Natural bond orbital
ಕ್ವಾಂಟಮ್ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ, ನೈಸರ್ಗಿಕ ಬಂಧ ಕಕ್ಷೀಯ ಅಥವಾ ಎನ್. ಬಿ. ಓ ಎಂಬುದು ಗರಿಷ್ಠ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಿದ ಬಂಧ ಕಕ್ಷೀಯವಾಗಿದೆ. ಎನ್ಬಿಒಗಳು "ನೈಸರ್ಗಿಕ ಪರಮಾಣು ಕಕ್ಷೆಗಳು" (ಎನ್ಎಒ), "ನೈಸರ್ಗಿಕ ಹೈಬ್ರಿಡ್ ಕಕ್ಷೆಗಳು" (ಎನ್ಎಚ್ಒ), "ನೈಸರ್ಗಿಕ ಬಂಧ ಕಕ್ಷೆಗಳು" (ಎನ್ಬಿಒ) ಮತ್ತು "ನೈಸರ್ಗಿಕ (ಅರೆ-) ಸ್ಥಳೀಯ ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆಗಳು" (ಎನ್ಎಲ್ಎಂಒ) ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ನೈಸರ್ಗಿಕ ಸ್ಥಳೀಯ ಕಕ್ಷೆಗಳ ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ. ಈ ನೈಸರ್ಗಿಕ ಸ್ಥಳೀಯ ಸೆಟ್ಗಳು ಆಧಾರ ಪರಮಾಣು ಕಕ್ಷೆಗಳು (ಎಒ) ಮತ್ತು ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆಗಳ (ಎಂಒ) ನಡುವೆ ಮಧ್ಯಂತರವಾಗಿವೆಃ ಪರಮಾಣು ಕಕ್ಷೆ → ಎನ್ಎಒ → ಎನ್ಎಚ್ಒ → ಎನ್ಬಿಒ → ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆ ನೈಸರ್ಗಿಕ (ಸ್ಥಳೀಯ) ಕಕ್ಷೆಗಳನ್ನು ಗಣನೆಯ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಪರಮಾಣುಗಳಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಪರಮಾಣುಗಳ ನಡುವಿನ ಬಂಧಗಳಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ವಿತರಣೆಯನ್ನು ಲೆಕ್ಕಹಾಕಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅವು ಅಣುವಿನ ಸ್ಥಳೀಯ 1-ಕೇಂದ್ರ ಮತ್ತು 2-ಕೇಂದ್ರ ಪ್ರದೇಶಗಳಲ್ಲಿ "ಗರಿಷ್ಠ-ಆಕ್ಯುಪೆನ್ಸಿ ಪಾತ್ರ" ವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ನೈಸರ್ಗಿಕ ಬಂಧ ಕಕ್ಷೆಗಳು (ಎನ್. ಬಿ. ಓ. ಗಳು) ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶೇಕಡಾವಾರು ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತವೆ, ಇದು ಆದರ್ಶಪ್ರಾಯವಾಗಿ <ಐ. ಡಿ. 1> ಗೆ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿದೆ, ಇದು ಸಾಧ್ಯವಾದಷ್ಟು ನಿಖರವಾದ "ನೈಸರ್ಗಿಕ ಲೆವಿಸ್ ರಚನೆಯನ್ನು" ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶೇಕಡಾವಾರು ಪ್ರಮಾಣವು (%-ρL ಎಂದು ಸೂಚಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ), ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಾಮಾನ್ಯ ಸಾವಯವ ಅಣುಗಳಿಗೆ> 99% ಎಂದು ಕಂಡುಬರುತ್ತದೆ, ಇದು ನಿಖರವಾದ ನೈಸರ್ಗಿಕ ಲೆವಿಸ್ ರಚನೆಗೆ ಅನುಗುಣವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಎನ್-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ತರಂಗ ಕ್ರಿಯೆಗೆ ಅಂತರ್ಗತವಾಗಿರುವ ಆರ್ಥೋನಾರ್ಮಲ್ 1-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಾರ್ಯಗಳ ವಿಶಿಷ್ಟ ಗುಂಪನ್ನು ವಿವರಿಸಲು ನೈಸರ್ಗಿಕ ಕಕ್ಷೆಗಳ ಪರಿಕಲ್ಪನೆಯನ್ನು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1955 ರಲ್ಲಿ ಪರ್-ಒಲೋವ್ ಲೌಡಿನ್ ಪರಿಚಯಿಸಿದರು. ಸಿದ್ಧಾಂತ ಪ್ರತಿ ಬಂಧವು ಎನ್. ಬಿ. ಓ. σ. ಎ. ಬಿ. (ದಾನಿ) ಅನ್ನು ಎರಡು ನಿರ್ದೇಶಿತ ವೇಲೆನ್ಸ್ ಹೈಬ್ರಿಡ್ (ಎನ್. ಎಚ್. ಓ. ಗಳು) ಎಚ್. ಎ., ಎ ಮತ್ತು ಬಿ ಪರಮಾಣುಗಳ ಮೇಲೆ ಎಚ್. ಬಿ., ಅನುಗುಣವಾದ ಧ್ರುವೀಕರಣ ಗುಣಾಂಕಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಿ. ಎ., ಸಿ. ಬಿ.: σ. ಎ. ಬಿ. = ಸಿ. ಎ. ಎಚ್. ಎ. + ಸಿ. ಬಿ. ಎಚ್. ಬಿ. ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು. ಪ್ರತಿಯೊಂದು ವೇಲೆನ್ಸ್ ಬಾಂಡಿಂಗ್ ಎನ್. ಬಿ. ಓ σ ಅನ್ನು ವೇಲೆನ್ಸ್ ಜಾಗದ ಅವಧಿಯನ್ನು ಪೂರ್ಣಗೊಳಿಸಲು ಅನುಗುಣವಾದ ವೇಲೆನ್ಸ್ ಆಂಟಿಬ್ಯಾಂಡಿಂಗ್ ಎನ್. ಬಿ. ಓ σ * (ಸ್ವೀಕಾರಕ) ನೊಂದಿಗೆ ಜೋಡಿಸಬೇಕುಃ σAB * = cA hA − cB hB ಬಂಧಿಸುವ ಎನ್. ಬಿ. ಓಗಳು "ಲೂಯಿಸ್ ಆರ್ಬಿಟಲ್"-ಪ್ರಕಾರದಲ್ಲಿರುತ್ತವೆ (2ರ ಹತ್ತಿರದ ಉದ್ಯೋಗ ಸಂಖ್ಯೆಗಳು); ಆಂಟಿಬ್ಯಾಂಡಿಂಗ್ ಎನ್. ಬಿ. ಓಗಳು "ಲೂಯಿಸ್ ಅಲ್ಲದ ಆರ್ಬಿಟಲ್"-ಪ್ರಕಾರದಲ್ಲಿರುತ್ತವೆ (0ರ ಹತ್ತಿರದ ಉದ್ಯೋಗ ಸಂಖ್ಯೆಗಳು). ಆದರ್ಶೀಕರಿಸಿದ ಲೂಯಿಸ್ ರಚನೆಯಲ್ಲಿ, ಪೂರ್ಣ ಲೂಯಿಸ್ ಕಕ್ಷೆಗಳು (ಎರಡು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು) ಔಪಚಾರಿಕವಾಗಿ ಲೂಯಿಸ್ ಅಲ್ಲದ ಖಾಲಿ ಕಕ್ಷೆಗಳಿಂದ ಪೂರಕವಾಗಿವೆ. ವೇಲೆನ್ಸ್ ಆಂಟಿಬಾಂಡ್ಗಳ ದುರ್ಬಲ ಆಕ್ಯುಪೆನ್ಸಿಗಳು ಆದರ್ಶೀಕರಿಸಿದ ಸ್ಥಳೀಯ ಲೆವಿಸ್ ರಚನೆಯಿಂದ ಇರ್ರೆಡ್ಯೂಸಿಬಲ್ ನಿರ್ಗಮನಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ, ಅಂದರೆ ನಿಜವಾದ "ಡೀಲೋಕಲೈಸೇಶನ್ ಪರಿಣಾಮಗಳು". ಲೆವಿಸ್ ರಚನೆಗಳು ಎನ್. ಬಿ. ಓ. ಗಳನ್ನು ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಬಲ್ಲ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂನೊಂದಿಗೆ, ಸೂಕ್ತವಾದ ಲೆವಿಸ್ ರಚನೆಗಳನ್ನು ಕಾಣಬಹುದು. ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಲೂಯಿಸ್ ರಚನೆಯನ್ನು ಲೂಯಿಸ್ ಕಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ (ಲೂಯಿಸ್ ಚಾರ್ಜ್) ಗರಿಷ್ಠ ಪ್ರಮಾಣದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಚಾರ್ಜ್ ಹೊಂದಿರುವ ರಚನೆಯೆಂದು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಬಹುದು. ಲೂಯಿಸ್ ಕಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಮಾಣದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಚಾರ್ಜ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಡೀಲೋಕಲೈಸೇಶನ್ನ ಬಲವಾದ ಪರಿಣಾಮಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಅನುರಣನ ರಚನೆಗಳಲ್ಲಿ, ಪ್ರಮುಖ ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಕೊಡುಗೆ ರಚನೆಗಳು ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರಬಹುದು. ಅಮೈಡ್ಗಳಿಗೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಕಾರ್ಬೊನಿಲ್ ಡಬಲ್ ಬಾಂಡ್ ಹೊಂದಿರುವ ರಚನೆಯು ಪ್ರಬಲವಾದ ಲೆವಿಸ್ ರಚನೆಯಾಗಿದೆ ಎಂದು ಎನ್ಬಿಒ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳು ತೋರಿಸುತ್ತವೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಎನ್. ಬಿ. ಓ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಗಳಲ್ಲಿ, ಅನುರಣನ ರಚನೆಗಳಲ್ಲಿ ಬಂಧ-ಧ್ರುವೀಯತೆಯ ಪರಿಣಾಮಗಳನ್ನು ಸೇರಿಸುವುದರಿಂದ "ಕೋವೆಲೆಂಟ್-ಅಯಾನಿಕ್ ಅನುರಣನ" ಅಗತ್ಯವಿಲ್ಲ. ಇದು ಇತರ ಆಧುನಿಕ ವೇಲೆನ್ಸ್ ಬಾಂಡ್ ಸಿದ್ಧಾಂತದ ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ. ಮಾಲಿಕ್ಯುಲರ್ ಆರ್ಬಿಟಲ್ ಥಿಯರಿ ಬೇಸಿಸ್ ಸೆಟ್ (ಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ) ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಎನ್. ಬಿ. ಓ. ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂನ ಮುಖಪುಟಃ <ಐ. ಡಿ. 1> ಐ. ಯು. ಪಿ. ಎ. ಸಿ. ಗೋಲ್ಡ್ ಬುಕ್ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಃ ನ್ಯಾಚುರಲ್ ಬಾಂಡ್ ಆರ್ಬಿಟಲ್ (ಎನ್. ಬಿ. ಓ.) ಅಣು ಆರ್ಬಿಟಲ್ಗಾಗಿ ಮುಕ್ತ, ಮುಕ್ತ ಮೂಲ ಅನುಷ್ಠಾನ → ಎನ್. ಎ. ಓ. ಪರಿವರ್ತನೆ ಮತ್ತು ನ್ಯಾಚುರಲ್ ಪಾಪ್ಯುಲೇಷನ್ ಅನಾಲಿಸಿಸ್ ವಿಧಾನಗಳುಃ ಜೆ. ಎ. ಎನ್. ಪಿ. ಎ. ಪ್ಯಾಕೇಜ್ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ