನವನ್ನು ಪರೀಕ್ಷಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು. ಕೆಲವು ನಕ್ಷೆಗಳು ಧಾನ್ಯದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ, ಗಡಿ ಮತ್ತು ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಯ (ಚಿತ್ರ) ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತವೆ. ವಿವಿಧ ಸಂಖ್ಯಾಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ಸಾಧನಗಳು ಸರಾಸರಿ ತಪ್ಪು ನಿರ್ದೇಶನ, ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಅಳೆಯಬಹುದು. ಈ ಡೇಟಾಸೆಟ್ನಿಂದ, ಹಲವಾರು ನಕ್ಷೆಗಳು, ಚಾರ್ಟ್ಗಳು ಮತ್ತು ಪ್ಲಾಟ್ಗಳನ್ನು ರಚಿಸಬಹುದು. ಬಣ್ಣ-ಸಂಕೇತ, ಬಾಹ್ಯರೇಖೆಯ ರೇಖೆಗಳು ಮತ್ತು ಧ್ರುವದ ಅಂಕಿಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ವಿವಿಧ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ದೃಶ್ಯೀಕರಿಸಬಹುದು. ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕದ ತಪ್ಪು ಜೋಡಣೆ, ಇಮೇಜ್ ಶಿಫ್ಟ್, ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತಿರುವ ವರ್ಧನೆಯೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗುವ ಸ್ಕ್ಯಾನ್ ಅಸ್ಪಷ್ಟತೆ, ಮಾದರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಯ ಒರಟುತನ ಮತ್ತು ಮಾಲಿನ್ಯ, ಬೌಂಡರಿ ಇಂಡೆಕ್ಸಿಂಗ್ ವೈಫಲ್ಯ ಮತ್ತು ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ಗುಣಮಟ್ಟವು ಸ್ಫಟಿಕದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುವಲ್ಲಿ ಅನಿಶ್ಚಿತತೆಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಸಿಗ್ನಲ್-ಟು-ನಾಯ್ಸ್ ಅನುಪಾತವು ವಸ್ತುವಿನ ಮೇಲೆ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅತಿಯಾದ ಸ್ವಾಧೀನ ವೇಗ ಮತ್ತು ಕಿರಣದ ಪ್ರವಾಹದಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಅಳತೆಯ ಕೋನೀಯ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಮಾಪನ ಪೂರ್ಣ-ಕ್ಷೇತ್ರ ಸ್ಥಳಾಂತರ, ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಜಿ. ಎನ್. ಡಿ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೇಲ್ನಲ್ಲಿ ವಸ್ತುವಿನ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಮತ್ತು ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ನಡವಳಿಕೆಯ ಬಗ್ಗೆ ಪರಿಮಾಣಾತ್ಮಕ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೇಲ್ನಲ್ಲಿ ಒತ್ತಡವನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಉದ್ದ/ಆಕಾರದಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಯ ಜೊತೆಗೆ ಇತರ ಪ್ರಮುಖ ವಿವರಗಳನ್ನು ಎಚ್ಚರಿಕೆಯಿಂದ ಪರಿಗಣಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸ್ಥಳೀಯ ರಚನೆ, ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಧಾನ್ಯದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಗಳು). ಈ ಸೂಕ್ಷ್ಮ-ಪ್ರಮಾಣದ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳನ್ನು ವಿವಿಧ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಅಳೆಯಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ರಂಧ್ರ ಕೊರೆಯುವಿಕೆ, ಏಕವರ್ಣದ ಅಥವಾ ಪಾಲಿಕ್ರೋಮ್ಯಾಟಿಕ್ ಶಕ್ತಿ-ಪ್ರಸರಣ ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ವಿವರ್ತನ ಅಥವಾ ನ್ಯೂಟ್ರಾನ್ ವಿವರ್ತನ (ಎನ್. ಡಿ.). ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಇತರ ತಂತ್ರಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಮತ್ತು ಬಳಸಲು ಸುಲಭವಾಗಿದೆ. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಒತ್ತಡದ ಅಳತೆಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ನಲ್ಲಿ ಮಾಡಬಹುದು, ಇದು ಸಂಶೋಧಕರಿಗೆ ವಸ್ತುವಿನೊಳಗಿನ ಒತ್ತಡದ ಸ್ಥಳೀಯ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಈ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ವಸ್ತುಗಳ ವಿರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ನಡವಳಿಕೆಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು, ವಿವಿಧ ಲೋಡಿಂಗ್ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ವಸ್ತು ನಡವಳಿಕೆಯ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ಮತ್ತು ವಸ್ತುಗಳ ಸಂಸ್ಕರಣೆ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಉತ್ತಮಗೊಳಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು. ಒಟ್ಟಾರೆಯಾಗಿ, ವಸ್ತುಗಳ ವಿರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ನಡವಳಿಕೆಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ಯನ್ನು ಬಳಸುವ ಒತ್ತಡ ಮಾಪನವು ಒಂದು ಪ್ರಬಲ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದನ್ನು ವಸ್ತು ವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹಿಂದಿನ ಪ್ರಯೋಗಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಮಾದರಿಗಳಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆ ಮತ್ತು ಅವನತಿ (ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. ಗಳು) ವ್ಯತ್ಯಾಸಗೊಳ್ಳುವ ಪರಿಮಾಣದ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತವೆ. ಮಾದರಿ/ಚಿತ್ರದ ಗುಣಮಟ್ಟ (ಐಕ್ಯೂ) ಮೂಲಕ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಸಿಟಿಯ ಮಟ್ಟವನ್ನು ನಿರ್ಣಯಿಸಲು ಮಾದರಿ ಅವನತಿಯನ್ನು (ಅಂದರೆ, ಹರಡುವ ಗುಣಮಟ್ಟ) ಬಳಸಬಹುದು, ಅಲ್ಲಿ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಹಾಫ್ ರೂಪಾಂತರವನ್ನು ಬಳಸುವಾಗ ಪತ್ತೆಯಾದ ಶಿಖರಗಳ ಮೊತ್ತದಿಂದ ಐಕ್ಯೂ ಅನ್ನು ಲೆಕ್ಕಹಾಕಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಲ್ಕಿನ್ಸನ್ ಮೊದಲು ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ತಳಿಗಳನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಉನ್ನತ-ಕ್ರಮಾಂಕದ ಕಿಕುಚಿ ರೇಖೆಯ ಸ್ಥಾನಗಳಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ನಿಖರತೆಯೊಂದಿಗೆ (0.3 ರಿಂದ 1 ಪ್ರತಿಶತ) ಬಳಸಿದರು; ಆದಾಗ್ಯೂ, ಲೋಹಗಳಲ್ಲಿ ಉಳಿದಿರುವ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ತಳಿಗಳನ್ನು ನಿರೂಪಿಸಲು ಈ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ ಏಕೆಂದರೆ ಇಳುವರಿ ಬಿಂದುವಿನಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ತಳಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 0.2 ಪ್ರತಿಶತದಷ್ಟಿರುತ್ತದೆ. ಬ್ಯಾಂಡ್ ಸ್ಥಾನವು ಜಾಲರಿಯ ನಿಯತಾಂಕಗಳಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳಿಗೆ ಸಂವೇದನಾಶೀಲವಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಹೆಚ್ಚಿನ-ಕ್ರಮಾಂಕದ ಕಿಕುಚಿ ರೇಖೆಗಳಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು ಟ್ರ್ಯಾಕ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಒತ್ತಡವನ್ನು ಅಳೆಯುವುದು ಒತ್ತಡವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದ್ದಾಗ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ. 1990ರ ದಶಕದ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ, ಟ್ರೂಸ್ಟ್ ಮತ್ತು ಇತರರು. ಮತ್ತು ವಿಲ್ಕಿನ್ಸನ್ ಮತ್ತು ಇತರರು. ಉಳಿದಿರುವ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ತಳಿಗಳು ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಜಾಲರಿ ಆವರ್ತನಗಳನ್ನು 0.02% ನಿಖರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಅಳೆಯಲು ಮಾದರಿಯ ಅವನತಿ ಮತ್ತು ವಲಯ ಅಕ್ಷದ ಸ್ಥಾನದಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೈ-ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್ (ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿ) ಕ್ರಾಸ್-ಕೋರಿಲೇಷನ್-ಆಧಾರಿತ, ಹೈ ಆಂಗ್ಯುಲರ್ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ಡಿಫ್ರಾಕ್ಷನ್ (ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿ)-ವಿಲ್ಕಿನ್ಸನ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಪರಿಚಯಿಸಿದರು. - ಸಾಪೇಕ್ಷ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ತಳಿಗಳು ಮತ್ತು ತಿರುಗುವಿಕೆಗಳನ್ನು ನಕ್ಷೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕೀಯ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯವಾಗಿ ಅಗತ್ಯವಾದ ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸುವಿಕೆ (ಜಿ. ಎನ್. ಡಿ) ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಅಂದಾಜು ಮಾಡಲು ಎಸ್. ಇ. ಎಂ-ಆಧಾರಿತ ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ವಿಧಾನವು ಸಬ್-ಪಿಕ್ಸೆಲ್ ನಿಖರತೆಯೊಂದಿಗೆ ವಿವಿಧ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ ವಿವರ್ತನೆಯ ಮಾದರಿಗಳಲ್ಲಿ (ಇಬಿಎಸ್ಪಿಗಳು) ಆಸಕ್ತಿಯ ಪ್ರದೇಶಗಳ (ಆರ್ಒಐ) ನಡುವಿನ ಮಾದರಿ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಇಮೇಜ್ ಕ್ರಾಸ್-ಕೋರಿಲೇಷನ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಸ್ಫಟಿಕದಲ್ಲಿನ ಎರಡು ಬಿಂದುಗಳ ನಡುವಿನ ಸಾಪೇಕ್ಷ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪವನ್ನು ಕನಿಷ್ಠ ನಾಲ್ಕು ನಾನ್-ಕೊಲೀನಿಯರ್ ಆರ್. ಓ. ಐ. ಯಿಂದ ಮಾದರಿ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಬಹುದು. ಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಾಗಿ, ಸಾಪೇಕ್ಷ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪವನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುವ ವಿರೂಪತೆಯ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಟೆನ್ಸರ್ಗೆ ಸೂಕ್ತವಾದ ಪರಿಹಾರವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಲು ಮಾದರಿ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಪ್ರತಿ ಇಬಿಎಸ್ಪಿಗೆ 20 ಕ್ಕೂ ಹೆಚ್ಚು ಆರ್ಒಐಗಳಲ್ಲಿ ಅಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಡಿಸ್ಪ್ಲೇಸ್ಮೆಂಟ್ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಟೆನ್ಸರ್ () (ಅಥವಾ ಸ್ಥಳೀಯ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪ) ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದ ಬಿಂದು () ಮತ್ತು ಅಸೋಸಿಯೇಟ್ (ನಾನ್-ಕೋಪ್ಲಾನಾರ್) ವೆಕ್ಟರ್ (), ಮತ್ತು ರೆಫರೆನ್ಸ್ ಪಾಯಿಂಟ್ () ಮಾದರಿ ಮತ್ತು ಅಸೋಸಿಯೇಟ್ ವೆಕ್ಟರ್ () ನಡುವಿನ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ಅಳೆಯಲಾದ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಬದಲಾವಣೆಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, (ಪ್ಯಾಟರ್ನ್ ಶಿಫ್ಟ್) ವೆಕ್ಟರ್ () ಅನ್ನು ಕೆಳಗಿನ ಸಮೀಕರಣಗಳಲ್ಲಿರುವಂತೆ ಬರೆಯಬಹುದು, ಅಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಕ್ರಮವಾಗಿ th ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ನಿರ್ದೇಶನ ಮತ್ತು ಸ್ಥಳಾಂತರವಾಗಿದೆ. ಶಿಫ್ಟ್ಗಳನ್ನು ಫಾಸ್ಫರ್ (ಡಿಟೆಕ್ಟರ್) ಪ್ಲೇನ್ () ನಲ್ಲಿ ಅಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧವನ್ನು ಸರಳಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ; ಹೀಗಾಗಿ, ಒಂಬತ್ತು ಸ್ಥಳಾಂತರ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಟೆನ್ಸರ್ ಘಟಕಗಳಲ್ಲಿ ಎಂಟನ್ನು ಇಬಿಎಸ್ಪಿಯಲ್ಲಿನ ನಾಲ್ಕು ವಿಭಿನ್ನ, ವ್ಯಾಪಕ ಅಂತರದ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ಶಿಫ್ಟ್ ಅನ್ನು ಅಳೆಯುವ ಮೂಲಕ ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಬಹುದು. ಈ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು ನಂತರ ಮಾದರಿ ಚೌಕಟ್ಟಿಗೆ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ (ವೈ-ಅಕ್ಷದ ಸುತ್ತಲೂ ತಿರುಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ) ಏಕೆಂದರೆ ಇಬಿಎಸ್ಪಿಯನ್ನು ರಂಜಕ ಪರದೆಯ ಮೇಲೆ ದಾಖಲಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕನ್ನಡಿಯಲ್ಲಿರುವಂತೆ ತಲೆಕೆಳಗಾಗುತ್ತದೆ. ನಂತರ ಅವುಗಳನ್ನು X-ಅಕ್ಷದ ಸುತ್ತ 24° ಯಿಂದ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ (ಅಂದರೆ, 20° ಮಾದರಿ ಟಿಲ್ಟ್ ಜೊತೆಗೆ ≈ 4° ಕ್ಯಾಮರಾ ಟಿಲ್ಟ್ ಮತ್ತು ಕಿರಣದ ಚಲನೆಯಿಂದ ಯಾವುದೇ ಕೋನೀಯ ಪರಿಣಾಮವಿಲ್ಲ ಎಂದು ಭಾವಿಸಿ). ಅನಂತ ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಸಿದ್ಧಾಂತವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು, ವಿರೂಪತೆಯ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಅನ್ನು ನಂತರ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಸ್ಟ್ರೈನ್ (ಸಮ್ಮಿತೀಯ ಭಾಗ, ಎಲ್ಲಿ), ಮತ್ತು ಜಾಲರಿ ತಿರುಗುವಿಕೆಗಳು (ಅಸಮಪಾರ್ಶ್ವದ ಭಾಗ, ಎಲ್ಲಿ) ಎಂದು ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಅಳತೆಗಳು ವಾಲ್ಯೂಮೆಟ್ರಿಕ್/ಹೈಡ್ರೋಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಟೆನ್ಸರ್ಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಸಾಮಾನ್ಯವಾದ ಒತ್ತಡವು () ಶೂನ್ಯವಾಗಿದೆ (ಅಂದರೆ, ಎಳೆತ-ಮುಕ್ತ ಮೇಲ್ಮೈ) ಎಂಬ ಗಡಿ ಷರತ್ತನ್ನು ವಿಧಿಸುವ ಮೂಲಕ ಮತ್ತು ಹುಕ್ನ ನಿಯಮವನ್ನು ಅನಿಸೋಟ್ರೋಪಿಕ್ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಬಿಗಿತ ಸ್ಥಿರಾಂಕಗಳೊಂದಿಗೆ ಬಳಸುವ ಮೂಲಕ, ಈ ನಿರ್ಬಂಧಿತ ಕನಿಷ್ಠೀಕರಣ ಸಮಸ್ಯೆಯಲ್ಲಿ ಕಾಣೆಯಾದ ಒಂಬತ್ತನೇ ಡಿಗ್ರಿ ಸ್ವಾತಂತ್ರ್ಯವನ್ನು ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಪರಿಹಾರಕವನ್ನು ಬಳಸುವ ಮೂಲಕ ಅಂದಾಜು ಮಾಡಬಹುದು. ಸ್ಫಟಿಕ ಅನಿಸೋಟ್ರೋಪಿಕ್ ಬಿಗಿತದ ಟೆನ್ಸರ್ ಎಲ್ಲಿದೆ? ಕಳೆದುಹೋದ ಒಂಬತ್ತನೇ (ಗೋಳಾಕಾರದ) ಒತ್ತಡದ ಟೆನ್ಸರ್ ಸೇರಿದಂತೆ ಸಂಸ್ಕರಿಸಿದ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ವಿಚಲನದ ಒತ್ತಡವನ್ನು () ಮರು ಲೆಕ್ಕಾಚಾರ ಮಾಡಲು ಈ ಎರಡು ಸಮೀಕರಣಗಳನ್ನು ಪರಿಹರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪೂರ್ಣತೆಯನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸುವ ಪರ್ಯಾಯ ವಿಧಾನವನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ಕಾಣಬಹುದು. ಅಂತಿಮವಾಗಿ, ಒತ್ತಡ ಮತ್ತು ಒತ್ತಡದ ಟೆನ್ಸರ್ಗಳನ್ನು ಸ್ಫಟಿಕ ಅನಿಸೊಟ್ರೊಪಿಕ್ ಬಿಗಿತದ ಟೆನ್ಸರ್ () ಬಳಸಿ ಮತ್ತು ಒತ್ತಡದ ಟೆನ್ಸರ್ಗಳ () ಸಮ್ಮಿತಿಯೊಂದಿಗೆ ಐನ್ಸ್ಟೈನ್ ಸಂಕಲನ ಸಂಪ್ರದಾಯವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಜೋಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲ್ಲಾ ಆರ್. ಓ. ಐ. ಗಳ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಬಂಧದ ತೀವ್ರತೆ/ಶಿಖರಗಳ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಸರಾಸರಿಯನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಮೂಲಕ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾದ ದತ್ತಾಂಶದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ನಿರ್ಣಯಿಸಬಹುದು. 0. 25ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಮೌಲ್ಯವು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. ಗಳ ಗುಣಮಟ್ಟದಲ್ಲಿನ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಜ್ಯಾಮಿತೀಯವಾಗಿ ಅಗತ್ಯವಾದ ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸುವಿಕೆ (ಜಿ. ಎನ್. ಡಿ.) ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಎಚ್. ಆರ್.-ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ಅಳತೆ ಮಾಡಿದ ಜಾಲರಿ ತಿರುಗುವಿಕೆಯಿಂದ, ನೆರೆಯ ನಕ್ಷೆಯ ಬಿಂದುಗಳ ನಡುವಿನ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಅಕ್ಷ ಮತ್ತು ಕೋನವನ್ನು ನೈಸ್ ಟೆನ್ಸರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸುವಿಕೆಯ ಪ್ರಕಾರಗಳು ಮತ್ತು ವಸ್ತುವಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿ ಅಂದಾಜು ಮಾಡಬಹುದು. ನಿಖರತೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ವಿಧಾನವು ಸ್ಥಳಾಂತರ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಟೆನ್ಸರ್ಗಳ ಘಟಕಗಳಲ್ಲಿ (ಅಂದರೆ, ರೇಡಿಯನ್ಗಳಲ್ಲಿ ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ತಿರುಗುವಿಕೆ) ± 0.05 ಪಿಕ್ಸೆಲ್ಗಳ ಮಾದರಿಯ ಚಿತ್ರ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ನಲ್ಲಿ ಶಿಫ್ಟ್ಗಳನ್ನು ಅಳೆಯುವ ಮೂಲಕ ± 10−4 ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಬಹುದು. ಬ್ರಿಟಾನ್ ಮತ್ತು ವಿಲ್ಕಿನ್ಸನ್ ಅವರು ಮರು-ಮ್ಯಾಪಿಂಗ್ ತಂತ್ರವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಮಿತಿಯನ್ನು ~ 11° ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸುವವರೆಗೆ ಇದು ಸಣ್ಣ ತಳಿಗಳು ಮತ್ತು ತಿರುಗುವಿಕೆಗಳಿಗೆ (> 1.5°) ಸೀಮಿತವಾಗಿತ್ತು, ಇದು ಮೊದಲ ಅಡ್ಡ-ಸಂಬಂಧದ ಪುನರಾವರ್ತನೆಯಿಂದ ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಿದ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ () ನೊಂದಿಗೆ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಪರಿವರ್ತಿಸಿದ ನಂತರ ತಿರುಗುವಿಕೆಯನ್ನು ಮರು ಲೆಕ್ಕಾಚಾರ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಜಾಲರಿಯ ತಿರುಗುವಿಕೆಯು, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ತೀವ್ರವಾದ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ವಿರೂಪಗಳಿಂದ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ, ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಒತ್ತಡದ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳಲ್ಲಿ ದೋಷಗಳನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. ಈ ಸಮಸ್ಯೆಯನ್ನು ಪರಿಹರಿಸಲು, ರಗ್ಲೆಸ್ ಮತ್ತು ಇತರರು. ಕ್ರಾಸ್-ಕೊರೆಲೇಷನ್ ಬದಲಿಗೆ ವಿಲೋಮ ಸಂಯೋಜನೆಯ ಗಾಸ್-ನ್ಯೂಟನ್-ಆಧಾರಿತ (ಐಸಿಜಿಎನ್) ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ 12° ನಲ್ಲಿಯೂ ಸಹ ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಿದೆ. ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. ಗಳನ್ನು ಸಣ್ಣ ಆರ್. ಓ. ಐ. ಗಳಾಗಿ ವಿಭಜಿಸುವ ಬದಲು ಫುಲ್-ಫೀಲ್ಡ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಡಿಜಿಟಲ್ ಇಮೇಜ್ ಕೋರಿಲೇಷನ್ (ಐ. ಡಿ. ಐ. ಸಿ.) ಚೌಕಟ್ಟನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸ್ಥಳಾಂತರ ಗ್ರೇಡಿಯಂಟ್ ಘಟಕಗಳಲ್ಲಿ ±10−5 ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸುವ ವಿಧಾನವನ್ನು ವರ್ಮೀಜ್ ಮತ್ತು ಹೋಫ್ನಾಗಲ್ಸ್ ಸ್ಥಾಪಿಸಿದರು. ~ 14° ವರೆಗೆ ಮರು-ನಕ್ಷೆಯ ಅಗತ್ಯವನ್ನು ನಿರಾಕರಿಸಲು ಐ. ಡಿ. ಐ. ಸಿ. ಯಲ್ಲಿನ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ವಿರೂಪಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ-ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಅಳತೆಗಳು ಹೈಡ್ರೋಸ್ಟಾಟಿಕ್ ಅಥವಾ ವಾಲ್ಯೂಮೆಟ್ರಿಕ್ ತಳಿಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಏಕೆಂದರೆ ಜಾಲರಿ ಸಮತಲಗಳ (ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ದಿಕ್ಕುಗಳು) ದಿಕ್ಕುಗಳಲ್ಲಿ ಯಾವುದೇ ಬದಲಾವಣೆಯಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಕಿಕುಚಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗಳ ಸ್ಥಾನ ಮತ್ತು ಅಗಲದಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ಬದಲಾವಣೆಗಳಾಗುತ್ತವೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎಚ್. ಆರ್.-ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯಲ್ಲಿ, ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಇನ್ನೂ ನಕ್ಷೆಯಲ್ಲಿನ ಪ್ರತಿ ಧಾನ್ಯದ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿ ಅಥವಾ ಬಿಂದುವಿಗೆ (ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0) ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದು ಬಿಂದುವಿನಲ್ಲಿನ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಪ್ರತಿ ಧಾನ್ಯದಲ್ಲಿನ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಈ ಬಿಂದುವಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಅಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ; ಆದ್ದರಿಂದ, ಉಲ್ಲೇಖ ಬಿಂದುವಿನಲ್ಲಿ (ಅನಿಯಂತ್ರಿತ ಸ್ಫಟಿಕಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ) ಸಂಪೂರ್ಣ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪವನ್ನು ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಒತ್ತಡ ಮತ್ತು ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ನಕ್ಷೆಗಳಿಂದ ಹೊರಗಿಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ 'ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯ ಸಮಸ್ಯೆಯು' ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ವಿವರ್ತನೆಯಲ್ಲಿನ 'ಡಿ0 ಸಮಸ್ಯೆಯನ್ನು' ಹೋಲುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಒತ್ತಡ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳ ನಾಮಮಾತ್ರದ ಪ್ರಮಾಣದ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯನ್ನು (ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0) ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದು ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರ ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ತೀವ್ರವಾಗಿ ವಿರೂಪಗೊಂಡ ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ನಕ್ಷೆಯ ಮೌಲ್ಯಗಳಿಗೆ ಫ್ಯಾಂಟಮ್ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ, ಮಾಪನದ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ನಲ್ಲಿನ ಸ್ಥಳೀಯ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪವು ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಬರುವ ಎಚ್. ಆರ್.-ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ನಕ್ಷೆಯ ಮೇಲೆ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಒತ್ತಡದಲ್ಲಿ ವಿರೂಪಗೊಂಡ ಒಂದು ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯು ಎಚ್. ಆರ್.-ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ನಕ್ಷೆಯ ಕರ್ಷಕ ಒತ್ತಡದ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪರೋಕ್ಷವಾಗಿ ಇತರ ಘಟಕಗಳ ಪ್ರಮಾಣ ಮತ್ತು ತಳಿಯ ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ವಿತರಣೆಯ ಮೇಲೆ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಇಬಿಎಸ್ಪಿ0 ಆಯ್ಕೆಯು ಜಿಎನ್ಡಿ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ವಿತರಣೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಮಾಣದ ಮೇಲೆ ಸ್ವಲ್ಪ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಜಿಎನ್ಡಿ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಅಡ್ಡ-ಸಂಬಂಧದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಪ್ರಾದೇಶಿಕ ವಿತರಣೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪದೊಂದಿಗೆ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ದೋಷಗಳನ್ನು ಪ್ರೇರೇಪಿಸುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ನ ಐಕ್ಯೂ ಮತ್ತು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ನ ಸ್ಥಳೀಯ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪತೆಯ ನಡುವೆ ಯಾವುದೇ ಸ್ಪಷ್ಟ ಸಂಬಂಧವಿಲ್ಲ. ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ವಿವರ್ತನ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಮಾದರಿಗಳ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಮಿತಿಗೊಳಿಸುವ ಆಳದೊಂದಿಗೆ ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚದುರುವಿಕೆಯ ವ್ಯತ್ಯಾಸದಿಂದ ತೊಂದರೆಗಳು ಉದ್ಭವಿಸುವುದರಿಂದ ಮತ್ತು ಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಾಗಿ ಪಡೆದ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಬಳಸುವಾಗ ರದ್ದುಗೊಳ್ಳುವ ಫ್ಯಾಂಟಮ್ ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಘಟಕಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವ ಮಾದರಿ ಕೇಂದ್ರದ ನಿಖರತೆಯಿಲ್ಲದ ನಿರ್ಣಯದಿಂದಾಗಿ ಸಂಪೂರ್ಣ ಒತ್ತಡ ಮಾಪನಕ್ಕಾಗಿ ಸಿಮ್ಯುಲೇಟೆಡ್ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಗಳ ಬಳಕೆಯು ಇನ್ನೂ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಪರಿಶೀಲನೆಯ ಸಕ್ರಿಯ ಕ್ಷೇತ್ರವಾಗಿದೆ. ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ಪ್ಲಾಸ್ಟಿಸಿಟಿ ಫೈನೈಟ್-ಎಲಿಮೆಂಟ್ (ಸಿ. ಪಿ. ಎಫ್. ಇ) ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ನಲ್ಲಿನ ಸಂಪೂರ್ಣ ಒತ್ತಡವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಬಹುದು ಎಂದು ಇತರ ವಿಧಾನಗಳು ಭಾವಿಸಿವೆ, ನಂತರ ಅದನ್ನು ಎಚ್. ಆರ್-ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ ದತ್ತಾಂಶದೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಬಹುದು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ರೇಖೀಯ 'ಟಾಪ್-ಅಪ್' ವಿಧಾನ ಅಥವಾ ಸ್ಥಳಾಂತರ ಏಕೀಕರಣವನ್ನು ಬಳಸಿ) ಸಂಪೂರ್ಣ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪಗಳನ್ನು ಲೆಕ್ಕಹಾಕಲು. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಜಿ. ಎನ್. ಡಿ. ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಅಂದಾಜನ್ನು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ಆಯ್ಕೆಗೆ ನಾಮಮಾತ್ರವಾಗಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಲ್ಲದ (ಅಥವಾ ಕಡಿಮೆ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿದೆ) ಎಂದು ಪರಿಗಣಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಜಿ. ಎನ್. ಡಿ. ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಕ್ಕೆ ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ನಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿನ ನೆರೆಹೊರೆಯ ಬಿಂದುವಿನಿಂದ ಬಿಂದುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ಮಾತ್ರ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ಯ ಸಂಪೂರ್ಣ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪವು ಸಾಪೇಕ್ಷ ಜಾಲರಿಯ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ನಕ್ಷೆಯ ಘಟಕಗಳನ್ನು ಸ್ಥಿರ ಮೌಲ್ಯದಿಂದ ಮಾತ್ರ ಬದಲಾಯಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಇದು ಊಹಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ವ್ಯುತ್ಪನ್ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಳ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಕಣ್ಮರೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಅಂದರೆ, ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪತೆಯ ವಿತರಣೆಯು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ಆಯ್ಕೆಗೆ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಲ್ಲ. ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಪಿ. 0 ಆಯ್ಕೆಗಾಗಿ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯ ಮಾನದಂಡವನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದು ಒಂದು ಅಥವಾ ಇವುಗಳ ಮಿಶ್ರಣವಾಗಿರಬಹುದುಃ ಕಡಿಮೆ ಜಿ. ಎನ್. ಡಿ ಸಾಂದ್ರತೆ ಹೊಂದಿರುವ ಬಿಂದುಗಳಿಂದ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದು ಅಥವಾ ಕಡಿಮೆ ಕರ್ನಲ್ ಸರಾಸರಿ ತಪ್ಪು ನಿರ್ದೇಶನ (ಕೆ. ಎ. ಎಂ) ಅನ್ನು ಹಾಫ್ ಅಳತೆ ಮಾಡಿದ ಸ್ಥಳೀಯ ಧಾನ್ಯದ ತಪ್ಪು ನಿರ್ದೇಶನಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದು; ಹೆಚ್ಚಿನ ಚಿತ್ರ ಗುಣಮಟ್ಟ (ಐಕ್ಯೂ) ಹೊಂದಿರುವ ಬಿಂದುಗಳಿಂದ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದು, ಅದರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯ ಪರಿಮಾಣದೊಳಗೆ ಕಡಿಮೆ ದೋಷ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಹುದು, ಆದ್ದರಿಂದ ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ವಸ್ತುವಿನ ಕಡಿಮೆ-ಒತ್ತಡದ ಪ್ರದೇಶವೆಂದು ಭಾವಿಸಲಾಗಿದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಐಕ್ಯೂ ಸ್ಪಷ್ಟವಾದ ಭೌತಿಕ ಅರ್ಥವನ್ನು ಹೊಂದಿಲ್ಲ, ಮತ್ತು ಅಳತೆ ಮಾಡಲಾದ ಸಾಪೇಕ್ಷ ಜಾಲರಿಯ ವಿರೂಪತೆಯ ಪ್ರಮಾಣಗಳು ಇಬಿಎಸ್ಪಿ0ನ ಐಕ್ಯೂಗೆ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ; ಇಬಿಎಸ್ಪಿ0ಅನ್ನು ವ್ಯಕ್ತಿನಿಷ್ಠ ಮಾನದಂಡಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಂಭಾವ್ಯ ಒತ್ತಡದ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳಾದ ಧಾನ್ಯದ ಗಡಿಗಳು, ಸೇರ್ಪಡೆಗಳು ಅಥವಾ ಬಿರುಕುಗಳಿಂದ ದೂರವಿರಲು ಕೈಯಿಂದ ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಬಹುದು; ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯ ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಉಲ್ಲೇಖ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಗುರುತಿಸಲು ಪುನರಾವರ್ತಿತ ಕ್ರಮಾವಳಿಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಅಡ್ಡ-ಸಂಬಂಧದ ನಿಯತಾಂಕ ಮತ್ತು ಕೋನೀಯ ದೋಷದ ನಡುವಿನ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಿದ ನಂತರ ಇಬಿಎಸ್ಪಿ0ಅನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವುದು. ಈ ನಿಯತಾಂಕಗಳು ಉಲ್ಲೇಖ ಬಿಂದುವಿನಲ್ಲಿ ಒತ್ತಡದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸಬಹುದು ಎಂದು ಈ ಮಾನದಂಡಗಳು ಊಹಿಸುತ್ತವೆ, ಇದು 3.2x10−4 ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಒತ್ತಡದ ನಿಖರವಾದ ಅಳತೆಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಅಳತೆಗಳು ಸಮತಲದ ಹೊರಗಿನ ಸೀರ್ ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಘಟಕಗಳ ವಿತರಣೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುವಲ್ಲಿ ಎಚ್ಆರ್-ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯ ಅಸಮರ್ಪಕತೆಯನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ. ವಸ್ತುಗಳ ವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್, ಭೂವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಜೈವಿಕ ಸಂಶೋಧನೆ ಸೇರಿದಂತೆ ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮೆಟೀರಿಯಲ್ಸ್ ಸೈನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ನಲ್ಲಿ, ಲೋಹಗಳು, ಸೆರಾಮಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಪಾಲಿಮರ್ಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ವಸ್ತು ನಡವಳಿಕೆಯ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಭೂವಿಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ, ಖನಿಜಗಳು ಮತ್ತು ಬಂಡೆಗಳ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಜೈವಿಕ ಸಂಶೋಧನೆಯಲ್ಲಿ, ಜೈವಿಕ ಅಂಗಾಂಶಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಮೂಳೆ ಮತ್ತು ಹಲ್ಲುಗಳಂತಹ ಜೈವಿಕ ವಸ್ತುಗಳ ರಚನೆಯನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಲು ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಚದುರಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಇಮೇಜಿಂಗ್ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ಗಳು ಕೆಳಭಾಗದಲ್ಲಿ, ಮಧ್ಯದಲ್ಲಿ (ಎಂಎಸ್ಡಿ) ಮತ್ತು ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ನ ಮೇಲ್ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಮುಂದಕ್ಕೆ ಚದುರಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಡಯೋಡ್ಗಳನ್ನು (ಎಫ್ಎಸ್ಡಿ) ಹೊಂದಿರಬಹುದು. ಫಾರ್ವರ್ಡ್-ಸ್ಕ್ಯಾಟರ್ಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ (ಎಫ್ಎಸ್ಇ) ಚಿತ್ರಣವು ಮಾದರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಸಣ್ಣ ಕೋನಗಳಲ್ಲಿ ಚದುರಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ, ಇದು ಮೇಲ್ಮೈ ಸ್ಥಳಾಕೃತಿ ಮತ್ತು ಸಂಯೋಜನೆಯ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಎಫ್ಎಸ್ಇ ಸಂಕೇತವು ಮಾದರಿಯ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನಕ್ಕೂ ಸಹ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಎಫ್ಎಸ್ಇ ಸಂಕೇತದ ತೀವ್ರತೆ ಮತ್ತು ವ್ಯತಿರಿಕ್ತತೆಯನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಸಂಶೋಧಕರು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿನ ಪ್ರತಿ ಪಿಕ್ಸೆಲ್ನ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಬಹುದು. ಎಫ್ಎಸ್ಇ ಸಂಕೇತವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯಲ್ಲಿ ಬಿಎಸ್ಇ ಸಂಕೇತದೊಂದಿಗೆ ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಬಿಎಸ್ಇ ಸಂಕೇತವು ಮಾದರಿಯ ಸರಾಸರಿ ಪರಮಾಣು ಸಂಖ್ಯೆಗೆ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ಸ್ಥಳಾಕೃತಿ ಮತ್ತು ಸಂಯೋಜನೆಯ ಚಿತ್ರವನ್ನು ರಚಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನದ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ಬಿಎಸ್ಇ ಚಿತ್ರದ ಮೇಲೆ ಎಫ್ಎಸ್ಇ ಸಂಕೇತವನ್ನು ಹೇರಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇಮೇಜಿಂಗ್ ಸಾಧನವಾಗಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಡಿಟೆಕ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವಾಗ ಇಮೇಜ್ ಪೀಳಿಗೆಗೆ ಸಾಕಷ್ಟು ಸ್ವಾತಂತ್ರ್ಯವಿದೆ. ಡಯೋಡ್ಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ರಚಿಸಲಾದ ಚಿತ್ರವನ್ನು ವರ್ಚುವಲ್ ಅಥವಾ ವಿಎಫ್ಎಸ್ಡಿ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಸಿಸಿಡಿ ಕ್ಯಾಮೆರಾವನ್ನು ಅತಿಯಾಗಿ ಬಿನ್ನಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಎಸ್ಇಎಂನಲ್ಲಿ ನಿಧಾನಗತಿಯ ಸ್ಕ್ಯಾನ್ ಇಮೇಜಿಂಗ್ಗೆ ಹೋಲುವ ದರದಲ್ಲಿ ಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ. ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಸೆರೆಹಿಡಿದ ಚಿತ್ರಗಳಿಂದ ಸಂಯೋಜಿತ ಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ರಚಿಸುವ ಮೂಲಕ ಆಸಕ್ತಿಯ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತತೆಯನ್ನು ನಿಗ್ರಹಿಸಲು ಅಥವಾ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ, ಇದು ವಿವಿಧ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ನಿರ್ಣಯಿಸಲು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಸಂಯೋಜನೆಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ವಿಎಫ್ಎಸ್ಡಿ ಚಿತ್ರಗಳು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ನಕ್ಷೆಗಳಿಗೆ ಅಂತರ್ಗತವಾಗಿರುವ ಪರಿಮಾಣಾತ್ಮಕ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವುದಿಲ್ಲ; ಅವು ಕೇವಲ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯಗಳನ್ನು ನೀಡುತ್ತವೆ. ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ/ಇಡಿಎಸ್ ಮ್ಯಾಪಿಂಗ್ ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಇಡಿಎಸ್/ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಸಂಗ್ರಹವನ್ನು ಸಾಧಿಸಿದಾಗ, ಎರಡೂ ತಂತ್ರಗಳ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು. ಮಾದರಿ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರ ಅಥವಾ ಹಂತವನ್ನು ಒಂದೇ ರೀತಿಯ ಸಂಯೋಜನೆಯಿಂದಾಗಿ ಇ. ಡಿ. ಎಸ್. ಮೂಲಕ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲದ ಅನ್ವಯಗಳಿವೆ, ಮತ್ತು ಅಸ್ಪಷ್ಟ ರಚನೆಯ ಪರಿಹಾರಗಳಿಂದಾಗಿ ರಚನೆಯನ್ನು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ಯೊಂದಿಗೆ ಮಾತ್ರ ಪರಿಹರಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಸಮಗ್ರ ನಕ್ಷೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು, ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಸ್ಕ್ಯಾನ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ಹಂತದಲ್ಲೂ, ಹಾಫ್ ಪೀಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಇ. ಡಿ. ಎಸ್ ಪ್ರದೇಶದ ಆಸಕ್ತಿಯ ಎಣಿಕೆಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹಂತಗಳ ಸ್ಥಾನಗಳನ್ನು ಕ್ಷ-ಕಿರಣ ನಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ಅಂಶದ ಅಳತೆ ಮಾಡಿದ ಇ. ಡಿ. ಎಸ್ ತೀವ್ರತೆಗಳನ್ನು ಚಾರ್ಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಧಾನ್ಯಗಳನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಲು ಪ್ರತಿ ಹಂತಕ್ಕೂ ರಾಸಾಯನಿಕ ತೀವ್ರತೆಯ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ನಿಗದಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ನಂತರ ಎಲ್ಲಾ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಆಫ್ಲೈನ್ನಲ್ಲಿ ಮರು-ಸೂಚ್ಯಂಕ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ದಾಖಲಿತ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರವು ಪ್ರತಿ ಬಿಂದುವನ್ನು ಸೂಚ್ಯಂಕಗೊಳಿಸಲು ಯಾವ ಹಂತ/ಸ್ಫಟಿಕ-ರಚನೆಯ ಕಡತವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ರತಿಯೊಂದು ಮಾದರಿಯನ್ನು ಕೇವಲ ಒಂದು ಹಂತದಿಂದ ಸೂಚ್ಯಂಕ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವಿಶಿಷ್ಟ ಹಂತಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುವ ನಕ್ಷೆಗಳನ್ನು ರಚಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇ. ಡಿ. ಎಸ್. ಮತ್ತು ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ. ಗಳ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯ ಪರಿಮಾಣಗಳು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ವಿಭಿನ್ನವಾಗಿವೆ (ಹತ್ತಾರು ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ಗಳ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿ), ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಬಾಗಿದ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಬಳಸುವ ಈ ಪರಿಮಾಣಗಳ ಆಕಾರವು ಹಂತದ ತಾರತಮ್ಯದ ಕ್ರಮಾವಳಿಗಳ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರಬಹುದು. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ, ಕ್ಯಾಥೋಡೋಲುಮಿನಿಸೆನ್ಸ್ (ಸಿಎಲ್), ತರಂಗಾಂತರ ಪ್ರಸರಣ ಎಕ್ಸ್-ರೇ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (ಡಬ್ಲ್ಯುಡಿಎಸ್) ಮತ್ತು/ಅಥವಾ ಇಡಿಎಸ್ನಂತಹ ಇತರ ಇನ್-ಎಸ್ಇಎಂ ತಂತ್ರಗಳೊಂದಿಗೆ ಬಳಸಿದಾಗ ಮಾದರಿಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಆಳವಾದ ಒಳನೋಟವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹಂತದ ಗುರುತಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಖನಿಜಗಳಾದ ಕ್ಯಾಲ್ಸೈಟ್ (ಸುಣ್ಣದ ಕಲ್ಲು) ಮತ್ತು ಅರಗೊನೈಟ್ (ಚಿಪ್ಪು) ಒಂದೇ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ-ಕ್ಯಾಲ್ಸಿಯಂ ಕಾರ್ಬೋನೇಟ್ (CaCO3) ಆದ್ದರಿಂದ ಇ. ಡಿ. ಎಸ್/ಡಬ್ಲ್ಯೂ. ಡಿ. ಎಸ್ ಅವುಗಳನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಅವು ವಿಭಿನ್ನ ಮೈಕ್ರೋಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ ಆದ್ದರಿಂದ ಇ. ಬಿ. ಎಸ್. ಡಿ ಅವುಗಳ ನಡುವೆ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಗುರುತಿಸಬಹುದು. ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ/ಡಿಐಸಿ ಮ್ಯಾಪಿಂಗ್ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಮತ್ತು ಡಿಜಿಟಲ್ ಇಮೇಜ್ ಕೋರಿಲೇಷನ್ (ಡಿಐಸಿ) ಅನ್ನು ವಸ್ತುಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆ ಮತ್ತು ವಿರೂಪತೆಯ ನಡವಳಿಕೆಯನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸಲು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಬಳಸಬಹುದು. ಡಿಐಸಿ ಎಂಬುದು ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿನ ವಿರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಒತ್ತಡದ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಡಿಜಿಟಲ್ ಇಮೇಜ್ ಪ್ರೊಸೆಸಿಂಗ್ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಬಳಸುವ ಒಂದು ವಿಧಾನವಾಗಿದೆ. ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಮತ್ತು ಡಿಐಸಿಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಸಂಶೋಧಕರು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ವಸ್ತುವಿನ ಬಗ್ಗೆ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು. ಇದು ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ನಡವಳಿಕೆಯ ನಡುವಿನ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಸಮಗ್ರವಾಗಿ ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ, ಇದು ವಸ್ತು ವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ನಂತಹ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಉಪಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಡಿಐಸಿ ಒಂದು ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿ ತಳಿಯ ಸ್ಥಳೀಕರಣದ ಪ್ರದೇಶಗಳನ್ನು ಗುರುತಿಸಬಹುದು, ಆದರೆ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಈ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿನ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ಬಗ್ಗೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು. ಈ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಸಂಶೋಧಕರು ಗಮನಿಸಿದ ತಳಿ ಸ್ಥಳೀಕರಣಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾದ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಒಳನೋಟವನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ವಿರೂಪಗೊಳ್ಳುವ ಮೊದಲು ಮತ್ತು ನಂತರ ಗ್ರೇನ್ ಓರಿಯೆಂಟೇಶನ್ಗಳು ಮತ್ತು ಬೌಂಡರಿ ಮಿಸ್ ಓರಿಯೆಂಟೇಶನ್ಗಳನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಇದಕ್ಕೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ, ವಿರೂಪದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿನ ಒತ್ತಡದ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಡಿ. ಐ. ಸಿ. ಯನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಅಥವಾ ವಿರೂಪದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ವಿವಿಧ ಸ್ಲಿಪ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಗುರುತಿಸಲು ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು, ಆದರೆ ಸಂಬಂಧಿತ ಸ್ಟ್ರೈನ್ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳನ್ನು ಅಳೆಯಲು ಡಿಐಸಿಯನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಈ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಪರಸ್ಪರ ಸಂಬಂಧಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಸಂಶೋಧಕರು ವಸ್ತುವಿನ ಯಾಂತ್ರಿಕ ನಡವಳಿಕೆಯಲ್ಲಿ ವಿಭಿನ್ನ ವಿರೂಪತೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳ ಪಾತ್ರವನ್ನು ಚೆನ್ನಾಗಿ ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಒಟ್ಟಾರೆಯಾಗಿ, ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಮತ್ತು ಡಿಐಸಿಯ ಸಂಯೋಜನೆಯು ವಸ್ತುಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆ ಮತ್ತು ವಿರೂಪತೆಯ ನಡವಳಿಕೆಯನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಲು ಪ್ರಬಲ ಸಾಧನವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ವಿಧಾನವನ್ನು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ವಸ್ತುಗಳು ಮತ್ತು ವಿರೂಪತೆಯ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಿಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ನಡವಳಿಕೆಗೆ ಆಧಾರವಾಗಿರುವ ಮೂಲಭೂತ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳ ಬಗ್ಗೆ ಒಳನೋಟಗಳನ್ನು ನೀಡುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. 3ಡಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ 3ಡಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ವಸ್ತುವಿನ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ರಚನೆಯ ಮೂರು ಆಯಾಮದ ನಕ್ಷೆಯನ್ನು ರಚಿಸಲು ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ಸರಣಿ ವಿಭಾಗ ವಿಧಾನಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ತಂತ್ರವು ಮಾದರಿಯನ್ನು ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ ತೆಳುವಾದ ಚೂರುಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಪ್ರತಿ ಸ್ಲೈಸ್ನ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವನ್ನು ನಕ್ಷೆ ಮಾಡಲು ಇಬಿಎಸ್ಡಿಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಬರುವ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ ನಕ್ಷೆಗಳನ್ನು ನಂತರ ಸಂಯೋಜಿಸಿ ವಸ್ತುವಿನ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ರಚನೆಯ 3ಡಿ ನಕ್ಷೆಯನ್ನು ರಚಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮೆಕ್ಯಾನಿಕಲ್ ಪಾಲಿಶಿಂಗ್, ಫೋಕಸ್ಡ್ ಅಯಾನ್ ಬೀಮ್ (ಎಫ್. ಐ. ಬಿ) ಮಿಲ್ಲಿಂಗ್ ಅಥವಾ ಅಲ್ಟ್ರಾಮೈಕ್ರೋಟಮಿ ಸೇರಿದಂತೆ ವಿವಿಧ ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸರಣಿ ವಿಭಾಗವನ್ನು ಮಾಡಬಹುದು. ವಿಭಾಗಿಸುವ ವಿಧಾನದ ಆಯ್ಕೆಯು ಮಾದರಿಯ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಆಕಾರ, ಅದರ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂಯೋಜನೆ, ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕತೆ ಮತ್ತು ಯಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, ಜೊತೆಗೆ 3ಡಿ ನಕ್ಷೆಯ ಅಪೇಕ್ಷಿತ ರೆಸಲ್ಯೂಶನ್ ಮತ್ತು ನಿಖರತೆಯನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ 2ಡಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿಗಿಂತ 3ಡಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಹಲವಾರು ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಮೊದಲನೆಯದಾಗಿ, ಇದು ವಸ್ತುವಿನ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ರಚನೆಯ ಸಂಪೂರ್ಣ ಚಿತ್ರಣವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ಹೆಚ್ಚು ನಿಖರವಾದ ಮತ್ತು ವಿವರವಾದ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗೆ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಎರಡನೆಯದಾಗಿ, ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತುಗಳು ಅಥವಾ ಬಹು-ಹಂತದ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವ ಸಂಕೀರ್ಣ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಇದನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಮೂರನೆಯದಾಗಿ, ವಿರೂಪ ಅಥವಾ ಶಾಖ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಕಾಲಾನಂತರದಲ್ಲಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ವಿಕಾಸವನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಇದನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಆದಾಗ್ಯೂ, 3ಡಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಕೂಡ ಕೆಲವು ಮಿತಿಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಇದಕ್ಕೆ ವ್ಯಾಪಕವಾದ ದತ್ತಾಂಶ ಸಂಗ್ರಹಣೆ ಮತ್ತು ಸಂಸ್ಕರಣೆ, ತುಣುಕುಗಳ ನಡುವೆ ಸರಿಯಾದ ಜೋಡಣೆ ಮತ್ತು ಸಮಯ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಮತ್ತು ಗಣನೆಯ ತೀವ್ರತೆಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, 3ಡಿ ನಕ್ಷೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟವು ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ನಕ್ಷೆಗಳ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ, ಇದು ಮಾದರಿ ತಯಾರಿಕೆ, ದತ್ತಾಂಶ ಸ್ವಾಧೀನ ನಿಯತಾಂಕಗಳು ಮತ್ತು ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ ವಿಧಾನಗಳಂತಹ ಅಂಶಗಳಿಂದ ಪ್ರಭಾವಿತವಾಗಬಹುದು. ಒಟ್ಟಾರೆಯಾಗಿ, 3ಡಿ ಇಬಿಎಸ್ಡಿ ಮೂರು ಆಯಾಮಗಳಲ್ಲಿ ವಸ್ತುಗಳ ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರದ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲು ಪ್ರಬಲವಾದ ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದನ್ನು ವಸ್ತು ವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಟಿಪ್ಪಣಿಗಳು ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಓದುವಿಕೆ ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಕೋಡ್ಸ್ ವೀಡಿಯೊಗಳು ವಿವರ್ತನೆಯ ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ತಂತ್ರಗಳು ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ