Magnetic semiconductor
ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ಗಳು ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ (ಅಥವಾ ಅಂತಹುದೇ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ) ಮತ್ತು ಉಪಯುಕ್ತ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುವ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳಾಗಿವೆ. ಸಾಧನಗಳಲ್ಲಿ ಅಳವಡಿಸಿದರೆ, ಈ ವಸ್ತುಗಳು ಹೊಸ ರೀತಿಯ ವಹನ ನಿಯಂತ್ರಣವನ್ನು ಒದಗಿಸಬಹುದು. ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಗಳು ಚಾರ್ಜ್ ವಾಹಕಗಳ (ಎನ್-ಅಥವಾ ಪಿ-ಟೈಪ್) ನಿಯಂತ್ರಣವನ್ನು ಆಧರಿಸಿವೆಯಾದರೂ, ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಕಾಂತೀಯ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಸ್ಪಿನ್ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು (ಮೇಲಕ್ಕೆ ಅಥವಾ ಕೆಳಕ್ಕೆ) ನಿಯಂತ್ರಿಸಲು ಸಹ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತವೆ. ಇದು ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ ಸುಮಾರು-ಒಟ್ಟು ಸ್ಪಿನ್ ಧ್ರುವೀಕರಣವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ (ಕಬ್ಬಿಣ ಮತ್ತು ಇತರ ಲೋಹಗಳಿಗೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿ, ಇದು ಕೇವಲ ~50% ಧ್ರುವೀಕರಣವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ), ಇದು ಸ್ಪಿಂಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಪ್ರಮುಖ ಗುಣಲಕ್ಷಣವಾಗಿದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ತಿರುಗುವ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೈಟ್ನಂತಹ ಅನೇಕ ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಕಾಂತೀಯ ವಸ್ತುಗಳು ಸಹ ಅರೆವಾಹಕಗಳಾಗಿದ್ದರೂ (ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟೈಟ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ಗ್ಯಾಪ್ 0.14 ಇವಿ ಹೊಂದಿರುವ ಅರೆ-ಲೋಹದ ಅರೆವಾಹಕವಾಗಿದೆ), ಪದಾರ್ಥಗಳ ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕಾಂತೀಯ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಚೆನ್ನಾಗಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಹೊಂದಿದ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಹೋಲುತ್ತಿದ್ದರೆ ಮಾತ್ರ ವ್ಯಾಪಕವಾದ ಬಳಕೆಯನ್ನು ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ ಎಂದು ಊಹಿಸುತ್ತಾರೆ. ಆ ನಿಟ್ಟಿನಲ್ಲಿ, ದುರ್ಬಲ ಕಾಂತೀಯ ಅರೆವಾಹಕಗಳು (ಡಿಎಂಎಸ್) ಇತ್ತೀಚೆಗೆ ಕಾಂತೀಯ ಅರೆವಾಹಕ ಸಂಶೋಧನೆಯ ಪ್ರಮುಖ ಕೇಂದ್ರಬಿಂದುವಾಗಿದೆ. ಇವು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಅರೆವಾಹಕಗಳನ್ನು ಆಧರಿಸಿವೆ, ಆದರೆ ವಿದ್ಯುನ್ಮಾನವಾಗಿ ಸಕ್ರಿಯವಾಗಿರುವ ಅಂಶಗಳ ಬದಲಿಗೆ ಅಥವಾ ಅದಕ್ಕೂ ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹಗಳನ್ನು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಸಂಭಾವ್ಯ ತಾಂತ್ರಿಕ ಅನ್ವಯಗಳೊಂದಿಗೆ ಅವುಗಳ ವಿಶಿಷ್ಟ ಸ್ಪಿಂಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಂದಾಗಿ ಅವು ಆಸಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಡೋಪ್ಡ್ ವೈಡ್ ಬ್ಯಾಂಡ್-ಗ್ಯಾಪ್ ಮೆಟಲ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ಗಳಾದ ಸತು ಆಕ್ಸೈಡ್ (ZnO) ಮತ್ತು ಟೈಟಾನಿಯಂ ಆಕ್ಸೈಡ್ (TiO2) ಗಳು ಆಪ್ಟಿಕೊಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಅನ್ವಯಗಳಲ್ಲಿ ಅವುಗಳ ಬಹುಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕತೆಯಿಂದಾಗಿ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಡಿಎಂಎಸ್ಗೆ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಅಭ್ಯರ್ಥಿಗಳಲ್ಲಿ ಸೇರಿವೆ. ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ದೃಶ್ಯ ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ಮತ್ತು ಪೀಜೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಸಿಟಿಯಂತಹ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ZnO-ಆಧಾರಿತ DMS, ಸ್ಪಿನ್ ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ಗಳು ಮತ್ತು ಸ್ಪಿನ್-ಪೋಲರೈಸ್ಡ್ ಲೈಟ್-ಎಮಿಟಿಂಗ್ ಡಯೋಡ್ಗಳ ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಪ್ರಬಲ ಅಭ್ಯರ್ಥಿಯಾಗಿ ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ಸಮುದಾಯದಲ್ಲಿ ಭಾರಿ ಆಸಕ್ತಿಯನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸಿದೆ, ಆದರೆ ಈ ವಸ್ತುವಿನ ಅಂಗರಚನಾ ಹಂತದಲ್ಲಿ ತಾಮ್ರದ ಡೋಪ್ಡ್ TiO2 ಅನುಕೂಲಕರ ದುರ್ಬಲ ಕಾಂತೀಯತೆಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ಊಹಿಸಲಾಗಿದೆ. ಟೋಹೋಕು ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯದಲ್ಲಿ ಹಿಡಿಯೋ ಓನೋ ಮತ್ತು ಅವರ ತಂಡವು ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್ನೊಂದಿಗೆ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಮತ್ತು ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ನಂತಹ ಪರಿವರ್ತನಾ ಲೋಹದ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಸಂಯುಕ್ತ ಅರೆವಾಹಕಗಳಲ್ಲಿ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ ಅನ್ನು ಅಳೆಯುವ ಮೊದಲಿಗರು (ಎರಡನೆಯದನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ GaMnA ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ). ಈ ವಸ್ತುಗಳು ಪಿ-ರೀತಿಯ ಚಾರ್ಜ್ ವಾಹಕಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ಅಳೆಯುವ ಸಮಂಜಸವಾದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕ್ಯೂರಿ ತಾಪಮಾನವನ್ನು (ಇನ್ನೂ ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶಕ್ಕಿಂತ ಕಡಿಮೆ) ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತವೆ. ಅಂದಿನಿಂದ, ವಿವಿಧ ಪರಿವರ್ತನಾ ಪರಮಾಣುಗಳೊಂದಿಗೆ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ವಿವಿಧ ಅರೆವಾಹಕ ಅತಿಥೇಯಗಳಿಂದ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಸಂಕೇತಗಳನ್ನು ಅಳೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಥಿಯರಿ ಡೈಟಲ್ ಮತ್ತು ಇತರರ ಪ್ರವರ್ತಕ ಕೆಲಸ. ಆಯಸ್ಕಾಂತತ್ವಕ್ಕಾಗಿ ಮಾರ್ಪಡಿಸಿದ ಝೆನರ್ ಮಾದರಿಯು ವಾಹಕ ಅವಲಂಬನೆಯನ್ನು ಮತ್ತು GaMnA ಗಳ ಅನಿಸೋಟ್ರೋಪಿಕ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಚೆನ್ನಾಗಿ ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ ಎಂದು ತೋರಿಸಿದೆ. ಕೋ ಮತ್ತು ಎಂಎನ್ ಡೋಪ್ ಮಾಡಿದ ಭಾರೀ ಪಿ-ಟೈಪ್ ಡೋಪ್ಡ್ ಝೆಡ್ಎನ್ಒ ಮತ್ತು ಜಿಎಎನ್ಗಳಲ್ಲಿ ಕ್ರಮವಾಗಿ ಕೊಠಡಿ-ತಾಪಮಾನದ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ ಅಸ್ತಿತ್ವದಲ್ಲಿರಬೇಕು ಎಂದು ಅದೇ ಸಿದ್ಧಾಂತವು ಭವಿಷ್ಯ ನುಡಿದಿದೆ. ಈ ಮುನ್ಸೂಚನೆಗಳು ವಿವಿಧ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಮತ್ತು ನೈಟ್ರೈಡ್ ಅರೆವಾಹಕಗಳ ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ಮತ್ತು ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಅಧ್ಯಯನಗಳ ಕೋಲಾಹಲವನ್ನು ಅನುಸರಿಸಿದವು, ಇದು ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹದ ಕಲ್ಮಶಗಳಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಯಾವುದೇ ಅರೆವಾಹಕ ಅಥವಾ ನಿರೋಧಕ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ ಅನ್ನು ದೃಢೀಕರಿಸುವಂತೆ ತೋರುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಆರಂಭಿಕ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕ ಸಿದ್ಧಾಂತ (ಡಿ. ಎಫ್. ಟಿ) ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂತರದ ದೋಷಗಳು ಮತ್ತು ಅತಿಯಾದ ಸ್ಥಳಾಂತರಿಸಿದ ದೋಷದ ಮಟ್ಟಗಳಿಂದ ಕೂಡಿವೆ, ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಮುಂದುವರಿದ ಡಿ. ಎಫ್. ಟಿ ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಫೆರೊಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ನ ಹಿಂದಿನ ಹೆಚ್ಚಿನ ಭವಿಷ್ಯವಾಣಿಗಳನ್ನು ನಿರಾಕರಿಸುತ್ತವೆ. ಅಂತೆಯೇ, ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಆಧಾರಿತ ವಸ್ತುಗಳ ಅಧ್ಯಯನಗಳು ಡೀಟಲ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಪ್ರತಿಪಾದಿಸಿದಂತೆ ಆಂತರಿಕ ವಾಹಕ-ಮಧ್ಯಸ್ಥ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ ಅನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುವುದಿಲ್ಲ ಎಂದು ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಇಲ್ಲಿಯವರೆಗೆ, ಗ್ಯಾಮ್ನಾಗಳು ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ನ ದೃಢವಾದ ಸಹಬಾಳ್ವೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಏಕೈಕ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುವಾಗಿ ಉಳಿದಿವೆ, ಇದು 100-200 ಕೆ ಸುತ್ತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕ್ಯೂರಿ ತಾಪಮಾನದವರೆಗೆ ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತದೆ. ವಸ್ತುಗಳು ವಸ್ತುಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯು ಮೂಲ ವಸ್ತುವಿನಲ್ಲಿ ಡೋಪಾಂಟ್ನ ಉಷ್ಣ ಸಮತೋಲನ ಕರಗುವಿಕೆಯನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸತುವು ಆಕ್ಸೈಡ್ನಲ್ಲಿನ ಅನೇಕ ಡೋಪಂಟ್ಗಳ ಕರಗುವಿಕೆಯು ಪದಾರ್ಥಗಳನ್ನು ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ತಯಾರಿಸುವಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಇತರ ಕೆಲವು ವಸ್ತುಗಳು ಡೋಪಂಟ್ಗಳ ಕರಗುವಿಕೆಯು ಎಷ್ಟು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆಯೆಂದರೆ ಅವುಗಳನ್ನು ಸಾಕಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಿನ ಡೋಪಂಟ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯೊಂದಿಗೆ ತಯಾರಿಸಲು ಉಷ್ಣದ ಅಸ್ಥಿರತೆಯ ತಯಾರಿಕಾ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಬಳಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ತೆಳುವಾದ ಚಿತ್ರಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆ. ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಆಧಾರಿತ ವಸ್ತುಗಳ ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯಲ್ಲಿ ಶಾಶ್ವತ ಕಾಂತೀಕರಣವನ್ನು ಗಮನಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅವುಗಳಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ವಾಹಕ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು ಕಾಂತೀಕರಣದ ನಡುವಿನ ಸ್ಪಷ್ಟ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತವೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ಟಿ. ಸ್ಟೋರಿ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳ ಕೆಲಸವೂ ಸೇರಿದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಅವರು Mn2 +-ಡೋಪ್ಡ್ Pb1 − xSnxTe ನ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಕ್ಯೂರಿ ತಾಪಮಾನವನ್ನು ವಾಹಕ ಸಾಂದ್ರತೆಯಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಿಸಬಹುದು ಎಂದು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿದರು. ಡೀಟಲ್ ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಿದ ಸಿದ್ಧಾಂತವು ಮೂಲಮಾದರಿಯ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್, Mn2 +-ಡೋಪ್ಡ್ GaA ಗಳಲ್ಲಿ ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್ ಡೋಪಂಟ್ಗಳ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಜೋಡಣೆಯನ್ನು ಮಧ್ಯಸ್ಥಿಕೆ ವಹಿಸಲು ರಂಧ್ರಗಳ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಚಾರ್ಜ್ ವಾಹಕಗಳ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ನಲ್ಲಿ ರಂಧ್ರದ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಸಾಕಷ್ಟಿಲ್ಲದಿದ್ದರೆ, ಕ್ಯೂರಿ ತಾಪಮಾನವು ತುಂಬಾ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿರುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಕೇವಲ ಪ್ಯಾರಾಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ ಅನ್ನು ಮಾತ್ರ ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ರಂಧ್ರದ ಸಾಂದ್ರತೆಯು ಹೆಚ್ಚಿದ್ದರೆ (> ~ 1020 ಸೆಂ. ಮೀ.-3), ಕ್ಯೂರಿ ತಾಪಮಾನವು 100-200 ಕೆ ನಡುವೆ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡಲಾದ ಅನೇಕ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳು ಅರೆವಾಹಕ ಆತಿಥೇಯ ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ಬಾಹ್ಯವಾಗಿ ಶಾಶ್ವತವಾದ ಕಾಂತೀಕರಣವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತವೆ. ಬಹಳಷ್ಟು ಅಸ್ಪಷ್ಟವಾದ ಬಾಹ್ಯ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ (ಅಥವಾ ಫ್ಯಾಂಟಮ್ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್) ತೆಳುವಾದ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳು ಅಥವಾ ನ್ಯಾನೊಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್ಡ್ ವಸ್ತುಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುತ್ತದೆ. ಪ್ರಸ್ತಾವಿತ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಹಲವಾರು ಉದಾಹರಣೆಗಳನ್ನು ಕೆಳಗೆ ಪಟ್ಟಿ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ. ಕೆಳಗಿನ ಅನೇಕ ಅವಲೋಕನಗಳು ಮತ್ತು/ಅಥವಾ ಭವಿಷ್ಯವಾಣಿಗಳು ಹೆಚ್ಚು ಚರ್ಚೆಯಲ್ಲಿವೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಗಮನಿಸಿ. ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಇಂಡಿಯಮ್ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ ಮತ್ತು ಗ್ಯಾಲಿಯಂ ಆರ್ಸೆನೈಡ್ (GaMnAs), ಕ್ಯೂರಿಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದೊಂದಿಗೆ ಅನುಕ್ರಮವಾಗಿ 50-100 K ಮತ್ತು 100-200 K, ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಂಟಿಮೊನೈಡ್, ಇದು ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಮತ್ತು 1% Mn ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಸಹ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಆಗುತ್ತದೆ. ಆಕ್ಸೈಡ್ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್-ಮತ್ತು ಕಬ್ಬಿಣ-ಡೋಪ್ಡ್ ಇಂಡಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್, ಕೋಣೆಯ ಉಷ್ಣಾಂಶದಲ್ಲಿ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್. ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ ಅನ್ನು ವಾಹಕ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಮಧ್ಯಸ್ಥಿಕೆ ವಹಿಸುತ್ತವೆ ಎಂದು ತೋರುತ್ತದೆ, ಅದೇ ರೀತಿಯಲ್ಲಿ GaMnA ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ ಅನ್ನು ವಾಹಕ-ರಂಧ್ರಗಳಿಂದ ಮಧ್ಯಸ್ಥಿಕೆ ವಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಝಿಂಕ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಜಿಂಕ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಎನ್-ಟೈಪ್ ಕೋಬಾಲ್ಟ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಜಿಂಕ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಮೆಗ್ನೀಸಿಯಮ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ಃ ಕ್ಯಾಟಯಾನ್ ಖಾಲಿ ಜಾಗಗಳೊಂದಿಗೆ ಪಿ-ಟೈಪ್ ಪಾರದರ್ಶಕ ಎಂಜಿಒ ಫಿಲ್ಮ್ಗಳು, ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಸಮ್ ಮತ್ತು ಮಲ್ಟಿಲೆವೆಲ್ ಸ್ವಿಚಿಂಗ್ (ಮೆಮಿಸ್ಟರ್) ಟೈಟಾನಿಯಂ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ಃ ಕೋಬಾಲ್ಟ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಟೈಟಾನಿಯಂ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ (ರುಟೈಲ್ ಮತ್ತು ಅನಾಟೇಸ್ ಎರಡೂ), ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ 400 ಕೆ ಕ್ರೋಮಿಯಂ-ಡೋಪ್ಡ್ ರುಟೈಲ್, ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ 400 ಕೆ ಐರನ್-ಡೋಪ್ಡ್ ರುಟೈಲ್ ಮತ್ತು ಐರನ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಅನಾಟೇಸ್, ಕೊಠಡಿ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ತಾಮ್ರ-ಡೋಪ್ಡ್ ಅನಾಟೇಸ್ ನಿಕೆಲ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಅನಾಟೇಸ್ ಟಿನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್ ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್-ಡೋಪ್ಡ್ ಟಿನ್ ಡೈಆಕ್ಸೈಡ್, ಕ್ಯೂರಿ ತಾಪಮಾನ 340 ಸಿಲಿಕಾನ್ ಚಿಪ್ನ ಮೇಲೆ ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿಯಲ್ ತೆಳುವಾದ ಪದರವನ್ನು ಸಂಶ್ಲೇಷಿಸಬಹುದು. ಯೂರೋಪಿಯಂ (II) ಆಕ್ಸೈಡ್, 69 ಕೆ ಕ್ಯೂರಿ ತಾಪಮಾನದೊಂದಿಗೆ. ಡೋಪಿಂಗ್ ಮೂಲಕ ಕ್ಯೂರಿಯ ಉಷ್ಣಾಂಶವು ದ್ವಿಗುಣಗೊಳ್ಳಬಹುದು (ಉದಾಹರಣೆಗೆ. ಆಮ್ಲಜನಕದ ಕೊರತೆ, ಜಿಡಿ). ನೈಟ್ರೈಡ್ ಅರೆವಾಹಕಗಳು ಕ್ರೋಮಿಯಂ ಡೋಪ್ಡ್ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ನೈಟ್ರೈಡ್ (ಬಿಎ, ಕೆ) (ಝೆಡ್ಎನ್, ಎಂಎನ್) 2ಎಎಸ್2: ಟೆಟ್ರಾಗೋನಲ್ ಸರಾಸರಿ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಆರ್ಥೋರಾಂಬಿಕ್ ಸ್ಥಳೀಯ ರಚನೆಯೊಂದಿಗೆ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ಅರೆವಾಹಕ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ಅರೆವಾಹಕ ವಸ್ತುಗಳ ಪ್ರಕಾರಗಳು ಸ್ಪಿಂಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಫೆರೋಮ್ಯಾಗ್ನೆಟಿಕ್ ವಸ್ತುಗಳು ಡಿಃ Halbleiter#Semimagnetische ಹಾಲ್ಬ್ಲಿಟರ್