High-power impulse magnetron sputtering
ಹೈ-ಪವರ್ ಇಂಪಲ್ಸ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ (ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಅಥವಾ ಹೈಪಿಐಎಂಎಸ್, ಇದನ್ನು ಹೈ-ಪವರ್ ಪಲ್ಸ್ಡ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್, ಎಚ್ಪಿಪಿಎಂಎಸ್ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ) ಎಂಬುದು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟರ್ ಶೇಖರಣೆಯನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳ ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯ ಒಂದು ವಿಧಾನವಾಗಿದೆ. ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ 10 ಪ್ರತಿಶತಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಕಡಿಮೆ ಡ್ಯೂಟಿ ಸೈಕಲ್ನಲ್ಲಿ (ಆನ್/ಆಫ್ ಟೈಮ್ ಅನುಪಾತ) ಹತ್ತಾರು ಮೈಕ್ರೊ ಸೆಕೆಂಡುಗಳ ಸಣ್ಣ ದ್ವಿದಳ ಧಾನ್ಯಗಳಲ್ಲಿ (ಪ್ರಚೋದನೆಗಳು) kW ⋅ cm−2 ಕ್ರಮದ ಅತ್ಯಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ನ ವಿಶಿಷ್ಟ ಲಕ್ಷಣಗಳೆಂದರೆ ಚಿಮ್ಮಿದ ಲೋಹದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮಟ್ಟದ ಅಯಾನೀಕರಣ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದ ಆಣ್ವಿಕ ಅನಿಲದ ವಿಯೋಜನೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ನಿಕ್ಷೇಪಿತ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಗರಿಷ್ಠ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಶಕ್ತಿಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿ ಅಯಾನೀಕರಣ ಮತ್ತು ವಿಯೋಜನೆಯ ಮಟ್ಟವು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಹೊಳಪಿನಿಂದ ಚಾಪದ ಹಂತಕ್ಕೆ ವಿಸರ್ಜನೆಯ ಪರಿವರ್ತನೆಯಿಂದ ಮಿತಿಯನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ನಂತೆಯೇ ಸರಾಸರಿ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಗರಿಷ್ಠ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಕರ್ತವ್ಯ ಚಕ್ರವನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ (1-10 W ⋅ cm−2). ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ಅನ್ನು ಈ ಕೆಳಗಿನವುಗಳಿಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆಃ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ತೆಳುವಾದ ಪದರಗಳ ಲೇಪನ ಶೇಖರಣೆ (ತಲಾಧಾರ ಎಚ್ಚಣೆ) ಶೇಖರಣೆಗೆ ಮೊದಲು ತಲಾಧಾರದ ಪೂರ್ವ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ವಿಸರ್ಜನೆಯು ಗ್ಲೋ ವಿಸರ್ಜನೆಯಿಂದ ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ವಿಸರ್ಜನೆಯ ಪ್ರವಾಹದ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಹಲವಾರು ಎ. ಸೆಂ. ಮೀ.-2 ಅನ್ನು ತಲುಪಬಹುದು, ಆದರೆ ವಿಸರ್ಜನೆಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಹಲವಾರು ನೂರು ವೋಲ್ಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ನಿರ್ವಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಸರ್ಜನೆಯು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ (ಗುರಿ) ನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಏಕರೂಪವಾಗಿ ವಿತರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ, ಆದಾಗ್ಯೂ ಇದು ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಮಿತಿಯ ಮೇಲೆ ಕಿರಿದಾದ ಅಯಾನೀಕರಣ ವಲಯಗಳಲ್ಲಿ ಕೇಂದ್ರೀಕೃತಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಅದು ಗುರಿ ಸವೆತ "ರೇಸೆಟ್ರ್ಯಾಕ್" ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ ಹಾದಿಯಲ್ಲಿ ಚಲಿಸುತ್ತದೆ. ಎಚ್. ಐ. ಪಿ. ಐ. ಎಂ. ಎಸ್. ಗುರಿಯ ಲೋಹದ ಅಯಾನುಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಭಿನ್ನರಾಶಿಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ 1013 ಅಯಾನುಗಳ ⋅ ಸೆಂ. ಮೀ.-3 ಕ್ರಮದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ. ಮುಖ್ಯ ಅಯಾನೀಕರಣ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ರಭಾವವಾಗಿದೆ, ಇದು ಚಾರ್ಜ್ ವಿನಿಮಯ, ಪ್ರಸರಣ ಮತ್ತು ಜ್ವಾಲೆಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯಿಂದ ಸಮತೋಲನಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಅಯಾನೀಕರಣದ ಪ್ರಮಾಣವು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಲೋಹದ ಆವಿಯ ಅಯಾನೀಕರಣದ ಮಟ್ಟವು ವಿಸರ್ಜನೆಯ ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರವಾಹ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಬಲವಾದ ಕಾರ್ಯವಾಗಿದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರವಾಹದ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳಲ್ಲಿ, 2 + ಮತ್ತು ಅದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಚಾರ್ಜ್ ಹೊಂದಿರುವ ಚಿಮ್ಮಿದ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು-ವಿಗೆ 5 + ವರೆಗೆ-ಉತ್ಪಾದಿಸಬಹುದು. 1 + ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಚಾರ್ಜ್ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಗುರಿ ಅಯಾನುಗಳ ನೋಟವು ಸಂಭಾವ್ಯ ದ್ವಿತೀಯಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗಿದೆ, ಇದು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಹೊಳಪಿನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವ ಚಲನೆಯ ದ್ವಿತೀಯಕ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ ಗುಣಾಂಕವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸಂಭಾವ್ಯ ದ್ವಿತೀಯಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯ ಸ್ಥಾಪನೆಯು ವಿಸರ್ಜನೆಯ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು. ಗುರಿ ಮತ್ತು ಇತರ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಘಟಕಗಳು ಅತಿಯಾಗಿ ಬಿಸಿಯಾಗುವುದನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಕರ್ತವ್ಯ ಚಕ್ರದೊಂದಿಗೆ ಸಣ್ಣ ನಾಡಿ (ಉದ್ವೇಗ) ಕ್ರಮದಲ್ಲಿ ನಿರ್ವಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರತಿ ನಾಡಿಮಿಡಿತದಲ್ಲಿ ವಿಸರ್ಜನೆಯು ಹಲವಾರು ಹಂತಗಳ ಮೂಲಕ ಹಾದುಹೋಗುತ್ತದೆಃ ವಿದ್ಯುತ್ ಸ್ಥಗಿತ ಅನಿಲ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಲೋಹದ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಸ್ಥಿರ ಸ್ಥಿತಿ, ಲೋಹದ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಅನಿಲ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾದ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಪ್ರಾಬಲ್ಯ ಸಾಧಿಸುವಷ್ಟು ದಟ್ಟವಾಗಿದ್ದರೆ ಇದನ್ನು ತಲುಪಬಹುದು. ತಲಾಧಾರಕ್ಕೆ ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ಋಣಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಪಕ್ಷಪಾತದ ವೋಲ್ಟೇಜ್) ತಲಾಧಾರವನ್ನು ಹೊಡೆಯುವ ಧನಾತ್ಮಕ ಆವೇಶದ ಕಣಗಳ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಚಲನೆಯ ದಿಕ್ಕಿನ ಮೇಲೆ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಆನ್-ಆಫ್ ಚಕ್ರವು ಮಿಲಿಸೆಕೆಂಡುಗಳ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿ ಅವಧಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಡ್ಯೂಟಿ ಸೈಕಲ್ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿರುವುದರಿಂದ (<10 ಪ್ರತಿಶತ), ಕಡಿಮೆ ಸರಾಸರಿ ಕ್ಯಾಥೋಡ್ ಶಕ್ತಿಯು ಮಾತ್ರ ಫಲಿತಾಂಶವಾಗಿದೆ (1-10 kW). "ಆಫ್ ಟೈಮ್" ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಗುರಿಯು ತಣ್ಣಗಾಗಬಹುದು, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಎಚ್. ಐ. ಪಿ. ಐ. ಎಂ. ಎಸ್. ಅನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸುವ ವಿಸರ್ಜನೆಯು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಪ್ರಸ್ತುತ ಹೊಳಪಿನ ವಿಸರ್ಜನೆಯಾಗಿದೆ, ಇದು ಅಸ್ಥಿರ ಅಥವಾ ಅಸ್ಥಿರವಾಗಿದೆ. ಪ್ರತಿಯೊಂದು ನಾಡಿ ಮಿಡಿತವು ಒಂದು ನಿರ್ಣಾಯಕ ಅವಧಿಯವರೆಗೆ ಹೊಳಪಾಗಿ ಉಳಿಯುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಅದು ಚಾಪದ ವಿಸರ್ಜನೆಗೆ ವರ್ಗಾವಣೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ನಾಡಿ ಉದ್ದವನ್ನು ನಿರ್ಣಾಯಕ ಅವಧಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಇರಿಸಿದರೆ, ವಿಸರ್ಜನೆಯು ಅನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಸ್ಥಿರವಾದ ಶೈಲಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. 2008ರಲ್ಲಿ ವೇಗದ ಕ್ಯಾಮರಾ ಚಿತ್ರಣದ ಆರಂಭಿಕ ಅವಲೋಕನಗಳನ್ನು ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿ ದಾಖಲಿಸಲಾಯಿತು, ಉತ್ತಮ ನಿಖರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಪ್ರದರ್ಶಿಸಲಾಯಿತು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಅಯಾನೀಕರಣ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ಪ್ರಾದೇಶಿಕವಾಗಿ ಬಹಳ ಸೀಮಿತ ಅಯಾನೀಕರಣ ವಲಯಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಭವಿಸುತ್ತವೆ ಎಂಬುದನ್ನು ದೃಢಪಡಿಸಲಾಯಿತು. ಚಲನೆ ವೇಗವನ್ನು 104 ಮೀ/ಸೆ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿ ಅಳೆಯಲಾಗಿದೆ, ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನೆ ವೇಗದ ಕೇವಲ 10 ಪ್ರತಿಶತದಷ್ಟಿದೆ. ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ಭಾಗಗಳು, ಲೋಹದ ಕತ್ತರಿಸುವ ಉಪಕರಣಗಳು ಮತ್ತು ಅಲಂಕಾರಿಕ ಫಿಟ್ಟಿಂಗ್ಗಳಂತಹ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಘಟಕಗಳ ಮೇಲೆ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವ ಮೊದಲು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಪ್ರಿಟ್ರೀಟ್ಮೆಂಟ್ನಿಂದ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಪ್ರಿಟ್ರೀಟ್ಮೆಂಟ್ ಅಗತ್ಯವಿದೆ. ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಪ್ಲಾಸ್ಮಾದಲ್ಲಿ ಮುಳುಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕೆಲವು ನೂರು ವೋಲ್ಟ್ಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ ಪಕ್ಷಪಾತ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಅಯಾನು ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಅದು ಯಾವುದೇ ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ಹೊರಹಾಕುತ್ತದೆ. ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ಲೋಹದ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಅವುಗಳನ್ನು ಕೆಲವು ಎನ್ಎಂ ಆಳಕ್ಕೆ ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿ ಅಳವಡಿಸಬಹುದು. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಮಾಣದ ಲೋಹದ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗದಲ್ಲಿ ಫಿಲ್ಮ್-ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಅನ್ನು ನೋಡುವಾಗ, ಸ್ವಚ್ಛವಾದ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ ಅನ್ನು ನೋಡಬಹುದು. ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ ಅಥವಾ ಪರಮಾಣು ನೋಂದಣಿಯು ನೈಟ್ರೈಡ್ ಫಿಲ್ಮ್ನ ಸ್ಫಟಿಕ ಮತ್ತು ಲೋಹದ ತಲಾಧಾರದ ಸ್ಫಟಿಕದ ನಡುವೆ ವಿಶಿಷ್ಟವಾಗಿದೆ, ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಅನ್ನು ಪೂರ್ವ ಚಿಕಿತ್ಸೆಗಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. 2001ರ ಫೆಬ್ರವರಿಯಲ್ಲಿ ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ ಎ. ಪಿ. ಯಿಂದ ಉಕ್ಕಿನ ತಲಾಧಾರಗಳ ಪೂರ್ವ ಸಂಸ್ಕರಣೆಗಾಗಿ ಎಚ್. ಐ. ಪಿ. ಐ. ಎಂ. ಎಸ್. ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಯಿತು. ಇಹಿಯಾಸೇರಿಯನ್. ಪೂರ್ವ ಚಿಕಿತ್ಸೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಬಯಾಸಿಂಗ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಇದಕ್ಕೆ ಉದ್ದೇಶಪೂರ್ವಕವಾಗಿ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾದ ಆರ್ಕ್ ಡಿಟೆಕ್ಷನ್ ಮತ್ತು ನಿಗ್ರಹ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಮೀಸಲಾದ ಡಿಸಿ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಬಯಾಸಿಂಗ್ ಘಟಕಗಳು ಅತ್ಯಂತ ಬಹುಮುಖ ಆಯ್ಕೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತವೆ ಏಕೆಂದರೆ ಅವು ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಎಚ್ ದರಗಳನ್ನು ಗರಿಷ್ಠಗೊಳಿಸುತ್ತವೆ, ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಹಾನಿಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಬಹು ಕ್ಯಾಥೋಡ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ. ಮಾಸ್ಟರ್-ಸ್ಲೇವ್ ಸಂರಚನೆಯಲ್ಲಿ ಸಿಂಕ್ರೊನೈಸ್ ಮಾಡಲಾದ ಎರಡು ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜುಗಳ ಬಳಕೆಯು ಪರ್ಯಾಯವಾಗಿದೆಃ ಒಂದು ವಿಸರ್ಜನೆಯನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಲು ಮತ್ತು ಒಂದು ಪಲ್ಸ್ಡ್ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ ಬಯಾಸ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ನಿಂದ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಶೇಖರಣೆಯನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ವಿಸರ್ಜನೆಯ ಪ್ರಸ್ತುತ ಸಾಂದ್ರತೆಯಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳು. ವಿ. ಕೌಜ್ನೆಟ್ಸೊವ್ ಅವರು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ವ್ಯಾಸವನ್ನು 1:1.2 ರ ಆಕಾರ ಅನುಪಾತದೊಂದಿಗೆ ತುಂಬುವ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಾಗಿ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ತಾಮ್ರದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳ ಶೇಖರಣೆಯನ್ನು ವರದಿ ಮಾಡಿದರು, ಟ್ರಾನ್ಸಿಶನ್ ಮೆಟಲ್ ನೈಟ್ರೈಡ್ (ಸಿಆರ್ಎನ್) ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ ಫೆಬ್ರವರಿ 2001 ರಲ್ಲಿ ಎ. ಪಿ. ಇಹಿಯಾಸೇರಿಯನ್. ಟಿಇಎಂನಿಂದ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದ ಚಲನಚಿತ್ರಗಳ ಮೊದಲ ಸಮಗ್ರ ತನಿಖೆಯು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ದೋಷಗಳಿಂದ ಮುಕ್ತವಾದ ದಟ್ಟವಾದ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿತು. ಚಲನಚಿತ್ರಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನ, ಉತ್ತಮ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಜಾರುವ ಉಡುಗೆ ಗುಣಾಂಕವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದವು. ನಂತರದ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಯಂತ್ರಾಂಶದ ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಣವು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾದ ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ಸಮುದಾಯಕ್ಕೆ ಲಭ್ಯವಾಗುವಂತೆ ಮಾಡಿತು ಮತ್ತು ಹಲವಾರು ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಬೆಳವಣಿಗೆಗಳನ್ನು ಪ್ರೇರೇಪಿಸಿತು. ಅದೇ ರೀತಿ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಸ್ಪಟರ್ ಶೇಖರಣೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವಂತೆ, ಕೆಳಗಿನ ಪಟ್ಟಿಯಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುವಂತೆ ಹಲವಾರು ತಲಾಧಾರಗಳ ಮೇಲೆ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಅಥವಾ ನೈಟ್ರೈಡ್ ಆಧಾರಿತ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಹೈಪಿಮ್ಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಇದು ಈ ವಿಧಾನಗಳ ವಿಶಿಷ್ಟ ಲಕ್ಷಣವಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಅಂತಹ ನಿಕ್ಷೇಪಗಳ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯು ಗಮನಾರ್ಹವಾದ ಹಿಸ್ಟರೆಸಿಸ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಬಿಂದುಗಳನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಲು ಎಚ್ಚರಿಕೆಯಿಂದ ಪರಿಶೀಲಿಸಬೇಕಾಗಿದೆ. ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಹೈಪಿಮ್ಸ್ನ ಗಮನಾರ್ಹ ಅವಲೋಕನಗಳನ್ನು ಎ. ಆಂಡರ್ಸ್ ಮತ್ತು ಕುಬಾರ್ಟ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಪ್ರಕಟಿಸಿದ್ದಾರೆ. ಶೇಖರಣೆಯ ಉದಾಹರಣೆಗಳು ಈ ಕೆಳಗಿನ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಇತರ ವಸ್ತುಗಳೊಂದಿಗೆ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಯಶಸ್ವಿಯಾಗಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದೆಃ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕಃ ಸಿಆರ್ಎನ್/ಎನ್ಬಿಎನ್ ನ್ಯಾನೊಸ್ಕೇಲ್ ಬಹು ಪದರದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ನಿರೋಧಕಃ ಸಿಆರ್ಎಲ್ವಿಎನ್/ಸಿಆರ್ಎನ್ ನ್ಯಾನೊಸ್ಕೇಲ್ ಬಹು ಪದರ, ಟಿಐ-ಅಲ್-ಸಿ-ಎನ್, ಸಿಆರ್-ಅಲ್-ಸಿ-ಎನ್ ನ್ಯಾನೊ ಕಾಂಪೋಸಿಟ್ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ಃ ಎಜಿ, ಟಿಐಒ2, ಝೆಡ್ಎನ್ಒ, ಇನ್ಎಸ್ಎನ್ಒ, ಝೆಡ್ಆರ್ಒ2, ಕ್ಯುಯಿನ್ಗಾಸ್ ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ ಹಂತಗಳುಃ ಟಿಸಿ ಮೈಕ್ರೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಃ ಕ್ಯು, ಟಿಐ, ಟಿಐಎನ್, ಟಿಎ, ಟಿಎಎನ್ ಹಾರ್ಡ್ ಮೊದಲ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಲೇಪನ ಘಟಕಗಳು 2006ರಲ್ಲಿ ಮಾರುಕಟ್ಟೆಯಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಂಡವು. ಆಪಲ್ ಐಫೋನ್ 12 ಪ್ರೊನ ಚಿನ್ನದ ಆವೃತ್ತಿಯು ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ರಚನಾತ್ಮಕ ಸ್ಟೇನ್ಲೆಸ್ ಸ್ಟೀಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ನಲ್ಲಿ ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಸಾಧನದ ಆಂಟೆನಾ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಾಗಿಯೂ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ. ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಲೇಪನಗಳ ಮುಖ್ಯ ಪ್ರಯೋಜನಗಳಲ್ಲಿ ದಟ್ಟವಾದ ಲೇಪನದ ರೂಪವಿಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಪಿವಿಡಿ ಲೇಪನಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಯಂಗ್ನ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿದ ಗಡಸುತನದ ಅನುಪಾತ ಸೇರಿವೆ. ಹೋಲಿಸಬಹುದಾದ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ನ್ಯಾನೋ-ರಚನಾತ್ಮಕ ಲೇಪನಗಳು 25 ಜಿಪಿಎಯ ಗಡಸುತನ ಮತ್ತು 460 ಜಿಪಿಎಯ ಯಂಗ್ನ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ಹೊಸ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಲೇಪನದ ಗಡಸುತನವು 368 ಜಿಪಿಎಯ ಯಂಗ್ನ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ನೊಂದಿಗೆ 30 ಜಿಪಿಎಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಗಡಸುತನ ಮತ್ತು ಯಂಗ್ನ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ ನಡುವಿನ ಅನುಪಾತವು ಲೇಪನದ ಗಡಸುತನದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಅಳತೆಯಾಗಿದೆ. ಅಪೇಕ್ಷಣೀಯ ಸ್ಥಿತಿಯು ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಚಿಕ್ಕದಾದ ಯಂಗ್ನ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ನೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನವಾಗಿದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಲೇಪನಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುತ್ತದೆ. ಇತ್ತೀಚೆಗೆ, ಜೀವವೈದ್ಯಕೀಯ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗಾಗಿ ಎಚ್ಐಪಿಐಎಂಎಸ್ ಲೇಪಿತ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ನವೀನ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳನ್ನು ಆರ್ಟಿಮಿ ಮತ್ತು ಇತರರು ವರದಿ ಮಾಡಿದ್ದಾರೆ. ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ (ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ) ಲೇಖನಗಳ ಪಟ್ಟಿಯನ್ನು ಸಹ ನೋಡಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಓದುವಿಕೆ ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು https://www.cemecon.de/us-en/coating-plants/cc-800-hipims http://www.advanced-energy.com/en/SOLVIX.html http://materials.shu.ac.uk/ncpvd http://www.ifm.liu.se/plasma/reshppms.html http://www.melec.de http://www.ionautics.com http://www.starfireindustries.com/impulsetrade-pulsed-power-module.html ಕೋಟಿಂಗ್ಸ್ ಮೆಟೀರಿಯಲ್ಸ್ ಸೈನ್ಸ್ ಪ್ಲಾಸ್ಮಾ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಮತ್ತು ಅನ್ವಯಗಳು