Programmable ROM
ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ (PROM) ಎಂಬುದು ಡಿಜಿಟಲ್ ಮೆಮೊರಿಯ ಒಂದು ರೂಪವಾಗಿದ್ದು, ಸಾಧನವನ್ನು ತಯಾರಿಸಿದ ನಂತರ ಒಮ್ಮೆ ವಿಷಯಗಳನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದು. ನಂತರ ದತ್ತಾಂಶವು ಶಾಶ್ವತವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಇದು ಒಂದು ರೀತಿಯ ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ (ರಾಮ್) ಆಗಿದೆ. PROMಗಳನ್ನು ಡಿಜಿಟಲ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಶಾಶ್ವತ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಫರ್ಮ್ವೇರ್ ಅಥವಾ ಮೈಕ್ರೊಕೋಡ್ನಂತಹ ಕೆಳಮಟ್ಟದ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂಗಳು. ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ರಾಮ್ನಿಂದ ಪ್ರಮುಖ ವ್ಯತ್ಯಾಸವೆಂದರೆ ಡೇಟಾವನ್ನು ತಯಾರಿಕೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ರಾಮ್ನಲ್ಲಿ ಬರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಪಿಆರ್ಒಎಂನೊಂದಿಗೆ ಡೇಟಾವನ್ನು ತಯಾರಿಸಿದ ನಂತರ ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೀಗಾಗಿ, ರಾಮ್ಗಳನ್ನು ಉತ್ತಮವಾಗಿ ಪರಿಶೀಲಿಸಿದ ದತ್ತಾಂಶದೊಂದಿಗೆ ದೊಡ್ಡ ಉತ್ಪಾದನಾ ರನ್ಗಳಿಗೆ ಮಾತ್ರ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಪರಿಮಾಣವು ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ-ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ ಮಾಡಲಾದ ರಾಮ್ ಅನ್ನು ಅಗ್ಗವಾಗಿಸದಿದ್ದಲ್ಲಿ ಅಥವಾ ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಸಾಮೂಹಿಕವಾಗಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾದ ಆವೃತ್ತಿಯಲ್ಲಿ ರಾಮ್ಗಳಾಗಿ ಪರಿವರ್ತಿಸಬಹುದಾದ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಪಿ. ಆರ್. ಎಂ. ಗಳನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಪಿ. ಆರ್. ಎಂ. ಗಳನ್ನು ಖಾಲಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ, ವೇಫರ್, ಅಂತಿಮ ಪರೀಕ್ಷೆ ಅಥವಾ ಸಿಸ್ಟಮ್ನಲ್ಲಿ ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ ಮಾಡಬಹುದು. ಖಾಲಿ PROM ಚಿಪ್ಗಳನ್ನು PROM ಪ್ರೋಗ್ರಾಮರ್ ಎಂಬ ಸಾಧನಕ್ಕೆ ಪ್ಲಗ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಕಂಪನಿಗಳು ಖಾಲಿ ಪಿ. ಆರ್. ಎಂ. ಗಳ ಪೂರೈಕೆಯನ್ನು ಸ್ಟಾಕ್ನಲ್ಲಿ ಇಟ್ಟುಕೊಳ್ಳಬಹುದು ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಬದ್ಧತೆಯನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಲು ಕೊನೆಯ ಗಳಿಗೆಯಲ್ಲಿ ಅವುಗಳನ್ನು ಪ್ರೋಗ್ರಾಂ ಮಾಡಬಹುದು. ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್ಗಳು, ವಿಡಿಯೋ ಗೇಮ್ ಕನ್ಸೋಲ್ಗಳು, ಮೊಬೈಲ್ ಫೋನ್ಗಳು, ರೇಡಿಯೋ-ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಐಡೆಂಟಿಫಿಕೇಷನ್ (ಆರ್ಎಫ್ಐಡಿ) ಟ್ಯಾಗ್ಗಳು, ಅಳವಡಿಸಬಹುದಾದ ವೈದ್ಯಕೀಯ ಸಾಧನಗಳು, ಹೈ-ಡೆಫಿನಿಷನ್ ಮಲ್ಟಿಮೀಡಿಯಾ ಇಂಟರ್ಫೇಸ್ಗಳು (ಎಚ್ಡಿಎಂಐ) ಮತ್ತು ಇತರ ಅನೇಕ ಗ್ರಾಹಕ ಮತ್ತು ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳಲ್ಲಿ ಈ ರೀತಿಯ ಮೆಮೊರಿಗಳನ್ನು ಆಗಾಗ್ಗೆ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ನ್ಯೂಯಾರ್ಕ್ನ ಗಾರ್ಡನ್ ಸಿಟಿಯಲ್ಲಿರುವ ಅಮೆರಿಕನ್ ಬಾಷ್ ಆರ್ಮಾ ಕಾರ್ಪೊರೇಶನ್ನ ಆರ್ಮಾ ವಿಭಾಗಕ್ಕಾಗಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದ ವೆನ್ ಸಿಂಗ್ ಚೌ ಅವರು 1956 ರಲ್ಲಿ ಪಿಆರ್ಒಎಂ ಅನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ಅಟ್ಲಾಸ್ ಇ/ಎಫ್ ಐಸಿಬಿಎಂನ ವಾಯುಗಾಮಿ ಡಿಜಿಟಲ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ನಲ್ಲಿ ಗುರಿ ಸ್ಥಿರಾಂಕಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವ ಹೆಚ್ಚು ಹೊಂದಿಕೊಳ್ಳುವ ಮತ್ತು ಸುರಕ್ಷಿತ ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಲು ಯುನೈಟೆಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ಸ್ ಏರ್ ಫೋರ್ಸ್ನ ಕೋರಿಕೆಯ ಮೇರೆಗೆ ಈ ಆವಿಷ್ಕಾರವನ್ನು ಕಲ್ಪಿಸಲಾಗಿತ್ತು. ಪೇಟೆಂಟ್ ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಹಲವಾರು ವರ್ಷಗಳ ಕಾಲ ಗೌಪ್ಯ ಆದೇಶದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗಿತ್ತು, ಆದರೆ ಅಟ್ಲಾಸ್ ಇ/ಎಫ್ ಯುನೈಟೆಡ್ ಸ್ಟೇಟ್ಸ್ ಐಸಿಬಿಎಂ ಪಡೆಯ ಮುಖ್ಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಕ್ಷಿಪಣಿಯಾಗಿತ್ತು. PROM ಅನ್ನು ಪ್ರೋಗ್ರಾಮಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸುವ ಬರ್ನ್ ಎಂಬ ಪದವು ಮೂಲ ಪೇಟೆಂಟ್ನಲ್ಲಿದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಮೂಲ ಅನುಷ್ಠಾನಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾದ ಡಯೋಡ್ಗಳ ಆಂತರಿಕ ಮೀಸೆಯನ್ನು ಅಕ್ಷರಶಃ ಪ್ರವಾಹದ ಓವರ್ಲೋಡಿನೊಂದಿಗೆ ಸುಟ್ಟು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸ್ಥಗಿತವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುವುದು. ಮೊದಲ PROM ಪ್ರೋಗ್ರಾಮಿಂಗ್ ಯಂತ್ರಗಳನ್ನು ಚೌ ಅವರ ನಿರ್ದೇಶನದಲ್ಲಿ ಆರ್ಮಾ ಎಂಜಿನಿಯರ್ಗಳು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು ಮತ್ತು ಅವು ಆರ್ಮಾದ ಗಾರ್ಡನ್ ಸಿಟಿ ಲ್ಯಾಬ್ ಮತ್ತು ಏರ್ ಫೋರ್ಸ್ ಸ್ಟ್ರಾಟೆಜಿಕ್ ಏರ್ ಕಮಾಂಡ್ (SAC) ಪ್ರಧಾನ ಕಛೇರಿಯಲ್ಲಿವೆ. ಒನ್ ಟೈಮ್ ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಮೆಮೊರಿ ಒಟಿಪಿ (ಒನ್ ಟೈಮ್ ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್) ಮೆಮೊರಿಯು ಒಂದು ವಿಶೇಷ ರೀತಿಯ ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಮೆಮೊರಿ (ಎನ್ವಿಎಂ) ಆಗಿದ್ದು, ಇದು ಡೇಟಾವನ್ನು ಒಮ್ಮೆ ಮಾತ್ರ ಮೆಮೊರಿಗೆ ಬರೆಯಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಒಮ್ಮೆ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ ಮಾಡಿದ ನಂತರ, ಅದು ಶಕ್ತಿಯ ನಷ್ಟದ ಮೇಲೆ ಅದರ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಉಳಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ (ಅಂದರೆ, ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲ). ದತ್ತಾಂಶದ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಮತ್ತು ಪುನರಾವರ್ತನೀಯ ಓದುವ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳಲ್ಲಿ ಒಟಿಪಿ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗಳಲ್ಲಿ ಬೂಟ್ ಕೋಡ್, ಎನ್ಕ್ರಿಪ್ಶನ್ ಕೀಲಿಗಳು ಮತ್ತು ಅನಲಾಗ್, ಸಂವೇದಕ ಅಥವಾ ಪ್ರದರ್ಶನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿಯ ಸಂರಚನೆಯ ನಿಯತಾಂಕಗಳು ಸೇರಿವೆ. ಒಟಿಪಿ ಎನ್ವಿಎಂ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯ, ಸಣ್ಣ ಪ್ರದೇಶದ ಹೆಜ್ಜೆಗುರುತು ಮೆಮೊರಿ ರಚನೆಯನ್ನು ನೀಡುವ ಮೂಲಕ ಇಫ್ಯೂಸ್ ಅಥವಾ ಇಇಪ್ರೋಮ್ ನಂತಹ ಇತರ ರೀತಿಯ ಎನ್ವಿಎಂಗಳಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ನಿರೂಪಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅಂತಹ ಒಟಿಪಿ ಮೆಮೊರಿಯು ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಡಿಸ್ಪ್ಲೇ ಡ್ರೈವರ್ಗಳಿಂದ ಪವರ್ ಮ್ಯಾನೇಜ್ಮೆಂಟ್ ಐಸಿಗಳ (ಪಿಎಂಐಸಿ) ಉತ್ಪನ್ನಗಳಲ್ಲಿ ಅನ್ವಯವನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ವಾಣಿಜ್ಯವಾಗಿ ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್-ಆಧಾರಿತ ಒಟಿಪಿ ಮೆಮೊರಿ ಸರಣಿಗಳು ಕನಿಷ್ಠ 1969 ರಿಂದಲೂ ಇವೆ, ಆರಂಭಿಕ ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್ ಬಿಟ್ ಕೋಶಗಳು ವಾಹಕ ರೇಖೆಗಳನ್ನು ದಾಟುವ ನಡುವೆ ಕೆಪಾಸಿಟರ್ ಅನ್ನು ಬೀಸುವುದನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿವೆ. ಟೆಕ್ಸಾಸ್ ಇನ್ಸ್ಟ್ರುಮೆಂಟ್ಸ್ 1979ರಲ್ಲಿ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಗೇಟ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಬ್ರೇಕ್ಡೌನ್ ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿತು. ಡ್ಯುಯಲ್-ಗೇಟ್-ಆಕ್ಸೈಡ್ ಟೂ-ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (2ಟಿ) ಎಂಓಎಸ್ ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್ ಅನ್ನು 1982ರಲ್ಲಿ ಪರಿಚಯಿಸಲಾಯಿತು. ಆರಂಭಿಕ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸ್ಥಗಿತ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳು ವಿವಿಧ ಸ್ಕೇಲಿಂಗ್, ಪ್ರೋಗ್ರಾಮಿಂಗ್, ಗಾತ್ರ ಮತ್ತು ಉತ್ಪಾದನಾ ಸಮಸ್ಯೆಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿದವು, ಇದು ಈ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ ಮೆಮೊರಿ ಸಾಧನಗಳ ಪರಿಮಾಣ ಉತ್ಪಾದನೆಯನ್ನು ತಡೆಯಿತು. ಒಂದು ಬಾರಿ ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ಮೆಮೊರಿ ಸಾಧನದ ಮತ್ತೊಂದು ರೂಪವು ನೇರಳಾತೀತ-ತೆಗೆಯಬಹುದಾದ ಪ್ರೊಗ್ರಾಮೆಬಲ್ ರೀಡ್-ಓನ್ಲಿ ಮೆಮೊರಿ (ಯುವಿ-ಇಪಿಆರ್ಒಎಂ) ಯಂತೆಯೇ ಅದೇ ಅರೆವಾಹಕ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಮುಗಿದ ಸಾಧನವನ್ನು ಅಳಿಸಲು ಅಗತ್ಯವಾದ ಪಾರದರ್ಶಕ ಕ್ವಾರ್ಟ್ಜ್ ಕಿಟಕಿಯೊಂದಿಗೆ ದುಬಾರಿ ಸೆರಾಮಿಕ್ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ ಬದಲಿಗೆ ಅಪಾರದರ್ಶಕ ಪ್ಯಾಕೇಜಿನಲ್ಲಿ ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಯು. ವಿ. ಇ. ಪಿ. ಆರ್. ಓ. ಎಂ ಭಾಗಗಳಂತೆಯೇ ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ ಆದರೆ ಅವು ಕಡಿಮೆ ವೆಚ್ಚದಾಯಕವಾಗಿವೆ. ಎಂಬೆಡೆಡ್ ಕಂಟ್ರೋಲರ್ಗಳು ಕ್ಷೇತ್ರ-ತೆಗೆಯಬಹುದಾದ ಮತ್ತು ಒನ್-ಟೈಮ್ ಶೈಲಿಗಳೆರಡರಲ್ಲೂ ಲಭ್ಯವಿರಬಹುದು, ಇದು ಫ್ಯಾಕ್ಟರಿ-ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ಡ್ ಮಾಸ್ಕ್ ರಾಮ್ ಚಿಪ್ಗಳ ವೆಚ್ಚ ಮತ್ತು ಲೀಡ್ ಟೈಮ್ ಇಲ್ಲದೆ ಪರಿಮಾಣ ಉತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಉಳಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್-ಆಧಾರಿತ PROM ದಶಕಗಳಿಂದ ಲಭ್ಯವಿದ್ದರೂ, 2001ರಲ್ಲಿ ಕಿಲೋಪಾಸ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿ ಇಂಕ್ ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ CMOS ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು 1T, 2T ಮತ್ತು 3.5T ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್ ಬಿಟ್ ಸೆಲ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಗಳಿಗೆ ಪೇಟೆಂಟ್ ಪಡೆಯುವವರೆಗೆ ಇದು ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ CMOSನಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿರಲಿಲ್ಲ, ಇದು PROM ಅನ್ನು ಲಾಜಿಕ್ CMOS ಚಿಪ್ಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಯೋಜಿಸಲು ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಟ್ಟಿತು. ಪ್ರಮಾಣಿತ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ನಲ್ಲಿ ಅಳವಡಿಸಬಹುದಾದ ಮೊದಲ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ನೋಡ್ ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್ 0.18 ಉಮ್ ಆಗಿದೆ. ಗೇಟ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸ್ಥಗಿತವು ಜಂಕ್ಷನ್ ಸ್ಥಗಿತಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಮಿಂಗ್ ಅಂಶವನ್ನು ರಚಿಸಲು ವಿಶೇಷ ಪ್ರಸರಣ ಹಂತಗಳ ಅಗತ್ಯವಿರಲಿಲ್ಲ. 2005ರಲ್ಲಿ, ಸಿಡೆನ್ಸ್ ಸ್ಪ್ಲಿಟ್ ಚಾನೆಲ್ ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್ ಸಾಧನವನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿತು. ಈ ವಿಭಜಿತ ಚಾನೆಲ್ ಬಿಟ್ ಕೋಶವು ದಪ್ಪ (ಐಒ) ಮತ್ತು ತೆಳುವಾದ (ಗೇಟ್) ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಒಂದು ಸಾಮಾನ್ಯ ಪಾಲಿಸಿಲಿಕಾನ್ ಗೇಟ್ನೊಂದಿಗೆ ಒಂದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (1ಟಿ) ಆಗಿ ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ರೊಗ್ರಾಮಿಂಗ್ ಒಂದು ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ PROM ಎಲ್ಲಾ ಬಿಟ್ಗಳನ್ನು "1" ಎಂದು ಓದುವುದರೊಂದಿಗೆ ಬರುತ್ತದೆ. ಪ್ರೋಗ್ರಾಮಿಂಗ್ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಫ್ಯೂಸ್ ಬಿಟ್ ಅನ್ನು ಸುಡುವುದರಿಂದ ಫ್ಯೂಸ್ಗಳನ್ನು "ಊದುವ" ಮೂಲಕ ಬಿಟ್ ಅನ್ನು "0" ಎಂದು ಓದಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಬದಲಾಯಿಸಲಾಗದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ. ಹೊಸ ದತ್ತಾಂಶವು "1" ಗಳನ್ನು "0" ಗಳೊಂದಿಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಿದರೆ ಕೆಲವು ಸಾಧನಗಳನ್ನು "ಮರುಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್" ಮಾಡಬಹುದು. ಕೆಲವು CPU ಸೂಚನಾ ಸೆಟ್ಗಳು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ. 6502) '00' ನ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಂಕೇತದೊಂದಿಗೆ ವಿರಾಮ (ಬಿ. ಆರ್. ಕೆ) ಸೂಚನೆಯನ್ನು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸುವ ಮೂಲಕ ಇದರ ಲಾಭವನ್ನು ಪಡೆದರು. ತಪ್ಪು ಸೂಚನೆಯಿರುವ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಅದನ್ನು ಬಿ. ಆರ್. ಕೆ. ಗೆ "ಮರುಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್" ಮಾಡಬಹುದು, ಇದು ಸಿಪಿಯು ನಿಯಂತ್ರಣವನ್ನು ಪ್ಯಾಚ್ಗೆ ವರ್ಗಾಯಿಸಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಇದು ಸರಿಯಾದ ಸೂಚನೆಯನ್ನು ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬಿ. ಆರ್. ಕೆ ನಂತರ ಸೂಚನೆಗೆ ಮರಳುತ್ತದೆ. ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರದ ನಡುವಿನ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಅನ್ನು ಒಡೆಯಲು ತೆಳುವಾದ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರದ (2 ಎನ್ಎಂ ದಪ್ಪ ಆಕ್ಸೈಡ್ಗೆ ಸುಮಾರು 6ವಿ, ಅಥವಾ 30ಎಂವಿ/ಸೆಂ. ಮೀ) ಅಡ್ಡಲಾಗಿ ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಎದುರಾಗದ ಹೆಚ್ಚಿನ-ವೋಲ್ಟೇಜ್ ನಾಡಿಮಿಡಿತವನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ಬಿಟ್ ಕೋಶವನ್ನು ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಗೇಟ್ನಲ್ಲಿರುವ ಧನಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಗೇಟ್ನ ಕೆಳಗಿರುವ ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿ ವಿಲೋಮ ಮಾರ್ಗವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಆಕ್ಸೈಡ್ನ ಮೂಲಕ ಸುರಂಗದ ಪ್ರವಾಹವು ಹರಿಯುತ್ತದೆ. ಪ್ರವಾಹವು ಆಕ್ಸೈಡ್ನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಬಲೆಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ, ಆಕ್ಸೈಡ್ ಮೂಲಕ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಅನ್ನು ಕರಗಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಗೇಟ್ನಿಂದ ತಲಾಧಾರಕ್ಕೆ ವಾಹಕ ಮಾರ್ಗವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ವಾಹಕ ವಾಹಿನಿಯನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಪ್ರವಾಹವು ಸುಮಾರು 100μA/100nm ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸ್ಥಗಿತವು ಸುಮಾರು 100μs ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಆಗಿರುತ್ತದೆ. ಇಂಟೆಲ್ HEX ಉಲ್ಲೇಖಗಳು 1977 ಇಂಟೆಲ್ ಮೆಮೊರಿ ಡಿಸೈನ್ ಹ್ಯಾಂಡ್ಬುಕ್-archive.org ಇಂಟೆಲ್ PROM ದತ್ತಾಂಶ ಹಾಳೆಗಳನ್ನು ನೋಡಿ-intel-vintage.info US ಪೇಟೆಂಟ್ ಆಫೀಸ್ನಲ್ಲಿ US "ಸ್ವಿಚ್ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್" ಪೇಟೆಂಟ್ #3028659 ಅನ್ನು ನೋಡಿ ಅಥವಾ ಗೂಗಲ್ ವ್ಯೂ ಕಿಲೋಪಾಸ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿ ಪೇಟೆಂಟ್ US "ಹೈ ಡೆನ್ಸಿಟಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮೆಮೊರಿ ಸೆಲ್ ಮತ್ತು ಮೆಮೊರಿ ರಚನೆಯು ಒಂದೇ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವೇರಿಯೇಬಲ್ ಗೇಟ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಸ್ಥಗಿತವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ" US ಪೇಟೆಂಟ್ ಆಫೀಸ್ನಲ್ಲಿ ಪೇಟೆಂಟ್ #6940751 ಅಥವಾ ಗೂಗಲ್ ವ್ಯೂ ಸಿಡೆನ್ಸ್ US ಪೇಟೆಂಟ್ ಆಫೀಸ್ನಲ್ಲಿ "ಸ್ಪ್ಲಿಟ್ ಚಾನೆಲ್ ಆಂಟಿಫ್ಯೂಸ್ ಅರೇ ಆರ್ಕಿಟೆಕ್ಚರ್" ಪೇಟೆಂಟ್ #7402855 ಅಥವಾ ಗೂಗಲ್ ವ್ಯೂ ದಿ US "ಮೆಥಡ್ ಆಫ್ ಮ್ಯಾನುಫ್ಯಾಕ್ಚರಿಂಗ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್" ಪೇಟೆಂಟ್ #3634929 ಅನ್ನು US ಪೇಟೆಂಟ್ ಆಫೀಸ್ ಅಥವಾ ಗೂಗಲ್ CHO (2008). ಪ್ರಯೋಜನಗಳು ಮತ್ತು ಅನಾನುಕೂಲಗಳ ಕೋಷ್ಟಕಕ್ಕಾಗಿ, ರಾಮಮೂರ್ತಿ, ಜಿಃ "ಡೇಟಾಕ್ವೆಸ್ಟ್ ಇನ್ಸೈಟ್ಃ ನಾನ್ವೋಲಟೈಲ್ ಮೆಮೊರಿ ಐಪಿ ಮಾರ್ಕೆಟ್, ವರ್ಲ್ಡ್ವೈಡ್, 2008-2013", ಪುಟ 10ನ್ನು ನೋಡಿ. ಗಾರ್ಟ್ನರ್, 2009 ಸಹ ನೋಡಿ EPROM EEPROM ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿಕ್ ಫ್ಯೂಸ್ನಲ್ಲಿ ಡೇಟಾವನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸುವ 1970 ರ PROM ಚಿಪ್ನೊಳಗೆ ನೋಡುವುದು-256x4 MMI 5300 PROM ಅಸ್ಥಿರವಲ್ಲದ ಮೆಮೊರಿ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ ಮೆಮೊರಿ 1956 ರ ಅಮೇರಿಕನ್ ಆವಿಷ್ಕಾರಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್-ಸಂಬಂಧಿತ ಪರಿಚಯಗಳಿಂದ ಸಾಯುವುದನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ