CMOS
ಕಾಂಪ್ಲಿಮೆಂಟರಿ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ (CMOS, "ಸೀ-ಪಾಚಿ" ಎಂದು ಉಚ್ಚರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ) ಒಂದು ರೀತಿಯ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (MOSFET) ಫ್ಯಾಬ್ರಿಕೇಶನ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದ್ದು, ಇದು ತರ್ಕ ಕಾರ್ಯಗಳಿಗಾಗಿ p-ಟೈಪ್ ಮತ್ತು n-ಟೈಪ್ MOSFET ಗಳ ಪೂರಕ ಮತ್ತು ಸಮ್ಮಿತೀಯ ಜೋಡಿಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಮೈಕ್ರೋಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳು, ಮೈಕ್ರೊಕಂಟ್ರೋಲರ್ಗಳು, ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಗಳು (CMOS ಬಯೋಸ್ ಸೇರಿದಂತೆ) ಮತ್ತು ಇತರ ಡಿಜಿಟಲ್ ಲಾಜಿಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ (IC) ಚಿಪ್ಗಳನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಲು CMOS ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಇಮೇಜ್ ಸಂವೇದಕಗಳು (CMOS ಸಂವೇದಕಗಳು), ದತ್ತಾಂಶ ಪರಿವರ್ತಕಗಳು, RF ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು (RF CMOS) ಮತ್ತು ಅನೇಕ ರೀತಿಯ ಸಂವಹನಕ್ಕಾಗಿ ಹೆಚ್ಚು ಸಂಯೋಜಿತ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಸಿವರ್ಗಳಂತಹ ಅನಲಾಗ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಗೂ ಸಹ CMOS ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಮೂಲತಃ ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ನಲ್ಲಿ ಫ್ರಾಂಕ್ ವಾನ್ಲಾಸ್ ಅವರು ರೂಪಿಸಿದರು ಮತ್ತು 1963 ರಲ್ಲಿ ಇಂಟರ್ನ್ಯಾಷನಲ್ ಸಾಲಿಡ್-ಸ್ಟೇಟ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಮ್ಮೇಳನದಲ್ಲಿ ವಾನ್ಲಾಸ್ ಮತ್ತು ಚಿಹ್-ಟ್ಯಾಂಗ್ ಸಾಹ ಅವರು ಪ್ರಸ್ತುತಪಡಿಸಿದರು. ನಂತರ ವಾನ್ಲಾಸ್ CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿಗಾಗಿ US ಪೇಟೆಂಟ್ 3,356,858 ಅನ್ನು ಸಲ್ಲಿಸಿತು ಮತ್ತು ಅದನ್ನು 1967 ರಲ್ಲಿ ನೀಡಲಾಯಿತು. 1960 ರ ದಶಕದ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ "COS-MOS" ಟ್ರೇಡ್ಮಾರ್ಕ್ನೊಂದಿಗೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿತು, ಇತರ ತಯಾರಕರು ಮತ್ತೊಂದು ಹೆಸರನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುವಂತೆ ಮಾಡಿತು, ಇದು 1970 ರ ದಶಕದ ಆರಂಭದ ವೇಳೆಗೆ "CMOS" ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಹೆಸರಾಯಿತು. ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ 1980ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಂತ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಏಕೀಕರಣ (ವಿಎಲ್ಎಸ್ಐ) ಚಿಪ್ಗಳಿಗಾಗಿ ಪ್ರಬಲ ಎಂಒಎಸ್ಎಫ್ಇಟಿ ತಯಾರಿಕೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿ ಎನ್ಎಂಒಎಸ್ ತರ್ಕವನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿತು, ಇದು ಹಿಂದಿನ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್-ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ತರ್ಕ (ಟಿಟಿಎಲ್) ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಸಹ ಬದಲಾಯಿಸಿತು. ಅಂದಿನಿಂದ CMOS, VLSI ಚಿಪ್ಗಳಲ್ಲಿನ MOSFET ಅರೆವಾಹಕ ಸಾಧನಗಳಿಗೆ ಪ್ರಮಾಣಿತ ತಯಾರಿಕೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿ ಉಳಿದಿದೆ. ಬಹುತೇಕ ಡಿಜಿಟಲ್, ಅನಲಾಗ್ ಮತ್ತು ಮಿಶ್ರ-ಸಿಗ್ನಲ್ ಐಸಿಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ಶೇಕಡಾ 99ರಷ್ಟು ಐಸಿ ಚಿಪ್ಗಳನ್ನು ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಸಾಧನಗಳ ಎರಡು ಪ್ರಮುಖ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೆಂದರೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಬ್ದ ನಿರೋಧಕ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ಸ್ಥಿರ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ. MOSFET ಜೋಡಿಯ ಒಂದು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಯಾವಾಗಲೂ ಆಫ್ ಆಗಿರುವುದರಿಂದ, ಸರಣಿ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಆನ್ ಮತ್ತು ಆಫ್ ಸ್ಥಿತಿಗಳ ನಡುವೆ ಬದಲಾಯಿಸುವಾಗ ಕ್ಷಣಿಕವಾಗಿ ಮಾತ್ರ ಗಮನಾರ್ಹ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಸೆಳೆಯುತ್ತದೆ. ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಸಾಧನಗಳು ಎನ್ಎಮ್ಓಎಸ್ ಲಾಜಿಕ್ ಅಥವಾ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್-ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಲಾಜಿಕ್ (ಟಿಟಿಎಲ್) ನಂತಹ ಇತರ ರೀತಿಯ ತರ್ಕಗಳಂತೆ ಹೆಚ್ಚು ತ್ಯಾಜ್ಯ ಶಾಖವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಅವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸದಿದ್ದರೂ ಸಹ ಕೆಲವು ಸ್ಥಾಯಿ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ಈ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು ಚಿಪ್ನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ತರ್ಕ ಕಾರ್ಯಗಳನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸಲು CMOSಗೆ ಅವಕಾಶ ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತವೆ. ಈ ಕಾರಣಕ್ಕಾಗಿಯೇ ವಿಎಲ್ಎಸ್ಐ ಚಿಪ್ಗಳಲ್ಲಿ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಅತ್ಯಂತ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಯಿತು. "ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್" ಎಂಬ ಪದಗುಚ್ಛವು ಎಮ್ಓಎಸ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಭೌತಿಕ ರಚನೆಯನ್ನು ಉಲ್ಲೇಖಿಸುತ್ತದೆ, ಆಕ್ಸೈಡ್ ಅವಾಹಕದ ಮೇಲೆ ಲೋಹದ ಗೇಟ್ ವಿದ್ಯುದ್ವಾರವನ್ನು ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲೆ ಇರುತ್ತದೆ. ಹಿಂದೆ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು, ಆದರೆ ಈಗ ಅದು ಪಾಲಿಸಿಲಿಕನ್ ಆಗಿದೆ. 45 ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ನೋಡ್ ಮತ್ತು ಸಣ್ಣ ಗಾತ್ರಗಳಿಗಾಗಿ ಐಬಿಎಂ ಮತ್ತು ಇಂಟೆಲ್ ಘೋಷಿಸಿದಂತೆ, ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಹೈ-ಕೆ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳ ಆಗಮನದೊಂದಿಗೆ ಇತರ ಲೋಹದ ಗೇಟುಗಳು ಪುನರಾಗಮನವನ್ನು ಮಾಡಿವೆ. ಪೂರಕ ಸಮ್ಮಿತಿಯ ತತ್ವವನ್ನು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1953 ರಲ್ಲಿ ಜಾರ್ಜ್ ಸಿಕ್ಲಿ ಅವರು ಪರಿಚಯಿಸಿದರು, ನಂತರ ಅವರು ಹಲವಾರು ಪೂರಕ ದ್ವಿಧ್ರುವಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಚರ್ಚಿಸಿದರು. ಆರ್ಸಿಎಯಲ್ಲಿದ್ದ ಪಾಲ್ ವೀಮರ್, 1962ರಲ್ಲಿ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ನ ನಿಕಟ ಸಂಬಂಧಿಯಾದ ಥಿನ್-ಫಿಲ್ಮ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (ಟಿಎಫ್ಟಿ) ಪೂರಕ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ಅವರು ಪೂರಕ ಫ್ಲಿಪ್-ಫ್ಲಾಪ್ ಮತ್ತು ಇನ್ವರ್ಟರ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು, ಆದರೆ ಹೆಚ್ಚು ಸಂಕೀರ್ಣವಾದ ಪೂರಕ ತರ್ಕದಲ್ಲಿ ಯಾವುದೇ ಕೆಲಸ ಮಾಡಲಿಲ್ಲ. ಪಿ-ಚಾನೆಲ್ ಮತ್ತು ಎನ್-ಚಾನೆಲ್ ಟಿಎಫ್ಟಿಗಳನ್ನು ಒಂದೇ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ಹಾಕಲು ಸಾಧ್ಯವಾದ ಮೊದಲ ವ್ಯಕ್ತಿ ಅವರು. ಮೂರು ವರ್ಷಗಳ ಹಿಂದೆ, ಜಾನ್ ಟಿ. ವಾಲ್ಮಾರ್ಕ್ ಮತ್ತು ಸ್ಯಾನ್ಫೋರ್ಡ್ ಎಮ್. ಮಾರ್ಕಸ್ ಅವರು ಪೂರಕ ಮೆಮೊರಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ಜೆಎಫ್ಇಟಿಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಮಗ್ರ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಾಗಿ ಅಳವಡಿಸಲಾದ ವಿವಿಧ ಸಂಕೀರ್ಣ ತರ್ಕ ಕಾರ್ಯಗಳನ್ನು ಪ್ರಕಟಿಸಿದರು. ಫ್ರಾಂಕ್ ವಾನ್ಲಾಸ್ ಅವರು ಆರ್ಸಿಎಯಲ್ಲಿ ವೀಮರ್ ಮಾಡಿದ ಕೆಲಸದ ಬಗ್ಗೆ ಪರಿಚಿತರಾಗಿದ್ದರು. MOSFET (ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್, ಅಥವಾ MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್) ಅನ್ನು 1959 ರಲ್ಲಿ ಬೆಲ್ ಲ್ಯಾಬ್ಸ್ನಲ್ಲಿ ಮೊಹಮ್ಮದ್ ಎಮ್. ಅಟಲ್ಲಾ ಮತ್ತು ಡಾವಾನ್ ಕಹಂಗ್ ಅವರು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ಮೂಲತಃ ಎರಡು ರೀತಿಯ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ತಯಾರಿಕಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಿದ್ದವು, ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. (ಪಿ-ಟೈಪ್ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್.) ಮತ್ತು ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. (ಎನ್-ಟೈಪ್ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್.). ಅಟಲ್ಲಾ ಮತ್ತು ಕಹಂಗ್ ಅವರು ಮೂಲತಃ MOSFET ಅನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದಾಗ ಎರಡೂ ವಿಧಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು, 1960 ರಲ್ಲಿ 20 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಮತ್ತು ನಂತರ 10 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಗೇಟ್ ಉದ್ದದೊಂದಿಗೆ PMOS ಮತ್ತು NMOS ಸಾಧನಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಿದರು. MOSFET ಅನ್ನು ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಪರವಾಗಿ ಬೆಲ್ ಲ್ಯಾಬ್ಸ್ ಕಡೆಗಣಿಸಿತು ಮತ್ತು ನಿರ್ಲಕ್ಷಿಸಿತು, MOSFET ಆವಿಷ್ಕಾರವು ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ನಲ್ಲಿ ಗಮನಾರ್ಹ ಆಸಕ್ತಿಯನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡಿತು. ಅಟಲ್ಲಾನ ಕೃತಿಯ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ, ಚಿಹ್-ಟಾಂಗ್ ಸಾಹನು 1960ರ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಿದ ತನ್ನ MOS-ನಿಯಂತ್ರಿತ ಕ್ಷೇತ್ರ-ಪರಿಣಾಮದ ಟೆಟ್ರೋಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ಗೆ MOS ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿದನು. ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಮತ್ತು ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳೆರಡನ್ನೂ ಒಟ್ಟುಗೂಡಿಸಿ ಪೂರಕ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. (ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್.) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುವ ಹೊಸ ರೀತಿಯ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ತರ್ಕವನ್ನು ಫೇರ್ಚೈಲ್ಡ್ನಲ್ಲಿ ಚಿಹ್-ಟಾಂಗ್ ಸಾಹ ಮತ್ತು ಫ್ರಾಂಕ್ ವಾನ್ಲಾಸ್ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು. 1963ರ ಫೆಬ್ರವರಿಯಲ್ಲಿ ಅವರು ಈ ಆವಿಷ್ಕಾರವನ್ನು ಸಂಶೋಧನಾ ಪ್ರಬಂಧವೊಂದರಲ್ಲಿ ಪ್ರಕಟಿಸಿದರು. ವಾನ್ಲಾಸ್ ಸಲ್ಲಿಸಿದ ಸಂಶೋಧನಾ ಪ್ರಬಂಧ ಮತ್ತು ಪೇಟೆಂಟ್ ಎರಡರಲ್ಲೂ, ಡ್ರೈನ್ ಸಂಪರ್ಕ ಮತ್ತು ಮೂಲ ಸಂಪರ್ಕದ ನಡುವೆ ಇರುವ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ನ ಪದರವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಸಿಲಿಕಾನ್ ತಲಾಧಾರದ ಉಷ್ಣ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದ ಆಧಾರದ ಮೇಲೆ CMOS ಸಾಧನಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯನ್ನು ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ. 1960ರ ದಶಕದ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ ಆರ್. ಸಿ. ಎ. ಯು ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಅನ್ನು ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿತು. ಆರ್ಸಿಎ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳ (ಐಸಿಗಳು) ವಿನ್ಯಾಸಕ್ಕಾಗಿ ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ಅನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಂಡಿತು, 1965ರಲ್ಲಿ ಏರ್ ಫೋರ್ಸ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಾಗಿ ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿತು ಮತ್ತು ನಂತರ 1968ರಲ್ಲಿ 288-ಬಿಟ್ ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿತು. ಆರ್ಸಿಎ 1968ರಲ್ಲಿ ತನ್ನ 4000-ಸರಣಿಯ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಗಾಗಿ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಅನ್ನು ಸಹ ಬಳಸಿತು, ಇದು ಮುಂದಿನ ಹಲವಾರು ವರ್ಷಗಳಲ್ಲಿ ಕ್ರಮೇಣ 10 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ಸ್ಕೇಲಿಂಗ್ ಮಾಡುವ ಮೊದಲು 20 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಪ್ರಾರಂಭವಾಯಿತು. ಆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಶಕ್ತಿಯುತವಾಗಿದ್ದ ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಪರವಾಗಿ ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಅಮೆರಿಕದ ಅರೆವಾಹಕ ಉದ್ಯಮವು ಕಡೆಗಣಿಸಿತ್ತು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯಿಂದಾಗಿ ಜಪಾನಿನ ಅರೆವಾಹಕ ತಯಾರಕರು ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಅನ್ನು ತ್ವರಿತವಾಗಿ ಅಳವಡಿಸಿಕೊಂಡರು ಮತ್ತು ಮತ್ತಷ್ಟು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು, ಇದು ಜಪಾನಿನ ಅರೆವಾಹಕ ಉದ್ಯಮದ ಉದಯಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. ತೋಷಿಬಾ 1969 ರಲ್ಲಿ ಸಿ 2 ಎಂಓಎಸ್ (ಕ್ಲಾಕ್ಡ್ ಸಿಎಂಓಎಸ್) ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿತು, ಇದು ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ ಮತ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯ ಸಿಎಂಓಎಸ್ಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವ ವೇಗವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವಾಗಿದೆ. 1971 ರಲ್ಲಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದ ಮತ್ತು 1972 ರಲ್ಲಿ ಬಿಡುಗಡೆಯಾದ ಶಾರ್ಪ್ನ ಎಲ್ಸಿ ಮಿನಿ ಎಲ್ಇಡಿ ಪಾಕೆಟ್ ಕ್ಯಾಲ್ಕುಲೇಟರ್ಗಾಗಿ ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಏಕೀಕರಣ (ಎಲ್ಎಸ್ಐ) ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ತೋಷಿಬಾ ತನ್ನ ಸಿ 2 ಎಂಓಎಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡಿತು. ಸುವಾ ಸೀಕೋಶಾ (ಈಗ ಸೀಕೋ ಎಪ್ಸನ್) 1969 ರಲ್ಲಿ ಸೀಕೋ ಕ್ವಾರ್ಟ್ಜ್ ಗಡಿಯಾರಕ್ಕಾಗಿ CMOS IC ಚಿಪ್ ಅನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿತು ಮತ್ತು 1971 ರಲ್ಲಿ ಸೀಕೋ ಅನಲಾಗ್ ಕ್ವಾರ್ಟ್ಜ್ 38SQW ಗಡಿಯಾರವನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸುವುದರೊಂದಿಗೆ ಸಾಮೂಹಿಕ ಉತ್ಪಾದನೆಯನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿತು. ಮೊದಲ ಸಾಮೂಹಿಕ-ನಿರ್ಮಿತ CMOS ಗ್ರಾಹಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಉತ್ಪನ್ನವೆಂದರೆ ಹ್ಯಾಮಿಲ್ಟನ್ ಪಲ್ಸರ್ "ಮಣಿಕಟ್ಟು ಕಂಪ್ಯೂಟರ್" ಡಿಜಿಟಲ್ ವಾಚ್, ಇದು 1970ರಲ್ಲಿ ಬಿಡುಗಡೆಯಾಯಿತು. ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯಿಂದಾಗಿ, 1970ರ ದಶಕದಿಂದಲೂ ಕ್ಯಾಲ್ಕುಲೇಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಕೈಗಡಿಯಾರಗಳಿಗೆ CMOS ತರ್ಕವನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ. 1970ರ ದಶಕದ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳು ಆರಂಭಿಕ ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್ ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಪ್ರಾಬಲ್ಯ ಹೊಂದಿದ್ದವು. 1970ರ ದಶಕದ ಅಂತ್ಯದ ವೇಳೆಗೆ, ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳು ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿದವು. ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳನ್ನು 1975ರಲ್ಲಿ ಇಂಟರ್ಸಿಲ್ 6100 ಮತ್ತು ಆರ್ಸಿಎ ಸಿಡಿಪಿ 1801ಗಳೊಂದಿಗೆ ಪರಿಚಯಿಸಲಾಯಿತು. ಆದಾಗ್ಯೂ, CMOS ಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳು 1980ರ ದಶಕದವರೆಗೆ ಪ್ರಾಬಲ್ಯ ಹೊಂದಿರಲಿಲ್ಲ. CMOS ಆರಂಭದಲ್ಲಿ NMOS ತರ್ಕಕ್ಕಿಂತ ನಿಧಾನವಾಗಿತ್ತು, ಹೀಗಾಗಿ 1970 ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳಿಗೆ NMOS ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಯಿತು. ಇಂಟೆಲ್ 5101 (1ಕೆಬಿ ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ) ಸಿಎಂಓಎಸ್ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ (1974) 800ಎನ್ಎಸ್ನ ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ಆ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಂತ ವೇಗದ ಎನ್ಎಂಓಎಸ್ ಚಿಪ್, ಇಂಟೆಲ್ 2147 (4ಕೆಬಿ ಎಸ್ಆರ್ಎಎಂ) ಎಚ್ಎಂಓಎಸ್ ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ (1976), 55/70 ಎನ್ಎಸ್ನ ಪ್ರವೇಶ ಸಮಯವನ್ನು ಹೊಂದಿತ್ತು. 1978ರಲ್ಲಿ, ತೋಶಿಯಾಕಿ ಮಸುಹರಾ ನೇತೃತ್ವದ ಹಿಟಾಚಿ ಸಂಶೋಧನಾ ತಂಡವು ಅವಳಿ-ಬಾವಿ ಹೈ-CMOS ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿತು, ಅದರ HM6147 (4kb SRAM) ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್ ಅನ್ನು 3 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯೊಂದಿಗೆ ತಯಾರಿಸಲಾಯಿತು. ಹಿಟಾಚಿ HM6147 ಚಿಪ್ ಇಂಟೆಲ್ 2147 HMOS ಚಿಪ್ನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಗೆ (55/70 NS ಪ್ರವೇಶ) ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗಲು ಸಾಧ್ಯವಾಯಿತು, ಆದರೆ HM6147 ಸಹ 2147 (110mA) ಗಿಂತ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು (15mA) ಬಳಸಿತು. ಹೋಲಿಸಬಹುದಾದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯೊಂದಿಗೆ, ಅವಳಿ-ಬಾವಿ CMOS ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಅಂತಿಮವಾಗಿ 1980 ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳಿಗೆ ಅತ್ಯಂತ ಸಾಮಾನ್ಯ ಅರೆವಾಹಕ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿ NMOS ಅನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿತು. 1980ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ, CMOS ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳು NMOS ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳನ್ನು ಹಿಂದಿಕ್ಕಿದವು. 1989ರಲ್ಲಿ ಗುರುಗ್ರಹದ ಕಕ್ಷೆಗೆ ಕಳುಹಿಸಲಾದ ನಾಸಾದ ಗೆಲಿಲಿಯೋ ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶ ನೌಕೆಯು ಕಡಿಮೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯಿಂದಾಗಿ ಆರ್ಸಿಎ 1802 ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ ಮೈಕ್ರೊಪ್ರೊಸೆಸರ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿತು. ಇಂಟೆಲ್ 1983ರಲ್ಲಿ CMOS ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಾಧನ ತಯಾರಿಕೆಗಾಗಿ 1.5 ಮೈಕ್ರೋಮೀಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿತು. 1980ರ ದಶಕದ ಮಧ್ಯಭಾಗದಲ್ಲಿ, ಐಬಿಎಂನ ಬಿಜನ್ ದವಾರಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ, ಕಡಿಮೆ-ವೋಲ್ಟೇಜ್, ಆಳವಾದ ಉಪ-ಮೈಕ್ರಾನ್ ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು, ಇದು ವೇಗದ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಪೋರ್ಟಬಲ್ ಕಂಪ್ಯೂಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಬ್ಯಾಟರಿ ಚಾಲಿತ ಹ್ಯಾಂಡ್ಹೆಲ್ಡ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಟ್ಟಿತು. 1988ರಲ್ಲಿ, ದಾವರಿ ಅವರು ಐಬಿಎಂ ತಂಡವನ್ನು ಮುನ್ನಡೆಸಿದರು, ಅದು ಉನ್ನತ-ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ 250 ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿತು. ಫುಜಿಟ್ಸು 1987 ರಲ್ಲಿ 700nm CMOS ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿತು, ಮತ್ತು ನಂತರ ಹಿಟಾಚಿ, ಮಿತ್ಸುಬಿಷಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್, ಎನ್ಇಸಿ ಮತ್ತು ತೋಷಿಬಾ 1989 ರಲ್ಲಿ 500nm CMOS ಅನ್ನು ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿದವು. 1993ರಲ್ಲಿ, ಸೋನಿ 350nm CMOS ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿದರೆ, ಹಿಟಾಚಿ ಮತ್ತು NEC 250nm CMOS ಅನ್ನು ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿದವು. ಹಿಟಾಚಿ 1995 ರಲ್ಲಿ 160nm CMOS ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿತು, ನಂತರ ಮಿತ್ಸುಬಿಷಿ 1996 ರಲ್ಲಿ 150nm CMOS ಅನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿತು, ಮತ್ತು ನಂತರ ಸ್ಯಾಮ್ಸಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ 1999 ರಲ್ಲಿ 140nm ಅನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಿತು. 2000 ರಲ್ಲಿ, ಮೈಕ್ರಾನ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿಯಲ್ಲಿ ಗುರ್ತೇಜ್ ಸಿಂಗ್ ಸಂಧು ಮತ್ತು ಟ್ರುಂಗ್ ಟಿ. ಡೊನ್ ಪರಮಾಣು ಪದರದ ಶೇಖರಣೆ ಹೈ-ಕೆ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು, ಇದು ವೆಚ್ಚ-ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ 90 ಎನ್ಎಂ ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. ತೋಷಿಬಾ ಮತ್ತು ಸೋನಿ 2002ರಲ್ಲಿ 65 ಎನ್ಎಂ ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದವು, ಮತ್ತು ನಂತರ ಟಿಎಸ್ಎಂಸಿ 2004ರಲ್ಲಿ 45 ಎನ್ಎಂ ಸಿಎಮ್ಒಎಸ್ ತರ್ಕದ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯನ್ನು ಪ್ರಾರಂಭಿಸಿತು. ಮೈಕ್ರಾನ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿಯಲ್ಲಿ ಗುರ್ತೇಜ್ ಸಿಂಗ್ ಸಂಧು ಅವರು ಪಿಚ್ ಡಬಲ್ ಪ್ಯಾಟರ್ನಿಂಗ್ನ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯು 2000 ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ 30nm ವರ್ಗದ CMOS ಅಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಧುನಿಕ ಎಲ್ಎಸ್ಐ ಮತ್ತು ವಿಎಲ್ಎಸ್ಐ ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. 2010ರಂತೆ, ಪ್ರತಿ ವರ್ಷ ಪ್ರತಿ ವ್ಯಾಟ್ಗೆ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸಿ. ಪಿ. ಯುಗಳು 1976ರಿಂದ ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಸ್ಥಿರ ತರ್ಕವಾಗಿವೆ. 2019 ರ ಹೊತ್ತಿಗೆ, ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ CMOS ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಇನ್ನೂ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಸಾಧನ ತಯಾರಿಕೆಯ ಅತ್ಯಂತ ಸಾಮಾನ್ಯ ರೂಪವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಕ್ರಮೇಣ ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಅಲ್ಲದ FinFET ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಿಂದ ಬದಲಾಯಿಸಲಾಗುತ್ತಿದೆ, ಇದು 20nm ಗಿಂತ ಚಿಕ್ಕದಾದ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ನೋಡ್ಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ತಾಂತ್ರಿಕ ವಿವರಗಳು "CMOS" ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಶೈಲಿಯ ಡಿಜಿಟಲ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿ ವಿನ್ಯಾಸ ಮತ್ತು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಲ್ಲಿ (ಚಿಪ್ಸ್) ಆ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿ ಅನ್ನು ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸಲು ಬಳಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳ ಕುಟುಂಬ ಎರಡನ್ನೂ ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ರತಿರೋಧಕ ಹೊರೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ತರ್ಕ ಕುಟುಂಬಗಳಿಗಿಂತ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ರಿಯು ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊರಹಾಕುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಯೋಜನವು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುವುದರಿಂದ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರಾಮುಖ್ಯತೆಯನ್ನು ಪಡೆದುಕೊಂಡಿರುವುದರಿಂದ, ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳು ಮತ್ತು ರೂಪಾಂತರಗಳು ಪ್ರಾಬಲ್ಯ ಸಾಧಿಸಿವೆ, ಹೀಗಾಗಿ ಬಹುಪಾಲು ಆಧುನಿಕ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಉತ್ಪಾದನೆಯು ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿದೆ. CMOS ತರ್ಕವು NMOS ತರ್ಕದ ಶಕ್ತಿಯ ಸುಮಾರು ಏಳನೇ ಒಂದು ಭಾಗವನ್ನು ಮತ್ತು ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್-ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ತರ್ಕದ (TTL) ಶಕ್ತಿಯ ಸುಮಾರು 0.00001% ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ. ಲಾಜಿಕ್ ಗೇಟ್ಗಳು ಮತ್ತು ಇತರ ಡಿಜಿಟಲ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸಲು CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು p-ಟೈಪ್ ಮತ್ತು n-ಟೈಪ್ ಮೆಟಲ್-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಫೀಲ್ಡ್-ಎಫೆಕ್ಟ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ (MOSFETಗಳು) ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ. CMOS ತರ್ಕವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶನಗಳಿಗಾಗಿ ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಸಾಧನಗಳೊಂದಿಗೆ ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸಬಹುದಾದರೂ, ವಾಣಿಜ್ಯ CMOS ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಎರಡೂ ರೀತಿಯ ಶತಕೋಟಿಗಳವರೆಗೆ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳಿಂದ ಕೂಡಿದ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಾಗಿವೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 10 ಮತ್ತು 400 ಮಿಮೀ2 ನಡುವಿನ ಆಯತಾಕಾರದ ಸಿಲಿಕಾನ್ ತುಂಡುಗಳ ಮೇಲೆ. CMOS ಯಾವಾಗಲೂ ಎಲ್ಲಾ ವರ್ಧನೆ-ವಿಧಾನದ MOSFETಗಳನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ (ಬೇರೆ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ಶೂನ್ಯ ಗೇಟ್-ಟು-ಸೋರ್ಸ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಅನ್ನು ಆಫ್ ಮಾಡುತ್ತದೆ). ವಿಲೋಮ CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಎಲ್ಲಾ P-ರೀತಿಯ ಲೋಹ-ಆಕ್ಸೈಡ್-ಅರೆವಾಹಕ (PMOS) ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲದಿಂದ ಅಥವಾ ಇನ್ನೊಂದು PMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನಿಂದ ಇನ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕಾದ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅಂತೆಯೇ, ಎಲ್ಲಾ ಎನ್ಎಂಓಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ನೆಲದಿಂದ ಅಥವಾ ಇನ್ನೊಂದು ಎನ್ಎಂಓಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನಿಂದ ಇನ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು. ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಕಡಿಮೆ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ ಅದರ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಸಂಪರ್ಕಗಳ ನಡುವೆ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ. ಮತ್ತೊಂದೆಡೆ, ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಸಂಯೋಜನೆಯು ಕಡಿಮೆ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ ಮೂಲ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ನಡುವೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದಾಗ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ. ಪ್ರತಿ ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ಯನ್ನು ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ಯೊಂದಿಗೆ ಪೂರಕಗೊಳಿಸುವ ಮೂಲಕ ಮತ್ತು ಎರಡೂ ದ್ವಾರಗಳನ್ನು ಮತ್ತು ಎರಡೂ ಚರಂಡಿಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸುವ ಮೂಲಕ ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಪ್ರಸ್ತುತ ಕಡಿತವನ್ನು ಸಾಧಿಸುತ್ತದೆ. ಗೇಟ್ಗಳ ಮೇಲಿನ ಹೆಚ್ಚಿನ ವೋಲ್ಟೇಜ್ nMOSFET ಅನ್ನು ನಡೆಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು pMOSFET ಅನ್ನು ನಡೆಸುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಗೇಟ್ಗಳ ಮೇಲಿನ ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹಿಮ್ಮುಖಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯು ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆ ಮತ್ತು ಶಾಖ ಉತ್ಪಾದನೆಯನ್ನು ಬಹಳವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಮತ್ತು ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಎಫ್. ಇ. ಟಿ. ಗಳು ಎರಡೂ ಒಂದು ಸ್ಥಿತಿಯಿಂದ ಇನ್ನೊಂದು ಸ್ಥಿತಿಗೆ ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಪರಿವರ್ತನೆಯಾಗಿ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ನಡೆಯುತ್ತವೆ. ಇದು ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿ ಅಲ್ಪಾವಧಿಯ ಹೆಚ್ಚಳವನ್ನು ಪ್ರೇರೇಪಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನಗಳಲ್ಲಿ ಗಂಭೀರ ಸಮಸ್ಯೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಇನ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಪಿಎಂಓಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (ರೇಖಾಚಿತ್ರದ ಮೇಲ್ಭಾಗ) ಮತ್ತು ಎನ್ಎಂಓಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ (ರೇಖಾಚಿತ್ರದ ಕೆಳಭಾಗ) ಎರಡಕ್ಕೂ ಸಂಪರ್ಕಿಸಿದಾಗ ಏನಾಗುತ್ತದೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಪಕ್ಕದ ಚಿತ್ರವು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ವಿ. ಡಿ. ಡಿ. ಯು ವಿದ್ಯುತ್ ಸರಬರಾಜಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕ ಹೊಂದಿದ ಕೆಲವು ಧನಾತ್ಮಕ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಆಗಿದೆ ಮತ್ತು ವಿ. ಎಸ್. ಎಸ್ ಗ್ರೌಂಡ್ ಆಗಿದೆ. ಎ ಇನ್ಪುಟ್ ಮತ್ತು ಕ್ಯೂ ಔಟ್ಪುಟ್ ಆಗಿದೆ. ಎ ಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ (ಅಂದರೆ. ವಿ. ಎಸ್. ಎಸ್. ಗೆ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿ), ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಚಾನೆಲ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿದೆ, ಇದು ವಿ. ಎಸ್. ಎಸ್. ಅನ್ನು ಕ್ಯೂ ನಿಂದ ಸಂಪರ್ಕ ಕಡಿತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ನ ಚಾನಲ್ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿದೆ, ಇದು ವಿ. ಡಿ. ಡಿ. ಯನ್ನು ಕ್ಯೂ. ಕ್ಯೂ. ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ, ವಿ. ಡಿ. ಡಿ. ಅನ್ನು ನೋಂದಾಯಿಸುತ್ತದೆ. ಮತ್ತೊಂದೆಡೆ, ಎ ಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ (ಅಂದರೆ. ವಿ. ಡಿ. ಡಿ. ಗೆ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿ), ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿದೆ, ಇದು ವಿ. ಡಿ. ಡಿ. ಯನ್ನು ಕ್ಯೂ ನಿಂದ ಸಂಪರ್ಕ ಕಡಿತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿದೆ, ಇದು ವಿ. ಎಸ್. ಎಸ್ ಅನ್ನು ಕ್ಯೂಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸುತ್ತದೆ. ಈಗ, Q, Vss ಅನ್ನು ನೋಂದಾಯಿಸುತ್ತದೆ. ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಮತ್ತು ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಔಟ್ಪುಟ್ಗಳು ಪೂರಕವಾಗಿದ್ದು, ಇನ್ಪುಟ್ ಕಡಿಮೆಯಾದಾಗ ಔಟ್ಪುಟ್ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇನ್ಪುಟ್ ಹೆಚ್ಚಾದಾಗ ಔಟ್ಪುಟ್ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಇನ್ಪುಟ್ ಏನೇ ಇರಲಿ, ಔಟ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಎಂದಿಗೂ ತೇಲುವಂತೆ ಬಿಡಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ (ತಂತಿ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಡ್ರೈನ್/ಗ್ರೌಂಡ್ನ ಕೊರತೆಯಿಂದಾಗಿ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಎಂದಿಗೂ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ). ಇನ್ಪುಟ್ ಮತ್ತು ಔಟ್ಪುಟ್ನ ಈ ನಡವಳಿಕೆಯಿಂದಾಗಿ, CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಔಟ್ಪುಟ್ ಇನ್ಪುಟ್ನ ವಿಲೋಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಪ್ರತಿರೋಧಗಳು ಎಂದಿಗೂ ನಿಖರವಾಗಿ ಶೂನ್ಯ ಅಥವಾ ಅನಂತಕ್ಕೆ ಸಮನಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ, ಆದ್ದರಿಂದ ಕ್ಯೂ ಎಂದಿಗೂ ನಿಖರವಾಗಿ ವಿಎಸ್ಎಸ್ ಅಥವಾ ವಿಡಿಎಚ್ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಕ್ಯೂ ಯಾವಾಗಲೂ ಎ, ವಿಡಿಎಚ್ಗಿಂತ (ಅಥವಾ ಎ, ವಿಎಸ್ಎಚ್ಗೆ ಹತ್ತಿರದಲ್ಲಿದ್ದರೆ) ವಿಎಸ್ಎಸ್ಗೆ ಹತ್ತಿರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಈ ವರ್ಧನೆಯಿಲ್ಲದೆ, ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಒಟ್ಟಿಗೆ ಚೈನ್ ಮಾಡಬಹುದಾದ ಲಾಜಿಕ್ ಗೇಟ್ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಗೆ ಬಹಳ ಕಡಿಮೆ ಮಿತಿ ಇರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಶತಕೋಟಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳೊಂದಿಗೆ CMOS ತರ್ಕವು ಅಸಾಧ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ನ ವಿದ್ಯುತ್ ಪೂರೈಕೆ ಪಿನ್ಗಳನ್ನು ತಯಾರಕರನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ ವಿಡಿಡಿ ಮತ್ತು ವಿಎಸ್ಎಸ್ ಅಥವಾ ವಿಸಿಸಿ ಮತ್ತು ಗ್ರೌಂಡ್ (ಜಿಎನ್ಡಿ) ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ವಿ. ಡಿ. ಡಿ. ಮತ್ತು ವಿ. ಎಸ್. ಎಸ್. ಗಳು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಂದ ಸಾಗಿಸಲ್ಪಡುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಡ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಮೂಲ ಸರಬರಾಜುಗಳನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತವೆ. ಇವೆರಡೂ ನೇರವಾಗಿ ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಗೆ ಅನ್ವಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ, ಏಕೆಂದರೆ ಎರಡೂ ಸರಬರಾಜುಗಳು ನಿಜವಾಗಿಯೂ ಮೂಲ ಪೂರೈಕೆಗಳಾಗಿವೆ. ವಿಸಿಸಿ ಮತ್ತು ಗ್ರೌಂಡ್ ಟಿಟಿಎಲ್ ತರ್ಕದಿಂದ ಕ್ಯಾರಿಓವರ್ಗಳಾಗಿವೆ ಮತ್ತು ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ನ 54ಸಿ/74ಸಿ ಸಾಲಿನ ಪರಿಚಯದೊಂದಿಗೆ ಆ ನಾಮಕರಣವನ್ನು ಉಳಿಸಿಕೊಳ್ಳಲಾಗಿದೆ. ಡ್ಯುಯಾಲಿಟಿ CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನ ಒಂದು ಪ್ರಮುಖ ಲಕ್ಷಣವೆಂದರೆ ಅದರ PMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು NMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ನಡುವೆ ಇರುವ ಡ್ಯುಯಾಲಿಟಿ. ಔಟ್ಪುಟ್ನಿಂದ ವಿದ್ಯುತ್ ಮೂಲ ಅಥವಾ ನೆಲಕ್ಕೆ ಯಾವಾಗಲೂ ಇರುವ ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಅನುಮತಿಸಲು CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ರಚಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇದನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು, ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲಕ್ಕೆ ಹೋಗುವ ಎಲ್ಲಾ ಮಾರ್ಗಗಳ ಸಮೂಹವು ನೆಲಕ್ಕೆ ಹೋಗುವ ಎಲ್ಲಾ ಮಾರ್ಗಗಳ ಗುಂಪಿಗೆ ಪೂರಕವಾಗಿರಬೇಕು. ಒಂದನ್ನು ಇನ್ನೊಂದರ ಅಲ್ಲದ ಪರಿಭಾಷೆಯಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸುವ ಮೂಲಕ ಇದನ್ನು ಸುಲಭವಾಗಿ ಸಾಧಿಸಬಹುದು. ಡಿ ಮೋರ್ಗಾನ್ನ ನಿಯಮ ಆಧಾರಿತ ತರ್ಕದಿಂದಾಗಿ, ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಅನುಗುಣವಾದ ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ಸರಣಿಯಲ್ಲಿನ ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಅನುಗುಣವಾದ ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ. ತರ್ಕವು AND ಮತ್ತು OR ಗೇಟ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವಂತಹ ಹೆಚ್ಚು ಸಂಕೀರ್ಣವಾದ ತರ್ಕ ಕಾರ್ಯಗಳಿಗೆ ತರ್ಕವನ್ನು ಪ್ರತಿನಿಧಿಸಲು ಗೇಟ್ಗಳ ನಡುವಿನ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು ಕುಶಲತೆಯಿಂದ ನಿರ್ವಹಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಒಂದು ಮಾರ್ಗವು ಸರಣಿಯಲ್ಲಿ ಎರಡು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವಾಗ, ಎರಡೂ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಅನುಗುಣವಾದ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗೆ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು. ಒಂದು ಮಾರ್ಗವು ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಎರಡು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವಾಗ, ಒಂದು ಅಥವಾ ಎರಡೂ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಔಟ್ಪುಟ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲು ಕಡಿಮೆ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು, OR ಅನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ. ಬಲಭಾಗದಲ್ಲಿ CMOS ತರ್ಕದಲ್ಲಿ NAND ಗೇಟ್ನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ರೇಖಾಚಿತ್ರವನ್ನು ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಎ ಮತ್ತು ಬಿ ಎರಡೂ ಇನ್ಪುಟ್ಗಳು ಹೆಚ್ಚಿದ್ದರೆ, ಎರಡೂ ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು (ರೇಖಾಚಿತ್ರದ ಕೆಳಗಿನ ಅರ್ಧ) ನಡೆಸುತ್ತವೆ, ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು (ಮೇಲಿನ ಅರ್ಧ) ನಡೆಸುವುದಿಲ್ಲ, ಮತ್ತು ಔಟ್ಪುಟ್ ಮತ್ತು ವಿ. ಎಸ್. ಎಸ್ (ಗ್ರೌಂಡ್) ನಡುವೆ ವಾಹಕ ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಔಟ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಎ ಮತ್ತು ಬಿ ಎರಡೂ ಇನ್ಪುಟ್ಗಳು ಕಡಿಮೆಯಿದ್ದರೆ, ಎರಡೂ ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ನಡೆಸುವುದಿಲ್ಲ, ಆದರೆ ಎರಡೂ ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ನಡೆಸುತ್ತವೆ, ಔಟ್ಪುಟ್ ಮತ್ತು ವಿ. ಡಿ. ಡಿ (ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ) ನಡುವೆ ವಾಹಕ ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಿ, ಔಟ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತವೆ. ಎ ಅಥವಾ ಬಿ ಒಳಹರಿವು ಕಡಿಮೆಯಿದ್ದರೆ, ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ನಡೆಸುವುದಿಲ್ಲ, ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ನಡೆಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಔಟ್ಪುಟ್ ಮತ್ತು ವಿ. ಡಿ. ಡಿ (ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲ) ನಡುವೆ ವಾಹಕ ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಔಟ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ. ಎರಡು ಇನ್ಪುಟ್ಗಳ ಏಕೈಕ ಸಂರಚನೆಯು ಕಡಿಮೆ ಔಟ್ಪುಟ್ಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವುದು ಎರಡೂ ಅಧಿಕವಾಗಿದ್ದಾಗ, ಈ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ NAND (NOT AND) ಲಾಜಿಕ್ ಗೇಟ್ ಅನ್ನು ಕಾರ್ಯಗತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ತರ್ಕಕ್ಕಿಂತ ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ನ ಒಂದು ಪ್ರಯೋಜನವೆಂದರೆ, (ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್.) ಪುಲ್-ಅಪ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ತರ್ಕದಲ್ಲಿನ ಲೋಡ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ಗಳಿಗಿಂತ ಭಿನ್ನವಾಗಿ ಸ್ವಿಚ್ ಆನ್ ಮಾಡಿದಾಗ ಕಡಿಮೆ ಪ್ರತಿರೋಧವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ ಕಡಿಮೆ-ಹೆಚ್ಚಿನ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ-ಕಡಿಮೆ ಔಟ್ಪುಟ್ ಪರಿವರ್ತನೆಗಳು ಎರಡೂ ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಔಟ್ಪುಟ್ ಸಿಗ್ನಲ್ ಕಡಿಮೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಹಳಿಗಳ ನಡುವೆ ಪೂರ್ಣ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ತಿರುಗಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಬಲವಾದ, ಹೆಚ್ಚು ಸಮ್ಮಿತೀಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಅನ್ನು ಶಬ್ದಕ್ಕೆ ಹೆಚ್ಚು ನಿರೋಧಕವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ನಲ್ಲಿ ವಿಳಂಬವನ್ನು ಲೆಕ್ಕಾಚಾರ ಮಾಡುವ ವಿಧಾನಕ್ಕಾಗಿ ತಾರ್ಕಿಕ ಪ್ರಯತ್ನವನ್ನು ನೋಡಿ. ಉದಾಹರಣೆಃ ಭೌತಿಕ ವಿನ್ಯಾಸದಲ್ಲಿ NAND ಗೇಟ್ ಈ ಉದಾಹರಣೆಯು ಭೌತಿಕ ಪ್ರಾತಿನಿಧ್ಯವಾಗಿ ಚಿತ್ರಿಸಲಾದ NAND ತರ್ಕ ಸಾಧನವನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ಭೌತಿಕ ವಿನ್ಯಾಸದ ದೃಷ್ಟಿಕೋನವು ಪದರಗಳ ರಾಶಿಯ "ಪಕ್ಷಿಗಳ ಕಣ್ಣಿನ ನೋಟ" ವಾಗಿದೆ. ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಅನ್ನು ಪಿ-ರೀತಿಯ ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲೆ ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪಾಲಿಸಿಲಿಕಾನ್, ಪ್ರಸರಣ ಮತ್ತು ಎನ್-ಬಾವಿಗಳನ್ನು "ಬೇಸ್ ಲೇಯರ್ಗಳು" ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅವುಗಳನ್ನು ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಪಿ-ರೀತಿಯ ತಲಾಧಾರದ ಕಂದಕಗಳಲ್ಲಿ ಸೇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. (ಕೆಳಗಿನ ಬಲಭಾಗದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ರೇಖಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ 1 ರಿಂದ 6 ಹಂತಗಳನ್ನು ನೋಡಿ) ಸಂಪರ್ಕಗಳು ಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಮೂಲ ಪದರಗಳು ಮತ್ತು ಲೋಹದ ಮೊದಲ ಪದರದ (ಲೋಹ 1) ನಡುವಿನ ನಿರೋಧಕ ಪದರವನ್ನು ಭೇದಿಸುತ್ತವೆ. ಎನ್. ಎ. ಎನ್. ಡಿ. ಗೆ ಒಳಹರಿವುಗಳು (ಹಸಿರು ಬಣ್ಣದಲ್ಲಿ ಚಿತ್ರಿಸಲಾಗಿದೆ) ಪಾಲಿಸಿಲಿಕಾನ್ನಲ್ಲಿವೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು (ಸಾಧನಗಳು) ಪಾಲಿಸಿಲಿಕಾನ್ ಮತ್ತು ಪ್ರಸರಣದ ಛೇದನದಿಂದ ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತವೆ; ಎನ್ ಸಾಧನಕ್ಕೆ ಎನ್ ಪ್ರಸರಣ ಮತ್ತು ಪಿ ಸಾಧನಕ್ಕೆ ಪಿ ಪ್ರಸರಣ (ಕ್ರಮವಾಗಿ ಸಾಲ್ಮನ್ ಮತ್ತು ಹಳದಿ ಬಣ್ಣದಲ್ಲಿ ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ). ಔಟ್ಪುಟ್ ("ಔಟ್") ಅನ್ನು ಲೋಹದಲ್ಲಿ ಒಟ್ಟಿಗೆ ಜೋಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಸಯಾನ್ ಬಣ್ಣದಲ್ಲಿ ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ). ಲೋಹ ಮತ್ತು ಪಾಲಿಸಿಲಿಕಾನ್ ಅಥವಾ ಪ್ರಸರಣದ ನಡುವಿನ ಸಂಪರ್ಕಗಳನ್ನು ಸಂಪರ್ಕಗಳ ಮೂಲಕ ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ (ಕಪ್ಪು ಚೌಕಗಳಾಗಿ ಚಿತ್ರಿಸಲಾಗಿದೆ). ಭೌತಿಕ ವಿನ್ಯಾಸದ ಉದಾಹರಣೆಯು ಹಿಂದಿನ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ ನೀಡಲಾದ NAND ಲಾಜಿಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗೆ ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಎನ್ ಸಾಧನವನ್ನು ಪಿ-ರೀತಿಯ ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪಿ ಸಾಧನವನ್ನು ಎನ್-ರೀತಿಯ ಬಾವಿಯಲ್ಲಿ (ಎನ್-ಬಾವಿ) ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪಿ-ಟೈಪ್ ಸಬ್ಸ್ಟ್ರೇಟ್ "ಟ್ಯಾಪ್" ಅನ್ನು ವಿಎಸ್ಎಸ್ಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಲ್ಯಾಚ್ಅಪ್ ಅನ್ನು ತಡೆಯಲು ಎನ್-ಟೈಪ್ ಎನ್-ವೆಲ್ ಟ್ಯಾಪ್ ಅನ್ನು ವಿಡಿಡಿಗೆ ಸಂಪರ್ಕಿಸಲಾಗಿದೆ. ಪವರ್ಃ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಸೋರಿಕೆ CMOS ತರ್ಕವು NMOS ಲಾಜಿಕ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊರಹಾಕುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ CMOS ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಮಾಡುವಾಗ ಮಾತ್ರ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊರಹಾಕುತ್ತದೆ ("ಡೈನಾಮಿಕ್ ಪವರ್"). ಆಧುನಿಕ 90 ನ್ಯಾನೊಮೀಟರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ಎ. ಎಸ್. ಐ. ಸಿ. ಯಲ್ಲಿ, ಔಟ್ಪುಟ್ ಅನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಲು 120 ಪಿಕೋಸೆಕೆಂಡುಗಳು ಬೇಕಾಗಬಹುದು, ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ಹತ್ತು ನ್ಯಾನೊಸೆಕೆಂಡುಗಳಿಗೆ ಒಮ್ಮೆ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಆನ್ ಆಗಿರುವಾಗಲೆಲ್ಲಾ ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ತರ್ಕವು ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊರಹಾಕುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಲೋಡ್ ರೆಸಿಸ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಎನ್-ಟೈಪ್ ನೆಟ್ವರ್ಕ್ನ ಮೂಲಕ ವಿ. ಡಿ. ಡಿ ಯಿಂದ ವಿ. ಎಸ್. ಎಸ್ಗೆ ಕರೆಂಟ್ ಮಾರ್ಗವಿದೆ. ಸ್ಥಿರವಾದ ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಗೇಟುಗಳು ಬಹಳ ಶಕ್ತಿಯುತವಾಗಿರುತ್ತವೆ ಏಕೆಂದರೆ ಅವು ನಿಷ್ಕ್ರಿಯವಾಗಿದ್ದಾಗ ಸುಮಾರು ಶೂನ್ಯ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊರಹಾಕುತ್ತವೆ. ಈ ಹಿಂದೆ, ಚಿಪ್ಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸುವಾಗ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಸಾಧನಗಳ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯು ಪ್ರಮುಖ ಕಾಳಜಿಯಾಗಿರಲಿಲ್ಲ. ವೇಗ ಮತ್ತು ಪ್ರದೇಶದಂತಹ ಅಂಶಗಳು ವಿನ್ಯಾಸದ ನಿಯತಾಂಕಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರಾಬಲ್ಯ ಸಾಧಿಸಿದವು. ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಸಬ್-ಮೈಕ್ರಾನ್ ಮಟ್ಟಕ್ಕಿಂತ ಕೆಳಗಿಳಿದಂತೆ ಚಿಪ್ನ ಪ್ರತಿ ಯುನಿಟ್ ಪ್ರದೇಶದ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯು ಮಹತ್ತರವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ. ಸ್ಥೂಲವಾಗಿ ವರ್ಗೀಕರಿಸಿದರೆ, CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣವು ಸ್ಥಿರ ಮತ್ತು ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಎಂಬ ಎರಡು ಅಂಶಗಳಿಂದ ಉಂಟಾಗುತ್ತದೆಃ ಸ್ಥಿರ ಪ್ರಸರಣ ಎರಡೂ NMOS ಮತ್ತು PMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಗೇಟ್-ಸೋರ್ಸ್ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (Vth) ಅನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ, ಅದರ ಕೆಳಗೆ ಸಾಧನದ ಮೂಲಕ ಹರಿಯುವ ಪ್ರವಾಹವು (ಸಬ್ ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ಕರೆಂಟ್ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ) ಘಾತೀಯವಾಗಿ ಇಳಿಯುತ್ತದೆ. ಐತಿಹಾಸಿಕವಾಗಿ, ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ವಿನ್ಯಾಸಗಳು ಅವುಗಳ ಮಿತಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳಿಗಿಂತ ದೊಡ್ಡದಾದ ಪೂರೈಕೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ಗಳಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತಿದ್ದವು (ವಿಡಿಡಿ 5 ವಿ ಆಗಿರಬಹುದು, ಮತ್ತು ಎನ್ಎಂಓಎಸ್ ಮತ್ತು ಪಿಎಂಓಎಸ್ ಎರಡಕ್ಕೂ ವಿಥ್ 700 ಎಂವಿ ಆಗಿರಬಹುದು). ಕೆಲವು ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ವಿಶೇಷ ರೀತಿಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಸ್ಥಳೀಯ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಆಗಿದ್ದು, ಇದು ಶೂನ್ಯ ಮಿತಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. SiO2 ಒಂದು ಉತ್ತಮ ಅವಾಹಕವಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಬಹಳ ಕಡಿಮೆ ದಪ್ಪದ ಮಟ್ಟಗಳಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಅತ್ಯಂತ ತೆಳುವಾದ ನಿರೋಧಕತೆಯ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಸುರಂಗವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಬಲ್ಲವು; ಆಕ್ಸೈಡ್ ದಪ್ಪದೊಂದಿಗೆ ಸಂಭವನೀಯತೆಯು ಘಾತೀಯವಾಗಿ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. 20 Å ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕಿಂತ ತೆಳುವಾದ ಗೇಟ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ 130 ಎನ್ಎಂ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನಕ್ಕಿಂತ ಕೆಳಗಿರುವ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳಿಗೆ ಟನಲಿಂಗ್ ಕರೆಂಟ್ ಬಹಳ ಮುಖ್ಯವಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರಸರಣ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಮತ್ತು ಬಾವಿಗಳ ನಡುವೆ ಹಿಮ್ಮುಖ ಪಕ್ಷಪಾತದ ರಚನೆಯಿಂದಾಗಿ ಸಣ್ಣ ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರವಾಹಗಳು ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತವೆ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಪಿ-ರೀತಿಯ ಪ್ರಸರಣ ವರ್ಸಸ್ ಎನ್-ಬಾವಿ), ಬಾವಿಗಳು ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಎನ್-ಬಾವಿ ವರ್ಸಸ್ ಪಿ-ತಲಾಧಾರ). ಆಧುನಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಡಯೋಡ್ ಸೋರಿಕೆಯು ಉಪ ಮಿತಿ ಮತ್ತು ಟನ್ನೆಲಿಂಗ್ ಪ್ರವಾಹಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ವಿದ್ಯುತ್ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಇವುಗಳನ್ನು ನಿರ್ಲಕ್ಷಿಸಬಹುದು. ಅನುಪಾತಗಳು ಹೊಂದಿಕೆಯಾಗದಿದ್ದರೆ, ಪಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಮತ್ತು ಎನ್. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ನ ವಿಭಿನ್ನ ಪ್ರವಾಹಗಳು ಇರಬಹುದು; ಇದು ಅಸಮತೋಲನಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು ಮತ್ತು ಹೀಗಾಗಿ ಅಸಮರ್ಪಕ ಪ್ರವಾಹವು ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಅನ್ನು ಬಿಸಿಮಾಡಲು ಮತ್ತು ಅನಗತ್ಯವಾಗಿ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊರಹಾಕಲು ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಇದಲ್ಲದೆ, ಇತ್ತೀಚಿನ ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಸಾಧನಗಳು ನಿಧಾನವಾಗಿ ಬದಲಾಗುವುದರಿಂದ ವಯಸ್ಸಾದ ಪರಿಣಾಮಗಳಿಂದಾಗಿ ಸೋರಿಕೆ ಶಕ್ತಿಯು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿವೆ. ವಿನ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ವೇಗಗೊಳಿಸಲು, ತಯಾರಕರು ಕಡಿಮೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮಿತಿಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ನಿರ್ಮಾಣಗಳಿಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಿದ್ದಾರೆ ಆದರೆ ಈ ಕಾರಣದಿಂದಾಗಿ 200 mV ಯ Vth ಹೊಂದಿರುವ ಆಧುನಿಕ NMOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಗಮನಾರ್ಹವಾದ ಸಬ್-ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ವಿನ್ಯಾಸಗಳು (ಉದಾ. ಸಕ್ರಿಯವಾಗಿ ಬದಲಾಗದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಡೆಸ್ಕ್ಟಾಪ್ ಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳು) ಈ ಸೋರಿಕೆ ಪ್ರವಾಹದಿಂದಾಗಿ ಇನ್ನೂ ವಿದ್ಯುತ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುತ್ತವೆ. ಸೋರಿಕೆ ಶಕ್ತಿಯು ಅಂತಹ ವಿನ್ಯಾಸಗಳಿಂದ ಬಳಸುವ ಒಟ್ಟು ಶಕ್ತಿಯ ಗಮನಾರ್ಹ ಭಾಗವಾಗಿದೆ. ಈಗ ಫೌಂಡರಿಗಳಿಂದ ಲಭ್ಯವಿರುವ ಮಲ್ಟಿ-ಥ್ರೆಶೋಲ್ಡ್ CMOS (MTCMOS), ಸೋರಿಕೆ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸುವ ಒಂದು ವಿಧಾನವಾಗಿದೆ. ಎಂ. ಟಿ. ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ನಲ್ಲಿ, ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ವೇಗವು ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿರದಿದ್ದಾಗ ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿಥ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಕಡಿಮೆ ವಿಥ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ವೇಗದ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಮಾರ್ಗಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ತೆಳುವಾದ ಗೇಟ್ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವ ಮತ್ತಷ್ಟು ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಬೆಳವಣಿಗೆಗಳು ಹೆಚ್ಚುವರಿ ಸೋರಿಕೆ ಘಟಕವನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ ಏಕೆಂದರೆ ಅತ್ಯಂತ ತೆಳುವಾದ ಗೇಟ್ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ನ ಮೂಲಕ ಪ್ರಸ್ತುತ ಸುರಂಗಮಾರ್ಗವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಗೇಟ್ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕಾಗಿರುವ ಸಿಲಿಕಾನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ನ ಬದಲಿಗೆ ಹೈ-ಕೆ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸುವುದು ಇದೇ ರೀತಿಯ ಸಾಧನದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ದಪ್ಪವಾದ ಗೇಟ್ ಅವಾಹಕದೊಂದಿಗೆ, ಈ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ತಪ್ಪಿಸುತ್ತದೆ. ಹೊಸ ವಸ್ತುಗಳು ಮತ್ತು ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ವಿನ್ಯಾಸಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸೋರಿಕೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಕಡಿತವು ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ನ ಸ್ಕೇಲಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಉಳಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿದೆ. ಡೈನಾಮಿಕ್ ಡಿಸ್ಸಿಪೇಷನ್ ಲೋಡ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ಗಳ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ ಮತ್ತು ವಿಸರ್ಜನೆ CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು ಸ್ವಿಚ್ ಮಾಡಿದಾಗಲೆಲ್ಲಾ ವಿವಿಧ ಲೋಡ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ಗಳನ್ನು (ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಗೇಟ್ ಮತ್ತು ವೈರ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್, ಆದರೆ ಡ್ರೈನ್ ಮತ್ತು ಕೆಲವು ಮೂಲ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ಗಳು) ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡುವ ಮೂಲಕ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊರಹಾಕುತ್ತವೆ. ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ತರ್ಕದ ಒಂದು ಸಂಪೂರ್ಣ ಚಕ್ರದಲ್ಲಿ, ಅದನ್ನು ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಲು ವಿಡಿಡಿಯಿಂದ ಲೋಡ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ಗೆ ಪ್ರವಾಹವು ಹರಿಯುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಚಾರ್ಜ್ ಮಾಡಲಾದ ಲೋಡ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ನಿಂದ (ಸಿಎಲ್) ವಿಸರ್ಜನೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ನೆಲಕ್ಕೆ ಹರಿಯುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಒಂದು ಸಂಪೂರ್ಣ ಚಾರ್ಜ್/ವಿಸರ್ಜನೆ ಚಕ್ರದಲ್ಲಿ, ಒಟ್ಟು ಕ್ಯೂ = ಸಿಎಲ್ವಿಡಿಡಿ ಅನ್ನು ವಿಡಿಡಿಯಿಂದ ನೆಲಕ್ಕೆ ವರ್ಗಾಯಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಬಳಸಲು ಲೋಡ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ಗಳ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಆವರ್ತನದಿಂದ ಗುಣಿಸಿ, ಮತ್ತು CMOS ಸಾಧನದಿಂದ ವಿಶಿಷ್ಟ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹರಡಲು ಸರಾಸರಿ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಿಂದ ಮತ್ತೆ ಗುಣಿಸಿಃ ಹೆಚ್ಚಿನ ಗೇಟುಗಳು ಪ್ರತಿ ಗಡಿಯಾರದ ಚಕ್ರದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವುದಿಲ್ಲ/ಬದಲಾಗುವುದಿಲ್ಲವಾದ್ದರಿಂದ, ಅವು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಚಟುವಟಿಕೆಯ ಅಂಶ ಎಂದು ಕರೆಯಲ್ಪಡುವ ಅಂಶದೊಂದಿಗೆ ಇರುತ್ತವೆ. ಈಗ, ಡೈನಾಮಿಕ್ ಪವರ್ ಡಿಸ್ಸಿಪೇಷನ್ ಅನ್ನು ಹೀಗೆ ಪುನಃ ಬರೆಯಬಹುದು. ಒಂದು ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಒಂದು ಗಡಿಯಾರವು α = 1 ಚಟುವಟಿಕೆಯ ಅಂಶವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಅದು ಪ್ರತಿ ಚಕ್ರದಲ್ಲೂ ಏರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಬೀಳುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ದತ್ತಾಂಶವು 0.1 ರ ಚಟುವಟಿಕೆಯ ಅಂಶವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಒಂದು ನೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಅದರ ಚಟುವಟಿಕೆಯ ಅಂಶದೊಂದಿಗೆ ಸರಿಯಾದ ಲೋಡ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ ಅನ್ನು ಅಂದಾಜು ಮಾಡಿದರೆ, ಆ ನೋಡ್ನಲ್ಲಿ ಡೈನಾಮಿಕ್ ಪವರ್ ಡಿಸ್ಸಿಪೇಷನ್ ಅನ್ನು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿ ಲೆಕ್ಕ ಹಾಕಬಹುದು. ಪಿಎಂಓಎಸ್ ಮತ್ತು ಎನ್ಎಂಓಎಸ್ ಎರಡಕ್ಕೂ ಸೀಮಿತ ಏರಿಕೆ/ಪತನದ ಸಮಯವಿರುವುದರಿಂದ, ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಆಫ್ನಿಂದ ಆನ್ಗೆ, ಎರಡೂ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಸ್ವಲ್ಪ ಸಮಯದವರೆಗೆ ಆನ್ ಆಗಿರುತ್ತವೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ಪ್ರವಾಹವು ನೇರವಾಗಿ ವಿಡಿಡಿಯಿಂದ ನೆಲಕ್ಕೆ ಒಂದು ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ, ಇದನ್ನು ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಕ್ರೌಬಾರ್ ಪ್ರವಾಹ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಶಾರ್ಟ್-ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣವು ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳ ಏರಿಕೆ ಮತ್ತು ಪತನದ ಸಮಯದೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಚಿಪ್ ಮೇಲಿನ ತಂತಿಗಳು ಕಿರಿದಾದವು ಮತ್ತು ಉದ್ದವಾದ ತಂತಿಗಳು ಹೆಚ್ಚು ನಿರೋಧಕವಾದವು ಆಗಿರುವುದರಿಂದ 1990ರ ದಶಕದಲ್ಲಿ ಈ ರೀತಿಯ ವಿದ್ಯುತ್ ಬಳಕೆಯು ಗಮನಾರ್ಹವಾಯಿತು. ಆ ಪ್ರತಿರೋಧಕ ತಂತಿಗಳ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ CMOS ಗೇಟ್ಗಳು ನಿಧಾನಗತಿಯ ಇನ್ಪುಟ್ ಪರಿವರ್ತನೆಗಳನ್ನು ನೋಡುತ್ತವೆ. ದುರ್ಬಲವಾಗಿ ಚಲಿಸುವ ಉದ್ದನೆಯ ತೆಳ್ಳಗಿನ ತಂತಿಗಳನ್ನು ತಪ್ಪಿಸುವ ಎಚ್ಚರಿಕೆಯ ವಿನ್ಯಾಸವು ಈ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಕ್ರೌಬಾರ್ ಶಕ್ತಿಯು ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ CMOS ಶಕ್ತಿಯ ಗಣನೀಯ ಭಾಗವಾಗಿರಬಹುದು. ಇನ್ಪುಟ್ ರಕ್ಷಣೆ CMOS ರಚನೆಯಲ್ಲಿ ಅಂತರ್ಗತವಾಗಿರುವ ಪರಾವಲಂಬಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯ ಕಾರ್ಯಾಚರಣಾ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯ ಹೊರಗಿನ ಇನ್ಪುಟ್ ಸಿಗ್ನಲ್ಗಳಿಂದ ಆನ್ ಮಾಡಬಹುದು, ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ಸ್ಥಿರವಿದ್ಯುತ್ತಿನ ವಿಸರ್ಜನೆಗಳು ಅಥವಾ ರೇಖೆಯ ಪ್ರತಿಫಲನಗಳು. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಉಂಟಾಗುವ ಲ್ಯಾಚ್-ಅಪ್ CMOS ಸಾಧನವನ್ನು ಹಾನಿಗೊಳಿಸಬಹುದು ಅಥವಾ ನಾಶಪಡಿಸಬಹುದು. ಈ ಸಂಕೇತಗಳನ್ನು ನಿಭಾಯಿಸಲು ಕ್ಲ್ಯಾಂಪ್ ಡಯೋಡ್ಗಳನ್ನು CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಲ್ಲಿ ಸೇರಿಸಲಾಗಿದೆ. ತಯಾರಕರ ದತ್ತಾಂಶ ಹಾಳೆಗಳು ಡಯೋಡ್ಗಳ ಮೂಲಕ ಹರಿಯುವ ಗರಿಷ್ಠ ಅನುಮತಿಸಲಾದ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ. ಅನಲಾಗ್ CMOS ಡಿಜಿಟಲ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳ ಜೊತೆಗೆ, CMOS ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅನಲಾಗ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳಲ್ಲಿಯೂ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಆಂಪ್ಲಿಫೈಯರ್ ಐಸಿಗಳು ಮಾರುಕಟ್ಟೆಯಲ್ಲಿ ಲಭ್ಯವಿವೆ. ಟ್ರಾನ್ಸ್ಮಿಷನ್ ಗೇಟ್ಗಳನ್ನು ಸಿಗ್ನಲ್ ರಿಲೇಗಳ ಬದಲಿಗೆ ಅನಲಾಗ್ ಮಲ್ಟಿಪ್ಲೆಕ್ಸರ್ಗಳಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು. ಮಿಶ್ರ-ಸಂಕೇತ (ಅನಲಾಗ್ + ಡಿಜಿಟಲ್) ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ಮೈಕ್ರೋವೇವ್ ಆವರ್ತನಗಳವರೆಗೆ ಆರ್ಎಫ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಗೆ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆರ್ಎಫ್ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಆರ್ಎಫ್ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಮಿಶ್ರ-ಸಿಗ್ನಲ್ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಆಧರಿಸಿದ ಆರ್ಎಫ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು (ರೇಡಿಯೋ ಫ್ರೀಕ್ವೆನ್ಸಿ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು) ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಅವುಗಳನ್ನು ವೈರ್ಲೆಸ್ ದೂರಸಂಪರ್ಕ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. 1980ರ ದಶಕದ ಕೊನೆಯಲ್ಲಿ ಯುಸಿಎಲ್ಎಯಲ್ಲಿ ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತಿದ್ದಾಗ ಆರ್ಎಫ್ ಸಿಎಂಓಎಸ್ಅನ್ನು ಅಸಾದ್ ಅಬಿದಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದರು. ಇದು ಆರ್ಎಫ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಿದ ವಿಧಾನವನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಿತು, ಇದು ರೇಡಿಯೋ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಸೀವರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಬೈಪೋಲಾರ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳನ್ನು ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಬದಲಾಯಿಸಲು ಕಾರಣವಾಯಿತು. ಇದು ಅತ್ಯಾಧುನಿಕ, ಕಡಿಮೆ-ವೆಚ್ಚದ ಮತ್ತು ಒಯ್ಯಬಹುದಾದ ಅಂತಿಮ-ಬಳಕೆದಾರ ಟರ್ಮಿನಲ್ಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸಿತು ಮತ್ತು ವೈರ್ಲೆಸ್ ಸಂವಹನ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳ ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಗೆ ಸಣ್ಣ, ಕಡಿಮೆ-ವೆಚ್ಚದ, ಕಡಿಮೆ-ಶಕ್ತಿಯ ಮತ್ತು ಒಯ್ಯಬಹುದಾದ ಘಟಕಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. ಇದು "ಯಾವುದೇ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ಎಲ್ಲಿಯಾದರೂ" ಸಂವಹನವನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸಿತು ಮತ್ತು ವೈರ್ಲೆಸ್ ಕ್ರಾಂತಿಯನ್ನು ತರಲು ಸಹಾಯ ಮಾಡಿತು, ಇದು ವೈರ್ಲೆಸ್ ಉದ್ಯಮದ ತ್ವರಿತ ಬೆಳವಣಿಗೆಗೆ ಕಾರಣವಾಯಿತು. ಎಲ್ಲಾ ಆಧುನಿಕ ವೈರ್ಲೆಸ್ ನೆಟ್ವರ್ಕಿಂಗ್ ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು ಮೊಬೈಲ್ ಫೋನ್ಗಳಲ್ಲಿನ ಬೇಸ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳು ಮತ್ತು ರೇಡಿಯೋ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಸಿವರ್ಗಳನ್ನು ಆರ್. ಎಫ್. ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಾಮೂಹಿಕವಾಗಿ ಉತ್ಪಾದಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆರ್ಎಫ್ ಸಿಎಮ್ಓಎಸ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳನ್ನು ವೈರ್ಲೆಸ್ ಸಿಗ್ನಲ್ಗಳನ್ನು ರವಾನಿಸಲು ಮತ್ತು ಸ್ವೀಕರಿಸಲು ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಉಪಗ್ರಹ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ (ಜಿಪಿಎಸ್ನಂತಹ), ಬ್ಲ್ಯೂಟೂತ್, ವೈ-ಫೈ, ನಿಯರ್-ಫೀಲ್ಡ್ ಕಮ್ಯುನಿಕೇಷನ್ (ಎನ್ಎಫ್ಸಿ), ಮೊಬೈಲ್ ನೆಟ್ವರ್ಕ್ಗಳು (3ಜಿ ಮತ್ತು 4ಜಿ), ಟೆರೆಸ್ಟ್ರಿಯಲ್ ಬ್ರಾಡ್ಕಾಸ್ಟ್, ಮತ್ತು ಆಟೋಮೋಟಿವ್ ರಾಡಾರ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳು, ಇತರ ಬಳಕೆಗಳ ನಡುವೆ. ವಾಣಿಜ್ಯ RF CMOS ಚಿಪ್ಗಳ ಉದಾಹರಣೆಗಳಲ್ಲಿ ಇಂಟೆಲ್ನ DECT ತಂತಿರಹಿತ ಫೋನ್ ಮತ್ತು ಅಥೆರೋಸ್ ಮತ್ತು ಇತರ ಕಂಪನಿಗಳು ರಚಿಸಿದ 802.11 (ವೈ-ಫೈ) ಚಿಪ್ಗಳು ಸೇರಿವೆ. ವಾಣಿಜ್ಯ ಆರ್. ಎಫ್. ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ಬ್ಲ್ಯೂಟೂತ್ ಮತ್ತು ವೈರ್ಲೆಸ್ ಲ್ಯಾನ್ (ಡಬ್ಲ್ಯೂಎಲ್ಎಎನ್) ಜಾಲಗಳಿಗೆ ಸಹ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆರ್. ಎಫ್. ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ಅನ್ನು ಜಿ. ಎಸ್. ಎಂ., ವೈ-ಫೈ ಮತ್ತು ಬ್ಲ್ಯೂಟೂತ್ನಂತಹ ವೈರ್ಲೆಸ್ ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ಗಳಿಗಾಗಿ ರೇಡಿಯೋ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಸಿವರ್ಗಳಲ್ಲಿ, 3ಜಿ ಯಂತಹ ಮೊಬೈಲ್ ನೆಟ್ವರ್ಕ್ಗಳಿಗಾಗಿ ಟ್ರಾನ್ಸ್ಸಿವರ್ಗಳಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ವೈರ್ಲೆಸ್ ಸಂವೇದಕ ನೆಟ್ವರ್ಕ್ಗಳಲ್ಲಿ (ಡಬ್ಲ್ಯು. ಎಸ್. ಎನ್.) ರಿಮೋಟ್ ಘಟಕಗಳಲ್ಲಿ ಸಹ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ವೈರ್ಲೆಸ್ ಜಾಲಗಳು ಮತ್ತು ಮೊಬೈಲ್ ಸಂವಹನ ಸಾಧನಗಳು ಸೇರಿದಂತೆ ಆಧುನಿಕ ವೈರ್ಲೆಸ್ ಸಂವಹನಗಳಿಗೆ ಆರ್. ಎಫ್. ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿದೆ. ಆರ್. ಎಫ್. ಸಿ. ಎಂ. ಓ. ಎಸ್. ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ವಾಣಿಜ್ಯೀಕರಿಸಿದ ಕಂಪನಿಗಳಲ್ಲಿ ಇನ್ಫಿನಿಯಾನ್ ಕೂಡ ಒಂದು. ಅದರ ಬೃಹತ್ CMOS RF ಸ್ವಿಚ್ಗಳು ವಾರ್ಷಿಕವಾಗಿ 1 ಬಿಲಿಯನ್ ಯುನಿಟ್ಗಳನ್ನು ಮಾರಾಟ ಮಾಡುತ್ತವೆ, ಇದು ಸಂಚಿತ 5 ಬಿಲಿಯನ್ ಯುನಿಟ್ಗಳನ್ನು ತಲುಪುತ್ತದೆ. ತಾಪಮಾನದ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ CMOS ಸಾಧನಗಳು −55°C ನಿಂದ + 125°C ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ CMOS −233 °C (40 K) ಗೆ ಕೆಲಸ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಎಂದು ಆಗಸ್ಟ್ 2008ರಷ್ಟು ಹಿಂದೆಯೇ ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ಸೂಚನೆಗಳು ಇದ್ದವು. ದ್ರವ ಸಾರಜನಕ ಮತ್ತು ದ್ರವ ಹೀಲಿಯಂ ತಂಪಾಗಿಸುವಿಕೆಯ ಸಂಯೋಜನೆಯೊಂದಿಗೆ ಓವರ್ಕ್ಲಾಕ್ ಮಾಡಲಾದ ಎಎಮ್ಡಿ ಫೆನೋಮ್ II ಪ್ರೊಸೆಸರ್ಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು 40 ಕೆ ಬಳಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುವ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲಾಗಿದೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಕಾರ್ಬೈಡ್ CMOS ಸಾಧನಗಳನ್ನು ಒಂದು ವರ್ಷದ ಕಾಲ 500°C ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಪರೀಕ್ಷಿಸಲಾಗಿದೆ. ಏಕ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ MOS ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಅಲ್ಟ್ರಾ ಸ್ಮಾಲ್ (L = 20 nm, W = 20 nm) MOSFETಗಳು ಕ್ರೈಯೋಜೆನಿಕ್ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ − 269 °C (4K) ನಿಂದ ಸುಮಾರು −258 °C (15K) ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಿದಾಗ ಏಕ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮಿತಿಯನ್ನು ಸಾಧಿಸುತ್ತವೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಪ್ರಗತಿಶೀಲ ಚಾರ್ಜಿಂಗ್ನಿಂದಾಗಿ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಕೂಲಂಬ್ ದಿಗ್ಬಂಧನವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ. ವಾಹಿನಿಯಲ್ಲಿ ಸೀಮಿತವಾಗಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಗೇಟ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ನಿಂದ ನಡೆಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಶೂನ್ಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ಆಕ್ರಮಣದಿಂದ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದನ್ನು ಒಂದು ಅಥವಾ ಅನೇಕಕ್ಕೆ ಹೊಂದಿಸಬಹುದು. ಹೆಚ್ಚಿನ ಓದುವಿಕೆ ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು CMOS ಗೇಟ್ ವಿವರಣೆ ಮತ್ತು ಸಂವಾದಾತ್ಮಕ ವಿವರಣೆಗಳು ಲಾಸಿ ಒಂದು "ಸಾಮಾನ್ಯ ಉದ್ದೇಶ" IC ಲೇಔಟ್ CAD ಸಾಧನವಾಗಿದೆ. ಇದು ಉಚಿತ ಡೌನ್ಲೋಡ್ ಆಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದನ್ನು CMOS ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳಿಗೆ ಲೇಔಟ್ ಟೂಲ್ ಆಗಿ ಬಳಸಬಹುದು. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ವಿನ್ಯಾಸ ಡಿಜಿಟಲ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಲಾಜಿಕ್ ಕುಟುಂಬಗಳು ಇಂಟಿಗ್ರೇಟೆಡ್ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ಗಳು