Dopant activation
ಡೋಪಾಂಟ್ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವಿಕೆಯು ಅರೆವಾಹಕ ಆತಿಥೇಯದಲ್ಲಿನ ಅಶುದ್ಧ ಪ್ರಭೇದಗಳಿಂದ ಅಪೇಕ್ಷಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಕೊಡುಗೆಯನ್ನು ಪಡೆಯುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ. ಈ ಪದವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಡೋಪಂಟ್ಗಳ ಅಯಾನು ಅಳವಡಿಕೆಯ ನಂತರ ಉಷ್ಣ ಶಕ್ತಿಯ ಅನ್ವಯಕ್ಕೆ ಸೀಮಿತವಾಗಿದೆ. ಅತ್ಯಂತ ಸಾಮಾನ್ಯ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ, ಫಾಸ್ಫರಸ್, ಆರ್ಸೆನಿಕ್ ಮತ್ತು ಬೋರಾನ್ನಂತಹ ಡೋಪಂಟ್ಗಳ ಅಯಾನು ಅಳವಡಿಕೆಯ ನಂತರ ಸಿಲಿಕಾನ್ಗೆ ತ್ವರಿತ ಉಷ್ಣ ಸಂಸ್ಕರಣೆಯನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎತ್ತರದ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ (1200 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್) ಉತ್ಪತ್ತಿಯಾಗುವ ಖಾಲಿ ಸ್ಥಾನಗಳು ಈ ಪ್ರಭೇದಗಳ ಅಂತರಾಲೀಯದಿಂದ ಸಾಂಸ್ಥಿಕ ಜಾಲರಿ ತಾಣಗಳಿಗೆ ಚಲಿಸಲು ಅನುಕೂಲ ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಅಳವಡಿಕೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಉಂಟಾಗುವ ಅಮೋರ್ಫಿಜೇಷನ್ ಹಾನಿಯು ಮರು ಸ್ಫಟಿಕೀಕರಣಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ತ್ವರಿತವಾದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾದ, ಅನಗತ್ಯ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರಸರಣವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಗರಿಷ್ಠ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಒಂದು ಸೆಕೆಂಡಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಕಾಲ ನಿರ್ವಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಅರೆವಾಹಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು