Magnetoresistance
ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಎನ್ನುವುದು ಬಾಹ್ಯವಾಗಿ ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಅದರ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವ ವಸ್ತುವಿನ (ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್) ಪ್ರವೃತ್ತಿಯಾಗಿದೆ. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಎಂದು ಕರೆಯಬಹುದಾದ ವಿವಿಧ ಪರಿಣಾಮಗಳಿವೆ. ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್, ಶುಬನಿಕೋವ್-ಡಿ ಹಾಸ್ ಆಂದೋಲನಗಳು ಅಥವಾ ಲೋಹಗಳಲ್ಲಿನ ಸಾಮಾನ್ಯ ಧನಾತ್ಮಕ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ನಂತಹ ಬೃಹತ್ ಆಯಸ್ಕಾಂತೀಯವಲ್ಲದ ಲೋಹಗಳು ಮತ್ತು ಅರೆವಾಹಕಗಳಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ಸಂಭವಿಸುತ್ತವೆ. ಇತರ ಪರಿಣಾಮಗಳು ಕಾಂತೀಯ ಲೋಹಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಭವಿಸುತ್ತವೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಫೆರೊಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ಗಳಲ್ಲಿನ ಋಣಾತ್ಮಕ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅಥವಾ ಅನಿಸೊಟ್ರೊಪಿಕ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಎಎಂಆರ್). ಅಂತಿಮವಾಗಿ, ಬಹು ಘಟಕ ಅಥವಾ ಬಹು ಪದರದ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ (ಉದಾ. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಟನಲ್ ಜಂಕ್ಷನ್ಗಳು), ದೈತ್ಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಜಿಎಂಆರ್), ಟನಲ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಟಿಎಂಆರ್), ಬೃಹತ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಸಿಎಂಆರ್) ಮತ್ತು ಅಸಾಧಾರಣ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಇಎಂಆರ್) ಅನ್ನು ಗಮನಿಸಬಹುದು. ಲಾರ್ಡ್ ಕೆಲ್ವಿನ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ ವಿಲಿಯಂ ಥಾಮ್ಸನ್ ಅವರು 1856 ರಲ್ಲಿ ಮೊದಲ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟಿವ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು, ಆದರೆ ಯಾವುದೇ ವಸ್ತುವಿನ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಶೇಕಡಾ 5 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಅವರಿಗೆ ಸಾಧ್ಯವಾಗಲಿಲ್ಲ. ಇಂದು, ಅರೆ ಲೋಹಗಳು ಮತ್ತು ಕೇಂದ್ರೀಕೃತ ರಿಂಗ್ ಇ. ಎಂ. ಆರ್ ರಚನೆಗಳು ಸೇರಿದಂತೆ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ತಿಳಿದಿವೆ. ಇವುಗಳಲ್ಲಿ, ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವು ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಪರಿಮಾಣದ ಕ್ರಮಗಳಿಂದ ಸರಿಹೊಂದಿಸಬಹುದು. ವಿವಿಧ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಬಹುದಾದ್ದರಿಂದ, ಅದು ನೇರವಾಗಿ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುವ ಸಂದರ್ಭಗಳನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ಪರಿಗಣಿಸುವುದು ಉಪಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಮತ್ತು ಮಲ್ಟಿಬ್ಯಾಂಡ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್) ಮತ್ತು ಅದು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೈಸೇಶನ್ ಮೂಲಕ ಪರೋಕ್ಷವಾಗಿ ಮಾಡುವಂತಹವುಗಳು (ಉದಾ. ಎಎಂಆರ್ ಮತ್ತು ಟಿಎಂಆರ್). ಡಿಸ್ಕವರಿ ವಿಲಿಯಂ ಥಾಮ್ಸನ್ (ಲಾರ್ಡ್ ಕೆಲ್ವಿನ್) ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1856 ರಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ಅವರು ಕಬ್ಬಿಣದ ತುಂಡುಗಳನ್ನು ಪ್ರಯೋಗಿಸಿದರು ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹವು ಕಾಂತೀಯ ಬಲದ ಅದೇ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿದ್ದಾಗ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪ್ರವಾಹವು ಕಾಂತೀಯ ಬಲಕ್ಕೆ 90°ಯಲ್ಲಿದ್ದಾಗ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ನಂತರ ಅವರು ನಿಕೆಲ್ನೊಂದಿಗೆ ಅದೇ ಪ್ರಯೋಗವನ್ನು ಮಾಡಿದರು ಮತ್ತು ಅದು ಅದೇ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರಿದೆ ಆದರೆ ಪರಿಣಾಮದ ಪ್ರಮಾಣವು ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ ಎಂದು ಕಂಡುಕೊಂಡರು. ಈ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಅನಿಸೊಟ್ರೊಪಿಕ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಎಎಂಆರ್) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. 2007ರಲ್ಲಿ, ಆಲ್ಬರ್ಟ್ ಫರ್ಟ್ ಮತ್ತು ಪೀಟರ್ ಗ್ರುನ್ಬರ್ಗ್ ಅವರಿಗೆ ದೈತ್ಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ನ ಆವಿಷ್ಕಾರಕ್ಕಾಗಿ ಜಂಟಿಯಾಗಿ ನೊಬೆಲ್ ಪ್ರಶಸ್ತಿಯನ್ನು ನೀಡಲಾಯಿತು. ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದ ಮೇಲೆ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರದ ನೇರ ಕ್ರಿಯೆಯಿಂದಾಗಿ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ನ ಉದಾಹರಣೆಯನ್ನು ಕಾರ್ಬಿನೋ ಡಿಸ್ಕ್ನಲ್ಲಿ ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಬಹುದು (ಚಿತ್ರವನ್ನು ನೋಡಿ). ಇದು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ವಾಹಕ ರಿಮ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ವಾಹಕ ವಾರ್ಷಿಕವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಆಯಸ್ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವಿಲ್ಲದೆ, ಬ್ಯಾಟರಿ ರಿಮ್ಗಳ ನಡುವೆ ರೇಡಿಯಲ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಓಡಿಸುತ್ತದೆ. ಆನ್ಯುಲಸ್ನ ಸಮತಲಕ್ಕೆ ಲಂಬವಾದ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ, (ಪುಟದ ಒಳಗೆ ಅಥವಾ ಹೊರಗೆ) ಲೋರೆಂಜ್ ಬಲದಿಂದಾಗಿ ಪ್ರವಾಹದ ವೃತ್ತಾಕಾರದ ಅಂಶವೂ ಹರಿಯುತ್ತದೆ. ಈ ಸಮಸ್ಯೆಯಲ್ಲಿ ಆರಂಭಿಕ ಆಸಕ್ತಿಯು 1886ರಲ್ಲಿ ಬೋಲ್ಟ್ಜ್ಮನ್ ಅವರೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಾರಂಭವಾಯಿತು ಮತ್ತು 1911ರಲ್ಲಿ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿ ಕಾರ್ಬಿನೋ ಅವರಿಂದ ಮರುಪರಿಶೀಲನೆಗೊಂಡಿತು. ಒಂದು ಸರಳ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ, ಲೊರೆಂಟ್ಜ್ ಬಲಕ್ಕೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರದಂತೆಯೇ ಇದೆ ಎಂದು ಭಾವಿಸಿದರೆ, ವಾಹಕ ವೇಗ v ಅನ್ನು ಹೀಗೆ ನೀಡಲಾಗುತ್ತದೆಃ ಇಲ್ಲಿ ವಾಹಕ ಚಲನಶೀಲತೆ μ ಆಗಿದೆ. ವೇಗವನ್ನು ಪರಿಹರಿಸುವಾಗ, ನಾವು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುತ್ತೇವೆಃ ಅಲ್ಲಿ ಬಿ-ಕ್ಷೇತ್ರದಿಂದ (ಈ ಕ್ಷೇತ್ರಕ್ಕೆ ಲಂಬವಾದ ಚಲನೆಗೆ) ಚಲನಶೀಲತೆಯಲ್ಲಿನ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಕಡಿತವು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿದೆ. ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹವು (ವೇಗದ ರೇಡಿಯಲ್ ಘಟಕಕ್ಕೆ ಅನುಪಾತದಲ್ಲಿ) ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಸಾಧನದ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ವಿಮರ್ಶಾತ್ಮಕವಾಗಿ, ಈ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟಿವ್ ಸನ್ನಿವೇಶವು ಸಾಧನದ ರೇಖಾಗಣಿತ ಮತ್ತು ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಖೆಗಳ ಮೇಲೆ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದು ಕಾಂತೀಯ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿಲ್ಲ. ಒಂದೇ ವಾಹಕ ಪ್ರಕಾರವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಅರೆವಾಹಕದಲ್ಲಿ, ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (1 + (μB) 2) ಗೆ ಅನುಪಾತದಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ μ ಎಂಬುದು ಅರೆವಾಹಕ ಚಲನಶೀಲತೆ (ಘಟಕಗಳು m2·V−1·s−1 ಅಥವಾ T−1) ಮತ್ತು B ಎಂಬುದು ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವಾಗಿದೆ (ಘಟಕಗಳು ಟೆಸ್ಲಾಸ್). ಹೆಚ್ಚಿನ ಚಲನಶೀಲತೆಯ ಅರೆವಾಹಕಕ್ಕೆ ಉದಾಹರಣೆಯಾದ ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಂಟಿಮೊನೈಡ್, 300 K ನಲ್ಲಿ 4 m2·V−1·s−1 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಚಲನಶೀಲತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರಬಹುದು. ಆದ್ದರಿಂದ 0.25 T ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಹೆಚ್ಚಳವು 100% ಆಗಿರುತ್ತದೆ. ಅನಿಸೊಟ್ರೊಪಿಕ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ (ಎಎಂಆರ್) ಥಾಮ್ಸನ್ರ ಪ್ರಯೋಗಗಳು ಎಎಂಆರ್ಗೆ ಒಂದು ಉದಾಹರಣೆಯಾಗಿದೆ, ಇದು ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದ ದಿಕ್ಕು ಮತ್ತು ಕಾಂತೀಕರಣದ ದಿಕ್ಕಿನ ನಡುವಿನ ಕೋನದ ಮೇಲೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಅವಲಂಬನೆಯನ್ನು ಗಮನಿಸಲಾಗುವ ವಸ್ತುವಿನ ಗುಣಲಕ್ಷಣವಾಗಿದೆ. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೈಸೇಶನ್ ಮತ್ತು ಸ್ಪಿನ್-ಆರ್ಬಿಟ್ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯ ಏಕಕಾಲಿಕ ಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ ಪರಿಣಾಮವು ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ (ನಾನ್-ಕಾಲಿನಿಯರ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಆರ್ಡರ್ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ವಿನಾಯಿತಿಗಳ ಹೊರತಾಗಿಯೂ, ಸೆಕೆಂಡ್ ನೋಡಿ. 4 (ಬಿ) ವಿಮರ್ಶೆಯಲ್ಲಿ) ಮತ್ತು ಅದರ ವಿವರವಾದ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ವಸ್ತುವಿನ ಮೇಲೆ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಅಯಸ್ಕಾಂತೀಕರಣದ ದಿಕ್ಕಿನಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ s-d ಚದುರುವಿಕೆಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಭವನೀಯತೆಯಿಂದಾಗಿ (ಇದು ಅನ್ವಯಿಕ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರದಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ). ನಿವ್ವಳ ಪರಿಣಾಮವೆಂದರೆ (ಹೆಚ್ಚಿನ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ) ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದ ದಿಕ್ಕು ಅನ್ವಯಿಕ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರಕ್ಕೆ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿದ್ದಾಗ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಗರಿಷ್ಠ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಹೊಸ ವಸ್ತುಗಳ ಎಎಂಆರ್ ಅನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತಿದೆ ಮತ್ತು ಕೆಲವು ಯುರೇನಿಯಂ (ಆದರೆ ಸಾಕಷ್ಟು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ) ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಲ್ಲಿ 50 ಪ್ರತಿಶತದಷ್ಟು ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ಗಮನಿಸಲಾಗಿದೆ. ತೀರಾ ಇತ್ತೀಚೆಗೆ, ತೀವ್ರವಾದ ಎಎಂಆರ್ ಹೊಂದಿರುವ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಆಯಸ್ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ತಿರುಗಿಸುವ ಮೂಲಕ ಪ್ರಚೋದಿಸಲಾದ ಲೋಹ-ನಿರೋಧಕ ಪರಿವರ್ತನೆಯಂತಹ ಅಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳಿಂದ ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಗುರುತಿಸಲಾಗಿದೆ (ಆದರೆ ಆಯಸ್ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷಣಗಳ ಕೆಲವು ದಿಕ್ಕುಗಳಿಗೆ, ವ್ಯವಸ್ಥೆಯು ಅರೆ ಲೋಹವಾಗಿದೆ, ಇತರ ದಿಕ್ಕುಗಳಿಗೆ ಅಂತರವು ತೆರೆಯುತ್ತದೆ). ಪಾಲಿಕ್ರಿಸ್ಟಲೈನ್ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ, ಎಎಂಆರ್ ಆಯಸ್ಕಾಂತೀಕರಣ ಮತ್ತು ಪ್ರಸ್ತುತ ದಿಕ್ಕಿನ ನಡುವಿನ ಕೋನವನ್ನು ಮಾತ್ರ ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು (ವಸ್ತುವಿನ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಶ್ರೇಣಿ-ಎರಡು ಟೆನ್ಸರ್ನಿಂದ ವಿವರಿಸಬಹುದಾದವರೆಗೆ), ಇದು ಚಿತ್ರದ (ರೇಖಾಂಶ) ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಅನುಸರಿಸಬೇಕು ಮತ್ತು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಮತ್ತು ಅದರ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಗಳಾಗಿರಬೇಕು. ಲಾಂಗಿಟ್ಯೂಡಿನಲ್ ರೆಸಿಸ್ಟಿವಿಟಿಯೊಂದಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿರುವ ಟ್ರಾನ್ಸ್ವರ್ಸಲ್ ರೆಸಿಸ್ಟಿವಿಟಿಯನ್ನು ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಹಾಲ್ ಎಫೆಕ್ಟ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ (ಸ್ವಲ್ಪ ಗೊಂದಲಮಯವಾಗಿ [1]). ಮೊನೊಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ಗಳಲ್ಲಿ, ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ಅವಲಂಬಿತವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಮತ್ತು ಆಯಸ್ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಧ್ರುವೀಯತೆಯನ್ನು ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲು ಅಸಮರ್ಥತೆಯನ್ನು ಸರಿದೂಗಿಸಲು, ಸಂವೇದಕಗಳಿಗೆ ಈ ಕೆಳಗಿನ ರಚನೆಯನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇದು 45° ಕೋನದಲ್ಲಿ ಓರೆಯಾದ ಪರ್ಮಲ್ಲಾಯ್ನ (ಎಎಂಆರ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುವ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ವಸ್ತು) ತೆಳುವಾದ ಪದರದ ಮೇಲೆ ಇರಿಸಲಾಗಿರುವ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಅಥವಾ ಚಿನ್ನದ ಪಟ್ಟೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಈ ರಚನೆಯು ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ತೆಳುವಾದ ಪದರದ "ಸುಲಭ ಅಕ್ಷಗಳ" ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಹರಿಯದಂತೆ ಒತ್ತಾಯಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ 45° ಕೋನದಲ್ಲಿ ಹರಿಯುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಪ್ರತಿರೋಧದ ಅವಲಂಬನೆಯು ಈಗ ಶಾಶ್ವತ ಆಫ್ಸೆಟ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಶೂನ್ಯ ಬಿಂದುವಿನ ಸುತ್ತ ರೇಖೀಯವಾಗಿದೆ. ಅದರ ನೋಟದಿಂದಾಗಿ, ಈ ಸಂವೇದಕ ಪ್ರಕಾರವನ್ನು 'ಕ್ಷೌರಿಕ ಕಂಬ' ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಭೂಮಿಯ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು (ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ದಿಕ್ಸೂಚಿ) ಅಳೆಯಲು, ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಅಳೆಯಲು (ವಾಹಕದ ಸುತ್ತಲೂ ರಚಿಸಲಾದ ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಅಳೆಯುವ ಮೂಲಕ), ಸಂಚಾರ ಪತ್ತೆಹಚ್ಚಲು ಮತ್ತು ರೇಖೀಯ ಸ್ಥಾನ ಮತ್ತು ಕೋನ ಸಂವೇದನೆಗಾಗಿ ಎಎಂಆರ್ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಸಂವೇದಕಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹನಿವೆಲ್, ಎನ್ಎಕ್ಸ್ಪಿ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ಸ್, ಎಸ್ಟಿಮೈಕ್ರೊಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಸೆನ್ಸಿಟೆಕ್ ಜಿಎಂಬಿಹೆಚ್ ಅತಿದೊಡ್ಡ ಎಎಂಆರ್ ಸಂವೇದಕ ತಯಾರಕರಾಗಿದ್ದಾರೆ. ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ಅಂಶಗಳಾಗಿ, I. ಎ. ಕ್ಯಾಂಪ್ಬೆಲ್, ಎ. ಫರ್ಟ್, ಮತ್ತು ಒ. ಜೌಲ್ (ಸಿಎಫ್ಜೆ) ಅವರು ಎಸ್-ಎಸ್ ಮತ್ತು ಎಸ್-ಡಿ ಚದುರುವಿಕೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳೊಂದಿಗೆ ಎರಡು-ಪ್ರಸ್ತುತ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ನಿ-ಆಧಾರಿತ ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳಿಗೆ ಎಎಂಆರ್ ಅನುಪಾತದ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿಯನ್ನು ಪಡೆದರು, ಅಲ್ಲಿ ಎಸ್ ಒಂದು ವಹನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಡಿ ಸ್ಪಿನ್-ಆರ್ಬಿಟ್ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯೊಂದಿಗೆ 3 ಡಿ ಸ್ಥಿತಿಗಳಾಗಿವೆ. ಎ. ಎಂ. ಆರ್ ಅನುಪಾತವನ್ನು ಮತ್ತು, ಎಲ್ಲಿ ಎಂದು ವ್ಯಕ್ತಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದು ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ ಸ್ಪಿನ್-ಆರ್ಬಿಟ್ ಕಪ್ಲಿಂಗ್ ಸ್ಥಿರಾಂಕ (ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ), ವಿನಿಮಯ ಕ್ಷೇತ್ರ ಮತ್ತು ಸ್ಪಿನ್ಗೆ ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆಯಾಗಿದೆ. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಇತ್ತೀಚೆಗೆ, ಸತೋಶಿ ಕೊಕಾಡೋ ಮತ್ತು ಇತರರು. ಸಿಎಫ್ಜೆ ಸಿದ್ಧಾಂತವನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಸಾಮಾನ್ಯವಾದದ್ದಕ್ಕೆ ವಿಸ್ತರಿಸುವ ಮೂಲಕ 3ಡಿ ಪರಿವರ್ತನೆ-ಲೋಹದ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ಗಳಿಗೆ ಎಎಂಆರ್ ಅನುಪಾತದ ಸಾಮಾನ್ಯ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿಯನ್ನು ಪಡೆದುಕೊಂಡಿದ್ದಾರೆ. ಸಾಮಾನ್ಯ ಅಭಿವ್ಯಕ್ತಿಯನ್ನು ಅರ್ಧ-ಲೋಹಗಳಿಗೂ ಅನ್ವಯಿಸಬಹುದು. ದೈತ್ಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಸುರಂಗ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಬೃಹತ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಅಸಾಧಾರಣ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟೆನ್ಸ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೊರೆಸಿಸ್ಟಿವ್ ಯಾದೃಚ್ಛಿಕ-ಪ್ರವೇಶ ಮೆಮೊರಿ ಅಡಿಟಿಪ್ಪಣಿಗಳು 1 ಅನ್ನು ಸಹ ನೋಡಿ. (ಸಾಮಾನ್ಯ) ಹಾಲ್ ಪರಿಣಾಮವು ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಹಿಮ್ಮುಖದ ಮೇಲೆ ಚಿಹ್ನೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದು ಲೊರೆಂಟ್ಜ್ ಬಲದಿಂದಾಗಿ ಕಕ್ಷೀಯ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿದೆ (ತಿರುಗುವಿಕೆಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿಲ್ಲ). ಟ್ರಾನ್ಸ್ವರ್ಸಲ್ ಎಎಂಆರ್ (ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಹಾಲ್ ಎಫೆಕ್ಟ್) ಚಿಹ್ನೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಇದು ಸ್ಪಿನ್-ಆರ್ಬಿಟ್ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಆರ್ಡರಿಂಗ್ ಸ್ಪಿಂಟ್ರೋನಿಕ್ಸ್ ವೀಡಿಯೊ ತುಣುಕುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಲೇಖನಗಳು