Heterojunction solar cell
ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ಗಳು (ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ) ಅಥವಾ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ವಿತ್ ಇಂಟ್ರಿನ್ಸಿಕ್ ಥಿನ್ ಲೇಯರ್ (ಎಚ್ಐಟಿ) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುವ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು (ಎಚ್ಜೆಟಿ), ಭಿನ್ನವಾದ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಅರೆವಾಹಕಗಳ ನಡುವೆ ರೂಪುಗೊಂಡ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಅನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಕ ಕೋಶ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳ ಒಂದು ಕುಟುಂಬವಾಗಿದೆ. ಅವು ಹೈಬ್ರಿಡ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದ್ದು, ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ಅಂಶಗಳನ್ನು ತೆಳುವಾದ ಪದರದ ಸೌರ ಕೋಶಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತವೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್-ಆಧಾರಿತ ಸೌರ ಫಲಕಗಳನ್ನು ವಸತಿ ಮತ್ತು ಉಪಯುಕ್ತತೆ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಗಳಿಗಾಗಿ ವಾಣಿಜ್ಯಿಕವಾಗಿ ಸಾಮೂಹಿಕವಾಗಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. 2023ರ ಹೊತ್ತಿಗೆ, ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ವಾಸ್ತುಶಿಲ್ಪವು ವಾಣಿಜ್ಯ ಗಾತ್ರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ಜೀವಕೋಶ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. 2022-2024 ನಲ್ಲಿ, ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳು ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಪಾಲಿನಲ್ಲಿ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಬ್ಯಾಕ್ ಸರ್ಫೇಸ್ ಫೀಲ್ಡ್ (ಅಲ್-ಬಿಎಸ್ಎಫ್) ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿ ಪಿಇಆರ್ಸಿ/ಟಿಒಪಿಸಾನ್ (ಪ್ಯಾಸಿವೇಟೆಡ್ ಎಮಿಟರ್ ರಿಯರ್ ಸೆಲ್/ಟನಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಪ್ಯಾಸಿವೇಟೆಡ್ ಕಾಂಟ್ಯಾಕ್ಟ್) ನಂತರ ಎರಡನೇ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಂಡ ವಾಣಿಜ್ಯ ಸೌರ ಕೋಶ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗುವ ನಿರೀಕ್ಷೆಯಿದೆ, ಇದು 2032 ರ ವೇಳೆಗೆ ಸುಮಾರು 20 ಪ್ರತಿಶತಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಕ್ರಿಯ ಸ್ಫಟಿಕದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಇದು ಹೈಡ್ರೋಜನೀಕರಿಸಿದ ಆಂತರಿಕ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ (ಎ-ಸಿಃ ಎಚ್ ಎಂದು ಸೂಚಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ) ಅಥವಾ ನ್ಯಾನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲಿನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ("ಬಫರ್ ಲೇಯರ್") ನ ತೆಳುವಾದ ಪದರದಿಂದ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸೂಕ್ತವಾಗಿ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಯ್ದ ಸಂಪರ್ಕಗಳ ಮೇಲ್ಪದರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಆಯ್ದ ಸಂಪರ್ಕ ವಸ್ತು ಮತ್ತು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ವಿಭಿನ್ನ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದು, ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ಪಿ-ಎನ್ ಜಂಕ್ಷನ್ಗೆ ಹೋಲುವ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಫರ್ ಪದರಗಳ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಗುಣಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮರುಸಂಯೋಜನೆ-ಸಕ್ರಿಯ ಲೋಹೀಯ ಸಂಪರ್ಕಗಳನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಿಂದ ಬೇರ್ಪಡಿಸಲು ಸಂಬಂಧಿಸಿದಂತೆ. ಆಂತರಿಕ ಬಫರ್ ಪದರಗಳು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ವಾಹಕವಲ್ಲದಿದ್ದರೂ, ಚಾರ್ಜ್ ವಾಹಕಗಳು ಹರಡಬಹುದು ಏಕೆಂದರೆ ದಪ್ಪವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 10 ಎನ್ಎಂ ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿರುತ್ತದೆ. ಫೋಟಾನ್ಗಳ ಪರಾವಲಂಬಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಪದರವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದು ಪ್ರಯೋಜನಕಾರಿಯಾಗಿದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕವು ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ಭಾಗಶಃ ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಅವುಗಳ ಸಮ್ಮಿತೀಯ ರಚನೆಯಿಂದಾಗಿ, ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 90 ಪ್ರತಿಶತಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ದ್ವಿ-ಮುಖದ ಅಂಶವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ತೆಳುವಾದ ಪದರಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ತಾಪಮಾನದ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ, ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಕೋಶಗಳು ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ನಿರ್ಬಂಧಿತವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಇದು ವಿದ್ಯುದ್ವಾರದ ಮೆಟಲೈಸೇಶನ್ಗೆ ಸವಾಲುಗಳನ್ನು ಒಡ್ಡುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ಸಿಲ್ವರ್ ಪೇಸ್ಟ್ ಪರದೆಯ ಮುದ್ರಣ ವಿಧಾನಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಬಫರ್ ಲೇಯರ್ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಮೇಲಿನ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯ ಮೇಲೆ 800 °C ವರೆಗೆ ಫೈರಿಂಗ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳು ಕಡಿಮೆ ಗುಣಪಡಿಸುವ ತಾಪಮಾನದ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಪೇಸ್ಟ್, ಬೆಳ್ಳಿಯ ಲೇಪಿತ ತಾಮ್ರದ ಪೇಸ್ಟ್ ಅಥವಾ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಿತ ತಾಮ್ರದಿಂದ ಕೂಡಿರುತ್ತವೆ. ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಪದರಗಳ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು 1970ರ ದಶಕದಿಂದಲೂ ಉತ್ತಮವಾಗಿ ದಾಖಲಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಮತ್ತು ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು 1983 ರಲ್ಲಿ ಶೇಕಡಾ 12 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಯಿತು. ಸಾನ್ಯೋ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಕಂ (ಈಗ ಪ್ಯಾನಸೋನಿಕ್ ಗ್ರೂಪ್ನ ಅಂಗಸಂಸ್ಥೆಯಾಗಿದೆ) 1990 ರ ದಶಕದ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಎ-ಸಿ ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರೋಸಿ-ಸಿ ಆಂತರಿಕ ಪದರಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಹಲವಾರು ಪೇಟೆಂಟ್ಗಳನ್ನು ಸಲ್ಲಿಸಿತು, ಇದು "ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ವಿತ್ ಇಂಟ್ರಿನ್ಸಿಕ್ ಥಿನ್-ಲೇಯರ್" (ಎಚ್ಐಟಿ) ಎಂದು ಟ್ರೇಡ್ಮಾರ್ಕ್ ಮಾಡಿತು. ಆಂತರಿಕ ಪದರದ ಸೇರ್ಪಡೆಯು ಬಲೆಗೆ ಬೀಳುವ ಸ್ಥಿತಿಗಳ ಕಡಿಮೆ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಮೂಲಕ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಎ-ಸಿ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ಮೇಲೆ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿಸಿತು ಮತ್ತು ಡಾರ್ಕ್ ಟನಲಿಂಗ್ ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರವಾಹಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಿತು. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯನ್ನು 2011 ರಲ್ಲಿ ಸಾನ್ಯೋ ನೀಡಿದ ಪೇಟೆಂಟ್ಗಳ ಅವಧಿ ಮುಗಿಯುವವರೆಗೆ ನಿಗ್ರಹಿಸಲಾಯಿತು, ಇದು ವಿವಿಧ ಕಂಪನಿಗಳಿಗೆ ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಣಕ್ಕಾಗಿ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ಅವಕಾಶ ಮಾಡಿಕೊಟ್ಟಿತು. 2014 ರಲ್ಲಿ, 25 ಪ್ರತಿಶತಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆ ಹೊಂದಿರುವ ಎಚ್ಐಟಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಯಿತು, ಇದು ಏಕ ಜಂಕ್ಷನ್ ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ಅತ್ಯಧಿಕವಾಗಿತ್ತು. ಈ ದಾಖಲೆಯನ್ನು ಇತ್ತೀಚೆಗೆ 2018 ರಲ್ಲಿ ಕನೇಕಾ ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್ ಮುರಿಯಿತು, ಇದು 26.7% ಸಮರ್ಥವಾದ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರದೇಶದ ಇಂಟರ್ಡಿಜಿಟೇಟೆಡ್ ಬ್ಯಾಕ್ ಕಾಂಟ್ಯಾಕ್ಟ್ (ಐಬಿಸಿ) ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಿತು, ಮತ್ತು ಮತ್ತೆ 2022 ರಲ್ಲಿ 26.81% ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಲಾಂಗಿ ನಿರ್ಮಿಸಿತು. 2023 ರ ಹೊತ್ತಿಗೆ, ಇದು ಮೊನೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ದಾಖಲಾದ ಅತ್ಯಧಿಕ ದಕ್ಷತೆಯಾಗಿದೆ. ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳನ್ನು 23.89% ವರೆಗಿನ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ತಯಾರಿಸಲಾಗಿದೆ. 2023ರಲ್ಲಿ, ಏಕಶಿಲೆಯ ಟಂಡೆಮ್ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿನ ಪೆರೋವ್ಸ್ಕೈಟ್ನೊಂದಿಗೆ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ಕೂಡ <ಐ. ಡಿ. 1> ನಲ್ಲಿ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ಡ್ಯುಯಲ್ ಜಂಕ್ಷನ್ ಕೋಶ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ದಾಖಲಿಸಿತು. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಈಗ ಗಿಗಾವ್ಯಾಟ್ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಸಾಮೂಹಿಕವಾಗಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. 2022ರಲ್ಲಿ, ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ಉತ್ಪಾದನಾ ಮಾರ್ಗಗಳ ಸ್ಥಾಪನೆ ಅಥವಾ ವಿಸ್ತರಣೆಗೆ ಯೋಜಿಸಲಾದ ಯೋಜನೆಗಳು ವರ್ಷಕ್ಕೆ ಸುಮಾರು 350 ಗಿಗಾವ್ಯಾಟ್ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದವು. ಹುಸುನ್, ರೈಸನ್, ಜಿಂಗಾಂಗ್ (ಗೋಲ್ಡನ್ ಗ್ಲಾಸ್), ಲಾಂಗಿ, ಮೆಯೆರ್ ಬರ್ಗರ್ ಮತ್ತು ಇನ್ನೂ ಅನೇಕ 24 ಕ್ಕೂ ಹೆಚ್ಚು (ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಚೀನೀ) ತಯಾರಕರು ತಮ್ಮ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಉತ್ಪಾದನಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುತ್ತಿದ್ದಾರೆ ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತಿದ್ದಾರೆ. ಯುಟಿಲಿಟಿ ಸ್ಕೇಲ್ ಯೋಜನೆಗಳು 2022 ರ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ, ಬಲ್ಗೇರಿಯಾದ ಇಪಿಸಿ ಕಂಪನಿ ಇನೆರ್ಕಾಮ್ ಬಲ್ಗೇರಿಯಾದ ಪಝಾರ್ಡ್ಝಿಕ್ ಪ್ರಾಂತ್ಯದ ಏಪ್ರಿಲ್ಸಿ ಗ್ರಾಮದ ಬಳಿ 150 ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಫಾರ್ಮ್ ಅನ್ನು ಪೂರ್ಣಗೊಳಿಸಿತು-ಆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಅತಿದೊಡ್ಡ ಎಚ್ಜೆಟಿ ಸೌರ ಫಾರ್ಮ್, ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಪೂರೈಕೆದಾರ ಹುವಾಸುನ್ ಪತ್ರಿಕಾ ಪ್ರಕಟಣೆಯ ಪ್ರಕಾರ. 2023ರಲ್ಲಿ, ಅದೇ ಪೂರೈಕೆದಾರರು ಇನ್ನೆರ್ಕಾಮ್ಗೆ ಎಚ್ಜೆಟಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳ 1.5 GW ಪೂರೈಕೆ ಒಪ್ಪಂದವನ್ನು ಘೋಷಿಸಿದರು. ಪ್ರಯೋಜನಗಳು ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಪ್ರಯೋಗಾಲಯದಲ್ಲಿ (ವಿಶ್ವ ದಾಖಲೆ ದಕ್ಷತೆ) ಮತ್ತು ವಾಣಿಜ್ಯ ಉತ್ಪಾದನೆ (ಸರಾಸರಿ ದಕ್ಷತೆ) ಎರಡರಲ್ಲೂ ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. 2023ರಲ್ಲಿ, ವಾಣಿಜ್ಯ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ಕೋಶಗಳ ಸರಾಸರಿ ದಕ್ಷತೆಯು <ಐ. ಡಿ. 3> ಆಗಿದ್ದು, ಎನ್-ಟೈಪ್ ಟಾಪ್ಕಾನ್ಗೆ <ಐ. ಡಿ. 1> ಮತ್ತು ಪಿ-ಟೈಪ್ ಪಿ. ಇ. ಆರ್. ಸಿ. ಗೆ <ಐ. ಡಿ. 2> ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ. ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಮೇಲ್ಮೈ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳಿಗೆ-ಸ್ಥಿರವಾಗಿ 700 mV ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು-ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. 2023 ರಿಂದ, ಪೆರೋವ್ಸ್ಕೈಟ್ ಟ್ಯಾಂಡೆಮ್ಗಳಲ್ಲಿನ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಬಾಟಮ್ ಸೆಲ್ಗಳು 33.2% ನಲ್ಲಿ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು 2-ಜಂಕ್ಷನ್ ಸೆಲ್ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಅವುಗಳ ಉನ್ನತ ಮೇಲ್ಮೈ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯಿಂದಾಗಿ, ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಕೋಶಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇತರ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಿಗಿಂತ (ಟಿಒಪಿಸಾನ್ನಂತಹವು) ಕಡಿಮೆ ಡಯೋಡ್ ಶುದ್ಧತ್ವ ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಭರ್ತಿ ಅಂಶ ಮತ್ತು ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ ಅವಕಾಶ ನೀಡುತ್ತದೆ; ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ದಾಖಲಿಸುತ್ತದೆ. ದ್ವಿಮುಖತೆಯು ಮುಂಭಾಗ ಅಥವಾ ಹಿಂಭಾಗದ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಬೆಳಕನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸುವ ಸೌರ ಕೋಶದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಹಿಂಭಾಗದ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಬೆಳಕಿನ ಸಂಗ್ರಹವು ನಿಯೋಜಿಸಲಾದ ಸೌರ ವ್ಯೂಹಗಳಲ್ಲಿ ಶಕ್ತಿಯ ಇಳುವರಿಯನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಎರಡೂ ಬದಿಗಳಲ್ಲಿ ವಾಹಕ ಎಆರ್ಸಿ ಯೊಂದಿಗೆ ತಯಾರಿಸಬಹುದು, ಇದು ಹಿಂಭಾಗದ ಗ್ರಿಡ್ ಹೊಂದಿರುವ ಪಿಇಆರ್ಸಿ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ~70% ಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ 90 ಪ್ರತಿಶತಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ದ್ವಿ-ಮುಖದ ಅಂಶವನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ. ಬೈಫೇಸಿಯಲ್ ಸೋಲಾರ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು 2032ರ ವೇಳೆಗೆ ಮೊನೊಫೇಸಿಯಲ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳ ಮೇಲೆ ತಮ್ಮ ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಪಾಲನ್ನು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಶೇಕಡಾ 85ಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ನಿರೀಕ್ಷೆಯಿದೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ತಮ್ಮ ಹೆಚ್ಚಿನ ದ್ವಿ-ಮುಖತ್ವದ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ, ಇತರ ಜೀವಕೋಶ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಗಾಜಿನ-ಗಾಜಿನ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ವಿನ್ಯಾಸಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಇಪಿಇ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವ ಗಾಜಿನ-ಗಾಜಿನ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ನೀರಿನ ಪ್ರವೇಶವನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟುವಲ್ಲಿ ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿವೆ, ಇದು ಪಿವಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಲ್ಲಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಅವನತಿಗೆ ಗಮನಾರ್ಹ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಸೂಕ್ತವಾದ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ನೊಂದಿಗೆ ಬಳಸಿದಾಗ, ಗಾಜಿನ-ಗಾಜಿನ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 30 ವರ್ಷಗಳ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ ಎಂದು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಲಾಗಿದೆ; ಇದು ಗಾಜಿನ-ಪಾಲಿಮರ್ ಫಾಯಿಲ್ ಬ್ಯಾಕ್ಶೀಟ್ಗಿಂತ (2023ರ ವೇಳೆಗೆ ಅತಿ ಹೆಚ್ಚು ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಪಾಲನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ) ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಉದ್ದವಾಗಿದೆ. ಗ್ಲಾಸ್-ಗ್ಲಾಸ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ಗ್ಲಾಸ್-ಬ್ಯಾಕ್ಶೀಟ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಿಗಿಂತ ಭಾರವಾಗಿರುತ್ತವೆ, ಆದಾಗ್ಯೂ ಟೆಂಪರ್ಡ್ ಗ್ಲಾಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳು ಮತ್ತು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ವಿನ್ಯಾಸಗಳಲ್ಲಿನ ಸುಧಾರಣೆಯಿಂದಾಗಿ, ಗಾಜಿನ ದಪ್ಪವು (ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ತೂಕ) ಕಡಿಮೆಯಾಗುವ ನಿರೀಕ್ಷೆಯಿದೆ, ಮುಖ್ಯವಾಹಿನಿಯು 2030 ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ 3.2 ಮಿಮೀ ಯಿಂದ 2 ಮಿಮೀ ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಐ. ಟಿ. ಆರ್. ಪಿ. ವಿ. (2023) ಪ್ರಕಾರ 2020ರ ಮಧ್ಯಭಾಗದಲ್ಲಿ ಗಾಜಿನ-ಗಾಜಿನ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ಪ್ರಬಲ ಪಿವಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗುವ ನಿರೀಕ್ಷೆಯಿದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಶೇಕಡಾ 93ರಷ್ಟು 30 ವರ್ಷಗಳ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಯುಟಿಲಿಟಿ ಸ್ಕೇಲ್ 680 ಡಬ್ಲ್ಯೂ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳನ್ನು 2022ರಲ್ಲಿ ಎನೆಲ್ ಘೋಷಿಸಿತು. ತಾಪಮಾನದ ಗುಣಾಂಕವು ಸೌರ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ನ ಔಟ್ಪುಟ್ ಶಕ್ತಿಯು ತಾಪಮಾನದೊಂದಿಗೆ ಹೇಗೆ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಸೌರ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಉತ್ಪಾದನಾ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ದಕ್ಷತೆಯಲ್ಲಿ ಇಳಿಕೆಯನ್ನು ಕಾಣುತ್ತವೆ. ಲ್ಯಾಬ್ ಪರೀಕ್ಷೆ ಮತ್ತು ಪೂರೈಕೆದಾರರ ದತ್ತಾಂಶ ಹಾಳೆಯ ಸಮೀಕ್ಷೆಗಳಿಂದ, ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳೊಂದಿಗೆ ತಯಾರಿಸಲಾದ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಸಮಾನ ಅಥವಾ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದ ಗುಣಾಂಕವನ್ನು ಅಳೆಯುತ್ತವೆ (ಅಂದರೆ. ಅಲ್-ಬಿಎಸ್ಎಫ್, ಪಿಇಆರ್ಸಿ, ಪಿಇಆರ್ಟಿ ಮತ್ತು ಹೈಬ್ರಿಡ್ ಪಿಇಆರ್ಟಿ/ರಿಯರ್-ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ದಕ್ಷತೆಯಲ್ಲಿನ ಇಳಿಕೆಯು ಕಡಿಮೆ ತೀವ್ರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಇದು ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಗರಿಷ್ಠ ಪವರ್ ಪಾಯಿಂಟ್ ಪವರ್, ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಫಿಲ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ಸೇರಿದಂತೆ ಹಲವಾರು ನಿಯತಾಂಕಗಳಿಗೆ ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ. ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ತಾಪಮಾನದ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಗ್ಯಾಪ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಕ್ಕೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ವಿಲೋಮವಾಗಿ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆ ಎಂದು ಮಾರ್ಟಿನ್ ಗ್ರೀನ್ 1982ರಲ್ಲಿ ಗಮನಿಸಿದ್ದಾನೆ; "ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಸುಧಾರಿಸುತ್ತಲೇ ಇರುವುದರಿಂದ, ಸಾಧನದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಪ್ರಶಂಸಿಸಲಾಗಿಲ್ಲ". ಹೀಗಾಗಿ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ಜೀವಕೋಶಗಳ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಗೆ ಉತ್ತಮ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಸಂಪರ್ಕಗಳಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರಣವೆಂದು ಹೇಳಲಾಗಿದೆ. ಉತ್ಪಾದನಾ ಶಕ್ತಿ ಬಳಕೆ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಉತ್ಪಾದನಾ ಮಾರ್ಗಗಳು ಮೂಲಭೂತವಾಗಿ ಪ್ರಸರಣ ಅಥವಾ ಲೋಹದ ಪೇಸ್ಟ್ ಕ್ಯೂರಿಂಗ್ ಕುಲುಮೆಗಳಂತಹ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಬಳಸುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಸರಾಸರಿ ತಯಾರಿಸಿದ ಕೋಶಗಳ ಪ್ರತಿ ವ್ಯಾಟ್ಗೆ ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ಚೀನಾ ಪಿವಿ ಇಂಡಸ್ಟ್ರಿ ಡೆವಲಪ್ಮೆಂಟ್ ರೋಡ್ಮ್ಯಾಪ್ ಪ್ರಕಾರ, 2022 ರಲ್ಲಿ, ಎನ್-ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೆಲ್ ಲೈನ್ಗಳ ಸರಾಸರಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯು 47,000 ಕಿಲೋವ್ಯಾಟ್/ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್ ಆಗಿತ್ತು, ಆದರೆ ಪಿ-ಟೈಪ್ ಪಿಇಆರ್ಸಿ ಉತ್ಪಾದನಾ ಮಾರ್ಗಗಳು ಸುಮಾರು 53,000 ಕಿಲೋವ್ಯಾಟ್/ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್ ಮತ್ತು ಎನ್-ಟೈಪ್ ಟಿಒಪಿಸಾನ್ಗೆ ಸುಮಾರು 56,000 ಕಿಲೋವ್ಯಾಟ್/ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ. 2030ರ ವೇಳೆಗೆ, ಎನ್-ಟೈಪ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್, ಪಿ-ಟೈಪ್ ಪಿಇಆರ್ಸಿ ಮತ್ತು ಎನ್-ಟೈಪ್ ಟಿಪ್ಕಾನ್ ಸೆಲ್ ಉತ್ಪಾದನಾ ಮಾರ್ಗಗಳ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯು ಕ್ರಮವಾಗಿ 34,000 ಕಿಲೋವ್ಯಾಟ್/ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್, 35,000 ಕಿಲೋವ್ಯಾಟ್/ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್ ಮತ್ತು 42,000 ಕಿಲೋವ್ಯಾಟ್/ಮೆಗಾವ್ಯಾಟ್ಗೆ ಇಳಿಯಲಿದೆ ಎಂದು ಅಂದಾಜಿಸಲಾಗಿದೆ. 2014ರ ಒಂದು ಅಧ್ಯಯನವು ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ನ ಶಕ್ತಿಯ ಮರುಪಾವತಿಯ ಸಮಯವನ್ನು 1.5 ವರ್ಷಗಳು ಎಂದು ಅಂದಾಜಿಸಿದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗೆ 1.8 ವರ್ಷಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ; ಈ ಅಂಕಿ ಅಂಶವು 2020ರಲ್ಲಿ ನಿರೀಕ್ಷಿತ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗೆ ಕ್ರಮವಾಗಿ 0.94 ವರ್ಷಗಳಿಗೆ ಮತ್ತು 1.2 ವರ್ಷಗಳಿಗೆ ಇಳಿಯುತ್ತದೆ ಎಂದು ಅಂದಾಜಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅಂತೆಯೇ, 2020ರ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳ ಜೀವನ-ಚಕ್ರದ ಸಿ. ಓ. 2-ಸಮಾನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯು ಪ್ರತಿ ಕಿಲೋವ್ಯಾಟ್ಗೆ 20 ಗ್ರಾಂ ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯ ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗೆ 25 ಗ್ರಾಂ ಎಂದು ಅಂದಾಜಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸೌರ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಬಳಕೆಯ ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 130-180 μm ನಡುವೆ ದಪ್ಪವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ಬಳಕೆಯಾಗುವ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ನ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿಯು ಸೌರ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ನ ವೆಚ್ಚದ ಗಮನಾರ್ಹ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿದೆ, ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ದಪ್ಪವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ಗಮನಾರ್ಹ ವೆಚ್ಚ ಕಡಿತವನ್ನು ಸಾಧಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ತೆಳುವಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ನಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆ ಫೋಟಾನ್ಗಳು ಹೀರಲ್ಪಡುತ್ತವೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಮೇಲ್ಮೈ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ನಿಗ್ರಹಿಸುವವರೆಗೆ, ತೆಳುವಾದ ಬಿಲ್ಲೆಗಳು ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಬಹುದು-ಅಥವಾ ಸುಧಾರಿಸಬಹುದು. ಅಂದರೆ, ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಲ್ಲಿನ ಹೆಚ್ಚಳವು ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪ್ರವಾಹದಲ್ಲಿನ ನಷ್ಟವನ್ನು ಸರಿದೂಗಿಸಬಹುದು. ಅವು ಮೂಲಭೂತವಾಗಿ ಹಾಗೆ ಮಾಡುತ್ತವೆ, ಮೇಲ್ಮೈಗಳು ಚೆನ್ನಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯವಾಗಿದ್ದರೆ ತಲಾಧಾರದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ದಪ್ಪವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಬೃಹತ್ ದೋಷಗಳ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಮೇಲ್ಮೈ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ, ಅವುಗಳ ವೇಫರ್ ದಪ್ಪವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ಇತರ ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಕಾರ್ಯಸಾಧ್ಯವಾಗಿದೆ. ಅಂತೆಯೇ, ವೇಫರ್ ದಪ್ಪಗಳ ದೊಡ್ಡ ಶ್ರೇಣಿಯ ಮೇಲೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಗಳು ವರದಿಯಾಗಿವೆ, ಕನಿಷ್ಠ 50 ಮೈಕ್ರಾನ್ಗಳ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿ. ವಾಣಿಜ್ಯ-ದರ್ಜೆಯ ಎನ್-ರೀತಿಯ ತಲಾಧಾರಗಳಲ್ಲಿ, ಗರಿಷ್ಠ ದಪ್ಪವು 40-60 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಎಂದು ಅಂದಾಜಿಸಲಾಗಿದೆ. ಈ ಪ್ರಯೋಜನವು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯವಲ್ಲದ ಸಂಪರ್ಕಗಳು ಅಥವಾ ಪಿಇಆರ್ಸಿಯಂತಹ ಕಳಪೆ ಮೇಲ್ಮೈ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವುದಿಲ್ಲ, ಇದರಲ್ಲಿ ಗರಿಷ್ಠ ದಪ್ಪವು 100 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಅನಾನುಕೂಲಗಳು ಎನ್-ಮಾದರಿಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮೇಲೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಪಿ-ರೀತಿಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಬಳಸಿ ತಯಾರಿಸಬಹುದಾದರೂ, ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಉತ್ಪಾದನೆಯ ಮೇಲಿನ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದ ನಿರ್ಬಂಧವು ಗೆಟ್ಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು (ಮಾಲಿನ್ಯ ದೋಷಗಳ ನಿರ್ವಹಣೆ) ಅಸಾಧ್ಯವಾಗಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬೃಹತ್ ಹೈಡ್ರೋಜನೀಕರಣವು ಅತಿಯಾದ ದೋಷಗಳನ್ನು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹವಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ. ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹದ ದೋಷಗಳ ಅದೇ ಸಾಂದ್ರತೆಗೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಹೋಲ್ಗಳ ಸಣ್ಣ ಕ್ಯಾಪ್ಚರ್ ಕ್ರಾಸ್ ಸೆಕ್ಷನ್ನಿಂದಾಗಿ (ಅಲ್ಪ ಪ್ರಮಾಣದ ಚಾರ್ಜ್ ವಾಹಕ) ಎನ್-ರೀತಿಯ ವೇಫರ್ಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಅಲ್ಪ ಪ್ರಮಾಣದ ವಾಹಕ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ಅಂತೆಯೇ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಮತ್ತು ರಂಧ್ರಗಳ ಸೆರೆಹಿಡಿಯುವ ಅಡ್ಡ ವಿಭಾಗದ ಅನುಪಾತವು ಮೇಲ್ಮೈ ಸ್ಥಿತಿಗಳಿಗೆ ದೊಡ್ಡದಾಗಿದೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ತೂಗಾಡುವ ಬಂಧಗಳು) ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಚೆನ್ನಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯಗೊಂಡ ಮೇಲ್ಮೈಗಳನ್ನು ಎನ್-ಟೈಪ್ ವೇಫರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಸಾಧಿಸುವುದು ಸುಲಭ. ಈ ಕಾರಣಗಳಿಗಾಗಿ, ಬೃಹತ್ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಅನನುಕೂಲಕರ ಕ್ರಮಗಳನ್ನು ಕಡಿತಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬೆಳಕು-ಪ್ರೇರಿತ ಅವನತಿಯನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುವ ಅಪಾಯವು ಕಡಿಮೆಯಾಗುವುದರಿಂದ, ಎನ್-ರೀತಿಯ ಬಿಲ್ಲೆಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಬಲವಾಗಿ ಆದ್ಯತೆ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎನ್-ಟೈಪ್ ವೇಫರ್ಗಳ ವೆಚ್ಚವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪಿ-ಟೈಪ್ಗಿಂತ ಸುಮಾರು 8-10% ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ ಎಂದು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲಾಗಿದೆ. ಡೋಪ್ಡ್ ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಇಂಗುಗಳನ್ನು ಬೆಳೆಯುವಾಗ ಸಿಲಿಕಾನ್ನಲ್ಲಿ ರಂಜಕದ ಸಣ್ಣ ಪ್ರತ್ಯೇಕತಾ ಗುಣಾಂಕವು ಎನ್-ಟೈಪ್ ವೇಫರ್ಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಬೆಲೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಇದು ಸಿಲ್ಲಿನ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯಲ್ಲಿ ಸಮಸ್ಯಾತ್ಮಕ ವ್ಯತ್ಯಾಸಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೀಗಾಗಿ ಕೇವಲ 75 ಪ್ರತಿಶತದಷ್ಟು ಪರಿಮಾಣವು ಪಿವಿ ತಯಾರಕರ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯ ಸಹಿಷ್ಣುತೆಯನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಅನೇಕ ಬಾರಿ ಮರುಬಳಕೆ ಮಾಡಲಾದ ಶಿಲುಬೆಗಳಲ್ಲಿ ಬೆಳೆದ ಎನ್-ರೀತಿಯ ಇಂಗುಗಳು (ಪುನರ್ಭರ್ತಿ ಮಾಡಬಹುದಾದ ಸ್ಜೋಕ್ರಾಲ್ಸ್ಕಿ; ಆರ್ಸಿಝಡ್) ಸ್ವೀಕಾರಾರ್ಹವಾಗುವ ಸಾಧ್ಯತೆ ಕಡಿಮೆ. ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯ ಮೊದಲ ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ರಚಿಸುವುದು ಮತ್ತು ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸುವುದು ಸೇರಿದೆ. ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ವೇಫರ್ಗಳಿಗೆ, ಇದು ಕ್ಷಾರೀಯ ದ್ರಾವಣದ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪೊಟ್ಯಾಸಿಯಮ್ ಹೈಡ್ರಾಕ್ಸೈಡ್ ಅಥವಾ ಲೋಹದ ಅಯಾನು-ಮುಕ್ತ ಟೆಟ್ರಾಮೀಥೈಲ್ಅಮ್ಮೋನಿಯಂ ಹೈಡ್ರಾಕ್ಸೈಡ್) ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು ಬಳಸುವ ಅನಿಸೊಟ್ರೋಪಿಕ್ ಆರ್ದ್ರ ರಾಸಾಯನಿಕ ಎಚ್ಚಣೆಯನ್ನು ಮತ್ತು ಎಚ್ಚಣೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಸಾವಯವ ಸಂಯೋಜಕ ಅನಿಸೊಟ್ರೊಪಿಯನ್ನು (ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕವಾಗಿ ಐಸೊಪ್ರೊಪಿಲ್ ಆಲ್ಕೋಹಾಲ್, ಆದರೆ ಈಗ ಸ್ವಾಮ್ಯದ ಸೇರ್ಪಡೆಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ) ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. ಎಚ್ಚಣೆಯು ಬೆಳಕಿನ-ಬಲೆಗೆ ಬೀಳುವ ಪಿರಮಿಡ್ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಪೂರ್ಣಗೊಂಡ ಸೌರ ಕೋಶದ ಔಟ್ಪುಟ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಪಿಇಆರ್ಸಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆಗೆ ಮೇಲ್ಮೈ ಸ್ವಚ್ಛತೆಯ ಕಟ್ಟುನಿಟ್ಟಾದ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳಿಂದಾಗಿ, ಟೆಕ್ಸ್ಚರಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚು ಸಂಕೀರ್ಣವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ರಾಸಾಯನಿಕಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಈ ಮೇಲ್ಮೈ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ಹಂತಗಳಲ್ಲಿ ಆರ್ಸಿಎ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ, ಸಾವಯವ ಪದಾರ್ಥಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲು ಸಲ್ಫ್ಯೂರಿಕ್ ಆಮ್ಲ/ಪೆರಾಕ್ಸೈಡ್ ಮಿಶ್ರಣಗಳು, ಹೈಡ್ರೋಕ್ಲೋರಿಕ್ ಆಮ್ಲವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಲೋಹದ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವುದು ಮತ್ತು ನೈಟ್ರಿಕ್ ಆಮ್ಲದ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಎಚ್-ಬ್ಯಾಕ್ಗಳು ಸೇರಿವೆ. ಸಂಶೋಧನೆಯಲ್ಲಿನ ಇತ್ತೀಚಿನ ಬೆಳವಣಿಗೆಗಳು ಓಝೋನೇಟೆಡ್ ನೀರಿನಿಂದ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಮತ್ತು ತ್ಯಾಜ್ಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಸಹಾಯ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಹಿಡಿದಿದೆ, ಆರ್ಸಿಎ ಶುಚಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಬದಲಿಸುವ ಸಾಧ್ಯತೆಯೊಂದಿಗೆ ಅದೇ ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಸಿಲ್ವರ್ ಪೇಸ್ಟ್ ಸ್ಕ್ರೀನ್ ಪ್ರಿಂಟಿಂಗ್ ಬಹುಪಾಲು ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಸ್ಕ್ರೀನ್-ಪ್ರಿಂಟೆಡ್ ಪೇಸ್ಟ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡ್ಗಳಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳು ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ನಿರ್ಬಂಧಿತವಾಗಿವೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಅವುಗಳ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳಿಗೆ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಕುಲುಮೆಯಿಂದ ಉರಿಸಿದ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಪೇಸ್ಟ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಪಿಇಆರ್ಸಿ, ಟೋಪ್ಕಾನ್ ಮತ್ತು ಅಲ್-ಬಿಎಸ್ಎಫ್ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಪೇಸ್ಟ್ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ಯ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಮತ್ತು ಅರ್ಥಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಬೆಳ್ಳಿ ಬಳಕೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಗ್ರಿಡ್ ವಾಹಕತೆಯಂತಹ ಹಲವಾರು ಅಂಶಗಳೊಂದಿಗೆ ರಾಜಿ ಮಾಡಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳ ಮೇಲೆ ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಪೇಸ್ಟ್ನ ಪರದೆಯ ಮುದ್ರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪಿಇಆರ್ಸಿ ಪರದೆಯ ಮುದ್ರಣ ಮಾರ್ಗಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಥ್ರೋಪುಟ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ತಯಾರಕರು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಗ್ರಿಡ್ ಅನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಕಡಿಮೆ ಮುದ್ರಣ ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹದ ವೇಗವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತಾರೆ. ಪರ್ಯಾಯಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸದ ಹೊರತು ಟೆರಾವಾಟ್-ಪ್ರಮಾಣದ ಸೌರಶಕ್ತಿಯು ಜಾಗತಿಕ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಬೇಡಿಕೆಯ ಗಮನಾರ್ಹ ಭಾಗವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಲಾಗಿದೆ. ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ಗೆ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದಾದ ಉದಯೋನ್ಮುಖ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳಲ್ಲಿ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಲೇಪಿತ ತಾಮ್ರದ ಪೇಸ್ಟ್, ಬೆಳ್ಳಿಯ ನ್ಯಾನೊಪರ್ಟಿಕಲ್ ಶಾಯಿ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ಲೇಪಿತ ತಾಮ್ರ ಸೇರಿವೆ. ತಾಂತ್ರಿಕ ಪರಿಪಕ್ವತೆಯ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಉತ್ಪಾದನಾ ಮಾರ್ಗಗಳು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಹೊಸ ಉಪಕರಣಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ಯು ಟಿ. ಓ. ಪಿ. ಸಿ. ಒನ್ ಉತ್ಪಾದನೆಯೊಂದಿಗೆ ಸ್ಪರ್ಧಿಸಲು ತೊಂದರೆಗಳನ್ನು ಅನುಭವಿಸುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರುವ ಪಿ. ಇ. ಆರ್. ಸಿ ಉತ್ಪಾದನಾ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು ಟಿ. ಓ. ಪಿ. ಸಿ. ಒನ್ಗೆ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಸುಲಭವಾಗಿ ಮರುಹೊಂದಿಸಬಹುದು. ವುಡ್ ಮ್ಯಾಕೆಂಜೀ (ಡಿಸೆಂಬರ್ 2022) ಅವರ ವರದಿಯು, ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಬಂಡವಾಳ ವೆಚ್ಚದ ನಡುವಿನ ಆದ್ಯತೆಯ ಸಮತೋಲನವನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಿ, ಈ ಕಾರಣಕ್ಕಾಗಿ ಹಣದುಬ್ಬರ ಕಡಿತ ಕಾಯ್ದೆಯ ಬೆಳಕಿನಲ್ಲಿ ಯುನೈಟೆಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಹೊಸ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಉತ್ಪಾದನೆಗಾಗಿ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆಗಿಂತ ಟೋಪ್ಕಾನ್ಗೆ ಒಲವು ತೋರುತ್ತದೆ ಎಂದು ಭವಿಷ್ಯ ನುಡಿದಿದೆ. ಎ "ಫ್ರಂಟ್-ಜಂಕ್ಷನ್" ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶವು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಪದರಗಳ ಪಿ-ಐ-ಎನ್-ಐ-ಎನ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಸ್ಟ್ಯಾಕ್ನಿಂದ ಕೂಡಿದೆ; ಮಧ್ಯದಲ್ಲಿ ಎನ್-ರೀತಿಯ ಸ್ಫಟಿಕದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ವೇಫರ್ ಮತ್ತು ಇತರವು ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ತೆಳುವಾದ ಪದರಗಳಾಗಿವೆ. ನಂತರ, ಪಾರದರ್ಶಕ ವಾಹಕ ಆಕ್ಸೈಡ್ (ಟಿ. ಸಿ. ಓ) ಆಂಟಿ-ರಿಫ್ಲೆಕ್ಷನ್ ಲೇಪನ ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಗ್ರಿಡ್ನ ಮೇಲ್ಪದರಗಳನ್ನು ಬೆಳಕು ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹ ಸಂಗ್ರಹಕ್ಕಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ರಚನೆಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ದ್ವಿಮುಖತೆಯಿಂದಾಗಿ, ಇದೇ ರೀತಿಯ ಎನ್-ಐ-ಎನ್-ಐ-ಪಿ "ರಿಯರ್-ಜಂಕ್ಷನ್" ಸಂರಚನೆಯನ್ನು ತಯಾರಕರು ಸಹ ಬಳಸುತ್ತಾರೆ ಮತ್ತು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ ಅನುಕೂಲಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಹುದು. ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ಹಿಂಭಾಗದ-ಜಂಕ್ಷನ್ ಸಂರಚನೆಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಆದ್ಯತೆ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಅವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಪಾರ್ಶ್ವದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಗಣೆಯನ್ನು ಮುಂಭಾಗದ ಟಿ. ಸಿ. ಓ. ಗಿಂತ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಲ್ಲಿ ಪರಿವರ್ತಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಮುಂಭಾಗದ ಬದಿಯ ಶೀಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಟಿ. ಸಿ. ಓ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ನಿಯತಾಂಕಗಳ ಮೇಲಿನ ನಿರ್ಬಂಧಗಳನ್ನು ಸಡಿಲಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ವೆಚ್ಚದ ಪ್ರಯೋಜನಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಹೋಲ್ ಜೋಡಿಗಳು ರೂಪುಗೊಳ್ಳುವ ತಲಾಧಾರವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಫಾಸ್ಫರಸ್ನೊಂದಿಗೆ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಎನ್-ಟೈಪ್ ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ, ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಎನ್-ರೀತಿಯ ಝೊಕ್ರಾಲ್ಸ್ಕಿ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಹಿಗ್ಗುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಬೃಹತ್ ಹೈಡ್ರೋಜನೀಕರಣದ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ತಲಾಧಾರದ ಹೊರಗೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಫೋಟಾನ್ಗಳು ಫೋಟೋಕರೆಂಟ್ಗೆ ಕೊಡುಗೆ ನೀಡುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ದಕ್ಷತೆಯಲ್ಲಿ ನಷ್ಟವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತವೆ. ಬಫರ್ ಮತ್ತು ವಾಹಕ ಆಯ್ಕೆ ಬಫರ್ ಪದರಗಳು ಆಂತರಿಕ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ಸೈಲೇನ್ (ಸಿಹೆಚ್ 4) ಮತ್ತು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ (ಎಚ್ 2) ಮಿಶ್ರಣದಿಂದ ಪಿಇಸಿವಿಡಿ ಬಳಸಿ ತಲಾಧಾರದ ಎರಡೂ ಬದಿಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಬಫರ್ ಪದರವು ಸಾಕಷ್ಟು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ಸಾಕಷ್ಟು ದಪ್ಪವಾಗಿರಬೇಕು, ಆದಾಗ್ಯೂ ವಾಹಕ ಸಾಗಣೆಗೆ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಅಡ್ಡಿಯಾಗದಂತೆ ಅಥವಾ ಬೆಳಕನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳದಂತೆ ಸಾಕಷ್ಟು ತೆಳ್ಳಗಿರಬೇಕು. ಬಫರ್ ಪದರವು 1-10 nm ದಪ್ಪದ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿದೆ. ಬಫರ್ ಪದರದ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಲೋಹ-ನಿರೋಧಕ-ಅರೆವಾಹಕ (ಎಂಐಎಸ್) ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ನಡುವಿನ ಸಾಮ್ಯತೆಗಳ ಹೊರತಾಗಿಯೂ, ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕಡಿಮೆ-ವಾಹಕತೆಯ ಬಫರ್ ಪದರದ ಮೂಲಕ ವಾಹಕ ಸಾಗಣೆಗೆ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಟನಲಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಬೇಕಾಗಿಲ್ಲ; ವಾಹಕ ಪ್ರಸರಣವು ಸಹ ಒಂದು ಪ್ರಮುಖ ಸಾರಿಗೆ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವಾಗಿದೆ. ವಿಂಡೋ ಲೇಯರ್ಗಳು ಆಯ್ದ ಸಂಪರ್ಕಗಳು ("ವಿಂಡೋ ಲೇಯರ್ಗಳು" ಎಂದೂ ಕರೆಯಲ್ಪಡುತ್ತವೆ) ನಂತರ ಪಿ-ಮತ್ತು ಎನ್-ರೀತಿಯ ಹೆಚ್ಚು ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಪದರಗಳ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಡೋಪಾಂಟ್ ಅನಿಲಗಳ ಉದಾಹರಣೆಗಳಲ್ಲಿ ಎನ್-ಪ್ರಕಾರಕ್ಕೆ ಫಾಸ್ಫೈನ್ (ಪಿಎಚ್3) ಮತ್ತು ಪಿ-ಪ್ರಕಾರಕ್ಕೆ ಟ್ರೈಮೀಥೈಲ್ ಬೊರೇನ್ (ಬಿ (ಸಿಎಚ್3) 3) ಅಥವಾ ಡೈಬೊರೇನ್ (ಬಿ2ಎಚ್6) ಸೇರಿವೆ. ಅದರ ದೋಷಯುಕ್ತ ಸ್ವಭಾವದಿಂದಾಗಿ, ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ (ಆಂತರಿಕಕ್ಕೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ) ಸ್ಫಟಿಕದ ಸಿಲಿಕಾನ್ಗೆ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ; ಅಂತೆಯೇ ಅಂತಹ ಯಾವುದೇ ಎ-ಸಿ ಪದರದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಬೆಳವಣಿಗೆಯು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ಜೀವಕೋಶದ ದಕ್ಷತೆಗೆ ತೀವ್ರ ಹಾನಿಯನ್ನುಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಶೇಖರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಇದನ್ನು ತಡೆಯಬೇಕು. ನ್ಯಾನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ವಿಂಡೋ ಲೇಯರ್ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ದಕ್ಷತೆಯ ಇತ್ತೀಚಿನ ಬೆಳವಣಿಗೆಗಳನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಂಪರ್ಕಕ್ಕಾಗಿ ಎನ್-ಟೈಪ್ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಬದಲಿಗೆ ಎನ್-ಟೈಪ್ ನ್ಯಾನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ (ಎನ್ಸಿ-ಸಿಒಎಕ್ಸ್ಃ ಎಚ್) ಫಿಲ್ಮ್ಗಳ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ "ನ್ಯಾನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್" ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ ವಸ್ತುವು ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಹುದುಗಿರುವ ನ್ಯಾನೊಸ್ಕೇಲ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಿಂದ ಕೂಡಿದ ಎರಡು ಹಂತದ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ದೃಗ್ವೈಜ್ಞಾನಿಕವಾಗಿ ಪಾರದರ್ಶಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಸ್ತಂಭಾಕಾರದ ನ್ಯಾನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ಗಳು ಲಂಬ ವಾಹಕ ಸಾಗಣೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ, ಹೀಗಾಗಿ ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. PECVD ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಮೆಟೀರಿಯಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರವನ್ನು ವಿವಿಧ ಮಟ್ಟದ ಇಂಗಾಲದ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಹೊಂದಿಸಬಹುದು. ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ನ್ಯಾನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್/ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಬದಲಿಸುವುದನ್ನು ಕೆಲವು ತಯಾರಕರು ಈಗಾಗಲೇ ಎನ್-ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ಸಂಯೋಜಿಸಿದ್ದಾರೆ, ಪಿ-ಟೈಪ್ (ಹೋಲ್ ಕಾಂಟ್ಯಾಕ್ಟ್) ಅನ್ನು ಮುಂದಿನ ದಿನಗಳಲ್ಲಿ ಅನುಸರಿಸಲಾಗುವುದು. ಆಪ್ಟಿಮೈಸ್ಡ್ ನ್ಯಾನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಹೋಲ್ ಸಂಪರ್ಕವು ಲಿನ್ ಮತ್ತು ಇತರರನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವಲ್ಲಿ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರ ವಹಿಸಿತು. (2023) 26.81% ವಿದ್ಯುತ್ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆ ವಿಶ್ವ ದಾಖಲೆ. ಆಂಟಿರೆಫ್ಲೆಕ್ಷನ್ ಲೇಪನ ಮತ್ತು ವಾಹಕ ಆಕ್ಸೈಡ್ ದ್ವಂದ್ವ ಉದ್ದೇಶದ ಆಂಟಿರೆಫ್ಲೆಕ್ಷನ್ ಲೇಪನ (ಎಆರ್ಸಿ) ಮತ್ತು ವಾಹಕ ಸಾರಿಗೆ ಪದರ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇಂಡಿಯಮ್ ಟಿನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ (ಐಟಿಒ) ನಿಂದ ಕೂಡಿದೆ, ಆಯ್ದ ಸಂಪರ್ಕಗಳ ಮೇಲೆ ಎರಡೂ ಬದಿಗಳಲ್ಲಿ ಚಿಮ್ಮುತ್ತದೆ. ಇಂಡಿಯಮ್ ಟಿನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಒಂದು ಪಾರದರ್ಶಕ ವಾಹಕ ಆಕ್ಸೈಡ್ (ಟಿ. ಸಿ. ಓ) ಆಗಿದ್ದು, ಇದು ಬೆಳಕಿನ ಪ್ರಸರಣಕ್ಕೆ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಅಡ್ಡಿಯಾಗದಂತೆ ಸಂಪರ್ಕ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಪಾರ್ಶ್ವದ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಅಗತ್ಯವಾಗಿದೆ ಏಕೆಂದರೆ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಪದರಗಳು ಅವುಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಡೋಪಿಂಗ್ ಮಟ್ಟಗಳ ಹೊರತಾಗಿಯೂ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಟಿ. ಸಿ. ಓ ವಾಹಕಗಳನ್ನು ಆಯ್ದ ಸಂಪರ್ಕದಿಂದ ಲೋಹದ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳಿಗೆ ಸಾಗಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ವಿನಾಶಕಾರಿ ಇಂಟರ್ಫೆರೆನ್ಸ್ ಆಂಟಿ-ರಿಫ್ಲೆಕ್ಷನ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಗಾಗಿ, ಸೌರ ವರ್ಣಪಟಲದ ಉತ್ತುಂಗದಲ್ಲಿ (ಸುಮಾರು 550 ಎನ್. ಎಂ.) ಗರಿಷ್ಠ ಬೆಳಕನ್ನು ಸೆರೆಹಿಡಿಯಲು ಅಗತ್ಯವಾದ ದಪ್ಪಕ್ಕೆ ಟಿ. ಸಿ. ಓ. ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಏಕ-ಪದರದ ಎಆರ್ಸಿಗೆ ಗರಿಷ್ಠ ದಪ್ಪವನ್ನು ಹೀಗೆ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆ; ಪದರದ ದಪ್ಪ ಎಲ್ಲಿದೆ, ಇದು ಕನಿಷ್ಠ ಪ್ರತಿಫಲನದ ಅಪೇಕ್ಷಿತ ತರಂಗಾಂತರವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದು ವಸ್ತುವಿನ ವಕ್ರೀಕಾರಕ ಸೂಚ್ಯಂಕವಾಗಿದೆ. ಐಟಿಒನ ವಕ್ರೀಕಾರಕ ಸೂಚ್ಯಂಕವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ~ 0.9), ಗರಿಷ್ಠ ಪದರದ ದಪ್ಪವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 70-80 ಎನ್ಎಂ ಆಗಿರುತ್ತದೆ. ತೆಳುವಾದ ಪದರದ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪದಿಂದಾಗಿ, ಐಟಿಒ (ಮಂದ ಬೂದು-ಕಪ್ಪು ಸೆರಾಮಿಕ್ ವಸ್ತು) ಈ ದಪ್ಪದಲ್ಲಿ ರೋಮಾಂಚಕ ನೀಲಿ ಬಣ್ಣದಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಪರ್ಯಾಯ ವಸ್ತುಗಳು ಇಂಡಿಯಂನ ಕೊರತೆಯಿಂದಾಗಿ, ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲು ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ-ಡೋಪ್ಡ್ ಸತು ಆಕ್ಸೈಡ್ (ಎಝಡ್ಒ) ನಂತಹ ಪರ್ಯಾಯ ಟಿಸಿಒಗಳನ್ನು ಸಂಶೋಧಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. ಎಝಡ್ಒ ಐಟಿಒಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸೂಕ್ಷ್ಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಕೆತ್ತನೆಯ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಕೆಲವು ಮೆಟಲೈಸೇಶನ್ ವಿಧಾನಗಳಿಗೆ ಸವಾಲುಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ನಿಕಲ್ ಬೀಜ ಪದರ ಎಚ್-ಬ್ಯಾಕ್ಗಳು ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪಿ-ಮತ್ತು ಎನ್-ರೀತಿಯ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಪದರಗಳಿಗೆ ಕಳಪೆ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಲ್ಲಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಬಳಸಿದಾಗ AZO ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ಸ್ಥಿರತೆಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಹುದು, ಇದಕ್ಕೆ ಸಿಯೋಕ್ಸ್ನಂತಹ ಕ್ಯಾಪಿಂಗ್ ಪದರಗಳ ಅಗತ್ಯವಿರಬಹುದು. 24.91% ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ SHJ ಕೋಶಗಳ ಮೇಲೆ ಇಂಡಿಯಮ್-ಮುಕ್ತ TCOಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಅನ್ಡೋಪ್ಡ್ ಟಿನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ (SnOx) ಅನ್ನು ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗಿದೆ. ಸೆರಿಯಮ್ ಮತ್ತು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ನೊಂದಿಗೆ ಸಹ-ಡೋಪಿಂಗ್ ಮೂಲಕ ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಆಧಾರಿತ ಟಿ. ಸಿ. ಓಗಳ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ವರ್ಧನೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನಶೀಲತೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಅಂತಹ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಶಾಖ-ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳಲು ಸಾಕಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಬೆಳೆಸಬಹುದು. ಸೆರಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್, ಟ್ಯಾಂಟಲಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಮತ್ತು ಟೈಟಾನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸಹ ಅನುಕೂಲಕರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ಚೇಂಬರ್ಗೆ ನೀರಿನ ಆವಿಯನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಸಮನ್ವಯಗೊಳಿಸಬಹುದು, ಇದರಲ್ಲಿ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾದಲ್ಲಿನ ಹೈಡ್ರಾಕ್ಸಿಲ್ ರಾಡಿಕಲ್ಗಳು ಟಿ. ಸಿ. ಓ ಫಿಲ್ಮ್ನಲ್ಲಿನ ಆಮ್ಲಜನಕದ ಖಾಲಿ ಹುದ್ದೆಗಳನ್ನು ಕೊನೆಗೊಳಿಸುತ್ತವೆ ಎಂದು ನಂಬಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನಶೀಲತೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಶೀಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಆದಾಗ್ಯೂ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಈ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬಳಸುವಾಗ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಪರಿಗಣಿಸಬೇಕು. ಆವಿಯಾಗುವಿಕೆಯ ಮೂಲಕ, ಮೆಗ್ನೀಸಿಯಮ್ ಫ್ಲೋರೈಡ್ (MgF2) ಅಥವಾ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ (Al2O3) ನ ಡಬಲ್-ಆಂಟಿ-ರಿಫ್ಲೆಕ್ಷನ್ ಲೇಪನವನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈ ಪ್ರತಿಫಲನಗಳನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಬಳಸಬಹುದು, ಆದಾಗ್ಯೂ ಈ ಹಂತವನ್ನು ಪ್ರಸ್ತುತ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿಲ್ಲ. ಸಿಯೋಕ್ಸ್ನಂತಹ ಎಝಡ್ಒ ಕ್ಯಾಪಿಂಗ್ ಪದರಗಳು ಡಬಲ್ ಎಆರ್ ಲೇಪನವಾಗಿಯೂ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ. ಅಂತಹ ತಂತ್ರಗಳನ್ನು ವಿಶ್ವ ದಾಖಲೆಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಗಳೊಂದಿಗೆ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಬಳಸಲಾಯಿತು. ಕೆಲಸದ ಕಾರ್ಯದ ಪಾತ್ರ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಕೋಶಗಳ ಟಿ. ಸಿ. ಓ ಪದರವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಕೆಲಸದ ಕಾರ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು (ಅಂದರೆ. ಟಿಸಿಒ ಮತ್ತು ಪಿ-ರೀತಿಯ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಪದರದ ನಡುವಿನ ಅಂತರಸಂಪರ್ಕದಲ್ಲಿ ಪರಾವಲಂಬಿ ಸ್ಕಾಟ್ಕಿ ತಡೆಗೋಡೆಯ ರಚನೆಯನ್ನು ತಡೆಯಲು ಫೆರ್ಮಿ ಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ನಿರ್ವಾತ ಮಟ್ಟದ ನಡುವಿನ ಶಕ್ತಿಯ ವ್ಯತ್ಯಾಸ). ಪಿ-ಮಾದರಿಯ ಪದರದ ಡೋಪಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಮೂಲಕ ಇದನ್ನು ಭಾಗಶಃ ನಿವಾರಿಸಬಹುದು, ಇದು ತಡೆಗೋಡೆಯ ಅಗಲವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ () ಮತ್ತು ಫಿಲ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ () ಅನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಹೆಚ್ಚಿದ ಡೋಪಿಂಗ್ ಜಂಕ್ಷನ್ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ, ಲಾಭಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ (WOx) ನಂತಹ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕೆಲಸದ ಕಾರ್ಯವನ್ನು TCO ಅನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡುವುದು ಅಥವಾ ITO ಯ ಶೇಖರಣೆ ನಿಯತಾಂಕಗಳನ್ನು ಸರಿಹೊಂದಿಸುವುದು ಸಹ ತಡೆಗೋಡೆಯ ಎತ್ತರವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು; ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎರಡನೆಯದನ್ನು ITO ಯ ಆದ್ಯತೆಯ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಂದಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮೆಟಲೈಸೇಶನ್ ಪ್ರಿಂಟೆಡ್ ಪೇಸ್ಟ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೆಟಲೈಸ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ (ಅಂದರೆ. ಲೋಹದ ಸಂಪರ್ಕಗಳ ತಯಾರಿಕೆ) ಎರಡು ವಿಭಿನ್ನ ವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಂತೆಯೇ ಬೆಳ್ಳಿ ಪೇಸ್ಟ್ ನ ಸ್ಕ್ರೀನ್-ಪ್ರಿಂಟಿಂಗ್ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ, ಇದು ಶೇಕಡಾ 98 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಪಾಲನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಪೇಸ್ಟ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳು ಬೆಳ್ಳಿಯ ಕಣಗಳನ್ನು ಪಾಲಿಮರ್ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತವೆ, ಇದು ಸುಮಾರು 200 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ನ ಕ್ಯೂರಿಂಗ್ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಅಡ್ಡಲಾಗಿ ಸೇರುತ್ತದೆ. ಇವುಗಳು ಕಡಿಮೆ ಗ್ರಿಡ್ ವಾಹಕತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಬೆಳ್ಳಿ ಬಳಕೆ, ಅಸ್ಥಿರ ಉತ್ಪಾದನಾ ವೆಚ್ಚಗಳು ಅಥವಾ ಮುಂಭಾಗದ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಕಳಪೆ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ ಸೇರಿದಂತೆ ಪ್ರಮುಖ ನ್ಯೂನತೆಗಳನ್ನು ಅನುಭವಿಸುತ್ತವೆ. ಅವುಗಳ ಗಮನಾರ್ಹವಾದ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೆಚ್ಚದ ಹೊರತಾಗಿಯೂ, ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯು ಪ್ರಮಾಣಿತ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಪೇಸ್ಟ್ಗಿಂತ 4-6 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ ಎಂದು ಅಂದಾಜಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕಡಿಮೆ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಸರಿದೂಗಿಸಲು, ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಬೆಳ್ಳಿಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ, ಆದಾಗ್ಯೂ ಪರದೆಯ-ಮುದ್ರಣ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯು ಬೆರಳಿನ ರೇಖೆಯ ಅಗಲವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಬಳಕೆಯು ಕೆಳಮುಖವಾಗಿದೆ. ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯಲ್ಲಿನ ಸುಧಾರಣೆಗಳು ಪರದೆಯ-ಮುದ್ರಿಸಬಹುದಾದ ಬೆಳ್ಳಿ-ಲೇಪಿತ ತಾಮ್ರದ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳಂತಹ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ನಿರೀಕ್ಷೆಯಿದೆ. ಅಂತಹ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ, ಬೆಳ್ಳಿ ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿ ಶೇಕಡಾ 30 ರಷ್ಟು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಬೆಳ್ಳಿಯ ಲೇಪಿತ ತಾಮ್ರದ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳು 2030ರ ವೇಳೆಗೆ ಚೀನಾದ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ತಯಾರಕರಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರಬಲವಾದ ಮೆಟಲೈಸೇಶನ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗುತ್ತಿದ್ದು, 2024ರಿಂದ 2025ರವರೆಗೆ 50 ಪ್ರತಿಶತದಷ್ಟು ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಪಾಲನ್ನು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಲಾಗಿದೆ. ಲೇಸರ್ ಪ್ಯಾಟರ್ನ್ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಫರ್ ಪ್ರಿಂಟಿಂಗ್ ಎಂಬ ಪೇಸ್ಟ್ ಮುದ್ರಣದ ಸಂಪರ್ಕವಿಲ್ಲದ ವಿಧಾನವನ್ನು 1:1 ಆಕಾರ ಅನುಪಾತದೊಂದಿಗೆ ಕಿರಿದಾದ ಬೆರಳುಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು. ಪೇಸ್ಟ್ ಅನ್ನು ಗ್ರೇಟಿಂಗ್ನಲ್ಲಿ ಒತ್ತಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪೇಸ್ಟ್ ಅನ್ನು ಹಿಂದಿನಿಂದ ಬಿಸಿಮಾಡಲು ಇನ್ಫ್ರಾರೆಡ್ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆವಿಯಾಗುವ ದ್ರಾವಕವು ಪೇಸ್ಟ್ ಅನ್ನು ಅಚ್ಚುಗಳಿಂದ ಮತ್ತು ಸೌರ ಕೋಶದ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಹೊರಹಾಕುತ್ತದೆ. ಸಂಪರ್ಕ ಪರದೆಯ ಮುದ್ರಣವು ಜೀವಕೋಶದ ಮೇಲೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಬಲವನ್ನು ಬೀರುತ್ತದೆಯಾದ್ದರಿಂದ, ಈ ಪರ್ಯಾಯ ತಂತ್ರವು ಜೀವಕೋಶದ ಒಡೆಯುವಿಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಅತ್ಯಂತ ತೆಳುವಾದ ವೇಫರ್ಗಳಿಗೆ. ಮುದ್ರಿತ ಶಾಯಿ ಸಿಲ್ವರ್ ನ್ಯಾನೊಪರ್ಟಿಕಲ್ ಶಾಯಿಯನ್ನು ಇಂಕ್ಜೆಟ್ ಮುದ್ರಣವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಸೌರ ಕೋಶದಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಟೊಳ್ಳಾದ ಗಾಜಿನ ಕ್ಯಾಪಿಲ್ಲರಿಯೊಂದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಶೇಖರಣೆಯ ಮೂಲಕ ಸಂಗ್ರಹಿಸಬಹುದು. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸಿಲ್ವರ್ ಪೇಸ್ಟ್ ಪರದೆಯ ಮುದ್ರಣಕ್ಕೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಇಂಕ್ಜೆಟ್ ಶೇಖರಣೆಯು ಪ್ರತಿ ಕೋಶಕ್ಕೆ 200 ಮಿಗ್ರಾಂನಿಂದ 10 ಮಿಗ್ರಾಂಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಎಂದು ವರದಿಯಾಗಿದೆ. ಕ್ಯಾಪಿಲ್ಲರಿ ಶೇಖರಣೆಯೊಂದಿಗೆ ಮತ್ತಷ್ಟು ಕಡಿತಗಳು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ (ಕ್ಯಾಪಿಲ್ಲರಿ ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಅಡ್ಡಲಾಗಿ ಹಾದಿಗಳಾಗಿರುವುದರಿಂದ ಇದನ್ನು "ಫ್ಲೆಕ್ಸ್ಟ್ರೈಲ್" ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ) ಇದು 3 ಮಿಗ್ರಾಂ ಬೆಳ್ಳಿಯ ಶೇಖರಣೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಬೆಳ್ಳಿಯಲ್ಲಿನ ಇಷ್ಟು ದೊಡ್ಡ ಕಡಿತವು ಗ್ರಿಡ್ ವಿನ್ಯಾಸಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆ ವಹನವನ್ನು ಸರಿದೂಗಿಸಲು ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ, ಅವುಗಳೆಂದರೆ ಬಸ್ ಬಾರ್-ಕಡಿಮೆ ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಬಳಸುವುದು. ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟೆಡ್ ಮುದ್ರಿತ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರಗಳಿಗೆ ಬೆಳ್ಳಿ-ಮುಕ್ತ ಪರ್ಯಾಯವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟೆಡ್ ತಾಮ್ರವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟೆಡ್ ತಾಮ್ರದ ವಾಹಕತೆಯು ಬೃಹತ್ ತಾಮ್ರದ ಚಾಲಕತೆಯನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ. ಇದು ಗ್ರಿಡ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶದ ಪ್ರವಾಹದ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸುಧಾರಿತ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯದ ರೇಖಾಗಣಿತವನ್ನು ಸಹ ಸಾಧಿಸಬಹುದು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೊಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ಗೆ ತ್ಯಾಗದ ಇಂಕ್ಜೆಟ್-ಮುದ್ರಿತ ಅಥವಾ ಫೋಟೊಲಿಥೋಗ್ರಾಫಿಕ್-ಪಡೆದ ಮುಖವಾಡವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಆಯ್ದ ಮಾದರಿಯ ಅಗತ್ಯವಿರುವುದರಿಂದ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಉತ್ಪಾದನೆಯು ಸವಾಲಿನದ್ದಾಗಿದೆ. ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ವಿದ್ಯುತ್ ಲೇಪಿತ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ. ಕೋಶಗಳನ್ನು ಪ್ರಸ್ತುತ ವಾಣಿಜ್ಯಿಕವಾಗಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತಿಲ್ಲ. ಐಟಿಒಗೆ ನೇರವಾಗಿ ಲೇಪಿಸಲಾದ ತಾಮ್ರವು ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳಿಂದಲೂ ಬಳಲುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೊದಲು ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ಅಥವಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡಿಪೊಸಿಷನ್ ಮೂಲಕ ನಿಕೆಲ್ನ ತೆಳುವಾದ (~ 1 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್) ಬೀಜ ಪದರವನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡುವುದು ಅಗತ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ನಿಕಲ್ ಮತ್ತು ಐಟಿಒ ಪದರಗಳು ತಾಮ್ರದ ವಿರುದ್ಧ ಜೀವಕೋಶದೊಳಗೆ ಹರಡುವ ತಡೆಗೋಡೆಯಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ, ಇದು ಆಳವಾದ ಮಟ್ಟದ ಅಶುದ್ಧತೆಯಾಗಿದೆ, ಇದು ತೀವ್ರ ಅವನತಿಯನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ. ಎಲ್ಲಾ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಂತೆ, ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು ಡಯೋಡ್ ಆಗಿದ್ದು ಕೇವಲ ಒಂದು ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಡೆಸುತ್ತವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಎನ್-ರೀತಿಯ ಬದಿಯ ಮೆಟಲೈಸೇಶನ್ಗಾಗಿ, ಸೌರ ಕೋಶವು ಬಾಹ್ಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜನ್ನು ಬಳಸುವ ಬದಲು ಬೆಳಕಿನ ಮೂಲಕ ತನ್ನದೇ ಆದ ಲೇಪನ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಬೇಕು. ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಲೈಟ್-ಇಂಡ್ಯೂಸ್ಡ್ ಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ (ಎಲ್ಐಪಿ) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ; ಪಿ-ಟೈಪ್ ಸೈಡ್ಗೆ ಫೀಲ್ಡ್-ಇಂಡ್ಯೂಸ್ಡ್ ಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ (ಎಫ್ಐಪಿ) ಗೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ. ಪರ್ಯಾಯವಾಗಿ, ವಿದ್ಯುತ್ ರಹಿತ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು, ಇದಕ್ಕೆ ಉತ್ಪಾದನೆಯನ್ನು ಸಂಕೀರ್ಣಗೊಳಿಸುವ ಸೌರ ಕೋಶಕ್ಕೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಪರ್ಕದ ಅಗತ್ಯವಿರುವುದಿಲ್ಲ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಲೆಸ್ ಲೇಪನವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ಗಿಂತ ತುಂಬಾ ನಿಧಾನವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸೂಕ್ತವಾದ ದಪ್ಪವನ್ನು ತಲುಪಲು ನಿಮಿಷಗಳ ಬದಲು ಗಂಟೆಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ-ಆಧಾರಿತ ಸೌರ ಫಲಕಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುವಾಗ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ತಾಪಮಾನ ಸಂವೇದನೆಯು ಜೀವಕೋಶದ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕಕ್ಕೆ ಮತ್ತಷ್ಟು ಪರಿಣಾಮಗಳನ್ನು ಬೀರುತ್ತದೆ. ಜೀವಕೋಶದ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯ ಅವನತಿಯನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ಎಚ್ಚರಿಕೆಯಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಬೇಕು. ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ತಂತಿಗಳು ಅಥವಾ ರಿಬ್ಬನ್ಗಳಿಗೆ ದುರ್ಬಲ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಿಂದ ಬಳಲುತ್ತಿವೆ, ಇದು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಬಾಳಿಕೆಗೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಈ ಪೇಸ್ಟ್ಗಳು ಮತ್ತು ಇನ್ಫ್ರಾರೆಡ್ ಬೆಸುಗೆ ನಿಯತಾಂಕಗಳ ಆಪ್ಟಿಮೈಸೇಶನ್, ಜೊತೆಗೆ ಬೆಸುಗೆ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳ ಎಚ್ಚರಿಕೆಯ ಆಯ್ಕೆಯು ಪ್ರಮಾಣಿತ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಉಪಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳ ಯಶಸ್ಸನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಬಹು-ಜಂಕ್ಷನ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್-ಪೆರೋವ್ಸ್ಕೈಟ್ ಟಂಡೆಮ್ ರಚನೆಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲಾಗಿದೆ, ಕೆಲವು ಸಂಶೋಧನಾ ಗುಂಪುಗಳು ಸ್ಫಟಿಕದ ಸಿಲಿಕಾನ್ಗಾಗಿ 29.43% ಶಾಕ್ಲಿ-ಕ್ವೀಸರ್ ಮಿತಿಯನ್ನು ಮೀರಿದ ವಿದ್ಯುತ್ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿವೆ. ಈ ಸಾಧನೆಯನ್ನು ಏಕಶಿಲೆಯ ಮತ್ತು 4-ಟರ್ಮಿನಲ್ ಜೀವಕೋಶದ ಸಂರಚನೆಗಳೆರಡರಲ್ಲೂ ಸಾಧಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅಂತಹ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ, ಉಷ್ಣಾಂಶದ ನಷ್ಟವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು, ವಿಶಾಲವಾದ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ ಪೆರೋವ್ಸ್ಕೈಟ್ ಮೇಲ್ಭಾಗದ ಕೋಶವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಫೋಟಾನ್ಗಳನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೆಳಗಿನ ಕೋಶವು ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯ ಫೋಟಾನ್ಗಳನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಎರಡು ಮುಖಗಳ ಸಂರಚನೆಯಲ್ಲಿ, ಕೆಳಗಿನ ಕೋಶವು ಹಿಂಭಾಗದ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದಲೂ ಬೆಳಕನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸಬಹುದು. 2017ರಲ್ಲಿ, ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಬಾಟಮ್ ಸೆಲ್ ಮತ್ತು ಗ್ರೂಪ್ III-V ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಟಾಪ್ ಸೆಲ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸುವ ಟಂಡೆಮ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ 2-ಮತ್ತು 3-ಜಂಕ್ಷನ್ ನಾನ್-ಮೊನೊಲಿಥಿಕ್ ಸ್ಟ್ಯಾಕ್ಗಳಿಗೆ 32.8% ಮತ್ತು 35.9% ನ ವಿದ್ಯುತ್ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಗಳೊಂದಿಗೆ ತಯಾರಿಸಲಾಯಿತು. ಏಪ್ರಿಲ್ 2023 ರಲ್ಲಿ, ಏಕಶಿಲೆಯ ಸಂರಚನೆಯಲ್ಲಿ ಪೆರೋವ್ಸ್ಕೈಟ್ ಮೇಲ್ಭಾಗದ ಕೋಶವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಟಂಡೆಮ್ಗಳ ದಕ್ಷತೆಯ ದಾಖಲೆಯನ್ನು ಕೆಎಯುಎಸ್ಟಿ ಸೌರ ಕೇಂದ್ರವು 33.2% ನಲ್ಲಿ ಸ್ಥಾಪಿಸಿತು. ಇದು 2-ಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಕ್ಕೆ ದಾಖಲಾದ ಅತ್ಯಧಿಕ ದಕ್ಷತೆಯಾಗಿದೆ. ವಿಶಿಷ್ಟ ಸಿ-ಸಿ/ಎ-ಸಿಃ ಎಚ್ ರಚನೆಯ ಹೊರತಾಗಿ, ವಿವಿಧ ಗುಂಪುಗಳು ಸಿ-ಸಿ/ಸಿಓಕ್ಸ್, ಸಿ-ಸಿ/ಮೂಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಸಿ-ಸಿ/ಪಾಲಿ-ಸಿ ಅಥವಾ ಸಿ-ಸಿ/ಸಿಓಕ್ಸ್/ಪಾಲಿ-ಸಿ (ಪೊಲೋ; ಆಕ್ಸೈಡ್ ಮೇಲೆ ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್) ನಂತಹ ಹೊಸ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಸಂಪರ್ಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಿವೆ. ಹೈಬ್ರಿಡ್ ಅಜೈವಿಕ-ಸಾವಯವ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಪಾಲಿಯಾನಿಲಿನ್ ಪಚ್ಚೆ ತಳದಿಂದ ಲೇಪಿತವಾದ ಎನ್-ರೀತಿಯ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಬಳಸಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗಿದೆ. ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಸಹ ಮಲ್ಟಿಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ತಲಾಧಾರಗಳ ಮೇಲೆ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇಂಟರ್ಡಿಜಿಟೇಟೆಡ್ ಬ್ಯಾಕ್ ಕಾಂಟ್ಯಾಕ್ಟ್ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು ಐಬಿಸಿ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದೊಂದಿಗೆ ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ, ಅಂದರೆ. ಜೀವಕೋಶದ ಮೆಟಲೈಸೇಶನ್ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಹಿಂಭಾಗದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿದೆ. ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಐಬಿಸಿ ಕೋಶವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎಚ್ಬಿಸಿ ಎಂದು ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಎಸ್. ಎಚ್. ಜೆ ಕೋಶಗಳಿಗಿಂತ ಎಚ್. ಬಿ. ಸಿ ರಚನೆಯು ಹಲವಾರು ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ; ಪ್ರಮುಖ ಪ್ರಯೋಜನವೆಂದರೆ ಮುಂಭಾಗದ ಗ್ರಿಡ್ನಿಂದ ಛಾಯೆಯನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವುದು, ಇದು ಬೆಳಕಿನ ಸೆರೆಹಿಡಿಯುವಿಕೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ. ಪಿಇಆರ್ಸಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕಳಪೆ ಮೌಲ್ಯಗಳಿಂದ ಬಳಲುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ವಿರಳವಾಗಿ 40 ಎಂಎ/ಸೆಂ 2 ಅನ್ನು ಮೀರುತ್ತವೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕದಿಂದಾಗಿ ಕೆಲವು ಬೆಳಕು ಮುಂಭಾಗದ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಪದರಗಳಲ್ಲಿ ಪರಾವಲಂಬಿಗಳಾಗಿ ಹೀರಲ್ಪಡುತ್ತದೆ. ಮುಂಭಾಗದ ಲೋಹದ ಸಂಪರ್ಕದ ಅಗತ್ಯವನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವ ಮೂಲಕ, ಹಾಗೆಯೇ ಮುಂಭಾಗದ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಮರುಪಡೆಯಬಹುದು. ಅಂತೆಯೇ, ಎಚ್. ಬಿ. ಸಿ. ಕೋಶಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ; ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ದೀರ್ಘಕಾಲದ ವಿಶ್ವ ದಾಖಲೆಯ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಕೋಶವು ಎಚ್. ಬಿ. ಸಿ. ರಚನೆಯನ್ನು <ಐ. ಡಿ. 2> ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ <ಐ. ಡಿ. 1> ಎಂ. ಎ./ಸಿ. ಎಂ. 2 ನೊಂದಿಗೆ ಕನೇಕಾ ತಯಾರಿಸಿದೆ. ಎಚ್. ಬಿ. ಸಿ. ಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಹೊರತಾಗಿಯೂ, ಎರಡು-ಬದಿಯ ಕೋಶಗಳು ಅವುಗಳ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಸರಳವಾದ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದಾಗಿ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಮುಖ್ಯವಾಹಿನಿಯಾಗಿವೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎಚ್. ಬಿ. ಸಿ ಕೋಶಗಳು ಗಮನಾರ್ಹವಾದ ಪ್ರದೇಶದ ನಿರ್ಬಂಧಗಳಿರುವ ವಾಹನ-ಸಂಯೋಜಿತ ಪಿವಿ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಂತಹ ವಿಶೇಷ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಎಚ್. ಬಿ. ಸಿ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಹಿಂಭಾಗದ ಸ್ಥಳೀಯ ಡೋಪಿಂಗ್ ಮೂಲಕ, ಪಿ-ಮತ್ತು ಎನ್-ರೀತಿಯ ಪ್ರದೇಶಗಳ ಪರ್ಯಾಯ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ಅಂತರ-ಡಿಜಿಟೈಟೆಡ್ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಮುಂಭಾಗದ ಭಾಗಕ್ಕೆ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಡೋಪಿಂಗ್ ಪ್ರೊಫೈಲ್ ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ. ನಷ್ಟದ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಉತ್ತಮವಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ 30 ವರ್ಷಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ನಿರೀಕ್ಷಿತ ನಾಮಮಾತ್ರದ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದು, ನಿರೀಕ್ಷಿತ ಸರಾಸರಿ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಅನುಪಾತವು ಶೇಕಡಾ 75ರಷ್ಟಿದೆ. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳು ಮತ್ತು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳ ವೈಫಲ್ಯ, ವಿದ್ಯುತ್ ನಷ್ಟ ಮತ್ತು ಅವನತಿಯನ್ನು ಪೀಡಿತ ನಿಯತಾಂಕದಿಂದ ವರ್ಗೀಕರಿಸಬಹುದು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ಓಪನ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಶಾರ್ಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಕರೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಫಿಲ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್). ನಷ್ಟಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯ ಗುಣಮಟ್ಟದಲ್ಲಿನ ಇಳಿಕೆಗೆ ಅಥವಾ ದೋಷಗಳ ಪರಿಚಯದ ಮೂಲಕ ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಹಾನಿಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ನಷ್ಟಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆ ಬೆಳಕನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಸೆರೆಹಿಡಿಯುತ್ತದೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಛಾಯೆಯ ಮೂಲಕ ಅಥವಾ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ರಚನೆಗಳಿಗೆ ಹಾನಿಯಾಗುವುದು). ನಷ್ಟಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯ ನಷ್ಟಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತವೆ, ಮತ್ತು ಸರಣಿ ಪ್ರತಿರೋಧದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಷಂಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧದಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಒಸಿ ನಷ್ಟ ದೋಷಗಳು ಚಾರ್ಜ್ ವಾಹಕಗಳು ಅಜಾಗರೂಕತೆಯಿಂದ "ಸಿಕ್ಕಿಬೀಳುವ" ತಾಣಗಳಾಗಿವೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಅವು ಶಾಕ್ಲಿ-ರೀಡ್-ಹಾಲ್ ವಿಧಾನದ (ಎಸ್ಆರ್ಹೆಚ್ ಮರುಸಂಯೋಜನೆ) ಮೂಲಕ ಮರುಸಂಯೋಜಿಸುವ ಸಾಧ್ಯತೆಯಿದೆ. ಅವು ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ಗಳಲ್ಲಿ (ಮೇಲ್ಮೈ ಮರುಸಂಯೋಜನೆ), ಸ್ಫಟಿಕ ಧಾನ್ಯದ ಗಡಿಗಳು ಮತ್ತು ಸ್ಥಳಾಂತರಗಳಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಕಲ್ಮಶಗಳಲ್ಲಿ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರಬಹುದು. ದಕ್ಷತೆಯಲ್ಲಿನ ನಷ್ಟವನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟಲು, ದೋಷಗಳನ್ನು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸಬೇಕು (ಅಂದರೆ. ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ತಟಸ್ಥವಾಗುತ್ತದೆ). ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇದು ತೆರಪಿನ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ನೊಂದಿಗೆ ದೋಷ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ನ ಬಂಧದ ಮೂಲಕ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ, ಹೈಡ್ರೋಜನೀಕರಿಸಿದ ಆಂತರಿಕ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಇರುವ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ದೋಷಗಳಲ್ಲಿ ಬಹಳ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿದೆ. ದೋಷಗಳ ನಡವಳಿಕೆಯನ್ನು ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳುವುದು ಮತ್ತು ಅವು ಕಾಲಾನಂತರದಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ನೊಂದಿಗೆ ಹೇಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುತ್ತವೆ ಎಂಬುದು ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಸೌರ ಕೋಶಗಳ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳಲು ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿದೆ. ಬೆಳಕು-ಪ್ರೇರಿತ ಅವನತಿ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಜಾಲಗಳಲ್ಲಿನ ಬೆಳಕಿನ-ಸೂಕ್ಷ್ಮ ದೋಷ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯ ನಡವಳಿಕೆಯು 1977ರಲ್ಲಿ ಸ್ಟೇಬ್ಲರ್-ವ್ರೋನ್ಸ್ಕಿ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದಾಗಿನಿಂದ ಅಧ್ಯಯನದ ವಿಷಯವಾಗಿದೆ. ಸ್ಟೇಬ್ಲರ್ ಮತ್ತು ವ್ರೋನ್ಸ್ಕಿ ಅವರು ಹಲವಾರು ಗಂಟೆಗಳ ಕಾಲ ಬೆಳಕಿಗೆ ಒಡ್ಡಿಕೊಂಡಾಗ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳ ಫೋಟೋಕಂಡಕ್ಟಿವಿಟಿ ಮತ್ತು ಡಾರ್ಕ್ ಕಂಡಕ್ಟಿವಿಟಿಯಲ್ಲಿ ಕ್ರಮೇಣ ಇಳಿಕೆಯನ್ನು ಕಂಡುಕೊಂಡರು. ಈ ಪರಿಣಾಮವು 150 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಡಾರ್ಕ್ ಅನೀಲಿಂಗ್ ಮೇಲೆ ಹಿಂತಿರುಗಬಲ್ಲದು ಮತ್ತು ಹೈಡ್ರೋಜನೀಕರಿಸಿದ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಹಿಂತಿರುಗಿಸಬಹುದಾದ ಬೆಳಕು-ಪ್ರೇರಿತ ಅವನತಿಗೆ (ಎಲ್ಐಡಿ) ಸಾಮಾನ್ಯ ಉದಾಹರಣೆಯಾಗಿದೆ. ವಾಹಕದ ಜೀವಿತಾವಧಿಯಲ್ಲಿ ಇಳಿಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವ ಹೊಸ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಗ್ಯಾಪ್ ಸ್ಥಿತಿಗಳ ಪರಿಚಯವು ಅವನತಿಯ ಹಿಂದಿನ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವೆಂದು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಲಾಗಿದೆ. ನಂತರದ ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಸ್ಟೇಬ್ಲರ್-ವ್ರೋನ್ಸ್ಕಿ ಪರಿಣಾಮದಲ್ಲಿ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ವಲಸೆ ಮತ್ತು ಮೆಟಾಸ್ಟಬಲ್ ಹೈಡ್ರೋಜನ್-ಟ್ರ್ಯಾಪಿಂಗ್ ದೋಷಗಳ ಪಾತ್ರವನ್ನು ಪರಿಶೋಧಿಸಿವೆ. ಅನೇಕ ಅಸ್ಥಿರಗಳಲ್ಲಿ, ಸ್ಟೇಬ್ಲರ್-ವ್ರೋನ್ಸ್ಕಿ ಪರಿಣಾಮದ ಚಲನಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ವ್ಯಾಪ್ತಿಯು ತೆಳುವಾದ ಪದರದಲ್ಲಿನ ಸ್ಫಟಿಕದ ಕಣದ ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಬೆಳಕನ್ನು ನೆನೆಸುವ ಪ್ರಕಾಶವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಕೆಲವು ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸಾಧನಗಳು ಎಲ್ಐಡಿ ಮೂಲಕ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಸಹ ಗಮನಿಸಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವ ಹೆಚ್ಚಳ ಮತ್ತು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು ಬೆಳಕನ್ನು ನೆನೆಸಿದಾಗ ಕಂಡುಬರುತ್ತವೆ. ಕೋಬಯಾಶಿ, ಮತ್ತು ಇತರರು. (2016) ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಯ್ದ ಸಂಪರ್ಕಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕದಲ್ಲಿರುವಾಗ ಆಂತರಿಕ ಬಫರ್ ಪದರದ ಫೆರ್ಮಿ ಮಟ್ಟವು ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂಚುಗಳಿಗೆ ಹತ್ತಿರವಾಗುವುದರಿಂದ ಇದು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸುತ್ತದೆ, ಇದೇ ರೀತಿಯ ಸ್ಟೇಬ್ಲರ್-ವ್ರೋನ್ಸ್ಕಿ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಸ್ಕುಟೊ ಮತ್ತು ಇತರರು ಗಮನಿಸಿದ್ದಾರೆ. (2015) ಹೈಡ್ರೋಜನೀಕರಿಸಿದ ಎ-ಸಿ ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಕ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಹಿಮ್ಮುಖ ಪಕ್ಷಪಾತದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಬೆಳಕು-ನೆನೆಸಿದಾಗ. ಕೈಗಾರಿಕಾ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯ ನಂತರದ ಹಂತದಲ್ಲಿ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಕೋಶಗಳ ಉದ್ದೇಶಪೂರ್ವಕ ಅನೆಲಿಂಗ್ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯ ವೇಗವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಥರ್ಮಲ್ ಅನೀಲಿಂಗ್ ಇಂಟರ್ಸ್ಟೀಶಿಯಲ್ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಹೆಟೆರೊಇಂಟರ್ಫೇಸ್ಗೆ ಹತ್ತಿರವಾಗಿ ಹರಡಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸಲಾಗಿದೆ, ಇದು ತೂಗಾಡುವ ಬಂಧ ದೋಷಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತ್ವವನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ. ಅಂತಹ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಅನೀಲಿಂಗ್ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಬೆಳಕನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು, ಆದಾಗ್ಯೂ ಇದು ವಾಹಕದ ಜೀವಿತಾವಧಿಯಲ್ಲಿ ಸುಧಾರಣೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸುವ ಮೊದಲು ಅವನತಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ವಾಣಿಜ್ಯ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಎಚ್ಚರಿಕೆಯಿಂದ ಆಪ್ಟಿಮೈಸೇಶನ್ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಯುಎನ್ಎಸ್ಡಬ್ಲ್ಯೂ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದ ದೋಷ ತಗ್ಗಿಸುವಿಕೆಯ ಇನ್ಲೈನ್ ತಂತ್ರವಾದ ಅಡ್ವಾನ್ಸ್ಡ್ ಹೈಡ್ರೋಜನೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ (ಎಎಚ್ಪಿ) ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಪ್ರಕಾಶಮಾನವಾದ ಅನೀಲಿಂಗ್ ಪ್ರಮುಖ ಪಾತ್ರ ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಬೊರಾನ್-ಆಮ್ಲಜನಕ ಸಂಕೀರ್ಣ ಎಲ್ಐಡಿ ದೋಷವು ಅಗ್ಗದ ಪಿ-ಟೈಪ್ ವೇಫರ್ಗಳ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಸ್ಥಿರತೆಯೊಂದಿಗೆ ವ್ಯಾಪಕವಾದ ಸಮಸ್ಯೆಯಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ತಲಾಧಾರಗಳಿಗೆ ಎನ್-ಟೈಪ್ಗೆ ಆದ್ಯತೆ ನೀಡಲು ಪ್ರಮುಖ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ. ಅಡ್ವಾನ್ಸ್ಡ್ ಹೈಡ್ರೋಜಿನೇಶನ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಬಿ-ಒ ಎಲ್ಐಡಿ ವಿರುದ್ಧ ವೇಫರ್ಗಳನ್ನು ಸ್ಥಿರಗೊಳಿಸುವುದು ವ್ಯತ್ಯಾಸಗೊಳ್ಳುವ ಯಶಸ್ಸು ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪದಾರ್ಥಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲು ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಅನ್ನು ಆರ್ಥಿಕವಾಗಿ ಕಾರ್ಯಸಾಧ್ಯವಾದ ಪರ್ಯಾಯ ಪಿ-ಟೈಪ್ ಡೋಪಂಟ್ ಎಂದು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಲಾಗಿದೆ. ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಡೋಪ್ಡ್ ಜೀವಕೋಶಗಳು ಬೋರಾನ್ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ದೋಷ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ, ಸಂಶೋಧನಾ ಗುಂಪುಗಳು ಗ್ಯಾಲಿಯಂ-ಡೋಪ್ಡ್ ಪಿ-ಟೈಪ್ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆಯಲ್ಲಿ 730 ಎಂವಿ ಮೀರಿದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಸಾಧಿಸುತ್ತವೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಗ್ಯಾಲಿಯಂ Cz-ಬೆಳೆದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಇಂಗಾಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬೋರಾನ್ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಬೇರ್ಪಡಿಸುವ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಕಡಿಮೆ ಇಂಗಾಟ್ ಉದ್ದದಲ್ಲಿ ಎನ್-ಟೈಪ್ಗೆ ಹೋಲುವ ಸಮಸ್ಯೆಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎಫ್ಎಫ್ ನಷ್ಟಗಳು ತುಂಬುವ ಅಂಶವು ತೆರೆದ ಅಥವಾ ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಸೌರ ಕೋಶವು ತನ್ನ ಗರಿಷ್ಠ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಿಂದುವಿನಲ್ಲಿ ಎಷ್ಟು ಉತ್ತಮವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿನ ಭರ್ತಿ ಅಂಶವು ಹಲವಾರು ಪ್ರಮುಖ ಅಂಶಗಳಿಂದ ಪ್ರಭಾವಿತವಾಗಿದೆಃ ಸರಣಿ ಪ್ರತಿರೋಧ; ಬೃಹತ್ ವಾಹಕ ಜೀವಿತಾವಧಿ; ಶುದ್ಧತ್ವ ಪ್ರವಾಹದ ಸಾಂದ್ರತೆ; ವೇಫರ್ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯ ಮತ್ತು ವೇಫರ್ ದಪ್ಪ. ಈ ಅಂಶಗಳು ಪ್ರತಿಯಾಗಿ ಡಯೋಡ್ ಮತ್ತು ಆದರ್ಶದ ಅಂಶದ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತವೆ. 86 ಪ್ರತಿಶತಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಭರ್ತಿ ಅಂಶವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು, ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಕೋಶವು ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಷಂಟ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು, ಅತ್ಯಲ್ಪ ಸರಣಿ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು, ಉತ್ತಮ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಬೃಹತ್ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು, ಇದು ಬಹಳ ದೀರ್ಘ ಅಲ್ಪಾವಧಿಯ ವಾಹಕ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು (~ 15 ಎಮ್ಎಸ್), ಅತ್ಯುತ್ತಮ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆ (0.8 ಎಫ್ಎ/ಸೆಂ. ಮೀ. ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಶುದ್ಧತ್ವ ಪ್ರವಾಹದ ಸಾಂದ್ರತೆ) ಹೊಂದಿರಬೇಕು. ಬೃಹತ್ ವೇಫರ್ ಜೀವಿತಾವಧಿಯು ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ ಡಯೋಡ್ ಆದರ್ಶ ಅಂಶವು 2/3 ಅನ್ನು ಸಮೀಪಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಬೃಹತ್ ದೋಷದ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ತುಂಬಾ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ ಆಗರ್ ಮರುಸಂಯೋಜನೆಯು ಪ್ರಬಲ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. 1 ಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಆದರ್ಶ ಅಂಶವು ಶೇಕಡಾ 86 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ತುಂಬುವ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ, ಬೃಹತ್ ಜೀವಿತಾವಧಿಯು ಹೆಚ್ಚಿರುವವರೆಗೆ. ವೇಫರ್ ದಪ್ಪ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ ಹೆಚ್ಚಿನ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಸಾಧಿಸುವುದು ಸುಲಭ. ಸಾಕಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿನ ಜೀವಿತಾವಧಿಯಲ್ಲಿ, ಬೃಹತ್ ಡೋಪಿಂಗ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ಸಹ ಪ್ರಯೋಜನಕಾರಿಯಾಗಿದೆ (ವೇಫರ್ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ) ಅಂದರೆ ವೇಫರ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಇಂಜೆಕ್ಷನ್ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿದೆ (ಡೋಪಂಟ್ ಸಾಂದ್ರತೆಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ವಾಹಕಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ). ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಅವನತಿ ಸೌರ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ತೇವಾಂಶ, ಉಷ್ಣ ಸೈಕ್ಲಿಂಗ್ ಮತ್ತು ನೇರಳಾತೀತ ಬೆಳಕು ಸೇರಿದಂತೆ ಹೊರಾಂಗಣ ಸ್ಥಾಪನೆಗಳಲ್ಲಿ ನಿಯೋಜಿಸಿದಾಗ ವಿವಿಧ ಒತ್ತಡಗಳಿಗೆ ಒಡ್ಡಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಸೌರ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ದಶಕಗಳವರೆಗೆ ಸೇವೆಯಲ್ಲಿರುತ್ತವೆ ಎಂದು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಬಹುದು, ಮತ್ತು ಲೆಕ್ಕವಿಲ್ಲದಿದ್ದರೆ ಈ ಅಂಶಗಳು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ನ ಜೀವಿತಾವಧಿಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು. ಅವನತಿಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಬಿರುಕುಗಳು, ಕ್ರಮೇಣ ತುಕ್ಕು ಅಥವಾ ದೋಷದ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯಿಂದ ಜೀವಕೋಶದಲ್ಲಿಯೇ ದಕ್ಷತೆಯ ನಷ್ಟವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿವೆ; ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಪದರಗಳ ಡಿಲೆಮಿನೇಷನ್; ಜೀವಕೋಶದ ಯುವಿ ಅವನತಿ ಅಥವಾ ಲ್ಯಾಮಿನೇಷನ್; ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ಎಮ್ಬ್ರಿಟ್ಲ್ಮೆಂಟ್ ಅಥವಾ ಬಣ್ಣಬಣ್ಣ; ಮತ್ತು ಲೋಹದ ವಾಹಕಗಳ ವೈಫಲ್ಯ (ಬೆರಳುಗಳು, ಬಸ್ ಬಾರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಟ್ಯಾಬಿಂಗ್). ಸಂಭಾವ್ಯ-ಪ್ರೇರಿತ ಅವನತಿ ಸಂಭಾವ್ಯ-ಪ್ರೇರಿತ ಅವನತಿಯನ್ನು (ಪಿಐಡಿ) ಸೌರ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಲ್ಲಿನ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಒತ್ತಡದಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಅವನತಿಯನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಸೌರ ಘಟಕಗಳ ಅವನತಿಯ ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ. ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳ ತಂತಿಗಳು ದ್ಯುತಿವಿದ್ಯುತೀಕ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ 1000 ವಿ ವರೆಗೆ ಸಂಗ್ರಹಗೊಳ್ಳಬಹುದು, ಮತ್ತು ಅಂತಹ ಸಂಭಾವ್ಯ ವ್ಯತ್ಯಾಸವು ಸೌರ ಕೋಶಗಳು ಮತ್ತು ಗ್ರೌಂಡೆಡ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಫ್ರೇಮ್ಗಳ ನಡುವಿನ ಸಣ್ಣ ದೂರದಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರಬಹುದು, ಇದು ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರವಾಹಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಪಿಐಡಿ ಪ್ರಾಥಮಿಕವಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಕೆಮಿಕಲ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದ್ದು, ಇದು ಸೌರ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಮತ್ತು ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ತುಕ್ಕು ಮತ್ತು ಅಯಾನು ವಲಸೆಯನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ, ಇದು ತೇವಾಂಶದ ಪ್ರವೇಶ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ಮಾಲಿನ್ಯದಿಂದ ಸುಗಮಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಸೋಡಾ-ಸುಣ್ಣದ ಗಾಜಿನಿಂದ ಸೋರಿಕೆಯಾಗುವ ಶಂಕೆಯಿರುವ ಸೋಡಿಯಂ ಅಯಾನುಗಳು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಸಮಸ್ಯಾತ್ಮಕವಾಗಿವೆ ಮತ್ತು ತೇವಾಂಶದ ಉಪಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ (ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿದ್ಯುತ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವಿಲ್ಲದೆ) ಅವನತಿಯನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡಬಹುದು. ಇದು ಪಿವಿ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಜೀವಿತಾವಧಿಯಲ್ಲಿ ಇಳಿಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲ್ಲಾ ರೀತಿಯ ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು, ಹಾಗೆಯೇ ತೆಳುವಾದ ಪದರದ ಸೌರ ಕೋಶಗಳು, ಸಿ. ಐ. ಜಿ. ಎಸ್. ಕೋಶಗಳು ಮತ್ತು ಸಿ. ಡಿ. ಟಿ. ಇ. ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಪಿ. ಐ. ಡಿ. ಕಂಡುಬಂದಿದೆ. ಸಂಶೋಧನೆಯಲ್ಲಿ, ಮಾದರಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗೆ, ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಪರಿಸರ ಕೊಠಡಿಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪಕ್ಷಪಾತದ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ವೇಗವರ್ಧಿತ ವಯಸ್ಸಾದ ಪರೀಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ಪಿಐಡಿಯನ್ನು ಪುನರಾವರ್ತಿಸಬಹುದು. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ, ಪಿಐಡಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ನಷ್ಟಗಳಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಕಡಿತದಿಂದ ನಿರೂಪಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆ, ಮತ್ತು ಇತರ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವ ಪಿಐಡಿಗಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿ, ಪಿಐಡಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬದಲಾಯಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ವಿರುದ್ಧ ಪಕ್ಷಪಾತವನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವುದರಿಂದ ಕೇವಲ ಒಂದು ಸಣ್ಣ ಚೇತರಿಕೆಯಾಗಿದೆ. ಪಿಐಡಿಯ ಕೆಲವು ಘಟಕಗಳು ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಲ್ಲಿನ ವಿಭಿನ್ನ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದ ಮೂಲಕ ಸಂಭವಿಸುತ್ತವೆ ಎಂದು ಇದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಟಿ. ಸಿ. ಓ. ನಲ್ಲಿ ಇಂಡಿಯಮ್ ಲೋಹದ ಅವಕ್ಷೇಪದಿಂದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ನಷ್ಟಗಳು ಉಂಟಾಗುತ್ತವೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅವನತಿ ಹೊಂದಿದ ಘಟಕಗಳು ಜೀವಕೋಶದ ಆಳದಲ್ಲಿ ಸೋಡಿಯಂ ಅಯಾನುಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಸಹ ಅಳೆಯುತ್ತವೆ, ಇದು ಋಣಾತ್ಮಕ ಪಕ್ಷಪಾತದಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಪಿಐಡಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ಜಲವಿಚ್ಛೇದನ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ಗಳು ಸ್ಥಿರತೆಗಾಗಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಲ್ಲಿ ಸೌರ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಆವರಿಸಲು ಬಳಸುವ ಥರ್ಮೋಪ್ಲಾಸ್ಟಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳಾಗಿವೆ. ಲ್ಯಾಮಿನೇಷನ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಕೋಶಗಳನ್ನು ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ಫಿಲ್ಮ್ ನಡುವೆ ಸ್ಯಾಂಡ್ವಿಚ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ಕರಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕವಾಗಿ, ಅಗ್ಗದ ಕೋಪಾಲಿಮರ್ ಎಥಿಲೀನ್-ವಿನೈಲ್ ಅಸಿಟೇಟ್ (ಇವಿಎ) ಅನ್ನು ಸ್ಫಟಿಕಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಲ್ಲಿ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ಆಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ದೀರ್ಘಕಾಲದವರೆಗೆ ತೇವಾಂಶಕ್ಕೆ ಒಡ್ಡಿಕೊಂಡ ನಂತರ, ಇ. ವಿ. ಎ. ಯು ಲೋಹದ ಟರ್ಮಿನಲ್ಗಳನ್ನು ಅಥವಾ ಸೌರ ಕೋಶದ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ನಾಶಪಡಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದೊಂದಿಗೆ ಅಸಿಟಿಕ್ ಆಮ್ಲವನ್ನು ಹೈಡ್ರೋಲೈಸ್ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ಹೊರಹಾಕಬಹುದು. ಉಭಯಮುಖವಲ್ಲದ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ರಚನೆಯ ಗಾಜಿನ ಮುಂಭಾಗ ಮತ್ತು ಯುವಿ-ಸ್ಥಿರವಾದ ಪಾಲಿಮರ್ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪಾಲಿವಿನೈಲ್ ಫ್ಲೋರೈಡ್) ಬ್ಯಾಕ್ಶೀಟ್ನಿಂದ ಕೂಡಿರುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಉಭಯಮುಖದ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ಗಾಜಿನ ಗಾಜುಗಳಾಗಿರಬಹುದು. ಪಾಲಿಮರ್ ಬ್ಯಾಕ್ಶೀಟ್, ಗಾಜಿನ-ಗಾಜಿನ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಿಗಿಂತ ತೇವಾಂಶದ ಪ್ರವೇಶಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯವಾಗಿದ್ದರೂ (ಇದು ಇ. ವಿ. ಎ. ಯ ಜಲವಿಚ್ಛೇದನವನ್ನು ಸುಗಮಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ), ಅಸಿಟಿಕ್ ಆಮ್ಲಕ್ಕೆ "ಉಸಿರಾಡಬಲ್ಲದು" ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲು ಅನುಮತಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ-ಆಧಾರಿತ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳು ದ್ವಿಮುಖ ಗಾಜಿನ-ಗಾಜಿನ ಸಾಧ್ಯತೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಅಸಿಟಿಕ್ ಆಮ್ಲದ ರಚನೆಯ ಅಪಾಯವು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ ಎಂದು ಹೇಳಲಾಗುತ್ತದೆ; ಆದಾಗ್ಯೂ ತಯಾರಕರು ಗಾಜಿನ-ಗಾಜಿನ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳ ಅಭೇದ್ಯತೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇವಿಎ ಅವನತಿಯನ್ನು ತಡೆಗಟ್ಟಲು ಸಾಕಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಕೊಂಡಿದ್ದಾರೆ, ಇದು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಿಗೆ ವೇಗವರ್ಧಿತ ವಯಸ್ಸಾದ ಪರೀಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ತೀರ್ಣರಾಗಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಗಾಜಿನ-ಗಾಜಿನ ನಿರ್ಮಾಣವು ಗಾಜಿನ-ಬ್ಯಾಕ್ಶೀಟ್ನ ವಿರುದ್ಧ ಇ. ವಿ. ಎ-ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೇಟೆಡ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಲ್ಲಿನ ಅವನತಿಯ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಎಂದು ಕೆಲವು ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಕಂಡುಕೊಂಡಿವೆ. ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸುವ ಐಟಿಒ ಅಸಿಟಿಕ್ ಆಸಿಡ್ ಎಚ್ಚಣೆಗೆ ಒಳಗಾಗಬಹುದು, ಇದು ನಷ್ಟಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ವೆಚ್ಚದ ಹೊರತಾಗಿಯೂ, ಪಾಲಿಯೋಲಿಫಿನ್ ಎಲಾಸ್ಟೋಮರ್ಗಳಂತಹ (ಪಿಒಇ) ಅಸಿಟೇಟ್-ಮುಕ್ತ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ಗಳು ಇವಿಎಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ತೇವ-ಶಾಖ ಪರೀಕ್ಷೆಯ ನಂತರ ಕಡಿಮೆ ಅವನತಿಯನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತವೆ. ದೀರ್ಘಾವಧಿಯ ಅವನತಿ ಮತ್ತು CO2 ಹೆಜ್ಜೆಗುರುತನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದೊಂದಿಗೆ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್-ಮುಕ್ತ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ವಿನ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ಸಹ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಮುಂಭಾಗದ ಗಾಜು ಮತ್ತು ಆವರಿಸಿರುವ ಕೋಶದ ನಡುವಿನ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಜೋಡಣೆಯ ಕೊರತೆಯಿಂದ ಪ್ರತಿಫಲನ ನಷ್ಟಗಳು ಉಂಟಾಗಬಹುದು. ಇವಿಎಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ಡಿಲಿಮಿನೇಷನ್ ಪಿಒಇ ನೀರಿನ ಪ್ರವೇಶಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಪಿಐಡಿ ಮತ್ತು ಇತರ ತೇವಾಂಶ-ಸಂಬಂಧಿತ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ತಡೆಯುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಲ್ಯಾಮಿನೇಷನ್ ಸಮಯವು ಹೆಚ್ಚು, ಮತ್ತು ಪಿಒಇ ಮತ್ತು ಕೋಶ ಅಥವಾ ಗಾಜಿನ ನಡುವಿನ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಇ. ವಿ. ಎ. ಗಿಂತ ಕೆಳಮಟ್ಟದ್ದಾಗಿದೆ. ಕಳಪೆ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಿಂದ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ನ ಡಿಲೆಮಿನೇಷನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ನ ವೈಫಲ್ಯಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಎರಡೂ ಪಾಲಿಮರ್ಗಳ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಇ. ಪಿ. ಇ. (ಇ. ವಿ. ಎ.-ಪಿ. ಓ. ಇ.-ಇ. ವಿ. ಎ.) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುವ ಇ. ವಿ. ಎ. ಯೊಂದಿಗೆ ಮೂರು-ಪದರದ ಕೋಎಕ್ಸ್ಟ್ರುಡೆಡ್ ಪಾಲಿಮರ್ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ನಲ್ಲಿ ಪಿ. ಓ. ಇ. ಅನ್ನು ಕೇಂದ್ರ ಪದರವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಯುವಿ ಸ್ಥಿರತೆ ಯುವಿ ಬೆಳಕು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ಗಳು ಮತ್ತು ಬ್ಯಾಕ್ಶೀಟ್ಗಳ ಅವನತಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು, ಇದು ಬಣ್ಣಬಣ್ಣ, ಭಂಗು ಮತ್ತು ಡಿಲಿಮಿನೇಷನ್ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಜೀವಿತಾವಧಿ ಮತ್ತು ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಯುವಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಿಂದ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ಬಿಸಿ ವಾಹಕಗಳು ಅಂತಹ ವಸ್ತುಗಳ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣಕ್ಕೂ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ಇದಲ್ಲದೆ, ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೇರಿದಂತೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಲ್ಲಿ, ಯುವಿ ನಿಷ್ಕ್ರಿಯತೆಯ ಬದಲಾವಣೆಗಳನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುತ್ತದೆ, ಅದು ಮಾಡ್ಯೂಲ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು. ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳ ವಿಸ್ತೃತ ಯುವಿ ಬೆಳಕನ್ನು ನೆನೆಸುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಪಿಇಆರ್ಸಿ ಅಥವಾ ಪಿಇಆರ್ಟಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳಿಗಿಂತ ಯುವಿ ಹಾನಿಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ, ಅಲ್ಲಿ ಫಿಲ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಓಪನ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳಲ್ಲಿ ಗಮನಾರ್ಹ ನಷ್ಟಗಳು ಕಂಡುಬಂದಿವೆ. ಪ್ರಸ್ತಾಪಿತ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಅನ್ನು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯ ಮೇಲ್ಮೈ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ಗಳಿಂದ ದೂರ ಮತ್ತು ಅಸ್ಫಾಟಿಕ ಪದರಗಳಿಗೆ ಮರುಹಂಚಿಕೆ ಮಾಡುವುದು. ಯುವಿ ಕಟ್-ಆಫ್ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಎಸ್ಎಚ್ಜೆ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಯುವಿ ಅವನತಿಯ ವಿರುದ್ಧ ರಕ್ಷಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದಾಗ್ಯೂ ಅಂತಹ ವಸ್ತುಗಳಿಂದ ಯುವಿ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಸೌರ ಕೋಶಗಳು ಬಳಸುವುದಿಲ್ಲ. 2023ರಲ್ಲಿ, ಯುರೋಪಿಯಂ/ಡೈಸ್ಪ್ರೋಸಿಯಂ-ಡೋಪ್ಡ್ ಸ್ಟ್ರಾನ್ಷಿಯಂ ಮೆಗ್ನೀಷಿಯಂ ಸಿಲಿಕೇಟ್ (Sr2-xMgSi2O7-x: Eu2 +, Dy3 +) ನಂತಹ ಯುವಿ ಡೌನ್-ಕನ್ವರ್ಟಿಂಗ್ ಫಾಸ್ಫರ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಇಪಿಇ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ಗಳಂತಹ ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗಾಗಿ ಪರಿಚಯಿಸಲಾಯಿತು. ಅಂತಹ ವಸ್ತುಗಳು ಯುವಿ ಅವನತಿಯ ವಿರುದ್ಧ ರಕ್ಷಿಸುವುದಲ್ಲದೆ, ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ಗೋಚರ ಫೋಟಾನ್ಗಳಿಂದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಲಾಭಗಳನ್ನು ಸಹ ನೀಡುತ್ತವೆ. ಅಂತಹ ಚಲನಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಚೀನಾದ ಹೆಟೆರೊಜಂಕ್ಷನ್ ಎನ್ಕ್ಯಾಪ್ಸುಲೆಂಟ್ ತಯಾರಕರು ವಾಣಿಜ್ಯ ಬಳಕೆಗಾಗಿ ತನಿಖೆ ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದಾರೆ, ಅಲ್ಲಿ 60-ಸೆಲ್ ಮಾಡ್ಯೂಲ್ಗಳ ಪರೀಕ್ಷೆಗಳು ಯುವಿ-ಪರಿವರ್ತಿಸುವ ಫಿಲ್ಮ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು 5 ವ್ಯಾಟ್ಗಳ (ಸುಮಾರು 1.5%) ವಿದ್ಯುತ್ ಹೆಚ್ಚಳವನ್ನು ಕಂಡವು. ಪದಕೋಶ ಈ ಕೆಳಗಿನವು ಹೆಟೆರೋಜಂಕ್ಷನ್ ಸೌರ ಕೋಶಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಪದಗಳ ಪದಕೋಶವಾಗಿದೆ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಸೌರ ಕೋಶಗಳು