Ion plating
ಅಯಾನ್ ಲೇಪನವು (ಐಪಿ) ಒಂದು ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (ಪಿವಿಡಿ) ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದ್ದು, ಇದನ್ನು ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಅಯಾನ್ ಸಹಾಯಕ ಶೇಖರಣೆ (ಐಎಡಿ) ಅಥವಾ ಅಯಾನ್ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (ಐವಿಡಿ) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದು ನಿರ್ವಾತ ಶೇಖರಣೆಯ ಮಾರ್ಪಡಿಸಿದ ಆವೃತ್ತಿಯಾಗಿದೆ. ಅಯಾನ್ ಲೇಪನವು ತಲಾಧಾರದ ಏಕಕಾಲೀನ ಅಥವಾ ನಿಯತಕಾಲಿಕ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಯಾನುಗಳು ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ ಪರಮಾಣು-ಗಾತ್ರದ ಶಕ್ತಿಯುತ ಕಣಗಳಿಂದ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುತ್ತದೆ. ಶೇಖರಣೆಗೆ ಮುಂಚಿತವಾಗಿ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಯನ್ನು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಶೇಖರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಯನ್ನು ಶೇಖರಣೆ ಮಾಡುವ ಚಿತ್ರದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಮಾರ್ಪಡಿಸಲು ಮತ್ತು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪರಮಾಣು ಶುದ್ಧ ಅಂತರಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳಲು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಶೇಖರಣೆಯ ಭಾಗಗಳ ನಡುವೆ ನಿರಂತರ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿ ನಡೆಯುವುದು ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. ಈ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಅನ್ನು ಸರಿಯಾಗಿ ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸದಿದ್ದರೆ, ಅದು ದುರ್ಬಲ ಲೇಪನ ಅಥವಾ ಕಳಪೆ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ನಿಕ್ಷೇಪಿತ ಲೇಪನಗಳನ್ನು ನಿರ್ವಾತಗೊಳಿಸಲು ಅವು ಅನೇಕ ವಿಭಿನ್ನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಾಗಿವೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ಅವುಗಳನ್ನು ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯಂತಹ ವಿವಿಧ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲೆ ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಯಾನು ಲೇಪನದಲ್ಲಿ, ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿ ನಡೆಸುವ ಪ್ರಭೇದಗಳ ಶಕ್ತಿ, ಹರಿವು ಮತ್ತು ದ್ರವ್ಯರಾಶಿಯ ಜೊತೆಗೆ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿ ಮಾಡುವ ಕಣಗಳು ಮತ್ತು ಶೇಖರಣೆ ಮಾಡುವ ಕಣಗಳ ಅನುಪಾತವು ಪ್ರಮುಖ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ಅಸ್ಥಿರಗಳಾಗಿವೆ. ಶೇಖರಣೆಗೊಳ್ಳುವ ವಸ್ತುವನ್ನು ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ, ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ (ಬಯಾಸ್ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್), ಆರ್ಕ್ ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆ ಅಥವಾ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಪೂರ್ವಗಾಮಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯ (ಸಿ. ವಿ. ಡಿ) ವಿಭಜನೆಯ ಮೂಲಕ ಆವಿಯಾಗಿಸಬಹುದು. ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಗೆ ಬಳಸುವ ಶಕ್ತಿಯುತ ಕಣಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಜಡ ಅಥವಾ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಅನಿಲದ ಅಯಾನುಗಳಾಗಿರುತ್ತವೆ, ಅಥವಾ, ಕೆಲವು ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಘನೀಕರಿಸುವ ಫಿಲ್ಮ್ ವಸ್ತುಗಳ ಅಯಾನುಗಳಾಗಿರುತ್ತವೆ (ಫಿಲ್ಮ್ ಅಯಾನುಗಳು). ಅಯಾನ್ ಲೇಪನವನ್ನು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಮಾಡಬಹುದು, ಅಲ್ಲಿ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಗಾಗಿ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾದಿಂದ ಹೊರತೆಗೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಗಾಗಿ ಅಯಾನುಗಳು ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಅಯಾನ್ ಗನ್ನಲ್ಲಿ ರೂಪುಗೊಳ್ಳುವ ನಿರ್ವಾತ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಇದನ್ನು ಮಾಡಬಹುದು. ನಂತರದ ಅಯಾನು ಲೇಪನ ಸಂರಚನೆಯನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಅಯಾನ್ ಬೀಮ್ ಅಸಿಸ್ಟೆಡ್ ಡಿಪಾಸಿಷನ್ (ಐಬಿಎಡಿ) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ಲಾಸ್ಮಾದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಅನಿಲ ಅಥವಾ ಆವಿಯನ್ನು ಬಳಸುವ ಮೂಲಕ, ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತುಗಳ ಪದರಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಬಹುದು. ಅಯಾನ್ ಲೇಪನವನ್ನು ಉಪಕರಣಗಳು, ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಲೋಹದ ಲೇಪನಗಳು, ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಲೇಪನಗಳು ಮತ್ತು ಸಂಕೀರ್ಣ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಮೇಲೆ ಏಕರೂಪದ ಲೇಪನಗಳ ಮೇಲೆ ಸಂಯುಕ್ತ ವಸ್ತುಗಳ ಗಟ್ಟಿಯಾದ ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇತರ ವಿಧಾನಗಳಿಗಿಂತ ಉತ್ತಮ ಮೇಲ್ಮೈ ವ್ಯಾಪ್ತಿ (ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ, ಸ್ಪಟರ್ ಶೇಖರಣೆ). ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿ ನಡೆಸುವ ಪ್ರಭೇದಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯು ಲಭ್ಯವಿದ್ದು, ಇದು ಹೆಚ್ಚು ಸಂಪೂರ್ಣ ಬಂಧಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಅಯಾನ್ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಯ ಮಟ್ಟದೊಂದಿಗೆ ನಮ್ಯತೆ. ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿ ನಡೆಸುವ ಪ್ರಭೇದಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಪೂರೈಸುವಾಗ ಸುಧಾರಿತ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು. ವಸ್ತುಗಳ ಬಾಳಿಕೆ ಕನಿಷ್ಠ 8 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಇತರ ತಂತ್ರಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಗಣನೆಗೆ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬೇಕಾದ ಹೆಚ್ಚಿದ ವ್ಯತ್ಯಾಸಗಳು. ಲೇಪನದ ಏಕರೂಪತೆ ಯಾವಾಗಲೂ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ-ತಲಾಧಾರದ ಸಂಕೋಚಕ ಒತ್ತಡಕ್ಕೆ ಅತಿಯಾದ ತಾಪನ ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ದುಬಾರಿಯಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಅಯಾನು ಲೇಪನದ ಹಿನ್ನೆಲೆ ಮಾಹಿತಿಯನ್ನು ಸಮಯ ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಅಯಾನು ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1964 ರಲ್ಲಿ ಸ್ಯಾಂಡಿಯಾ ನ್ಯಾಷನಲ್ ಲ್ಯಾಬೋರೇಟರೀಸ್ನ ಡೊನಾಲ್ಡ್ ಎಮ್. ಮ್ಯಾಟಾಕ್ಸ್ ಅವರು ತಾಂತ್ರಿಕ ಸಾಹಿತ್ಯದಲ್ಲಿ ವಿವರಿಸಿದ್ದಾರೆ. ಈ ಲೇಖನದಲ್ಲಿ ವಿವರಿಸಿದಂತೆ, ಇದನ್ನು ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಫಿಲ್ಮ್ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು. ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1960 ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಯಿತು ಮತ್ತು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ತಂತ್ರಗಳು ಮತ್ತು ಫಿಲ್ಮ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಮತ್ತು ಅರೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಶೇಖರಣೆ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಮಯದುದ್ದಕ್ಕೂ ಮುಂದುವರಿಸಲಾಯಿತು. ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ಮೇಲ್ಮೈಗಳನ್ನು ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸಲು 1950ರ ದಶಕದಿಂದಲೂ ಸ್ಪಟರ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. 1970 ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದ ಡಿಸಿ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಯು ಚಲನಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಸಾಂದ್ರಗೊಳಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ವಸ್ತುಗಳ ಗಡಸುತನಕ್ಕೆ ಸಹಾಯ ಮಾಡಿದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿದೆ. ನಾವು ಮತ್ತಷ್ಟು ಮುಂದುವರಿದಂತೆ, 1983ರಲ್ಲಿ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಯನ್ನು ಸೇರಿಸಿದ ಅನಿಲ ಅಯಾನುಗಳ ಏಕಕಾಲೀನ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಯಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು ಎಂದು ನಾವು ತಿಳಿದುಕೊಂಡೆವು. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಮತ್ತಷ್ಟು ಓದುವಿಕೆ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಾಹಿತಿ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಗಳ ಪಟ್ಟಿ ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಶೇಖರಣೆ