Vapor–liquid–solid method
ಆವಿ-ದ್ರವ-ಘನ ವಿಧಾನವು (ವಿಎಲ್ಎಸ್) ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳಂತಹ ಒಂದು ಆಯಾಮದ ರಚನೆಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಒಂದು ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವಾಗಿದೆ. ಘನ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಅನಿಲ ಹಂತದ ನೇರ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಮೂಲಕ ಸ್ಫಟಿಕದ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಹಳ ನಿಧಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ವಿಎಲ್ಎಸ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ವೇಗವರ್ಧಕ ದ್ರವ ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಹಂತವನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಇದನ್ನು ತಪ್ಪಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಆವಿಯನ್ನು ಸೂಪರ್ಸಾಚುರೇಶನ್ ಮಟ್ಟಕ್ಕೆ ವೇಗವಾಗಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ದ್ರವ-ಘನ ಅಂತರಸಂಪರ್ಕದಲ್ಲಿ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯೇಟೆಡ್ ಬೀಜಗಳಿಂದ ಸ್ಫಟಿಕದ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ತರುವಾಯ ಸಂಭವಿಸಬಹುದು. ಈ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಯುವ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳ ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು, ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದಾದ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ, ದ್ರವ ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಐತಿಹಾಸಿಕ ಹಿನ್ನೆಲೆ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಇರಿಸಲಾಗಿರುವ ದ್ರವರೂಪದ ಚಿನ್ನದ ಹನಿಗಳ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಅನಿಲ ಹಂತದಿಂದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವಿಸ್ಕರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ವಿವರಣೆಯಾಗಿ 1964ರಲ್ಲಿ ವಿಎಲ್ಎಸ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಲಾಯಿತು. ಮೀಸೆಯಲ್ಲಿ ಅಕ್ಷೀಯ ತಿರುಪು ಸ್ಥಳಾಂತರಗಳ ಅನುಪಸ್ಥಿತಿ (ಇದು ಸ್ವತಃ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವಾಗಿದೆ), ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಚಿನ್ನದ ಹನಿಗಳ ಅಗತ್ಯತೆ ಮತ್ತು ಸಂಪೂರ್ಣ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ವಿಸ್ಕರ್ನ ತುದಿಯಲ್ಲಿ ಹನಿಗಳ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯಿಂದ ವಿವರಣೆಯು ಪ್ರೇರೇಪಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ. ಪರಿಚಯ ವಿಎಲ್ಎಸ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೂರು ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆಃ ಒಂದು ತಂತಿಯನ್ನು ಬೆಳೆಸಬೇಕಾದ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ದ್ರವ ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಹನಿ ತಯಾರಿಕೆ ಆವಿಯಾಗಿ ಬೆಳೆಯಬೇಕಾದ ವಸ್ತುವಿನ ಪರಿಚಯ, ಇದು ದ್ರವ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ದ್ರವ/ಘನ ಅಂತರಸಂಪರ್ಕದಲ್ಲಿ ಹನಿ ಸೂಪರ್ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ ಮತ್ತು ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯೇಶನ್ ಆಗಿ ಹರಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಅಕ್ಷೀಯ ಸ್ಫಟಿಕ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ತಂತ್ರಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಎಲ್ಎಸ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಈ ಕೆಳಗಿನಂತೆ ನಡೆಯುತ್ತದೆಃ ತೆಳುವಾದ (~ 1-10 ಎನ್ಎಂ) ಔ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಸಿಲಿಕಾನ್ (ಸಿ) ವೇಫರ್ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಸ್ಪಟರ್ ಶೇಖರಣೆ ಅಥವಾ ಉಷ್ಣ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಮೂಲಕ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವೇಫರ್ ಅನ್ನು ಔ-ಸಿ ಯೂಟೆಕ್ಟಿಕ್ ಬಿಂದುವಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಎನೀಲ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ವೇಫರ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಔ-ಸಿ ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಹನಿಗಳನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ (ಔ ಫಿಲ್ಮ್ ದಪ್ಪವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ದೊಡ್ಡ ಹನಿಗಳು). ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಘಟಕಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸಿ ಯೊಂದಿಗೆ ಔ ಅನ್ನು ಬೆರೆಸುವುದು ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಕರಗುವ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ಬಹಳವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. Au: Si ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಕರಗುವ ತಾಪಮಾನವು ಅದರ ಘಟಕಗಳ ಅನುಪಾತವು 4:1 Au: Si ಆಗಿದ್ದಾಗ ಕನಿಷ್ಠ (~ 363 °C) ತಲುಪುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು Au: Si ಯುಟೆಕ್ಟಿಕ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹನಿಗಳ ವ್ಯಾಸ ಮತ್ತು ಸ್ಥಾನವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಶಿಲಾಮುದ್ರಣ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಸಹ ಬಳಸಬಹುದು (ಮತ್ತು ನೀವು ಕೆಳಗೆ ನೋಡುವಂತೆ, ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಬರುವ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳು). ಒಂದು ಆಯಾಮದ ಸ್ಫಟಿಕೀಯ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳನ್ನು ನಂತರ ದ್ರವ ಲೋಹ-ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಹನಿ-ವೇಗವರ್ಧಕ ರಾಸಾಯನಿಕ ಅಥವಾ ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಬೆಳೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ನಿರ್ವಾತ ಶೇಖರಣೆ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ನಡೆಯುತ್ತದೆ. ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿರುವ ಔ-ಸಿ ಹನಿಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯ ಆವಿ-ಘನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸಾಮಾನ್ಯ ಆವಿ-ಘನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯಲ್ಲಿ, 800 °C ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ, SiCl4: H2 ಅನಿಲ ಮಿಶ್ರಣ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ (ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ) ಮೂಲಕ Si ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಬಹುದು. ಇದಲ್ಲದೆ, ಈ ತಾಪಮಾನಕ್ಕಿಂತ ಕೆಳಗೆ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಬಹುತೇಕ ಯಾವುದೇ ಸಿ ಜಮೆಯಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಆದಾಗ್ಯೂ, Au ಕಣಗಳು 363 °C ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ Au-Si ಯೂಟೆಕ್ಟಿಕ್ ಹನಿಗಳನ್ನು ರಚಿಸಬಹುದು ಮತ್ತು ಆವಿಯ ಸ್ಥಿತಿಯಿಂದ Si ಅನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು (ಏಕೆಂದರೆ Au ಯು 100% ವರೆಗಿನ ಎಲ್ಲಾ Si ಸಾಂದ್ರತೆಗಳೊಂದಿಗೆ ಘನ-ದ್ರಾವಣವನ್ನು ರಚಿಸಬಹುದು). ಇದಲ್ಲದೆ, ನ್ಯಾನೊಸೈಸ್ಡ್ ಔ-ಸಿ ಹನಿಗಳು ಕಡಿಮೆ ಕರಗುವ ಬಿಂದುಗಳನ್ನು (ರೆಫ್) ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ ಏಕೆಂದರೆ ಮೇಲ್ಮೈ ವಿಸ್ತೀರ್ಣ ಮತ್ತು ಗಾತ್ರದ ಅನುಪಾತವು ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿದೆ, ಶಕ್ತಿಯುತವಾಗಿ ಪ್ರತಿಕೂಲವಾಗುತ್ತಿದೆ, ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ಗಾತ್ರದ ಕಣಗಳು ಹನಿಗಳನ್ನು (ಗೋಳಗಳು ಅಥವಾ ಅರ್ಧ-ಗೋಳಗಳು) ರೂಪಿಸುವ ಮೂಲಕ ತಮ್ಮ ಮೇಲ್ಮೈ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ. ಸಿ ಯು ಯೂಟೆಕ್ಟಿಕ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವನ್ನು (~ 1414 ° ಸಿ) ಹೊಂದಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಸಿ ಪರಮಾಣುಗಳು ದ್ರವ-ಮಿಶ್ರಲೋಹ/ಘನ-ಸಿ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ನಲ್ಲಿ ಸೂಪರ್ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ದ್ರವ-ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಹನಿಗಳಿಂದ ಹೊರಬರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಹನಿ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಏರುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಚಿತ್ರ 1ರಲ್ಲಿ ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ. ವಿಎಲ್ಎಸ್ ವಿಧಾನದ ವಿಶಿಷ್ಟ ಲಕ್ಷಣಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯ ಆವಿ-ಘನ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಬಹಳವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿತು. ಲೋಹದ ವೇಗವರ್ಧಕಗಳಿಂದ ಸಕ್ರಿಯಗೊಂಡ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ತಂತಿಗಳು ಬೆಳೆಯುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ತಂತಿಗಳ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಸ್ಥಾನವನ್ನು ಲೋಹದ ವೇಗವರ್ಧಕಗಳಿಂದ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ವಿವಿಧ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ಅನಿಸೊಟ್ರೊಪಿಕ್ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಸರಣಿಗಳನ್ನು ಸಹ ಉತ್ಪಾದಿಸಬಹುದು. ವೇಗವರ್ಧಕ ಕಣಗಳ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳು ವೇಗವರ್ಧಕಗಳ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳು ಹೀಗಿವೆಃ ಇದು ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಯಲು ಸ್ಫಟಿಕೀಯ ವಸ್ತುವಿನೊಂದಿಗೆ ದ್ರವ ದ್ರಾವಣವನ್ನು ರೂಪಿಸಬೇಕು. ತಲಾಧಾರದ ವಸ್ತುವಿನ ಘನ ಮತ್ತು ದ್ರವ ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ವೇಗವರ್ಧಕ ಏಜೆಂಟ್ನ ಘನ ಕರಗುವಿಕೆಯು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ. ದ್ರವ ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಮೇಲೆ ವೇಗವರ್ಧಕದ ಸಮತೋಲನ ಆವಿ ಒತ್ತಡವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರಬೇಕು, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಹನಿ ಆವಿಯಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಪರಿಮಾಣದಲ್ಲಿ ಕುಗ್ಗುತ್ತದೆ (ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ತ್ರಿಜ್ಯ), ಮತ್ತು ಬೆಳೆಯುತ್ತಿರುವ ತಂತಿಯ ತ್ರಿಜ್ಯವನ್ನು ಅಂತಿಮವಾಗಿ, ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ಕೊನೆಗೊಳಿಸುವವರೆಗೆ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ವೇಗವರ್ಧಕವು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಿಗೆ (ಸಿ. ವಿ. ಡಿ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ) ನಿಷ್ಕ್ರಿಯವಾಗಿರಬೇಕು (ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸದ). ಆವಿ-ಘನ, ಆವಿ-ದ್ರವ ಮತ್ತು ದ್ರವ-ಘನ ಅಂತರಮುಖ ಶಕ್ತಿಗಳು ಹನಿಗಳ ಆಕಾರದಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರವಹಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಸೂಕ್ತವಾದ ವೇಗವರ್ಧಕವನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡುವ ಮೊದಲು ಪರಿಶೀಲಿಸಬೇಕು; ಹನಿ ಮತ್ತು ಘನಗಳ ನಡುವಿನ ಸಣ್ಣ ಸಂಪರ್ಕ ಕೋನಗಳು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರದೇಶದ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಸೂಕ್ತವಾಗಿವೆ, ಆದರೆ ದೊಡ್ಡ ಸಂಪರ್ಕ ಕೋನಗಳು ಸಣ್ಣ (ಕಡಿಮೆಯಾದ ತ್ರಿಜ್ಯ) ಮೀಸೆಗಳ ರಚನೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಿಕ್ಕಿನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಘನ-ದ್ರವ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಅನ್ನು ಸ್ಫಟಿಕಶಾಸ್ತ್ರೀಯವಾಗಿ ಉತ್ತಮವಾಗಿ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಬೇಕು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಘನ-ದ್ರವ ಅಂತರಸಂಪರ್ಕವು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಸುಗಮವಾಗಿರಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ ಎಂಬುದನ್ನು ಸೂಚಿಸುವುದು ಸಹ ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಘನ ದ್ರವ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಪರಮಾಣು ಮೃದುವಾಗಿದ್ದರೆ, ಘನಕ್ಕೆ ಲಗತ್ತಿಸಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸುವ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ನ ಸಮೀಪವಿರುವ ಪರಮಾಣುಗಳು ಹೊಸ ದ್ವೀಪದ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯೇಟ್ಗಳವರೆಗೆ (ಪರಮಾಣುಗಳು ಹಂತದ ಲೆಡ್ಜ್ಗಳಲ್ಲಿ ಲಗತ್ತಿಸುತ್ತವೆ) ಲಗತ್ತಿಸಲು ಯಾವುದೇ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದಿಲ್ಲ, ಇದು ಅತ್ಯಂತ ನಿಧಾನವಾದ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, "ಒರಟಾದ" ಘನ ಮೇಲ್ಮೈಗಳು, ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಪರಮಾಣು ಹಂತಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಮೇಲ್ಮೈಗಳು (ಆದರ್ಶಪ್ರಾಯವಾಗಿ 1 ಪರಮಾಣು ಅಗಲ, ದೊಡ್ಡ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ದರಗಳಿಗೆ) ನಿಕ್ಷೇಪಿತ ಪರಮಾಣುಗಳು ಲಗತ್ತಿಸಲು ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ಮುಂದುವರಿಸಲು ಅಗತ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನ ವೇಗವರ್ಧಕ ಹನಿ ರಚನೆ ಬಳಸಿದ ವಸ್ತುಗಳ ವ್ಯವಸ್ಥೆ, ಹಾಗೆಯೇ ನಿರ್ವಾತ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಸ್ವಚ್ಛತೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಮಾಲಿನ್ಯದ ಪ್ರಮಾಣ ಮತ್ತು/ಅಥವಾ ಪ್ರಯೋಗದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಹನಿ ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪದರಗಳ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯು, ಹನಿ/ಮೇಲ್ಮೈ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ನಲ್ಲಿ ಇರುವ ಬಲಗಳ ಸಂಪೂರ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದ ಮೇಲೆ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಯಾಗಿ, ಹನಿಗಳ ಆಕಾರವನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುತ್ತದೆ. ಹನಿಗಳ ಆಕಾರ, ಅಂದರೆ. ಸಂಪರ್ಕ ಕೋನವನ್ನು (β0, ಚಿತ್ರ 4 ನೋಡಿ) ಗಣಿತದ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ರೂಪಿಸಬಹುದು, ಆದಾಗ್ಯೂ, ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಇರುವ ನಿಜವಾದ ಶಕ್ತಿಗಳನ್ನು ಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಾಗಿ ಅಳೆಯುವುದು ತುಂಬಾ ಕಷ್ಟ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಸ್ಫಟಿಕೀಯ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ವೇಗವರ್ಧಕ ಕಣದ ಆಕಾರವನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈ ಒತ್ತಡದ ಶಕ್ತಿಗಳ ಸಮತೋಲನ ಮತ್ತು ದ್ರವ-ಘನ ಅಂತರಸಂಪರ್ಕ ಒತ್ತಡದಿಂದ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹನಿಗಳ ತ್ರಿಜ್ಯವು ಸಂಪರ್ಕ ಕೋನದೊಂದಿಗೆ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆಃ ಇಲ್ಲಿ r0 ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರದೇಶದ ತ್ರಿಜ್ಯವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು β0 ಅನ್ನು ಮಾರ್ಪಡಿಸಿದ ಯಂಗ್ನ ಸಮೀಕರಣದಿಂದ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆಃ, ಇದು ಮೇಲ್ಮೈ (σs) ಮತ್ತು ದ್ರವ-ಘನ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ (σls) ಒತ್ತಡಗಳ ಮೇಲೆ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿದೆ, ಜೊತೆಗೆ ಹನಿಗಳ ಆರಂಭಿಕ ತ್ರಿಜ್ಯವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದ್ದಾಗ (ನ್ಯಾನೊಸೈಸ್ಡ್) ಜಾರಿಗೆ ಬರುವ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ರೇಖೆಯ ಒತ್ತಡ (τ). ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಬೆಳೆಯಲು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿದಾಗ, ಅದರ ಎತ್ತರವು ಡಿಹೆಚ್ ಪ್ರಮಾಣದಿಂದ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರದೇಶದ ತ್ರಿಜ್ಯವು ಡಿಆರ್ ಪ್ರಮಾಣದಿಂದ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ (ಚಿತ್ರ 4 ನೋಡಿ). ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ಮುಂದುವರೆದಂತೆ, ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳ ತಳದಲ್ಲಿರುವ ಇಳಿಜಾರಿನ ಕೋನವು (α, ವಿಸ್ಕರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಮೊದಲು ಶೂನ್ಯವಾಗಿ ಹೊಂದಿಸಲಾಗಿದೆ) ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ, ಹಾಗೆಯೇ β0: ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ರೇಖೆಯ ಒತ್ತಡವು ವೇಗವರ್ಧಕ ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರದೇಶದ ಮೇಲೆ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಈ ತೀರ್ಮಾನದ ಅತ್ಯಂತ ಪ್ರಮುಖ ಫಲಿತಾಂಶವೆಂದರೆ ವಿಭಿನ್ನ ರೇಖೆಯ ಉದ್ವಿಗ್ನತೆಗಳು ವಿಭಿನ್ನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ರೇಖೆಯ ಉದ್ವಿಗ್ನತೆಗಳು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದ್ದರೆ, ನ್ಯಾನೊಹಿಲ್ಲಾಕ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ತಡೆಯುತ್ತದೆ. ನ್ಯಾನೊವಿಸ್ಕರ್ ವ್ಯಾಸವು ಬೆಳೆಯುವ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ನ ವ್ಯಾಸವು ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ಹನಿಗಳ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ನ್ಯಾನೊ-ಗಾತ್ರದ ತಂತಿಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ನ್ಯಾನೊ-ಗಾತ್ರದ ಹನಿಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಸಮತೋಲನದ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಇದು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ ಏಕೆಂದರೆ ಲೋಹದ ಹನಿಗಳ ಕನಿಷ್ಠ ತ್ರಿಜ್ಯವನ್ನು ಇಲ್ಲಿ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ Vl ಎಂಬುದು ಹನಿಗಳ ಮೋಲಾರ್ ಪರಿಮಾಣ, σlv ದ್ರವ-ಆವಿ ಮೇಲ್ಮೈ ಶಕ್ತಿ, ಮತ್ತು s ಎಂಬುದು ಆವಿಯ ಅತಿಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯ ಮಟ್ಟವಾಗಿದೆ. ಈ ಸಮೀಕರಣಗಳು ಹನಿ ಮತ್ತು ಅದರಿಂದ ಬೆಳೆಯಬಹುದಾದ ಯಾವುದೇ ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಕನಿಷ್ಠ ವ್ಯಾಸವನ್ನು, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ಮಟ್ಟಕ್ಕಿಂತ ಮೇಲಿರುವ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ನಿರ್ಬಂಧಿಸುತ್ತವೆ. ಸಣ್ಣ ಹನಿಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಹಲವಾರು ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಕಡಿಮೆ ದುರ್ಬಲಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಹರಡುವ ಮೊನೊಡಿಸ್ಪರ್ಸ್ಡ್ ನ್ಯಾನೊಪರ್ಟಿಕಲ್ಸ್ನ ಬಳಕೆ ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರ-ವೇಗವರ್ಧಕ ಮಿಶ್ರಣದ ಲೇಸರ್ ಕ್ಷಯಿಸುವಿಕೆಯು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾವನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ, ಇದು ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ತಂಪಾಗುತ್ತಿದ್ದಂತೆ ವೇಗವರ್ಧಕದ ಚೆನ್ನಾಗಿ ಬೇರ್ಪಟ್ಟ ನ್ಯಾನೊಕ್ಲಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ವಿಸ್ಕರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಚಲನಶಾಸ್ತ್ರ ವಿಎಲ್ಎಸ್ ವಿಸ್ಕರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಮೀಸೆಗಳು ಬೆಳೆಯುವ ದರವು ವಿಸ್ಕರ್ ವ್ಯಾಸವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆಃ ವಿಸ್ಕರ್ ವ್ಯಾಸವು ದೊಡ್ಡದಾಗಿದ್ದರೆ, ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಅಕ್ಷೀಯವಾಗಿ ವೇಗವಾಗಿ ಬೆಳೆಯುತ್ತದೆ. ಏಕೆಂದರೆ ಲೋಹ-ಮಿಶ್ರಲೋಹದ ವೇಗವರ್ಧಕದ () ಅತಿಪ್ರಮಾಣವು ನ್ಯಾನೊವಿಸ್ಕರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಮುಖ್ಯ ಪ್ರೇರಕ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ವಿಸ್ಕರ್ ವ್ಯಾಸವು ಕಡಿಮೆಯಾಗುವುದರೊಂದಿಗೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ (ಇದನ್ನು ಗಿಬ್ಸ್-ಥಾಮ್ಸನ್ ಪರಿಣಾಮ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ): ಮತ್ತೆ, ನ್ಯಾನೊವಿಸ್ಕರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ (ಲೋಹದ ಹನಿಗಳ ಅತಿಸೂಕ್ಷ್ಮತೆ) α ಮುಖ್ಯ ಪ್ರೇರಕ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿದೆ. ಹೆಚ್ಚು ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ಆವಿಯು ಮತ್ತು ಘನ ವಿಸ್ಕರ್ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಶೇಖರಣೆಗೊಳ್ಳುವ ಪ್ರಭೇದಗಳ (ಮೇಲಿನ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ ಸಿ) ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸವು Δμ0 ಆಗಿದೆ. ವಿಸ್ಕರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು (ಯಾವಾಗ) ಮುಂದುವರಿಸುವ ಆರಂಭಿಕ ವ್ಯತ್ಯಾಸವೆಂದರೆ, ಆದರೆ ಇದು ಸಿ ಯ ಪರಮಾಣು ಪರಿಮಾಣ ಮತ್ತು ತಂತಿಯ ಮೇಲ್ಮೈಯ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮುಕ್ತ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿದೆ. ಮೇಲಿನ ಸಮೀಕರಣದ ಪರಿಶೀಲನೆಯು, ಸಣ್ಣ ವ್ಯಾಸಗಳು (100 ಎನ್ಎಂ) ವಿಸ್ಕರ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಸಣ್ಣ ಚಾಲನಾ ಶಕ್ತಿಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ತಂತಿ ವ್ಯಾಸಗಳು ದೊಡ್ಡ ಚಾಲನಾ ಶಕ್ತಿಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತವೆ ಎಂದು ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಬಹಿರಂಗಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ಸಂಬಂಧಿತ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ತಂತ್ರಗಳು ಲೇಸರ್-ನೆರವಿನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ (~ 100 mJ/ಪಲ್ಸ್) ಸಣ್ಣ (10 Hz) ಲೇಸರ್ ಪಲ್ಸ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ವಿಕಿರಣಗೊಳಿಸುವ ಮೂಲಕ ಲೋಹವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಘನ ಗುರಿಗಳಿಂದ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ನೇರಳಾತೀತ (ಯುವಿ) ತರಂಗಾಂತರಗಳೊಂದಿಗೆ ಬೆಳಕಿನ ವರ್ಣಪಟಲದ ಪ್ರದೇಶ. ಅಂತಹ ಲೇಸರ್ ನಾಡಿಮಿಡಿತವನ್ನು ಘನ ಗುರಿಯಿಂದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಾಗ, ಗುರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಪ್ರದೇಶದ ವಸ್ತುವು ಲೇಸರ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು (ಎ) ಆವಿಯಾಗುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಉತ್ಪತನಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಅಥವಾ (ಬಿ) ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಆಗಿ ಪರಿವರ್ತಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ (ಲೇಸರ್ ಕ್ಷಯಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ನೋಡಿ). ಈ ಕಣಗಳನ್ನು ಸುಲಭವಾಗಿ ತಲಾಧಾರಕ್ಕೆ ವರ್ಗಾಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಅವು ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯೇಟ್ ಆಗುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳಾಗಿ ಬೆಳೆಯುತ್ತವೆ. ಲೇಸರ್-ನೆರವಿನ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ತಂತ್ರವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕರಗುವ ತಾಪಮಾನ, ಬಹು ಘಟಕ ಅಥವಾ ಡೋಪ್ಡ್ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಅತ್ಯಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಫಟಿಕದ ಗುಣಮಟ್ಟದ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳನ್ನು ಬೆಳೆಯಲು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಉಪಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಅತ್ಯಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರತಿರೋಧಕ ಅಥವಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬಾಂಬಾರ್ಡ್ಮೆಂಟ್ ತಾಪನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ವಸ್ತುವನ್ನು ಆವಿಯಾಗಿಸಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸದೆ, ಗುರಿಯಲ್ಲಿನ ಲೇಸರ್ ನಾಡಿ ಘಟನೆಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ತೀವ್ರತೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕರಗುವ ಬಿಂದುವಿನ ವಸ್ತುಗಳ ಶೇಖರಣೆಯನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಗುರಿಗಳನ್ನು ಸರಳವಾಗಿ ವಸ್ತುಗಳ ಮಿಶ್ರಣದಿಂದ ಅಥವಾ ದ್ರವದಿಂದ ಕೂಡ ಮಾಡಬಹುದು. ಅಂತಿಮವಾಗಿ, ಲೇಸರ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ರೂಪುಗೊಂಡ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾವು ಆವೇಶದ ಕಣಗಳ ಶೇಖರಣೆಗೆ ಅವಕಾಶ ನೀಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಗುರಿ ಘಟಕಗಳ ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ತಡೆಗೋಡೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ವೇಗವರ್ಧಕ ವಿಧಾನವಾಗಿದೆ. ಉಷ್ಣದ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ಕೆಲವು ಬಹಳ ಆಸಕ್ತಿದಾಯಕ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಕೇವಲ ಉಷ್ಣದ ಆವಿಯಾಗುವ ಘನ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ಪಡೆಯಬಹುದು. ಈ ತಂತ್ರವನ್ನು ದ್ವಿ-ವಲಯ ನಿರ್ವಾತ ಕುಲುಮೆಯಿಂದ ಕೂಡಿದ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಸರಳವಾದ ಸೆಟಪ್ನಲ್ಲಿ ನಡೆಸಬಹುದು. ಕುಲುಮೆಯ ಬಿಸಿ ತುದಿಯು ಆವಿಯಾಗುವ ಮೂಲ ವಸ್ತುವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಆವಿಯಾಗುವ ಕಣಗಳು ಕೆಳಮುಖವಾಗಿ, (ವಾಹಕ ಅನಿಲದ ಮೂಲಕ) ಕುಲುಮೆಯ ತಂಪಾದ ತುದಿಯಲ್ಲಿ ಅವು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು, ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯೇಟ್ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ಅಪೇಕ್ಷಿತ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಬೆಳೆಯಬಹುದು. ವಿಎಲ್ಎಸ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಉತ್ತಮ-ಗುಣಮಟ್ಟದ ಅರೆವಾಹಕ ತಂತಿಗಳನ್ನು ರಚಿಸಲು ಲೋಹ-ವೇಗವರ್ಧಕ ಆಣ್ವಿಕ ಕಿರಣದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯನ್ನು (ಎಂಬಿಇ) 2000 ರಿಂದ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಲೋಹ-ವೇಗವರ್ಧಕ ಎಂ. ಬಿ. ಇ. ಯಲ್ಲಿ ಲೋಹದ ಕಣಗಳು ಪೂರ್ವಗಾಮಿಗಳ ನಡುವಿನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ವೇಗವರ್ಧಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಬದಲಿಗೆ ಆವಿ ಹಂತದ ಕಣಗಳನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಏಕೆಂದರೆ ದ್ರವ ಹಂತವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸುವ ಮೂಲಕ ಆವಿಯ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ತೀವ್ರವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು. ಮೂಲ ಪರಮಾಣುಗಳು ಅಥವಾ ಅಣುಗಳ ಸರಾಸರಿ-ಮುಕ್ತ-ಮಾರ್ಗವು (ಘರ್ಷಣೆಗಳ ನಡುವಿನ ಅಂತರ) ಮೀಟರ್ಗಳ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿರುವ ಅಲ್ಟ್ರಾ-ಹೈ ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ (UHV) ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ MBE ಅನ್ನು ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಆವಿಯಾದ ಮೂಲ ಪರಮಾಣುಗಳು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಎಫ್ಯೂಷನ್ ಕೋಶದಿಂದ) ತಲಾಧಾರದ ಕಡೆಗೆ ನಿರ್ದೇಶಿಸಲಾದ ಕಣಗಳ ಕಿರಣವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ. ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ದರವು ತುಂಬಾ ನಿಧಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಶೇಖರಣೆಯ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು ತುಂಬಾ ಸ್ವಚ್ಛವಾಗಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಇತರ ಶೇಖರಣೆ ವಿಧಾನಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ನಾಲ್ಕು ಉನ್ನತ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳು ಉದ್ಭವಿಸುತ್ತವೆಃ UHV ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು ಬೆಳೆಯುತ್ತಿರುವ ರಚನೆಗಳ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ/ಮಾಲಿನ್ಯದ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತವೆ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ತಾಪಮಾನವು ನ್ಯಾನೊ-ಗಾತ್ರದ ಭಿನ್ನ ರಚನೆಗಳ ಪರಸ್ಪರ ಹರಡುವಿಕೆಯನ್ನು (ಮಿಶ್ರಣ) ತಡೆಯುತ್ತದೆ. ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ರಚನೆಗಳಂತಹ "ಹ್ಯಾಶ್ಟ್ಯಾಗ್" ನ ಬಾಟಮ್-ಅಪ್ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆ ಈ ತಂತ್ರವು ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಇನ್ಸಬ್ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ನೆಟ್ವರ್ಕ್ನ ಬಾಟಮ್-ಅಪ್ ಸಂಶ್ಲೇಷಣೆಯಾಗಿದೆ, ಇದು ನಾಲ್ಕು ಅಡ್ಡ ಜಂಕ್ಷನ್ಗಳು ಅಥವಾ 'ಹ್ಯಾಶ್ಟ್ಯಾಗ್ಗಳ' ಜಾಲಗಳನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾದ ಸೂಪರ್ ಕಂಡಕ್ಟಿಂಗ್ ದ್ವೀಪಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯನ್ನು ಸಹ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಬಳಸಿದ ವಿಧಾನವು ಕಂದಕಗಳೊಂದಿಗೆ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ರಚಿಸುವುದು ಮತ್ತು ಇಳಿಜಾರಾದ ಅಂಶಗಳ ಮೇಲೆ ಚಿನ್ನದ ಹನಿಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ, ಎರಡೂ ಕ್ರಿಯೆಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಕಿರಣದ ಶಿಲಾಮುದ್ರಣದ ಮೂಲಕ ನಡೆಯುತ್ತವೆ. ಆವಿ-ದ್ರವ-ಘನ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದ ಮೂಲಕ, ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳು ಚಿನ್ನದ ಹನಿಗಳ ಮೇಲೆ ಬೆಳೆಯುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಮುಖಗಳು ಮತ್ತು ಚಿನ್ನದ ಹನಿಗಳು ಓರೆಯಾಗುತ್ತಿದ್ದಂತೆ, ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಕಡೆಗೆ ಬೆಳೆಯುತ್ತವೆ, ಜಾಲಬಂಧವಾಗಿ ಬೆಸೆಯುತ್ತವೆ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಲ್ಯಾಬ್ ಲೈಬರ್ ರಿಸರ್ಚ್ ಗ್ರೂಪ್ನ ಮುಖಪುಟದಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಯುತ್ತಿರುವ ಸ್ಫಟಿಕಗಳು-ಹಾರ್ವರ್ಡ್ ಯೂನಿವರ್ಸಿಟಿ ನ್ಯಾನೊ ಮೆಟೀರಿಯಲ್ಸ್ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ಡಾಃ ನ್ಯಾನೊಟ್ರಾ d#Fremstilling