Semiconductor memory
ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯಂತಹ ಡಿಜಿಟಲ್ ದತ್ತಾಂಶ ಸಂಗ್ರಹಣೆಗೆ ಬಳಸುವ ಡಿಜಿಟಲ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಾಧನವಾಗಿದೆ. ಇದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ (ಎಂಓಎಸ್) ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ವಿವಿಧ ಅರೆವಾಹಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳನ್ನು ಬಳಸುವ ಹಲವಾರು ವಿಧಗಳಿವೆ. ಎರಡು ಮುಖ್ಯ ವಿಧದ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ-ಪ್ರವೇಶ ಮೆಮೊರಿ (RAM) ಗಳೆಂದರೆ ಪ್ರತಿ ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಕ್ಕೆ ಹಲವಾರು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸುವ ಸ್ಥಿರ RAM (SRAM) ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ಕೋಶಕ್ಕೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಮತ್ತು MOS ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವ ಡೈನಾಮಿಕ್ RAM (DRAM). ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಮೆಮೊರಿಯು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ EPROM, EEPROM ಮತ್ತು ಫ್ಲಾಶ್ ಮೆಮೊರಿ) ಫ್ಲೋಟಿಂಗ್-ಗೇಟ್ ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಪ್ರತಿ ಕೋಶಕ್ಕೆ ಒಂದೇ ಫ್ಲೋಟಿಂಗ್-ಗೇಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ರೀತಿಯ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ ಪ್ರವೇಶದ ಗುಣಲಕ್ಷಣವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಅಂದರೆ ಯಾವುದೇ ಮೆಮೊರಿ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಲು ಅದೇ ಪ್ರಮಾಣದ ಸಮಯವನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಡೇಟಾವನ್ನು ಯಾವುದೇ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಪ್ರವೇಶಿಸಬಹುದು. ಇದು ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ ಓದುವ ಮತ್ತು ಬರೆಯುವ ಹಾರ್ಡ್ ಡಿಸ್ಕ್ಗಳು ಮತ್ತು ಸಿ. ಡಿಗಳಂತಹ ದತ್ತಾಂಶ ಸಂಗ್ರಹಣಾ ಮಾಧ್ಯಮಗಳೊಂದಿಗೆ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಅದು ಬರೆಯಲ್ಪಟ್ಟ ಅದೇ ಅನುಕ್ರಮದಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ಪ್ರವೇಶಿಸಬಹುದು. ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯು ಇತರ ರೀತಿಯ ದತ್ತಾಂಶ ಸಂಗ್ರಹಣೆಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ವೇಗವಾಗಿ ಪ್ರವೇಶಿಸುವ ಸಮಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ; ದತ್ತಾಂಶದ ಒಂದು ಬೈಟ್ ಅನ್ನು ಕೆಲವು ನ್ಯಾನೊ ಸೆಕೆಂಡುಗಳಲ್ಲಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿಗೆ ಬರೆಯಬಹುದು ಅಥವಾ ಓದಬಹುದು, ಆದರೆ ಹಾರ್ಡ್ ಡಿಸ್ಕ್ಗಳಂತಹ ತಿರುಗುವ ಶೇಖರಣೆಯ ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯವು ಮಿಲಿಸೆಕೆಂಡುಗಳ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಕಾರಣಗಳಿಗಾಗಿ ಇದನ್ನು ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಶೇಖರಣೆಗಾಗಿ, ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಪ್ರಸ್ತುತ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿರುವ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ ಮತ್ತು ಡೇಟಾವನ್ನು ಹಿಡಿದಿಡಲು, ಇತರ ಬಳಕೆಗಳ ನಡುವೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗಳು ವಾರ್ಷಿಕವಾಗಿ ಮಾರಾಟವಾಗುತ್ತವೆ, ಇದು ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉದ್ಯಮದ ಶೇಕಡಾವಾರು ಪಾಲನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಶಿಫ್ಟ್ ರೆಜಿಸ್ಟರ್ಗಳು, ಪ್ರೊಸೆಸರ್ ರೆಜಿಸ್ಟರ್ಗಳು, ಡೇಟಾ ಬಫರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಮೆಮೊರಿ ಅಡ್ರೆಸ್ ಡಿಕೋಡಿಂಗ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ಹೊಂದಿರದ ಇತರ ಸಣ್ಣ ಡಿಜಿಟಲ್ ರೆಜಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೆಮೊರಿ ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಆದಾಗ್ಯೂ ಅವು ಡಿಜಿಟಲ್ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸಹ ಸಂಗ್ರಹಿಸುತ್ತವೆ. ವಿವರಣೆ ಅರೆವಾಹಕ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ, ಪ್ರತಿ ಬಿಟ್ ಬೈನರಿ ಡೇಟಾವನ್ನು ಒಂದರಿಂದ ಹಲವಾರು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಮೆಮೊರಿ ಸೆಲ್ ಎಂಬ ಸಣ್ಣ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಚಿಪ್ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಆಯತಾಕಾರದ ವ್ಯೂಹಗಳಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. 1-ಬಿಟ್ ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಪದಗಳು ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುವ ಸಣ್ಣ ಘಟಕಗಳಾಗಿ ವರ್ಗೀಕರಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇವುಗಳನ್ನು ಒಂದೇ ಮೆಮೊರಿ ವಿಳಾಸವಾಗಿ ಒಟ್ಟಿಗೆ ಪ್ರವೇಶಿಸಬಹುದು. ಮೆಮೊರಿಯು ಪದದ ಉದ್ದದಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ, ಅದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎರಡರ ಶಕ್ತಿಯಾಗಿದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎನ್ = 1,2,4 ಅಥವಾ 8 ಬಿಟ್ಗಳು. ಚಿಪ್ನ ವಿಳಾಸ ಪಿನ್ಗಳಿಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ಮೆಮೊರಿ ವಿಳಾಸ ಎಂಬ ಬೈನರಿ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಮೂಲಕ ಡೇಟಾವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿರುವ ಯಾವ ಪದವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಬೇಕು ಎಂಬುದನ್ನು ನಿರ್ದಿಷ್ಟಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ಮೆಮೊರಿ ವಿಳಾಸವು ಎಂ ಬಿಟ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿರುವ ವಿಳಾಸಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ 2 ಎಂ ಆಗಿರುತ್ತದೆ, ಪ್ರತಿಯೊಂದೂ ಎನ್ ಬಿಟ್ ಪದವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಪ್ರತಿ ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹವಾಗಿರುವ ದತ್ತಾಂಶದ ಪ್ರಮಾಣವು N2M ಬಿಟ್ಗಳಾಗಿರುತ್ತದೆ. M ಸಂಖ್ಯೆಯ ವಿಳಾಸ ಸಾಲುಗಳ ಮೆಮೊರಿ ಶೇಖರಣಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು 2M ನಿಂದ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 2,4,8,16,32,64,128,256 ಮತ್ತು 512 ರ ಶಕ್ತಿಯಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕಿಲೋಬಿಟ್ಗಳು, ಮೆಗಾಬಿಟ್ಗಳು, ಗಿಗಾಬಿಟ್ಗಳು ಅಥವಾ ಟೆರಾಬಿಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಅಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅತಿದೊಡ್ಡ ಅರೆವಾಹಕ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗಳು ಕೆಲವು ಗಿಗಾಬಿಟ್ಗಳ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. ಹಲವಾರು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಪ್ರತಿ ಚಿಪ್ ನೀಡುವ ಶಬ್ದದ ಉದ್ದ ಮತ್ತು/ಅಥವಾ ವಿಳಾಸದ ಸ್ಥಳಕ್ಕಿಂತ ದೊಡ್ಡದಾಗಿ ಜೋಡಿಸಬಹುದು, ಆದರೆ ಆಗಾಗ್ಗೆ ಎರಡು ಪವರ್ ಆಗಿರಬೇಕಾಗಿಲ್ಲ. ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ ನಿರ್ವಹಿಸುವ ಎರಡು ಮೂಲಭೂತ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಳೆಂದರೆ "ರೀಡ್", ಇದರಲ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ ಪದದ ದತ್ತಾಂಶ ವಿಷಯಗಳನ್ನು ಓದಲಾಗುತ್ತದೆ (ವಿನಾಶಕಾರಿಯಾಗಿ), ಮತ್ತು "ರೈಟ್" ಇದರಲ್ಲಿ ಡೇಟಾವನ್ನು ಮೆಮೊರಿ ಪದದಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಹಿಂದೆ ಅಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾದ ಯಾವುದೇ ಡೇಟಾವನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುತ್ತದೆ. ದತ್ತಾಂಶ ದರವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು, ಡಿಡಿಆರ್ ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂನಂತಹ ಕೆಲವು ಇತ್ತೀಚಿನ ರೀತಿಯ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿ ಓದುವ ಅಥವಾ ಬರೆಯುವ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯೊಂದಿಗೆ ಅನೇಕ ಪದಗಳನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಬಹುದು. ಸ್ವತಂತ್ರ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗಳ ಜೊತೆಗೆ, ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯ ಬ್ಲಾಕ್ಗಳು ಅನೇಕ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮತ್ತು ಡೇಟಾ ಪ್ರೊಸೆಸಿಂಗ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ ಅವಿಭಾಜ್ಯ ಅಂಗಗಳಾಗಿವೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳನ್ನು ನಡೆಸುವ ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್ ಚಿಪ್ಗಳು ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸಲು ಕಾಯುತ್ತಿರುವ ಸೂಚನೆಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲು ಕ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ವೋಲಟೈಲ್ ಮೆಮೊರಿಯ ವಿಧಗಳು ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಿದಾಗ ವೋಲಟೈಲ್ ಮೆಮೊರಿ ತನ್ನ ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದ ಡೇಟಾವನ್ನು ಕಳೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಇದು ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಸ್ಮರಣೆಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವೆಚ್ಚದಾಯಕವಾಗಿರಬಹುದು. ಈ ಪ್ರಕಾರವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಮುಖ್ಯ ಮೆಮೊರಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಆಫ್ ಆಗಿರುವಾಗ ಡೇಟಾವನ್ನು ಹಾರ್ಡ್ ಡಿಸ್ಕ್ನಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರಮುಖ ವಿಧಗಳೆಂದರೆಃ RAM (ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ-ಪ್ರವೇಶ ಮೆಮೊರಿ) ಇದು ಯಾವುದೇ ಅರೆವಾಹಕ ಮೆಮೊರಿಗೆ ಸಾಮಾನ್ಯ ಪದವಾಗಿದೆ, ಇದನ್ನು ಬರೆಯಬಹುದು ಮತ್ತು ಓದಬಹುದು, ಇದಕ್ಕೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ ROM (ಕೆಳಗೆ), ಇದನ್ನು ಮಾತ್ರ ಓದಬಹುದು. ಎಲ್ಲಾ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿ, ಕೇವಲ RAM ಮಾತ್ರವಲ್ಲ, ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ ಪ್ರವೇಶದ ಗುಣಲಕ್ಷಣವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. DRAM (ಡೈನಾಮಿಕ್ ರಾಂಡಮ್-ಆಕ್ಸೆಸ್ ಮೆಮೊರಿ) ಇದು ಪ್ರತಿ ಬಿಟ್ ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲು ಒಂದು MOSFET (MOS ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್) ಮತ್ತು ಒಂದು MOS ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಈ ರೀತಿಯ RAM ಅತ್ಯಂತ ಅಗ್ಗವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಸಾಂದ್ರತೆಯಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಧಿಕವಾಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದನ್ನು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳಲ್ಲಿನ ಮುಖ್ಯ ಮೆಮೊರಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಚಾರ್ಜ್ ನಿಧಾನವಾಗಿ ಸೋರಿಕೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ನಿಯತಕಾಲಿಕವಾಗಿ ರಿಫ್ರೆಶ್ ಮಾಡಬೇಕು (ಪುನಃ ಬರೆಯಬೇಕು) ಇದಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ರಿಫ್ರೆಶ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಆಂತರಿಕವಾಗಿ ನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಬಳಕೆದಾರರಿಗೆ ಪಾರದರ್ಶಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಎಫ್. ಪಿ. ಎಂ. ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. (ಫಾಸ್ಟ್ ಪೇಜ್ ಮೋಡ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ.) ಒಂದು ಹಳೆಯ ವಿಧದ ಅಸಿಂಕ್ರೋನಸ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಆಗಿದ್ದು, ಇದು ಹಿಂದಿನ ಪ್ರಕಾರಗಳಿಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿ ಸಂಭವಿಸುವ ಒಂದೇ "ಪುಟ" ಮೆಮೊರಿಗೆ ಪುನರಾವರ್ತಿತ ಪ್ರವೇಶಗಳನ್ನು ಅನುಮತಿಸುವ ಮೂಲಕ ಸುಧಾರಿಸಿದೆ. 1990ರ ದಶಕದ ಮಧ್ಯಭಾಗದಲ್ಲಿ ಇದನ್ನು ಬಳಸಲಾಯಿತು. ಇ. ಡಿ. ಓ. ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. (ಎಕ್ಸ್ಟೆಂಡೆಡ್ ಡೇಟಾ ಔಟ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ.) ಒಂದು ಹಳೆಯ ವಿಧದ ಅಸಿಂಕ್ರೋನಸ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಆಗಿದ್ದು, ಇದು ಹಿಂದಿನ ಪ್ರವೇಶದಿಂದ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಇನ್ನೂ ವರ್ಗಾಯಿಸಲಾಗುತ್ತಿರುವಾಗ ಹೊಸ ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರವೇಶವನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗುವ ಮೂಲಕ ಹಿಂದಿನ ಪ್ರಕಾರಗಳಿಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿ ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯವನ್ನು ಹೊಂದಿತ್ತು. 1990ರ ದಶಕದ ನಂತರದ ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಯಿತು. ವಿಆರ್ಎಎಂ (ವೀಡಿಯೊ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ ಪ್ರವೇಶ ಮೆಮೊರಿ) ಒಂದು ಕಾಲದಲ್ಲಿ ವೀಡಿಯೊ ಅಡಾಪ್ಟರುಗಳ (ವೀಡಿಯೊ ಕಾರ್ಡ್ಗಳು) ಫ್ರೇಮ್ ಬಫರ್ಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿದ್ದ ಹಳೆಯ ರೀತಿಯ ಡ್ಯುಯಲ್-ಪೋರ್ಟೆಡ್ ಮೆಮೊರಿ. ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ (ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಡೈನಾಮಿಕ್ ರಾಂಡಮ್-ಆಕ್ಸೆಸ್ ಮೆಮೊರಿ) ಇದು ಡಿಆರ್ಎಎಂ ಚಿಪ್ಗೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿಯನ್ನು ಸೇರಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ನ ಮೆಮೊರಿ ಬಸ್ಗೆ ಸೇರಿಸಲಾದ ಗಡಿಯಾರ ಸಂಕೇತದೊಂದಿಗೆ ಎಲ್ಲಾ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಳನ್ನು ಸಿಂಕ್ರೊನೈಸ್ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇದು ವೇಗವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಪೈಪ್ಲೈನಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಅನೇಕ ಮೆಮೊರಿ ವಿನಂತಿಗಳನ್ನು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೊಳಿಸಲು ಚಿಪ್ಗೆ ಅವಕಾಶ ಮಾಡಿಕೊಟ್ಟಿತು. ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿರುವ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಸಹ ಬ್ಯಾಂಕುಗಳಾಗಿ ವಿಂಗಡಿಸಲಾಗಿದೆ, ಪ್ರತಿಯೊಂದೂ ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡಬಹುದು. ಇದು ಸುಮಾರು 2000ನೇ ಇಸವಿಯ ಹೊತ್ತಿಗೆ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯ ಪ್ರಬಲ ವಿಧವಾಯಿತು. ಡಿಡಿಆರ್ ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ (ಡಬಲ್ ಡೇಟಾ ರೇಟ್ ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ) ಇದು ಡಬಲ್ ಪಂಪ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ (ಗಡಿಯಾರದ ನಾಡಿಮಿಡಿತದ ಏರುತ್ತಿರುವ ಮತ್ತು ಬೀಳುವ ಅಂಚುಗಳೆರಡರಲ್ಲೂ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ವರ್ಗಾಯಿಸುವ ಮೂಲಕ) ಪ್ರತಿ ಗಡಿಯಾರದ ಚಕ್ರದಲ್ಲಿ ಎರಡು ಬಾರಿ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು (ಸತತ ಎರಡು ಪದಗಳು) ವರ್ಗಾಯಿಸಬಹುದು. ಈ ಕಲ್ಪನೆಯ ವಿಸ್ತರಣೆಗಳು ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರವೇಶ ದರ ಮತ್ತು ಥ್ರೋಪುಟ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುವ ಪ್ರಸ್ತುತ (2012) ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ. ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗಳ ಆಂತರಿಕ ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗವನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿಸುವುದು ಕಷ್ಟಕರವೆಂದು ಸಾಬೀತಾಗುತ್ತಿರುವುದರಿಂದ, ಈ ಚಿಪ್ಗಳು ಪ್ರತಿ ಗಡಿಯಾರ ಚಕ್ರದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ದತ್ತಾಂಶ ಪದಗಳನ್ನು ವರ್ಗಾಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ವರ್ಗಾವಣೆ ದರವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ ಡಿಡಿಆರ್ 2 ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ ವರ್ಗಾವಣೆಗಳು ಪ್ರತಿ ಆಂತರಿಕ ಗಡಿಯಾರ ಚಕ್ರಕ್ಕೆ ಸತತ 4 ಪದಗಳನ್ನು ಡಿಡಿಆರ್ 3 ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ ವರ್ಗಾವಣೆಗಳು ಪ್ರತಿ ಆಂತರಿಕ ಗಡಿಯಾರ ಚಕ್ರಕ್ಕೆ ಸತತ 8 ಪದಗಳನ್ನು ವರ್ಗಾಯಿಸುತ್ತವೆ. ಡಿಡಿಆರ್ 4 ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ ಪ್ರತಿ ಆಂತರಿಕ ಗಡಿಯಾರ ಚಕ್ರಕ್ಕೆ ಸತತ 16 ಪದಗಳನ್ನು ವರ್ಗಾಯಿಸುತ್ತದೆ. ಆರ್. ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. (ರಾಂಬಸ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ.) ಒಂದು ಪರ್ಯಾಯ ಡಬಲ್ ಡೇಟಾ ರೇಟ್ ಮೆಮೊರಿ ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಆಗಿದ್ದು, ಇದನ್ನು ಕೆಲವು ಇಂಟೆಲ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು ಆದರೆ ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಡಿ. ಡಿ. ಆರ್. ಎಸ್. ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಗೆ ಕಳೆದುಹೋಯಿತು. ಎಕ್ಸ್. ಡಿ. ಆರ್. ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. (ಎಕ್ಸ್ಟ್ರೀಮ್ ಡೇಟಾ ರೇಟ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ.) ಎಸ್. ಜಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. (ಸಿಂಕ್ರೋನಸ್ ಗ್ರಾಫಿಕ್ಸ್ ರಾಮ್) ಗ್ರಾಫಿಕ್ಸ್ ಅಡಾಪ್ಟರುಗಳಿಗಾಗಿ (ವಿಡಿಯೋ ಕಾರ್ಡ್ಗಳು) ತಯಾರಿಸಲಾದ ವಿಶೇಷ ರೀತಿಯ ಎಸ್. ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಆಗಿದೆ. ಇದು ಬಿಟ್ ಮಾಸ್ಕಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಬ್ಲಾಕ್ ರೈಟ್ನಂತಹ ಗ್ರಾಫಿಕ್ಸ್-ಸಂಬಂಧಿತ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಗಳನ್ನು ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಎರಡು ಪುಟಗಳ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ತೆರೆಯಬಹುದು. ಜಿಡಿಡಿಆರ್ ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ (ಗ್ರಾಫಿಕ್ಸ್ ಡಿಡಿಆರ್ ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ) ಜಿಡಿಡಿಆರ್2 ಜಿಡಿಡಿಆರ್3 ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ ಜಿಡಿಡಿಆರ್4 ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ ಜಿಡಿಡಿಆರ್5 ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ ಜಿಡಿಡಿಆರ್6 ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ ಎಚ್ಬಿಎಂ (ಹೈ ಬ್ಯಾಂಡ್ವಿಡ್ತ್ ಮೆಮೊರಿ) ಗ್ರಾಫಿಕ್ಸ್ ಕಾರ್ಡ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವ ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂನ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯಾಗಿದ್ದು ಅದು ಡೇಟಾವನ್ನು ವೇಗವಾಗಿ ವರ್ಗಾಯಿಸಬಲ್ಲದು. ಇದು ವಿಶಾಲವಾದ ದತ್ತಾಂಶ ಬಸ್ ನೊಂದಿಗೆ ಪರಸ್ಪರರ ಮೇಲೆ ಜೋಡಿಸಲಾದ ಅನೇಕ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ. ಪಿಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ (ಸ್ಯೂಡೋಸ್ಟಾಟಿಕ್ ರಾಮ್) ಇದು ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ ರಿಫ್ರೆಶ್ ಮಾಡಲು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಡಿಆರ್ಎಎಂ ಆಗಿದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಇದು ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂನಂತೆ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಉಳಿಸಲು ಬಾಹ್ಯ ಮೆಮೊರಿ ನಿಯಂತ್ರಕವನ್ನು ಮುಚ್ಚಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ವೈ ನಂತಹ ಕೆಲವು ಗೇಮ್ ಕನ್ಸೋಲ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ (ಸ್ಥಿರ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ-ಪ್ರವೇಶ ಮೆಮೊರಿ) ಇದು 4 ರಿಂದ 6 ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳಿಂದ ಮಾಡಿದ ಫ್ಲಿಪ್-ಫ್ಲಾಪ್ ಎಂಬ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿ ಬಿಟ್ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುತ್ತದೆ. ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ ಕಡಿಮೆ ದಟ್ಟವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಗಿಂತ ಪ್ರತಿ ಬಿಟ್ಗೆ ಹೆಚ್ಚು ದುಬಾರಿಯಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮೆಮೊರಿ ರಿಫ್ರೆಶ್ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ. ಇದನ್ನು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳಲ್ಲಿನ ಸಣ್ಣ ಕ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಿಎಎಂ (ಕಂಟೆಂಟ್-ಅಡ್ರೆಸ್ಸಬಲ್ ಮೆಮೊರಿ) ಇದು ಒಂದು ವಿಶೇಷ ವಿಧವಾಗಿದ್ದು, ಇದರಲ್ಲಿ ವಿಳಾಸವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಡೇಟಾವನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸುವ ಬದಲು, ಡೇಟಾ ವರ್ಡ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪದವನ್ನು ಮೆಮೊರಿಯಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದರೆ ಮೆಮೊರಿಯು ಸ್ಥಳವನ್ನು ಹಿಂದಿರುಗಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಮೈಕ್ರೋಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳಂತಹ ಇತರ ಚಿಪ್ಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಯೋಜಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಇದನ್ನು ಕ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಮೆಮೊರಿ ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಮೆಮೊರಿ (ಎನ್ವಿಎಂ) ಚಿಪ್ಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡಿದ ಅವಧಿಯಲ್ಲಿ ಅದರಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹವಾಗಿರುವ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸಂರಕ್ಷಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಇದನ್ನು ಡಿಸ್ಕ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರದ ಪೋರ್ಟಬಲ್ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿನ ಮೆಮೊರಿಗಾಗಿ ಮತ್ತು ಇತರ ಬಳಕೆಗಳ ನಡುವೆ ತೆಗೆಯಬಹುದಾದ ಮೆಮೊರಿ ಕಾರ್ಡ್ಗಳಿಗಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರಮುಖ ವಿಧಗಳೆಂದರೆಃ ರಾಮ್ (ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ) ಇದನ್ನು ಶಾಶ್ವತ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಹಿಡಿದಿಡಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯಲ್ಲಿ ಇದನ್ನು ಓದಲಾಗುತ್ತದೆ, ಬರೆಯಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಅನೇಕ ಪ್ರಕಾರಗಳಿಗೆ ಬರೆಯಬಹುದಾದರೂ, ಬರವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ನಿಧಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿರುವ ಎಲ್ಲಾ ಡೇಟಾವನ್ನು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಪುನಃ ಬರೆಯಬೇಕು. ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಅನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುವ ಬಯೋಸ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ ಮತ್ತು ಪೋರ್ಟಬಲ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್ಗಳಂತಹ ಎಂಬೆಡೆಡ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳಿಗೆ ಸಾಫ್ಟ್ವೇರ್ (ಮೈಕ್ರೊಕೋಡ್) ನಂತಹ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗೆ ತಕ್ಷಣವೇ ಪ್ರವೇಶಿಸಬಹುದಾದ ಸಿಸ್ಟಮ್ ಸಾಫ್ಟ್ವೇರ್ ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲು ಇದನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಂ. ಆರ್. ಓ. ಎಂ. (ಮಾಸ್ಕ್ ಪ್ರೊಗ್ರಾಮ್ಡ್ ರಾಮ್ ಅಥವಾ ಮಾಸ್ಕ್ ರಾಮ್) ಈ ರೀತಿಯ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಚಿಪ್ ತಯಾರಿಸಿದಾಗ ಚಿಪ್ಗೆ ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದನ್ನು ದೊಡ್ಡ ಉತ್ಪಾದನಾ ರನ್ಗಳಿಗೆ ಮಾತ್ರ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಹೊಸ ದತ್ತಾಂಶದೊಂದಿಗೆ ಪುನಃ ಬರೆಯಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ. PROM (ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ) ಈ ರೀತಿಯ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾಪಿಸುವ ಮೊದಲು ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರುವ PROM ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಬರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಅದನ್ನು ಒಮ್ಮೆ ಮಾತ್ರ ಬರೆಯಬಹುದು. PROM ಪ್ರೋಗ್ರಾಮರ್ ಎಂಬ ಸಾಧನಕ್ಕೆ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ಪ್ಲಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಡೇಟಾವನ್ನು ಬರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. EPROM (ಎರೇಸಬಲ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಮಬಲ್ ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ ಅಥವಾ UVEPROM) ಈ ರೀತಿಯ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಬೋರ್ಡ್ನಿಂದ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವ ಮೂಲಕ, ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರುವ ಡೇಟಾವನ್ನು ಅಳಿಸಲು ನೇರಳಾತೀತ ಬೆಳಕಿಗೆ ಒಡ್ಡುವ ಮೂಲಕ ಮತ್ತು ಅದನ್ನು PROM ಪ್ರೋಗ್ರಾಮರ್ಗೆ ಪ್ಲಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಪುನಃ ಬರೆಯಬಹುದು. ಯುವಿ ಬೆಳಕನ್ನು ಪ್ರವೇಶಿಸಲು ಐಸಿ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ ಮೇಲ್ಭಾಗದಲ್ಲಿ ಸಣ್ಣ ಪಾರದರ್ಶಕ "ವಿಂಡೋ" ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಇದನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೂಲಮಾದರಿಗಳು ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಉತ್ಪಾದನಾ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಅದರಲ್ಲಿರುವ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ ಅನ್ನು ಕಾರ್ಖಾನೆಯಲ್ಲಿ ಬದಲಾಯಿಸಬೇಕಾಗಬಹುದು. EEPROM (ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನವಾಗಿ ಅಳಿಸಬಹುದಾದ ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ) ಈ ವಿಧದಲ್ಲಿ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನವಾಗಿ ಪುನಃ ಬರೆಯಬಹುದು, ಆದರೆ ಚಿಪ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಬೋರ್ಡ್ನಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಬರೆಯುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ನಿಧಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಕಾರವನ್ನು ಫರ್ಮ್ವೇರ್ ಅನ್ನು ಹಿಡಿದಿಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬಿಐಓಎಸ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂನಂತಹ ಹಾರ್ಡ್ವೇರ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ನಡೆಸುವ ಕಡಿಮೆ ಮಟ್ಟದ ಮೈಕ್ರೊಕೋಡ್, ಅದನ್ನು ನವೀಕರಿಸಬಹುದು. ಎನ್ವಿಆರ್ಎಎಂ (ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ-ಪ್ರವೇಶ ಮೆಮೊರಿ) ಎಫ್ಆರ್ಎಎಂ (ಫೆರೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ರಾಮ್) ಒಂದು ರೀತಿಯ ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ರಾಮ್. ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿ ಈ ವಿಧದಲ್ಲಿ ಬರೆಯುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು EEPROMS ಮತ್ತು RAM ಮೆಮೊರಿಯ ನಡುವಿನ ವೇಗದಲ್ಲಿ ಮಧ್ಯಂತರವಾಗಿದೆ; ಇದನ್ನು ಬರೆಯಬಹುದು, ಆದರೆ ಮುಖ್ಯ ಮೆಮೊರಿಯಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವಷ್ಟು ವೇಗವಾಗಿಲ್ಲ. ಕಡತಗಳನ್ನು ಶೇಖರಿಸಿಡಲು ಇದನ್ನು ಹಾರ್ಡ್ ಡಿಸ್ಕ್ನ ಅರೆವಾಹಕ ಆವೃತ್ತಿಯಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಪೋರ್ಟಬಲ್ ಸಾಧನಗಳಾದ ಪಿಡಿಎಗಳು, ಯುಎಸ್ಬಿ ಫ್ಲ್ಯಾಷ್ ಡ್ರೈವ್ಗಳು ಮತ್ತು ಡಿಜಿಟಲ್ ಕ್ಯಾಮೆರಾಗಳು ಮತ್ತು ಸೆಲ್ಫೋನ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವ ತೆಗೆಯಬಹುದಾದ ಮೆಮೊರಿ ಕಾರ್ಡ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆರಂಭಿಕ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್-ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿತ್ತು, ಏಕೆಂದರೆ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಜಂಕ್ಷನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) ನಂತಹ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ಆರಂಭಿಕ ಘನ-ಸ್ಥಿತಿಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಡಿಜಿಟಲ್ ಶೇಖರಣಾ ಅಂಶಗಳಾಗಿ (ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳು) ಬಳಸಲು ಅಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಾಗಿದ್ದವು. ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿದ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಮೆಮೊರಿಯೊಂದಿಗೆ ಆರಂಭಿಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯು 1960 ರ ದಶಕದ ಆರಂಭದಲ್ಲಿದೆ. ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಸಾಧನಗಳಿಂದ ತಯಾರಿಸಿದ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ ಟೆಕ್ಸಾಸ್ ಇನ್ಸ್ಟ್ರುಮೆಂಟ್ಸ್ 1961 ರಲ್ಲಿ ಯುನೈಟೆಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ಸ್ ಏರ್ ಫೋರ್ಸ್ಗೆ ರವಾನಿಸಿತು. ಅದೇ ವರ್ಷ, ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (ಐಸಿ) ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಸಾಲಿಡ್-ಸ್ಟೇಟ್ ಮೆಮೊರಿಯ ಪರಿಕಲ್ಪನೆಯನ್ನು ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ನಲ್ಲಿ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಎಂಜಿನಿಯರ್ ಬಾಬ್ ನಾರ್ಮನ್ ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಿದರು. ಮೊದಲ ಸಿಂಗಲ್-ಚಿಪ್ ಮೆಮೊರಿ ಐಸಿ ಬಿಜೆಟಿ 16-ಬಿಟ್ ಐಬಿಎಂ ಎಸ್ಪಿ95 ಆಗಿದ್ದು, ಇದನ್ನು ಡಿಸೆಂಬರ್ 1965 ರಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಲಾಯಿತು, ಇದನ್ನು ಪಾಲ್ ಕ್ಯಾಸ್ಟ್ರಸ್ಸಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಿದರು. ದ್ವಿಧ್ರುವಿ ಸ್ಮರಣೆಯು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್-ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಗಿಂತ ಸುಧಾರಿತ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆಯಾದರೂ, ಇದು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್-ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಯ ಕಡಿಮೆ ಬೆಲೆಯೊಂದಿಗೆ ಸ್ಪರ್ಧಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗಲಿಲ್ಲ, ಇದು 1960 ರ ದಶಕದ ಅಂತ್ಯದವರೆಗೆ ಪ್ರಬಲವಾಗಿತ್ತು. ದ್ವಿಧ್ರುವಿ ಫ್ಲಿಪ್-ಫ್ಲಾಪ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ತುಂಬಾ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದ್ದವು ಮತ್ತು ದುಬಾರಿಯಾಗಿದ್ದರಿಂದ ದ್ವಿಧ್ರುವಿ ಮೆಮೊರಿಯು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್-ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಬದಲಿಸುವಲ್ಲಿ ವಿಫಲವಾಯಿತು. 1959ರಲ್ಲಿ ಬೆಲ್ ಲ್ಯಾಬ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಮೊಹಮ್ಮದ್ ಎಮ್. ಅಟಲ್ಲಾ ಮತ್ತು ಡಾವಾನ್ ಕಹಂಗ್ ಅವರು ಕಂಡುಹಿಡಿದ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (MOSFET) ಆಗಮನವು ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ (MOS) ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಮೆಮೊರಿ ಸೆಲ್ ಶೇಖರಣಾ ಅಂಶಗಳಾಗಿ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕವಾಗಿ ಬಳಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಟ್ಟಿತು, ಈ ಕಾರ್ಯವು ಹಿಂದೆ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯಲ್ಲಿ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಕೋರ್ಗಳಿಂದ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿತ್ತು. ಎಮ್ಓಎಸ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಜಾನ್ ಸ್ಮಿತ್ ಅವರು 1964 ರಲ್ಲಿ ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ನಲ್ಲಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು. ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಜೊತೆಗೆ, ಎಂಓಎಸ್ ಮೆಮೊರಿಯು ಅಗ್ಗವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್-ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಕೋರ್ಗಳನ್ನು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಶೇಖರಣಾ ಅಂಶಗಳಾಗಿ ಬದಲಾಯಿಸಲು MOSFETಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. 1965ರಲ್ಲಿ ಜೆ. ರಾಯಲ್ ರಾಡಾರ್ ಎಸ್ಟಾಬ್ಲಿಷ್ಮೆಂಟ್ನ ವುಡ್ ಮತ್ತು ಆರ್. ಬಾಲ್, ವಿದ್ಯುತ್ ಪೂರೈಕೆ, ಸ್ವಿಚ್ ಕ್ರಾಸ್-ಕಪ್ಲಿಂಗ್, ಸ್ವಿಚ್ಗಳು ಮತ್ತು ಡಿಲೇ-ಲೈನ್ ಶೇಖರಣೆಗಾಗಿ MOSFET ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಧನಗಳ ಜೊತೆಗೆ CMOS (ಪೂರಕ MOS) ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಬಳಸುವ ಡಿಜಿಟಲ್ ಶೇಖರಣಾ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳನ್ನು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಿದರು. 1968ರಲ್ಲಿ ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ನಲ್ಲಿ ಫೆಡೆರಿಕೊ ಫಾಗ್ಗಿನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್-ಗೇಟ್ ಎಂಓಎಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (ಎಂಓಎಸ್ ಐಸಿ) ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯು ಎಂಓಎಸ್ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗಳ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಟ್ಟಿತು. ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು 1970ರ ದಶಕದ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಐ. ಬಿ. ಎಂ. ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿತು. ಎಂಓಎಸ್ ಮೆಮೊರಿಯು 1970ರ ದಶಕದ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಮೆಮೊರಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿತು. "ಮೆಮೊರಿ" ಎಂಬ ಪದವನ್ನು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಬಳಸಿದಾಗ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಅಸ್ಥಿರ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ-ಪ್ರವೇಶ ಮೆಮೊರಿ (RAM) ಅನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಅಸ್ಥಿರ RAMನ ಎರಡು ಪ್ರಮುಖ ವಿಧಗಳೆಂದರೆ ಸ್ಟ್ಯಾಟಿಕ್ ರಾಂಡಮ್-ಆಕ್ಸೆಸ್ ಮೆಮೊರಿ (SRAM) ಮತ್ತು ಡೈನಾಮಿಕ್ ರಾಂಡಮ್-ಆಕ್ಸೆಸ್ ಮೆಮೊರಿ (DRAM). ಬೈಪೋಲಾರ್ ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ ಅನ್ನು ರಾಬರ್ಟ್ ನಾರ್ಮನ್ ಅವರು 1963 ರಲ್ಲಿ ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ನಲ್ಲಿ ಕಂಡುಹಿಡಿದರು, ನಂತರ 1964 ರಲ್ಲಿ ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ನಲ್ಲಿ ಜಾನ್ ಸ್ಮಿತ್ ಅವರು ಎಂಓಎಸ್ ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು. ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್-ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಗೆ ಪರ್ಯಾಯವಾಯಿತು, ಆದರೆ ಪ್ರತಿ ಬಿಟ್ ದತ್ತಾಂಶಕ್ಕೆ ಆರು ಎಂಓಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಅಗತ್ಯವಿತ್ತು. 1965ರಲ್ಲಿ ಐಬಿಎಂ ಸಿಸ್ಟಮ್/360 ಮಾಡೆಲ್ 95ಗಾಗಿ ತಮ್ಮ ಎಸ್. ಪಿ. 95 ಎಸ್. ಆರ್. ಎ. ಎಂ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿದಾಗ ಎಸ್. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ನ ವಾಣಿಜ್ಯ ಬಳಕೆಯು ಪ್ರಾರಂಭವಾಯಿತು. 1965ರಲ್ಲಿ ತೋಷಿಬಾ ತನ್ನ ಟೋಸ್ಕಲ್ ಬಿ. ಸಿ-1411 ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕ್ಯಾಲ್ಕುಲೇಟರ್ಗಾಗಿ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿತು. ಇದು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್-ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಗಿಂತ ಸುಧಾರಿತ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ನೀಡಿದರೂ, ಬೈಪೋಲಾರ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಆಗಿನ ಪ್ರಬಲ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್-ಕೋರ್ ಮೆಮೊರಿಯ ಕಡಿಮೆ ಬೆಲೆಯೊಂದಿಗೆ ಸ್ಪರ್ಧಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗಲಿಲ್ಲ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಆಧುನಿಕ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಗೆ ಆಧಾರವಾಗಿದೆ. 1966ರಲ್ಲಿ, ಐಬಿಎಂ ಥಾಮಸ್ ಜೆ. ವ್ಯಾಟ್ಸನ್ ಸಂಶೋಧನಾ ಕೇಂದ್ರದಲ್ಲಿ ಡಾ. ರಾಬರ್ಟ್ ಎಚ್. ಡೆನ್ನಾರ್ಡ್ ಅವರು ಎಂಓಎಸ್ ಮೆಮೊರಿಯ ಮೇಲೆ ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದರು. ಎಂಓಎಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸುವಾಗ, ಇದು ಕೆಪಾಸಿಟರ್ಗಳನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಎಂದು ಅವರು ಕಂಡುಕೊಂಡರು, ಮತ್ತು ಎಂಓಎಸ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ನಲ್ಲಿ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವುದು ಅಥವಾ ಯಾವುದೇ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸದಿರುವುದು ಬಿಟ್ನ 1 ಮತ್ತು 0 ಅನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸಬಹುದು, ಆದರೆ ಎಂಓಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ಗೆ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಬರೆಯುವುದನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದು. ಇದು ಏಕ-ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಡಿ. ಆರ್. ಎ. ಎಂ. ಮೆಮೊರಿ ಕೋಶದ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. 1967ರಲ್ಲಿ, ಡೆನ್ನಾರ್ಡ್ MOS ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ಏಕ-ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ DRAM ಮೆಮೊರಿ ಸೆಲ್ಗಾಗಿ IBM ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಪೇಟೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಸಲ್ಲಿಸಿದರು. ಇದು 1970ರ ಅಕ್ಟೋಬರ್ನಲ್ಲಿ ಇಂಟೆಲ್ 1103 ಎಂಬ ಮೊದಲ ವಾಣಿಜ್ಯ DRAM IC ಚಿಪ್ಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. ಸಿಂಕ್ರೊನಸ್ ಡೈನಾಮಿಕ್ ರಾಂಡಮ್-ಆಕ್ಸೆಸ್ ಮೆಮೊರಿ (ಎಸ್ಡಿಆರ್ಎಎಂ) ನಂತರ 1992ರಲ್ಲಿ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಕೆಎಂ48ಎಸ್ಎಲ್2000 ಚಿಪ್ನೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಾರಂಭವಾಯಿತು. "ಮೆಮೊರಿ" ಎಂಬ ಪದವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು, ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಫ್ಲಾಶ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದು ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ (ರಾಮ್) ಯಲ್ಲಿ ಮೂಲವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ (PROM) ಅನ್ನು ವೆನ್ ಸಿಂಗ್ ಚೌ ಅವರು 1956 ರಲ್ಲಿ ಅಮೆರಿಕನ್ ಬಾಷ್ ಅರ್ಮಾ ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್ನ ಅರ್ಮಾ ವಿಭಾಗಕ್ಕಾಗಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವಾಗ ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. 1967ರಲ್ಲಿ, ಬೆಲ್ ಲ್ಯಾಬ್ಸ್ನ ಡಾವಾನ್ ಕಹ್ಂಗ್ ಮತ್ತು ಸೈಮನ್ ಸ್ಜೆ ಅವರು ಎಂಓಎಸ್ ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನದ ತೇಲುವ ದ್ವಾರವನ್ನು ಮರುಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ ಮಾಡಬಹುದಾದ ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ (ರಾಮ್) ಯ ಕೋಶಕ್ಕೆ ಬಳಸಬಹುದೆಂದು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಿದರು, ಇದು ಇಂಟೆಲ್ನ ಡೋವ್ ಫ್ರೊಹ್ಮನ್ 1971ರಲ್ಲಿ ಇಪ್ರೋಮ್ (ಅಳಿಸಬಹುದಾದ ಪ್ರೋಮ್) ಅನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಲು ಕಾರಣವಾಯಿತು. EEPROM (ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನವಾಗಿ ಅಳಿಸಬಹುದಾದ PROM) ಅನ್ನು 1972 ರಲ್ಲಿ ಜಪಾನ್ನ ಅಂತರರಾಷ್ಟ್ರೀಯ ವ್ಯಾಪಾರ ಮತ್ತು ಕೈಗಾರಿಕಾ ಸಚಿವಾಲಯದ (MITI) ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಟೆಕ್ನಿಕಲ್ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯದಲ್ಲಿ ಯಾಸುವೊ ತಾರುಯಿ, ಯುಟಾಕಾ ಹಯಶಿ ಮತ್ತು ಕಿಯೋಕೋ ನಾಗಾ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು. ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು 1980ರ ದಶಕದ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ತೋಷಿಬಾದಲ್ಲಿ ಫ್ಯೂಜಿಯೊ ಮಾಸುವೋಕ ಅವರು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ಮಸುಯೋಕಾ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು 1984ರಲ್ಲಿ ಎನ್. ಓ. ಆರ್. ಫ್ಲ್ಯಾಶ್ ಮತ್ತು ನಂತರ 1987ರಲ್ಲಿ ಎನ್. ಎ. ಎನ್. ಡಿ. ಫ್ಲ್ಯಾಷ್ ಆವಿಷ್ಕಾರವನ್ನು ಪ್ರಸ್ತುತಪಡಿಸಿದರು. ತೋಷಿಬಾ 1987ರಲ್ಲಿ NAND ಫ್ಲಾಶ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿತು. ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳು ಸಹ ನೋಡಿ ಹೆಚ್ಚು ಮಾರಾಟವಾಗುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳ ಪಟ್ಟಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉದ್ಯಮ ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಡಿಜಿಟಲ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು MOSFET ಗಳು