Calcium copper titanate
ಕ್ಯಾಲ್ಸಿಯಂ ಕಾಪರ್ ಟೈಟಾನೇಟ್ (ಕ್ಯಾಲ್ಸಿಯಂ ಕಾಪರ್ ಟೈಟಾನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ಗೆ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ಸಿ. ಸಿ. ಟಿ. ಓ) ಎಂಬುದು CaCu3Ti4O12 ಸೂತ್ರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಅಜೈವಿಕ ಸಂಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಇದು ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ 10,000 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಅತಿದೊಡ್ಡ ಅವಾಹಕ ಸ್ಥಿರಾಂಕಕ್ಕೆ (ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಸಾಪೇಕ್ಷ ಅನುಮತಿ) ಹೆಸರುವಾಸಿಯಾಗಿದೆ. ಸಿಸಿಟಿಒಯನ್ನು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1967ರಲ್ಲಿ ಆಲ್ಫ್ರೆಡ್ ಡೆಸ್ಚಾನ್ವ್ರೆಸ್ ಮತ್ತು ಅವರ ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಿದರು. ರಚನಾತ್ಮಕ ಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ತಿಳಿದಿರುವಾಗ, ಯಾವುದೇ ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಅಳೆಯಲಾಗಿರಲಿಲ್ಲ. 2000 ರಲ್ಲಿ, ಡುಪಾಂಟ್ ಸೆಂಟ್ರಲ್ ಆರ್ & ಡಿಯಲ್ಲಿನ ಮಾಸ್ ಸುಬ್ರಮಣಿಯನ್ ಮತ್ತು ಅವರ ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಸಿಸಿಟಿಒ 10,000 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಥಿರಾಂಕವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು, ಸಾಮಾನ್ಯ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಎಸ್ಆರ್ಟಿಐಒ 3 ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ 300 ಸ್ಥಿರಾಂಕವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಅಂದಿನಿಂದ, ಇದು ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಕಂಡುಕೊಂಡಿದೆ. ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆ ಮತ್ತು ರಚನೆ ಈ ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಯನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಒತ್ತಡದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಶುದ್ಧ ಸಿ. ಸಿ. ಟಿ. ಓ. ಅನ್ನು 1000 ಮತ್ತು 1200 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ನಡುವಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಲೋಹದ ಕಾರ್ಬೋನೇಟ್ ಮತ್ತು ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪೂರ್ವಗಾಮಿಗಳ ನಿಕಟ ಮಿಶ್ರಣಗಳ ಮೂಲಕ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಘನ ಸ್ಥಿತಿಯ ವಿಧಾನಗಳಿಂದ ಸುಲಭವಾಗಿ ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಬಹುದು. 4TiO2 + CaCO3 + 3CuO → CaCu3Ti4O12 + CO2 CaCu3Ti4O12 ರಚನೆಯ ಪ್ರಕಾರವನ್ನು ಘನ ಪೆರೋವ್ಸ್ಕೈಟ್ ರಚನೆಯಿಂದ ಪಡೆಯಲಾಗಿದೆ, ಇದು GdFeO3 ನಂತೆ ಆಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಟಿಲ್ಟಿಂಗ್ ವಿರೂಪದಿಂದ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. ಎರಡೂ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ ವಿರೂಪವು ಎ-ಕ್ಯಾಟಯಾನುಗಳ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಕ್ಯೂಬಿಕ್ ರೀಓ3 ಜಾಲದ ನಡುವಿನ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯಿಂದ ಪ್ರೇರೇಪಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, CaCu3Ti4O12 ಮತ್ತು GdFeO3 ಗಳು ಅಷ್ಟಭುಜಾಕೃತಿಯ ಬಾಗುವಿಕೆಯ ವಿಭಿನ್ನ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ (ಗ್ಲೇಜರ್ ಸಂಕೇತದಲ್ಲಿ a − b + a − ಮತ್ತು a + a + a +). GdFeO3 ರಚನೆಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಆಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಟಿಲ್ಟಿಂಗ್ ವಿರೂಪವು ಎಲ್ಲಾ ಎ-ಕ್ಯಾಷನ್ ಪರಿಸರಗಳು ಒಂದೇ ರೀತಿಯ ರಚನೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಇದಕ್ಕೆ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತವಾಗಿ, CaCu3Ti4O12 ರಚನೆಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಆಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಟಿಲ್ಟಿಂಗ್ ವಿರೂಪವು ಒಂದು ರಚನೆಯನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಶೇಕಡಾ 75ರಷ್ಟು ಎ-ಕೇಷನ್ ತಾಣಗಳು (ಎ "ತಾಣಗಳು) ಚದರ ಸಮತಟ್ಟಾದ ಸಮನ್ವಯವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಶೇಕಡಾ 25ರಷ್ಟು ಎ-ಕೇಷನ್ ತಾಣಗಳು 12 ನಿರ್ದೇಶಾಂಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ಚೌಕಾಕಾರದ ಸಮತಟ್ಟಾದ ಸ್ಥಳಗಳು ಬಹುತೇಕ ಯಾವಾಗಲೂ ಜಾನ್-ಟೆಲ್ಲರ್ ಅಯಾನುಗಳಿಂದ ತುಂಬಿರುತ್ತವೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ Cu2 + ಅಥವಾ Mn3 +, ಆದರೆ A 'ಸ್ಥಳವು ಯಾವಾಗಲೂ ದೊಡ್ಡ ಅಯಾನುಗಳಿಂದ ತುಂಬಿರುತ್ತದೆ. ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಕ್ಲೌಸಿಯಸ್-ಮೊಸೊಟ್ಟಿ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು, ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಿದ ಆಂತರಿಕ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಥಿರಾಂಕವು 49 ಆಗಿರಬೇಕು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಸಿಸಿಟಿಒ 1 ಮೆಗಾಹರ್ಟ್ಝ್ ನಲ್ಲಿ 10,200 ದಿಕ್ಸೂಚಿ ಸ್ಥಿರಾಂಕವನ್ನು ಮೇಲ್ಮುಖವಾಗಿ ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ, ಸುಮಾರು 300 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ವರೆಗೆ ಕಡಿಮೆ ನಷ್ಟದ ಸ್ಪರ್ಶಕವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಸಾಪೇಕ್ಷ ಅವಾಹಕ ಸ್ಥಿರಾಂಕವು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತಿರುವ ಆವರ್ತನದೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ (1 MHz ನಿಂದ 1 kHz ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ). ಬೃಹತ್-ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಿದ್ಯಮಾನವು ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಆಂತರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣದ ಬದಲು ಗ್ರೇನ್ ಬೌಂಡರಿ (ಆಂತರಿಕ) ತಡೆಗೋಡೆ ಪದರದ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಐಬಿಎಲ್ಸಿ) ಗೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. 10, 000 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪರ್ಮಿಟಿವಿಟಿ ಮೌಲ್ಯಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಈ ತಡೆಗೋಡೆ ಪದರದ ವಿದ್ಯುತ್ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್ ಅನ್ನು 1100 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ನಲ್ಲಿ ಗಾಳಿಯಲ್ಲಿ ಏಕ-ಹಂತದ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯಿಂದ ತಯಾರಿಸಬಹುದು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದೇ ರೀತಿಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಐಬಿಎಲ್ಸಿಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಸಂಕೀರ್ಣ, ಬಹು ಹಂತದ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ಮಾರ್ಗಗಳ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಪ್ರಸ್ತುತ ಬಳಸುವ ಬಾಟಿಒ3-ಆಧಾರಿತ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಸಿಸಿಟಿಒ ಒಂದು ಆಕರ್ಷಕ ಆಯ್ಕೆಯಾಗಿದೆ. ವೀಕ್ಷಿಸಿದ ಅವಾಹಕ ಸ್ಥಿರಾಂಕ ಮತ್ತು ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಿದ ಆಂತರಿಕ ಸ್ಥಿರಾಂಕದ ನಡುವೆ ದೊಡ್ಡ ವ್ಯತ್ಯಾಸವಿರುವುದರಿಂದ, ಈ ವಿದ್ಯಮಾನದ ನಿಜವಾದ ಮೂಲವು ಇನ್ನೂ ಚರ್ಚೆಯಲ್ಲಿದೆ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಟೈಟಾನೆಟ್ಸ್ ತಾಮ್ರ (II) ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಕ್ಯಾಲ್ಸಿಯಂ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು