Indium gallium nitride
ಇಂಡಿಯಂ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ (ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್,) ಎಂಬುದು ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ (ಜಿಎಎನ್) ಮತ್ತು ಇಂಡಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ (ಐಎನ್ಎನ್) ಮಿಶ್ರಣದಿಂದ ಮಾಡಿದ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. ಇದು ತ್ರಿಕೋನ ಗುಂಪು III/ಗುಂಪು V ನೇರ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ ಅರೆವಾಹಕವಾಗಿದೆ. ಮಿಶ್ರಲೋಹದಲ್ಲಿನ ಇಂಡಿಯಂನ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ಬದಲಿಸುವ ಮೂಲಕ ಅದರ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ ಅನ್ನು ಟ್ಯೂನ್ ಮಾಡಬಹುದು. InxGa1 − xNಯು ಇನ್ಫ್ರಾರೆಡ್ನ ಇನ್ಫ್ರಾರೆಡ್ನಿಂದ (0.69 eV) GaNನ ನೇರ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. In/Ga ಅನುಪಾತವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 0.02/0.98 ಮತ್ತು 0.3/0.7 ನಡುವೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಇಂಡಿಯಂ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಆಧುನಿಕ ನೀಲಿ ಮತ್ತು ಹಸಿರು ಎಲ್ಇಡಿಗಳಲ್ಲಿ ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಪದರವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪಾರದರ್ಶಕ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಜಿಎಎನ್ ಬಫರ್ನಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ನೀಲಮಣಿ ಅಥವಾ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್. ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಾಖದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಅಯಾನೀಕರಿಸುವ ವಿಕಿರಣಕ್ಕೆ ಅದರ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ (ಇತರ ಗುಂಪು III ನೈಟ್ರೈಡ್ಗಳಂತೆ), ಇದು ಸೌರ ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಕ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಉಪಗ್ರಹಗಳ ಸರಣಿಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾದ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. 15 ರಿಂದ 85 ಪ್ರತಿಶತದ ನಡುವಿನ ಸಂಯೋಜನೆಗಳಿಗೆ ಇಂಡಿಯಮ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ನ ಸ್ಪಿನೋಡಲ್ ವಿಭಜನೆಯು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ ಊಹಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಸಮೃದ್ಧ ಮತ್ತು ಗಾ-ಸಮೃದ್ಧ ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಅಥವಾ ಸಮೂಹಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಸ್ಥಳೀಯ ರಚನೆಯ ಅಧ್ಯಯನಗಳಲ್ಲಿ ದುರ್ಬಲ ಹಂತದ ಪ್ರತ್ಯೇಕತೆಯನ್ನು ಮಾತ್ರ ಗಮನಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕ್ಯಾಥೋಡೊಲುಮಿನಿಸೆನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಫೋಟೋಲುಮಿನಿಸೆನ್ಸ್ ಪ್ರಚೋದನೆಯನ್ನು ಬಳಸುವ ಇತರ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ಕಡಿಮೆ ಇನ್-ಕಂಟೆಂಟ್ ಇನ್ಜಿಎಎನ್ ಮಲ್ಟಿ-ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಬಾವಿಗಳ ಮೇಲೆ ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್/ಜಿಎಎನ್ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳ ಸರಿಯಾದ ವಸ್ತು ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತವೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿವೆ, ಎಎಲ್ಜಿಎಎನ್/ಜಿಎಎನ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಿಗೆ ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ವಿಧಾನಗಳು ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್ ನ್ಯಾನೊಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್ಗಳಿಗೆ ಸಹ ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತವೆ. GaN ದೋಷ-ಭರಿತ ವಸ್ತುವಾಗಿದ್ದು, ವಿಶಿಷ್ಟ ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸುವಿಕೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳು 108 cm−2 ಅನ್ನು ಮೀರುತ್ತದೆ. ನೀಲಿ ಮತ್ತು ಹಸಿರು ಎಲ್ಇಡಿಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವ ಅಂತಹ ಜಿಎಎನ್ ಬಫರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಯುವ ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್ ಪದರಗಳಿಂದ ಬೆಳಕಿನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯು ಅಂತಹ ದೋಷಗಳಲ್ಲಿ ವಿಕಿರಣಶೀಲವಲ್ಲದ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯಿಂದಾಗಿ ಕ್ಷೀಣಿಸುವ ನಿರೀಕ್ಷೆಯಿದೆ. ಅದೇನೇ ಇದ್ದರೂ, ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಬಾವಿಗಳು, ಹಸಿರು, ನೀಲಿ, ಬಿಳಿ ಮತ್ತು ನೇರಳಾತೀತ ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್ಗಳು ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್ ಲೇಸರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಬೆಳಕಿನ ಹೊರಸೂಸುವ ಸಾಧನಗಳಾಗಿವೆ. ಇಂಡಿಯಂ-ಸಮೃದ್ಧ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಸುತ್ತಮುತ್ತಲಿನ ವಸ್ತುಗಳಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ ಮತ್ತು ಚಾರ್ಜ್ ವಾಹಕಗಳಿಗೆ ಕಡಿಮೆ ಸಂಭಾವ್ಯ ಶಕ್ತಿಯ ಪ್ರದೇಶಗಳನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತವೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಹೋಲ್ ಜೋಡಿಗಳು ಅಲ್ಲಿ ಸಿಕ್ಕಿಹಾಕಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯು ವಿಕಿರಣಶೀಲವಲ್ಲದ ಸ್ಫಟಿಕ ದೋಷಗಳಿಗೆ ಹರಡುವ ಬದಲು ಬೆಳಕಿನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯೊಂದಿಗೆ ಮರುಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತವೆ. ಅಲ್ಲದೆ, ಸ್ವಯಂ-ಸ್ಥಿರವಾದ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ಗಳು ವಿಕಿರಣ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯು ಇಂಡಿಯಂನಿಂದ ಸಮೃದ್ಧವಾಗಿರುವ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿ ಕೇಂದ್ರೀಕೃತವಾಗಿದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿವೆ. ವಸ್ತುವಿನ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ, ಹೊರಸೂಸುವ ತರಂಗಾಂತರವನ್ನು GaN/InN ಅನುಪಾತದಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದು, 0.02In/0.98Ga ಗೆ ನೇರಳಾತೀತದಿಂದ 0.1In/0.9Ga ಗೆ 390 nm ವರೆಗೆ, 0.2In/0.8Ga ಗೆ ನೇರಳೆ-ನೀಲಿ 420 nm ವರೆಗೆ, 0.3In/0.7Ga ಗೆ ನೀಲಿ 440 nm ವರೆಗೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಅನುಪಾತಗಳಿಗೆ ಕೆಂಪು ಬಣ್ಣದಿಂದ ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 2-3 nm ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿರುವ InGaN ಪದರಗಳ ದಪ್ಪದಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಪರಮಾಣು ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯ ಶಕ್ತಿಗಳು ಸಾಧನದ ಆಯಾಮಗಳ ಸಣ್ಣ ವ್ಯತ್ಯಾಸಗಳ ಮೇಲೆ ಸಣ್ಣ ಅವಲಂಬನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿವೆ. ಸಾಧನದ ಅನುಕರಣೆಯನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಬ್ಯಾಂಡ್ ಗ್ಯಾಪ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಹಸಿರು ಎಲ್ಇಡಿಗಳಿಗೆ, ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್/ಜಿಎಎನ್ ಎಲ್ಇಡಿ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿವೆ. ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಕಗಳು ಸೂರ್ಯನ ಬೆಳಕಿಗೆ ಉತ್ತಮ ವರ್ಣಪಟಲದ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸುವ ಶ್ರೇಣಿಯ ಮೇಲೆ ಐಎನ್ಜಿಎನ್ನೊಂದಿಗೆ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್ ಅನ್ನು ಸೌರ ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಕ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ವಿವಿಧ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಅನೇಕ ಪದರಗಳನ್ನು ಬೆಳೆಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಪದರಗಳ ನಡುವಿನ ಜಾಲರಿಯ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ದೋಷಗಳಿಗೆ ವಸ್ತುವು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದಿಲ್ಲ. 1. 1 eV ಮತ್ತು 1.7 eV ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಎರಡು-ಪದರದ ಬಹು-ಕಾರ್ಯ ಕೋಶವು ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ 50 ಪ್ರತಿಶತ ಗರಿಷ್ಠ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಬಹುದು, ಮತ್ತು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ಗಳಿಗೆ ಟ್ಯೂನ್ ಮಾಡಲಾದ ಅನೇಕ ಪದರಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ 70 ಪ್ರತಿಶತದಷ್ಟು ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ ನಿರೀಕ್ಷಿಸಬಹುದು. ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್ ಏಕ-ಜಂಕ್ಷನ್ ಸಾಧನಗಳಿಂದ ಗಮನಾರ್ಹವಾದ ದ್ಯುತಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಪಡೆಯಲಾಗಿದೆ. ಬ್ಯಾಂಡ್ ಗ್ಯಾಪ್ ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವುದರ ಜೊತೆಗೆ, ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪಥದ ಉದ್ದವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಮತ್ತು ಬೆಳಕಿನ ಬಲೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ವಸ್ತುವಿನ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯನ್ನು ಎಂಜಿನಿಯರಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಯ ಸಾಧನದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಬಹುದು. ಸಾಧನದಲ್ಲಿ ನ್ಯಾನೊ ಕಾಲಮ್ಗಳನ್ನು ಬೆಳೆಯುವುದರಿಂದ ಬೆಳಕಿನೊಂದಿಗೆ ಅನುರಣನ ಸಂವಹನಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು ಮತ್ತು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ವರ್ಧಿತ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಇಂಗ್ಗಾನ್ ನ್ಯಾನೊ ಕಾಲಮ್ಗಳನ್ನು ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗಿದೆ. ನ್ಯಾನೊರೊಡ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ಟ್ರೆಡಿಂಗ್ ಡಿಸ್ಲೊಕೇಷನ್ಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಪ್ರಯೋಜನಕಾರಿಯಾಗಬಹುದು, ಇದು ಸೌರ ಕೋಶದ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಚಾರ್ಜ್ ಟ್ರ್ಯಾಪ್ಗಳಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಬಹುದು ಮೆಟಲ್-ಮಾಡ್ಯುಲೇಟೆಡ್ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಮೊದಲ ಪರಮಾಣು ಪದರದಲ್ಲಿ ಒತ್ತಡದ ವಿಶ್ರಾಂತಿಯಿಂದ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸಲಾದ ಬಹುತೇಕ ಆದರ್ಶ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೊಂದಿಗೆ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳ ನಿಯಂತ್ರಿತ ಪರಮಾಣು ಪದರದಿಂದ ಪದರದ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಸ್ಫಟಿಕದ ಜಾಲರಿಯ ರಚನೆಗಳು ಸೂಕ್ತವಾದ ಪ್ರಕಾಶಮಾನತೆಯೊಂದಿಗೆ ಪರಿಪೂರ್ಣ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಹೋಲುತ್ತವೆ. ಸ್ಫಟಿಕವು x ~ 0.22 ರಿಂದ 0.7ರವರೆಗಿನ ಇಂಡಿಯಂ ಅಂಶವನ್ನು ಹೊಂದಿತ್ತು. ಸ್ಫಟಿಕದ ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಲ್ಲಿ ಗಮನಾರ್ಹ ಸುಧಾರಣೆಯು x ~ 0.6ರಲ್ಲಿ ಪ್ರಾರಂಭವಾಯಿತು. ಇಂಡಿಯಮ್ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಸುಲಭಗೊಳಿಸಲು ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ರೂಪವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಅಡ್ಲೇಯರ್ ಪ್ರಸರಣವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಪೂರ್ವಗಾಮಿ ಸಮನ್ವಯದೊಂದಿಗೆ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ~ 400 °C ನಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಸಲಾಯಿತು. ಈ ಸಂಶೋಧನೆಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಜಾಲರಿಯ ಅಸಮರ್ಪಕ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ತಂತ್ರಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ಕೊಡುಗೆ ನೀಡಬೇಕು. ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಹೆಟೆರೊಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್ಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಜಿಎಎನ್ ನಿಂದ ಐಎನ್ಜಿಎಎನ್ ಸಕ್ರಿಯ ಪದರಗಳೊಂದಿಗೆ ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇ. ಎನ್. ಜಿ. ಎ. ಎನ್ ಅನ್ನು ಇತರ ವಸ್ತುಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ. GaN, AlGaN, SiC ಯಲ್ಲಿ, ನೀಲಮಣಿ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕೂಡ. ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಎಲ್ಇಡಿಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ದೊಡ್ಡ ಹೊರಸೂಸುವ ಮೇಲ್ಮೈ, ಉತ್ತಮ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಬೆಳಕಿನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯೊಂದಿಗೆ ನ್ಯಾನೊರೊಡ್ಗಳು ಮೂರು ಆಯಾಮದ ರಚನೆಗಳಾಗಿವೆ. ಸುರಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ವಿಷತ್ವ ಐ. ಎನ್. ಜಿ. ಎ. ಎನ್ ನ ವಿಷವೈದ್ಯಶಾಸ್ತ್ರವನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ತನಿಖೆ ಮಾಡಲಾಗಿಲ್ಲ. ಧೂಳು ಚರ್ಮ, ಕಣ್ಣುಗಳು ಮತ್ತು ಶ್ವಾಸಕೋಶಗಳಿಗೆ ಕಿರಿಕಿರಿಯುಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇಂಡಿಯಂ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಮೂಲಗಳ ಪರಿಸರ, ಆರೋಗ್ಯ ಮತ್ತು ಸುರಕ್ಷತಾ ಅಂಶಗಳು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಟ್ರೈಮೆಥೈಲಿಂಡಿಯಮ್, ಟ್ರೈಮೆಥೈಲ್ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಮತ್ತು ಅಮೋನಿಯಾ) ಮತ್ತು ಪ್ರಮಾಣಿತ ಎಂ. ಓ. ವಿ. ಪಿ. ಇ ಮೂಲಗಳ ಕೈಗಾರಿಕಾ ನೈರ್ಮಲ್ಯ ಮೇಲ್ವಿಚಾರಣಾ ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಇತ್ತೀಚೆಗೆ ವಿಮರ್ಶೆಯಲ್ಲಿ ವರದಿಯಾಗಿವೆ. ಇಂಡಿಯಂ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ ಇಂಡಿಯಂ ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಇಂಡಿಯಂ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ನೈಟ್ರೈಡ್ಸ್ III-V ಅರೆವಾಹಕಗಳು III-V ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಬೆಳಕು-ಹೊರಸೂಸುವ ಡಯೋಡ್ ವಸ್ತುಗಳು