Electron beam ion trap
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬೀಮ್ ಅಯಾನ್ ಟ್ರ್ಯಾಪ್ (ಇ. ಬಿ. ಐ. ಟಿ) ಒಂದು ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಬಾಟಲಿಯಾಗಿದ್ದು, ಇದು ಹೆಚ್ಚು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಲಾದ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸೀಮಿತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಇ. ಬಿ. ಐ. ಟಿ. ಯು ಸತತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ರಭಾವದಿಂದ ಪರಮಾಣುಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಚಾರ್ಜ್ ಸ್ಥಿತಿಗಳಿಗೆ ಅಯಾನೀಕರಿಸಲು ಶಕ್ತಿಯುತವಾದ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಎಲ್ಎಲ್ಎನ್ಎಲ್ ಮತ್ತು ಎಲ್ಬಿಎನ್ಎಲ್ನಲ್ಲಿ ಎಂ. ಲೆವಿನ್ ಮತ್ತು ಆರ್. ಮಾರ್ಸ್ ಅವರು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ಪರಮಾಣುಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣವನ್ನು ಪ್ರತಿಬಂಧಿಸುವ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ಧನಾತ್ಮಕ ಅಯಾನುಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣದ ಋಣಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಬಲವಾದ ಆಕರ್ಷಣೆಯಿಂದ ಅವುಗಳ ಚಲನೆಯಲ್ಲಿ ಬಿಗಿಯಾಗಿ ಸೀಮಿತವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಅವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣದ ಸುತ್ತ ಪರಿಭ್ರಮಿಸುತ್ತವೆ, ಅದನ್ನು ಆಗಾಗ್ಗೆ ದಾಟುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಮತ್ತಷ್ಟು ಘರ್ಷಣೆಗಳು ಮತ್ತು ಅಯಾನೀಕರಣಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣದ ಅಕ್ಷದ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಅಯಾನು ಚಲನೆಯನ್ನು ನಿರ್ಬಂಧಿಸಲು, ಕೇಂದ್ರ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ ಧನಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳನ್ನು ಸಾಗಿಸುವ ಟ್ರ್ಯಾಪಿಂಗ್ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಬರುವ ಅಯಾನು ಬಲೆಯು ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಹಲವು ಸೆಕೆಂಡುಗಳು ಮತ್ತು ನಿಮಿಷಗಳ ಕಾಲ ಹಿಡಿದಿಟ್ಟುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಯುರೇನಿಯಂ (U92 +) ವರೆಗಿನ ಅತ್ಯಧಿಕ ಚಾರ್ಜ್ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ತಲುಪುವ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಈ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಸಾಧಿಸಬಹುದು. ಅಯಾನುಗಳ ರೇಡಿಯಲ್ ಬಂಧನಕ್ಕೆ ಅಗತ್ಯವಾದ ಬಲವಾದ ಚಾರ್ಜ್ಗೆ ಹತ್ತಾರು ಮಿಲಿಯಾಂಪಿಯರ್ಗಳವರೆಗಿನ ದೊಡ್ಡ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣದ ಪ್ರವಾಹಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ. ಅದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಅಯಾನುಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಚಾರ್ಜ್ ಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಸಾಧಿಸುವ ಸಲುವಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ವೇಗಗೊಳಿಸಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳನ್ನು (200 ಕಿಲೋವೋಲ್ಟ್ಗಳವರೆಗೆ) ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ಸೆರೆಹಿಡಿಯಬಲ್ಲ ತಟಸ್ಥ ಪರಮಾಣುಗಳೊಂದಿಗೆ ಘರ್ಷಣೆಗಳ ಮೂಲಕ ಅಯಾನುಗಳ ಚಾರ್ಜ್ ಕಡಿತವನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು, ಉಪಕರಣದಲ್ಲಿನ ನಿರ್ವಾತವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಯುಹೆಚ್ವಿ ಮಟ್ಟದಲ್ಲಿ ನಿರ್ವಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯ ಒತ್ತಡದ ಮೌಲ್ಯಗಳು ಕೇವಲ 10−12 ಟಾರ್, (~ 10−10 ಪಾಸ್ಕಲ್). ಇ. ಬಿ. ಐ. ಟಿ. ಗಳ ಅನ್ವಯಗಳನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವೇಶದ ಅಯಾನುಗಳ ಮೂಲಭೂತ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಫೋಟಾನ್ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿಯಿಂದ, ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಸಾಪೇಕ್ಷತಾ ಪರಮಾಣು ರಚನೆ ಸಿದ್ಧಾಂತ ಮತ್ತು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡೈನಮಿಕ್ಸ್ (ಕ್ಯೂ. ಇ. ಡಿ.). ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಆಸ್ಟ್ರೋಫಿಸಿಕಲ್ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾಗಳು ಮತ್ತು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಕಾನ್ಫೈನ್ಮೆಂಟ್ ಫ್ಯೂಷನ್ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾಗಳ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಪರಿಮಾಣದಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಲು ಮತ್ತು ಪುನರುತ್ಪಾದಿಸಲು ಅವುಗಳ ಸೂಕ್ತತೆಯು ಅವುಗಳನ್ನು ಸೂಕ್ತವಾದ ಸಂಶೋಧನಾ ಸಾಧನಗಳನ್ನಾಗಿ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇತರ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳು ಮೇಲ್ಮೈಗಳೊಂದಿಗಿನ ಅವುಗಳ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳ ಅಧ್ಯಯನ ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರೊಲಿಥೊಗ್ರಫಿಗೆ ಸಂಭವನೀಯ ಅನ್ವಯಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿವೆ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು-ಮೊದಲ ಇ. ಬಿ. ಐ. ಟಿ ಪರಮಾಣು ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ ಅಳತೆ ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಪರಮಾಣು ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತತೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣ ಅಮೇರಿಕನ್ ಆವಿಷ್ಕಾರಗಳು ಕಣಗಳ ಬಲೆಗಳು