VMOS
VMOS () (ಲಂಬ ಲೋಹದ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಅರೆವಾಹಕ ಅಥವಾ V-ಗ್ರೂವ್ MOS) ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಒಂದು ರೀತಿಯ ಲೋಹ-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಅರೆವಾಹಕ ಕ್ಷೇತ್ರ-ಪರಿಣಾಮ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (MOSFET) ಆಗಿದೆ. ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಮೆಟೀರಿಯಲ್ಗೆ ಲಂಬವಾಗಿ ಕತ್ತರಿಸಿದ ವಿ-ಗ್ರೂವ್ ಆಕಾರವನ್ನು ವಿವರಿಸಲು ಸಹ ವಿಎಂಓಎಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. MOSFETನ ಗೇಟ್ನ "V" ಆಕಾರವು ಸಾಧನವು ಮೂಲದಿಂದ ಸಾಧನದ ಡ್ರೈನ್ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ತಲುಪಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಸವಕಳಿ ಪ್ರದೇಶದ ಆಕಾರವು ವಿಶಾಲವಾದ ಕಾಲುವೆಯನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಅದರ ಮೂಲಕ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹರಿಯಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ತಡೆಗಟ್ಟುವ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರವು ಎನ್ +/ಪಿ + ಜಂಕ್ಷನ್ನಲ್ಲಿ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ತೋಡು ಕೆಳಭಾಗದಲ್ಲಿ ತೀಕ್ಷ್ಣವಾದ ಮೂಲೆಯ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯು ಸವಕಳಿ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಕಾಲುವೆಯ ಅಂಚಿನಲ್ಲಿರುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ, ಹೀಗಾಗಿ ಸಾಧನದ ಸ್ಥಗಿತದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಈ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ಗೇಟ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ಗೆ ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಸಿಕ್ಕಿಬಿದ್ದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು MOSFET ನ ಮಿತಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುತ್ತವೆ. ಈ ಕಾರಣಕ್ಕಾಗಿ, ವಿ-ಗ್ರೂವ್ ವಾಸ್ತುಶಿಲ್ಪವನ್ನು ಇನ್ನು ಮುಂದೆ ವಾಣಿಜ್ಯ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ವಿ ಆಕಾರದ ಮೇಲ್ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಗರಿಷ್ಠ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಹೀಗಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಗರಿಷ್ಠ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವ ಸಲುವಾಗಿ ಯುಎಂಓಎಸ್ (ಅಥವಾ ಟ್ರೆಂಚ್-ಗೇಟ್ ಎಂಓಎಸ್) ನಂತಹ ಹೆಚ್ಚು ಸೂಕ್ತವಾದ ಜ್ಯಾಮಿತಿಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವವರೆಗೆ ಸಾಧನದ ಬಳಕೆಯು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನವಾಗಿತ್ತು. ಮೊದಲ MOSFET ಅನ್ನು (ವಿ-ಗ್ರೂವ್ ಇಲ್ಲದೆ) 1959 ರಲ್ಲಿ ಬೆಲ್ ಲ್ಯಾಬ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಮೊಹಮ್ಮದ್ ಅಟಲ್ಲಾ ಮತ್ತು ದಾವೋನ್ ಕಹಂಗ್ ಅವರು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ವಿ-ಗ್ರೂವ್ ನಿರ್ಮಾಣವನ್ನು 1969 ರಲ್ಲಿ ಜುನ್-ಇಚಿ ನಿಶಿಝಾವಾ ಅವರು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿದರು, ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಸ್ಟ್ಯಾಟಿಕ್ ಇಂಡಕ್ಷನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (ಎಸ್ಐಟಿ), ಒಂದು ರೀತಿಯ ಜಂಕ್ಷನ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (ಜೆಎಫ್ಇಟಿ). 1969ರಲ್ಲಿ ಜಪಾನಿನಲ್ಲಿ ಮೊದಲ ಲಂಬ ಶಕ್ತಿಯ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ಯನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿದಾಗ ಹಿಟಾಚಿ ವಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಅನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದನು. ಟಿ. ಜೆ. ರಾಡ್ಜರ್ಸ್ ಅವರು ಸ್ಟ್ಯಾನ್ಫೋರ್ಡ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯಾರ್ಥಿಯಾಗಿದ್ದಾಗ, 1973 ರಲ್ಲಿ ವಿಎಂಓಎಸ್ಗಾಗಿ ಯುಎಸ್ ಪೇಟೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಸಲ್ಲಿಸಿದರು. ಸಿಲಿಕಾನಿಕ್ಸ್ 1975ರಲ್ಲಿ ವಾಣಿಜ್ಯಿಕವಾಗಿ ವಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಅನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿತು. ವಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಅನ್ನು ನಂತರ ಲಂಬ ಡಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. (ವಿ. ಡಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್.) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಯಿತು. 1978ರಲ್ಲಿ, ಅಮೆರಿಕನ್ ಮೈಕ್ರೋಸಿಸ್ಟಮ್ಸ್ (ಎಎಂಐ) ಎಸ್2811 ಅನ್ನು ಬಿಡುಗಡೆ ಮಾಡಿತು. ಇದು ಡಿಜಿಟಲ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಪ್ರೊಸೆಸರ್ (ಡಿಎಸ್ಪಿ) ಆಗಿ ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾದ ಮೊದಲ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಚಿಪ್ ಆಗಿದ್ದು, ಈ ಹಿಂದೆ ಸಾಮೂಹಿಕವಾಗಿ ಉತ್ಪಾದಿಸದ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾದ ವಿಎಂಓಎಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರಗಳು MOSFETs ಜಪಾನೀ ಆವಿಷ್ಕಾರಗಳು