Nanocircuitry
ನ್ಯಾನೊ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಾಗಿವೆ. ಇದು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿದ್ದು, ಅಲ್ಲಿ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಪರಿಣಾಮಗಳು ಬಹಳ ಮುಖ್ಯವಾಗುತ್ತವೆ. ಒಂದು ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ 10−9 ಮೀಟರ್ ಅಥವಾ 10 ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಪರಮಾಣುಗಳ ಸಾಲಿಗೆ ಸಮಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಅಂತಹ ಹಂತಹಂತವಾಗಿ ಸಣ್ಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳೊಂದಿಗೆ, ಹೆಚ್ಚಿನದನ್ನು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಅಳವಡಿಸಬಹುದು. ಇದು ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ವೇಗವಾಗಿ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಸಂಕೀರ್ಣವಾದ ಕಾರ್ಯಗಳನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ. ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ಮೂರು ವಿಭಿನ್ನ ಮೂಲಭೂತ ಘಟಕಗಳಿಂದ ಕೂಡಿವೆ. ಇವೆಲ್ಲವೂ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು, ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕಗಳು ಮತ್ತು ವಾಸ್ತುಶಿಲ್ಪವಾಗಿದ್ದು, ಇವೆಲ್ಲವೂ ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ಮಾಪಕದಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿವೆ. ನ್ಯಾನೊ ಸರ್ಕಿಟ್ರಿಯ ವಿವಿಧ ವಿಧಾನಗಳು ನ್ಯಾನೊ ಸರ್ಕಿಟ್ರಿಯನ್ನು ವಿವಿಧ ರೂಪಗಳಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸಲು ವಿವಿಧ ಪ್ರಸ್ತಾಪಗಳನ್ನು ಮಾಡಲಾಗಿದೆ. ಇವುಗಳಲ್ಲಿ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳು, ಸಿಂಗಲ್-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು, ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಡಾಟ್ ಸೆಲ್ಯುಲಾರ್ ಆಟೋಮ್ಯಾಟಾ ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊಸ್ಕೇಲ್ ಕ್ರಾಸ್ಬಾರ್ ಲ್ಯಾಚ್ಗಳು ಸೇರಿವೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ನಿಕಟ-ಅವಧಿಯ ವಿಧಾನಗಳು MOSFET ಗಳನ್ನು (ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು) ಸುಧಾರಿಸಲು ನ್ಯಾನೊವಸ್ತುಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತವೆ. ಇವುಗಳು ಪ್ರಸ್ತುತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಅನಲಾಗ್ ಮತ್ತು ಡಿಜಿಟಲ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸಗಳ ಆಧಾರವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ, ಅದರ ಸ್ಕೇಲಿಂಗ್ ಮೂರ್ನ ನಿಯಮವನ್ನು ಪ್ರೇರೇಪಿಸುತ್ತದೆ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ವಿನ್ಯಾಸ ಮತ್ತು ಅದರ ಭವಿಷ್ಯವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡ ಒಂದು ವಿಮರ್ಶೆ ಲೇಖನವನ್ನು 2004ರಲ್ಲಿ ಪ್ರಕಟಿಸಲಾಯಿತು, ಇದು ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ಗಳ ವಿವಿಧ ಜ್ಯಾಮಿತಿಗಳನ್ನು ಪ್ರಮಾಣದ ಕಡಿತದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಹೋಲಿಸಿತು ಮತ್ತು ವೃತ್ತಾಕಾರದ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗದ ಲಂಬ ಚಾನೆಲ್ ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ಗಳು ಪ್ರಮಾಣದ ಕಡಿತಕ್ಕೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿವೆ ಎಂದು ಗಮನಿಸಿದೆ. ಈ ಸಂರಚನೆಯು ನ್ಯಾನೊಸ್ಕೇಲ್ ವ್ಯಾಸದೊಂದಿಗೆ ಲಂಬವಾದ ಅರೆವಾಹಕ ಸಿಲಿಂಡರಾಕಾರದ ಚಾನೆಲ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಇನ್ಫಿನಿಯಾನ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜೀಸ್ ಮತ್ತು ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಈ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿವೆ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ MOSFET ವಿನ್ಯಾಸಗಳಲ್ಲಿ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಕಾರ್ಬನ್ ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಕೆಲವು ಮೂಲಭೂತ ಪೇಟೆಂಟ್ಗಳನ್ನು ಪಡೆದಿವೆ. ಪರ್ಯಾಯ ವಿಧಾನದಲ್ಲಿ, ನ್ಯಾನೊಸಿಸ್ ಪರಿಹಾರ ಆಧಾರಿತ ಶೇಖರಣೆ ಮತ್ತು ಜೋಡಣೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಎಫ್. ಇ. ಟಿ ಯ ಪಾರ್ಶ್ವದ ಚಾನೆಲ್ ಆಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಲು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳ ಪೂರ್ವ-ತಯಾರಿಸಿದ ಸರಣಿಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಏಕ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ಗಳಂತೆ ಅದೇ ಪ್ರಮಾಣದ ಸ್ಕೇಲೆಬಿಲಿಟಿ ಹೊಂದಿರದಿದ್ದರೂ, ಚಾನೆಲ್ಗಾಗಿ ಪೂರ್ವ ನಿರ್ಮಿತ ಬಹು ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳ ಬಳಕೆಯು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಉತ್ಪಾದನಾ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಫ್ಯಾಬ್ರಿಕೇಶನ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಲು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಮುದ್ರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಇದಲ್ಲದೆ, ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಪೇಪರ್, ಬೆಂಡಬಲ್ ಫ್ಲಾಟ್ ಪ್ಯಾನೆಲ್ ಡಿಸ್ಪ್ಲೇಗಳು ಮತ್ತು ವಿಶಾಲ ಪ್ರದೇಶದ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಂತಹ ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳಿಗೆ ಬಾಗಿಲು ತೆರೆಯುವ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳಿಗೆ ವಾಹಕ ತಲಾಧಾರವಾಗಿ ಪಾಲಿಮರ್ಗಳಂತಹ ವ್ಯಾಪಕ ವೈವಿಧ್ಯಮಯ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಉತ್ಪಾದನಾ ವಿಧಾನಗಳು ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳುವ ಅತ್ಯಂತ ಮೂಲಭೂತ ಪರಿಕಲ್ಪನೆಗಳಲ್ಲಿ ಮೂರ್ರ ನಿಯಮದ ಸೂತ್ರೀಕರಣವಾಗಿದೆ. ಇಂಟೆಲ್ನ ಸಹ-ಸಂಸ್ಥಾಪಕ ಗಾರ್ಡನ್ ಮೂರ್ ಅವರು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಬೆಲೆಯ ಬಗ್ಗೆ ಆಸಕ್ತಿ ಹೊಂದಿದ್ದರು ಮತ್ತು ಒಂದು ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸಿದಾಗ ಈ ಪರಿಕಲ್ಪನೆಯು ಹುಟ್ಟಿಕೊಂಡಿತು. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಬಹುದಾದ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ-ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಅಂತಹ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಕಂಪ್ಯೂಟಿಂಗ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳು-ಪ್ರತಿ 18 ರಿಂದ 24 ತಿಂಗಳುಗಳಿಗೊಮ್ಮೆ ದ್ವಿಗುಣಗೊಳ್ಳುತ್ತಿವೆ ಎಂದು ಅದು ಹೇಳುತ್ತದೆ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ಎಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆಯೋ, ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಅಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚು ಕಂಪ್ಯೂಟೇಶನಲ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಇದಕ್ಕಾಗಿಯೇ ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರ್ಗಳು ಈ ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕಿಟ್ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಒಟ್ಟಾಗಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದಾರೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ಹೆಚ್ಚು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ. ಇದು ಎಷ್ಟು ಒಳ್ಳೆಯದು ಎಂದು ತೋರುತ್ತದೆಯಾದರೂ, ಅನೇಕ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಜೋಡಿಸಿದಾಗ ಅನೇಕ ಸಮಸ್ಯೆಗಳು ಉದ್ಭವಿಸುತ್ತವೆ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಅವು ದೊಡ್ಡ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಶಾಖ-ಸಣ್ಣ ಮೇಲ್ಮೈ ಪ್ರದೇಶದ ಮೇಲೆ ಅನ್ವಯಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯ ಪ್ರಮಾಣವು ಶಾಖದ ಪ್ರಸರಣವನ್ನು ಕಷ್ಟಕರವಾಗಿಸುತ್ತದೆ, ಈ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಶಾಖವು ದೋಷಗಳನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ನಾಶಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ನ್ಯಾನೊಸ್ಕೇಲ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ಇಂದಿನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಗಿಂತ ತಾಪಮಾನ ಬದಲಾವಣೆಗಳು, ಕಾಸ್ಮಿಕ್ ಕಿರಣಗಳು ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚು ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಿದಂತೆ, ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿರುವ ದಾರಿತಪ್ಪಿ ಸಂಕೇತಗಳು, ಅನೇಕ ನಿಕಟವಾಗಿ ಪ್ಯಾಕ್ ಮಾಡಲಾದ ಸಾಧನಗಳಿಂದ ಶಾಖವನ್ನು ಹೊರಹಾಕುವ ಅಗತ್ಯತೆ, ಸಣ್ಣ ಪ್ರಮಾಣದ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ ನಿರೋಧನ ಅಡೆತಡೆಗಳಾದ್ಯಂತ ಸುರಂಗಮಾರ್ಗವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸುವುದು ಮತ್ತು ತಯಾರಿಕೆಯ ತೊಂದರೆಗಳು ಪ್ರಗತಿಯನ್ನು ನಿಲ್ಲಿಸುತ್ತವೆ ಅಥವಾ ತೀವ್ರವಾಗಿ ನಿಧಾನಗೊಳಿಸುತ್ತವೆ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ವೆಚ್ಚವು ಇನ್ನೂ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳ ವೇಗವು ಗರಿಷ್ಠ ಮಟ್ಟವನ್ನು ತಲುಪುತ್ತದೆ. ಈ ಕಾರಣಕ್ಕಾಗಿ, ಮೂರ್ನ ನಿಯಮವು ಶಾಶ್ವತವಾಗಿ ಉಳಿಯುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಶೀಘ್ರದಲ್ಲೇ ಉತ್ತುಂಗವನ್ನು ತಲುಪುತ್ತದೆ ಎಂದು ಅನೇಕ ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ನಂಬುತ್ತಾರೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಮೂರ್ನ ನಿಯಮವು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮ-ಲಿಥೋಗ್ರಾಫಿಕ್ ಎಚ್ಚಣೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳಲ್ಲಿನ ಸುಧಾರಣೆಗಳಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಕಂಪ್ಯೂಟೇಶನಲ್ ಲಾಭಗಳ ಮೇಲೆ ಊಹಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ. ಈ ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಅನೇಕ ಅಂಶಗಳಿವೆ. ಅವರ ಸಂಸ್ಥೆಯ ಮೊದಲ ಭಾಗವು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರಸ್ತುತ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಗಳು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಧಾರಿತ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತಿವೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ಅವಿಭಾಜ್ಯ ಅಂಗವಾಗಿದ್ದು, ಅವು ವಿದ್ಯುತ್ ಹರಿವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ದುರ್ಬಲ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಕೇತಗಳನ್ನು ಬಲವಾದವುಗಳಾಗಿ ಪರಿವರ್ತಿಸುತ್ತವೆ. ಅವು ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುತ್ತವೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಅವು ಅದನ್ನು ಆನ್ ಮಾಡಬಹುದು, ಅಥವಾ ಸಂಕೇತಗಳನ್ನು ವರ್ಧಿಸಬಹುದು. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ಈಗ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಆಗಿ ಬಳಸುತ್ತವೆ ಏಕೆಂದರೆ ಅದನ್ನು ವಾಹಕ ಮತ್ತು ವಾಹಕವಲ್ಲದ ಸ್ಥಿತಿಗಳ ನಡುವೆ ಸುಲಭವಾಗಿ ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ನ್ಯಾನೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ನಲ್ಲಿ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಸಾವಯವ ಅಣುಗಳು ಅಥವಾ ನ್ಯಾನೊಸ್ಕೇಲ್ ಅಜೈವಿಕ ರಚನೆಗಳಾಗಿರಬಹುದು. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಭಾಗವಾಗಿರುವ ಅರೆವಾಹಕಗಳನ್ನು ಸಹ ನ್ಯಾನೊ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಸಾವಯವ ಅಣುಗಳಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಂಸ್ಥೆಯ ಎರಡನೇ ಅಂಶವೆಂದರೆ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕ. ಇದು ತಾರ್ಕಿಕ ಮತ್ತು ಗಣಿತದ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ತಂತಿಗಳು ಇದನ್ನು ಸಾಧ್ಯವಾಗಿಸುತ್ತವೆ. ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಲ್ಲಿ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಜೋಡಿಸಲು ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳು ಮತ್ತು ಒಂದು ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ನಷ್ಟು ಕಿರಿದಾದ ಇತರ ತಂತಿಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಕೆಲವು ವರ್ಷಗಳಿಂದ ಇಂಗಾಲದ ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳಿಂದ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. ಕೆಲವು ವರ್ಷಗಳ ಹಿಂದೆ, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟುಗೂಡಿಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಅದರಲ್ಲಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಸಮರ್ಥರಾಗಿದ್ದಾರೆ. 2004ರಲ್ಲಿ, ಹಾರ್ವರ್ಡ್ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯದ ನ್ಯಾನೊತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಪ್ರವರ್ತಕ ಚಾರ್ಲ್ಸ್ ಲೀಬರ್ ಮತ್ತು ಅವರ ತಂಡವು ಒಂದು ಕಾಗದದ ಹಾಳೆಗಿಂತ 10,000 ಪಟ್ಟು ತೆಳುವಾದ ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಅನ್ನು ತಯಾರಿಸಿದೆ-ಇದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಸರಣಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಮೂಲಭೂತವಾಗಿ, ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಪ್ರಯತ್ನಿಸುವ ಕಷ್ಟಕರ ಕಾರ್ಯವನ್ನು ತೊಡೆದುಹಾಕಲು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊವೈರ್ಗಳು ಈಗಾಗಲೇ ಪೂರ್ವ-ತಂತಿಯಾಗಿವೆ. ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಂಸ್ಥೆಯ ಕೊನೆಯ ಭಾಗವೆಂದರೆ ವಾಸ್ತುಶಿಲ್ಪ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ಒಟ್ಟಾರೆ ವಿಧಾನವೆಂದು ಇದನ್ನು ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಅಥವಾ ಇತರ ಸಿಸ್ಟಮ್ಗೆ ಪ್ಲಗ್ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ಕೆಳಮಟ್ಟದ ವಿವರಗಳಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಅವು ದೋಷ ಮತ್ತು ದೋಷಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ಇದನ್ನು ನಿವಾರಿಸಲು ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಒಂದು ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದಿದ್ದಾರೆ. ಅವರ ವಾಸ್ತುಶಿಲ್ಪವು ಚಿಪ್ ಮೇಲೆ ಹಲವಾರು ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಮರು ಸಂರಚಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದೊಂದಿಗೆ ಅನಗತ್ಯ ತರ್ಕ ದ್ವಾರಗಳು ಮತ್ತು ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ. ಪುನರಾವರ್ತನೆಯು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗೆ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಗುರುತಿಸಲು ಮತ್ತು ಸ್ವತಃ ಮರು ಸಂರಚಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ ಆದ್ದರಿಂದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಬಹುದು. ಇದು ಲಾಜಿಕ್ ಗೇಟ್ನೊಳಗೆ ದೋಷಗಳನ್ನು ಸಹ ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ತಪ್ಪು ಫಲಿತಾಂಶವನ್ನು ನೀಡದೆ ಸರಿಯಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಪ್ರಗತಿಗಳು ಮತ್ತು ಸಂಭಾವ್ಯ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳು 1987ರಲ್ಲಿ, ಬಿಜನ್ ದಾವರಿ ನೇತೃತ್ವದ ಐಬಿಎಂ ಸಂಶೋಧನಾ ತಂಡವು ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್-ಗೇಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು 10 ಎನ್ಎಂ ಗೇಟ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ದಪ್ಪವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (ಎಂಒಎಸ್ಎಫ್ಇಟಿ) ಅನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿತು. ಮಲ್ಟಿ-ಗೇಟ್ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿಗಳು 20 ಎನ್. ಎಂ. ಗೇಟ್ ಉದ್ದಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಸ್ಕೇಲಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸಿದವು, ಇದು ಫಿನ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ (ಫಿನ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್) ಯಿಂದ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಮೂರು ಆಯಾಮದ, ಸಮತಲವಲ್ಲದ, ಡಬಲ್-ಗೇಟ್ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ಆಗಿದೆ. 1989 ರಲ್ಲಿ ಹಿಟಾಚಿ ಸೆಂಟ್ರಲ್ ರಿಸರ್ಚ್ ಲ್ಯಾಬೊರೇಟರಿಯಲ್ಲಿ ಡಿಗ್ ಹಿಸಾಮೊಟೊ ಅವರ ಸಂಶೋಧನೆಯಿಂದ ಫಿನ್ಫೆಟ್ ಹುಟ್ಟಿಕೊಂಡಿದೆ. ಯುಸಿ ಬರ್ಕ್ಲಿಯಲ್ಲಿ, ಟಿಎಸ್ಎಂಸಿಯ ಚೆನ್ಮಿಂಗ್ ಹು ಮತ್ತು ತ್ಸು-ಜೇ ಕಿಂಗ್ ಲಿಯು, ಜೆಫ್ರಿ ಬೊಕೋರ್, ಹಿಡೆಕಿ ಟೇಕುಚಿ, ಕೆ. ಅಸಾನೋ, ಜಾಕುಬ್ ಕೆಡ್ಜಿಯರ್ಸ್ಕ್, ಕ್ಸುಯೆಜ್ಯೂ ಹುವಾಂಗ್, ಲೆಲ್ಯಾಂಡ್ ಚಾಂಗ್, ನಿಕ್ ಲಿಂಡರ್ಟ್, ಶಿಬ್ಲಿ ಅಹ್ಮದ್ ಮತ್ತು ಸೈರಸ್ ಟಾಬೆರಿ ಸೇರಿದಂತೆ ಇತರ ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ಸಂಶೋಧಕರೊಂದಿಗೆ ಹಿಸಾಮೊಟೊ ಒಳಗೊಂಡ ತಂಡವು ಫಿನ್ಫೆಟ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಿತು. ತಂಡವು ಫಿನ್ಫೆಟ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು 1998 ರಲ್ಲಿ 17 ಎನ್ಎಂ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ಮತ್ತು ನಂತರ 2001 ರಲ್ಲಿ 15 ಎನ್ಎಂಗೆ ತಯಾರಿಸಿತು. 2002ರಲ್ಲಿ, ಯು, ಚಾಂಗ್, ಅಹ್ಮದ್, ಹು, ಲಿಯು, ಬೊಕಾರ್ ಮತ್ತು ಟಾಬೆರಿ ಒಳಗೊಂಡ ತಂಡವು 10nm ಫಿನ್ಫೆಟ್ ಸಾಧನವನ್ನು ತಯಾರಿಸಿತು. 2005ರಲ್ಲಿ, ಯು. ಸಿ. ಸ್ಯಾನ್ ಡಿಯಾಗೋದಲ್ಲಿ ಭಾರತೀಯ ಭೌತವಿಜ್ಞಾನಿಗಳಾದ ಪ್ರಭಾಕರ ಬಂಡಾರು ಮತ್ತು ಅಪ್ಪಾರಾವ್ ಎಂ. ರಾವ್ ಅವರು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಇಂಗಾಲದ ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳಿಂದ ತಯಾರಿಸಬಹುದಾದ ವಿಶ್ವದ ಅತ್ಯಂತ ಚಿಕ್ಕ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು. ಇದನ್ನು ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲು ಉದ್ದೇಶಿಸಲಾಗಿತ್ತು. ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳು ಇಂಗಾಲದ ಪರಮಾಣುಗಳ ಹಾಳೆಗಳನ್ನು ಸುತ್ತಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಮಾನವನ ಕೂದಲಿಗಿಂತ ಸಾವಿರ ಪಟ್ಟು ತೆಳ್ಳಗಿರುತ್ತವೆ. 2006ರಲ್ಲಿ, ಕೊರಿಯಾ ಅಡ್ವಾನ್ಸ್ಡ್ ಇನ್ಸ್ಟಿಟ್ಯೂಟ್ ಆಫ್ ಸೈನ್ಸ್ ಅಂಡ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿ (ಕೇಏಐಎಸ್ಟಿ) ಮತ್ತು ನ್ಯಾಷನಲ್ ನ್ಯಾನೊ ಫ್ಯಾಬ್ ಸೆಂಟರ್ನ ಕೊರಿಯಾದ ಸಂಶೋಧಕರ ತಂಡವು ಗೇಟ್-ಆಲ್-ಅರೌಂಡ್ (ಜಿಎಎ) ಫಿನ್ಫೆಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ವಿಶ್ವದ ಅತ್ಯಂತ ಚಿಕ್ಕ ನ್ಯಾನೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನವಾದ 3 ಎನ್ಎಂ ಮೋಸ್ಫೆಟ್ ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿತು. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಧಾರಿತ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಇಂಗಾಲದ ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳು ಅವುಗಳನ್ನು ಬದಲಿಸುವ ಉದ್ದೇಶವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಒಂದೇ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಸಂಧಿಸುವ ಎರಡು ವಿಭಿನ್ನ ಶಾಖೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದು ವೈ ಆಕಾರವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ. ಪ್ರವಾಹವು ಎರಡೂ ಶಾಖೆಗಳಾದ್ಯಂತ ಹರಿಯಬಹುದು ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಆನ್ ಅಥವಾ ಆಫ್ ಮಾಡುವ ಮೂರನೇ ಶಾಖೆಯಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ. ಈ ಹೊಸ ಪ್ರಗತಿಯು ಈಗ ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳಿಂದ ತಯಾರಿಸಬಹುದಾದ್ದರಿಂದ ಅವುಗಳ ಹೆಸರನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಹಿಡಿದಿಟ್ಟುಕೊಳ್ಳಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಈ ಆವಿಷ್ಕಾರಕ್ಕೆ ಮೊದಲು, ತರ್ಕ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತಿದ್ದವು, ಆದರೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದ ಹರಿವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಲೋಹದ ಗೇಟ್ಗಳ ಅಗತ್ಯವಿತ್ತು. ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ಅತಿದೊಡ್ಡ ಸಂಭಾವ್ಯ ಅನ್ವಯವು ವಾದಯೋಗ್ಯವಾಗಿ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ವ್ಯವಹರಿಸುತ್ತದೆ. ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರ್ಗಳು ಯಾವಾಗಲೂ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳನ್ನು ವೇಗವಾಗಿ ಮಾಡಲು ನೋಡುತ್ತಿದ್ದಾರೆ. ಕೆಲವರು ಹತ್ತಿರದ ಅವಧಿಯಲ್ಲಿ, ನ್ಯಾನೊ ಕೋರ್ ಹೊಂದಿರುವ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊ-ಸಿಲಿಕಾನ್ನ ಮಿಶ್ರತಳಿಗಳನ್ನು ನಾವು ನೋಡಬಹುದು ಎಂದು ಭಾವಿಸುತ್ತಾರೆ-ಬಹುಶಃ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯು ಅದರ ವಿಷಯಗಳನ್ನು ಶಾಶ್ವತವಾಗಿ ಉಳಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ನೀಲನಕ್ಷೆಯಿಂದ ಛಾಯಾಗ್ರಹಣದ ವಿನ್ಯಾಸದಿಂದ ಚಿಪ್ಗೆ ಮುಂದುವರಿಯುವ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸಕ್ಕಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿ, ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿನ್ಯಾಸವು ಬಹುಶಃ ಚಿಪ್ನೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ-1024 ಘಟಕಗಳು ಮತ್ತು ತಂತಿಗಳ ಅಸ್ತವ್ಯಸ್ತವಾದ ಜಂಬಲ್, ಇವೆಲ್ಲವೂ ಸಹ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವುದಿಲ್ಲ-ಮತ್ತು ಕ್ರಮೇಣ ಅದನ್ನು ಉಪಯುಕ್ತ ಸಾಧನವಾಗಿ ಕೆತ್ತಿಸುತ್ತದೆ. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಟಾಪ್-ಡೌನ್ ವಿಧಾನವನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುವ ಬದಲು, ಈ ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ಸಂಪೂರ್ಣ ಗಾತ್ರದಿಂದಾಗಿ ಬಾಟಮ್-ಅಪ್ ವಿಧಾನವನ್ನು ಶೀಘ್ರದಲ್ಲೇ ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿರುವ ಎಲ್ಲವೂ ಬಹುಶಃ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವುದಿಲ್ಲ ಏಕೆಂದರೆ ನ್ಯಾನೊ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ, ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕಿಟ್ಗಳು ಅವುಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯಿಂದಾಗಿ ಹೆಚ್ಚು ದೋಷಯುಕ್ತವಾಗಿರುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ದೋಷಪೂರಿತವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಮತ್ತು ಎಂಜಿನಿಯರ್ಗಳು ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ಎಲ್ಲಾ ಅಗತ್ಯ ಘಟಕಗಳಾದ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು, ಲಾಜಿಕ್ ಗೇಟ್ಗಳು ಮತ್ತು ಡಯೋಡ್ಗಳನ್ನು ರಚಿಸಿದ್ದಾರೆ. ಅವೆಲ್ಲವನ್ನೂ ಸಾವಯವ ಅಣುಗಳು, ಇಂಗಾಲದ ನ್ಯಾನೊಟ್ಯೂಬ್ಗಳು ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊವೈರ್ ಅರೆವಾಹಕಗಳಿಂದ ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅಂತಹ ಸಣ್ಣ ಸಾಧನದೊಂದಿಗೆ ಬರುವ ದೋಷಗಳನ್ನು ತೊಡೆದುಹಾಕಲು ಒಂದು ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುವುದು ಮಾತ್ರ ಉಳಿದಿದೆ ಮತ್ತು ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕಿಟ್ಗಳು ಎಲ್ಲಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಗಳ ಮಾರ್ಗವಾಗುತ್ತವೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಸಣ್ಣ ನ್ಯಾನೊಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ಎಷ್ಟು ಆಗಬಹುದು ಮತ್ತು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಗಳು ತಮ್ಮ ಸಮತೋಲನದ ವೇಗವನ್ನು ತಲುಪುತ್ತವೆ ಎಂಬುದಕ್ಕೆ ಒಂದು ಮಿತಿ ಇರುತ್ತದೆ. ಮೂರ್ನ ನ್ಯಾನೊತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ನಿಯಮವನ್ನು ಸಹ ನೋಡಿ ನ್ಯಾನೊತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಇತಿಹಾಸ ನ್ಯಾನೊತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅನ್ವಯಗಳ ಪಟ್ಟಿ ನ್ಯಾನೊತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಪರಿಣಾಮಗಳು ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ನ್ಯಾನೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್