Wetting layer
ಒದ್ದೆಯಾದ ಪದರವು ಸಮತಟ್ಟಾದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಆಗಿ ಬೆಳೆಯುವ ಪರಮಾಣುಗಳ ಏಕ ಪದರವಾಗಿದೆ. ಒದ್ದೆಯಾದ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಪರಮಾಣುಗಳು ಅರೆ ಲೋಹದ ಅಂಶಗಳು/ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಅಥವಾ ಲೋಹದ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳಾಗಿರಬಹುದು (ತೆಳುವಾದ ಪದರಗಳಿಗೆ). ಸ್ಫಟಿಕೀಯ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಜಾಲರಿ-ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗದ ವಸ್ತುವನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವಾಗ ತೇವಾಂಶದ ಪದರಗಳು ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಈ ಲೇಖನವು ಸ್ವಯಂ-ಜೋಡಿಸಲಾದ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಚುಕ್ಕೆಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಒದ್ದೆಯಾದ ಪದರವನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸುತ್ತದೆ (ಉದಾ. ಐಎಎನ್ಎಸ್ ಆನ್ ಜಿಎಎಎಸ್). ಈ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಚುಕ್ಕೆಗಳು ಒದ್ದೆಯಾದ ಪದರದ ಮೇಲೆ ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಆರ್ದ್ರತೆಯ ಪದರವು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಮಾಹಿತಿ ಸಂಸ್ಕರಣೆ ಮತ್ತು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಗಣನೆಯಲ್ಲಿನ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಚುಕ್ಕೆಯ ಸ್ಥಿತಿಗಳ ಮೇಲೆ ಪ್ರಭಾವ ಬೀರಬಹುದು. ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಆರ್ದ್ರತೆಯ ಪದರವನ್ನು ಆಣ್ವಿಕ ಕಿರಣದ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ (ಎಂ. ಬಿ. ಇ.) ಬಳಸಿ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ಆಗಿ ಬೆಳೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ತೇವಾಂಶದ ಪದರದ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಅಗತ್ಯವಾದ ತಾಪಮಾನವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 400-500 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ಲ್ಯಾಟಿಸ್-ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗದ ವಸ್ತು ಬಿ ಯ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ವಸ್ತು ಎ ಅನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಿದಾಗ, ವಸ್ತುವಿನ ಮೊದಲ ಪರಮಾಣು ಪದರವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಬಿ ಯ ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಸ್ಥಿರಾಂಕವನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಎ ವಸ್ತುವಿನ ಈ ಏಕ ಪದರವನ್ನು ತೇವಗೊಳಿಸುವ ಪದರ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಎ ಪದರದ ದಪ್ಪವು ಮತ್ತಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ, ಬಿ ಯ ಜಾಲರಿಯನ್ನು ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ಇಡುವುದು ಎ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಶಕ್ತಿಯುತವಾಗಿ ಪ್ರತಿಕೂಲವಾಗುತ್ತದೆ. ಎ ಪದರದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಒತ್ತಡದಿಂದಾಗಿ, ಎ ಪದರದ ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ನಿರ್ಣಾಯಕ ದಪ್ಪವನ್ನು ತಲುಪಿದ ನಂತರ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಪರಮಾಣುಗಳು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಸೇರುತ್ತವೆ. ಈ ದ್ವೀಪದ ರಚನೆಯು ಸ್ಥಿತಿಸ್ಥಾಪಕ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಎ ವಸ್ತುವು ಬಿ ವಸ್ತುಗಳಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ಒದ್ದೆಯಾದ ಪದರವು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಬಾವಿಯನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ರೂಪುಗೊಂಡ ದ್ವೀಪಗಳು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಚುಕ್ಕೆಗಳಾಗಿವೆ. ಒದ್ದೆ ಪದರ/ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಚುಕ್ಕೆಯ ಭೌತಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಮಾರ್ಪಡಿಸಲು ಮತ್ತಷ್ಟು ಅನೀಲಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ತೇವಗೊಳಿಸುವ ಪದರವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 0.5 ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ಗಳ ದಪ್ಪವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಏಕ-ಪರಮಾಣು ಪದರಕ್ಕೆ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿದೆ. ಒದ್ದೆಯಾದ ಪದರದ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಚುಕ್ಕೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಬದಲಾಗಬಹುದು. ಅಲ್ಲದೆ, ಒದ್ದೆಯಾದ ಪದರದಿಂದಾಗಿ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಚುಕ್ಕೆಯ ಒತ್ತಡವು ಬದಲಾಗಬಹುದು. ಟಿಪ್ಪಣಿಗಳು ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಎಂ. ಡಾಹ್ನೆ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ ಶೇಖರಣೆಯ arxiv.org ಗುಂಪಿನ ಜಾಲತಾಣದಲ್ಲಿ ಒದ್ದೆಯಾದ ಪದರ