Oxidative addition
ಆರ್ಗನೋಮೆಟಾಲಿಕ್ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಅಡಿಷನ್ ಮತ್ತು ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಎರಡು ಪ್ರಮುಖ ಮತ್ತು ಸಂಬಂಧಿತ ವರ್ಗದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಾಗಿವೆ. ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯು ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿ ಮತ್ತು ಸಮನ್ವಯ ಸಂಖ್ಯೆ ಎರಡನ್ನೂ ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ. ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ವೇಗವರ್ಧಕ ಚಕ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದು ಹಂತವಾಗಿದೆ, ಅದರ ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯೊಂದಿಗೆ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್. ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹದ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಪಾತ್ರ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಲೋಹಗಳಿಗೆ, ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು ಡಿಎನ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂರಚನೆಗೆ ಇಳಿಸುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 2ಇ ಕಡಿಮೆ. (i) ಕ್ಷಾರೀಯ ಮತ್ತು/ಅಥವಾ (ii) ಸುಲಭವಾಗಿ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣಗೊಳ್ಳುವ ಲೋಹಗಳಿಗೆ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯು ಅನುಕೂಲಕರವಾಗಿದೆ. ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಲೋಹಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಈ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಪೂರೈಸುತ್ತವೆ, ಆದರೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಯ ಲೋಹಗಳು ಸಹ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ, ಕ್ಲೋರಿನ್ನೊಂದಿಗೆ Pt (II) ನ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣದಿಂದ ವಿವರಿಸಿದಂತೆಃ [PtCl4] 2 − + Cl2 → [PtCl6] 2 − ಶಾಸ್ತ್ರೀಯ ಆರ್ಗನೋಮೆಟಾಲಿಕ್ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ, ಲೋಹದ ಔಪಚಾರಿಕ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿ ಮತ್ತು ಸಂಕೀರ್ಣದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಎಣಿಕೆ ಎರಡೂ ಎರಡರಿಂದ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತವೆ. ಒಂದು-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬದಲಾವಣೆಗಳು ಸಹ ಸಾಧ್ಯವಿದೆ ಮತ್ತು ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಕೆಲವು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು 1e ಬದಲಾವಣೆಗಳ ಸರಣಿಯ ಮೂಲಕ ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತವೆ. ಅನೇಕ ವಿಭಿನ್ನ ತಲಾಧಾರಗಳಲ್ಲಿ ಲೋಹವನ್ನು ಸೇರಿಸುವುದರೊಂದಿಗೆ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಗಳು ಸಂಭವಿಸಬಹುದಾದರೂ, ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಎಚ್-ಎಚ್, ಎಚ್-ಎಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಸಿ-ಎಕ್ಸ್ ಬಂಧಗಳೊಂದಿಗೆ ಕಂಡುಬರುತ್ತವೆ ಏಕೆಂದರೆ ಈ ತಲಾಧಾರಗಳು ವಾಣಿಜ್ಯ ಅನ್ವಯಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಸೂಕ್ತವಾಗಿವೆ. ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯು ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣವು ಖಾಲಿ ಸಮನ್ವಯ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಹೊಂದಿರಬೇಕು. ಈ ಕಾರಣಕ್ಕಾಗಿ, ನಾಲ್ಕು ಮತ್ತು ಐದು ಸಮನ್ವಯ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗೆ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ. ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಎಂಬುದು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಅಡಿಷನ್ನಿನ ಹಿಮ್ಮುಖವಾಗಿದೆ. ಹೊಸದಾಗಿ ರೂಪುಗೊಂಡ X-Y ಬಂಧವು ಬಲವಾಗಿದ್ದಾಗ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗೆ ಒಲವು ತೋರುತ್ತದೆ. ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಸಂಭವಿಸಲು ಎರಡು ಗುಂಪುಗಳು (X ಮತ್ತು Y) ಲೋಹದ ಸಮನ್ವಯ ಗೋಳದ ಮೇಲೆ ಪರಸ್ಪರ ಪಕ್ಕದಲ್ಲಿರಬೇಕು. ತಗ್ಗಿಸುವ ತೆಗೆದುಹಾಕುವಿಕೆಯು ಸಿ-ಎಚ್ ಮತ್ತು ಸಿ-ಸಿ ಬಂಧಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಹಲವಾರು ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ಪ್ರಮುಖ ಉತ್ಪನ್ನ-ಬಿಡುಗಡೆ ಹಂತವಾಗಿದೆ. ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಗಳು ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರ ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುವ ವೈವಿಧ್ಯಮಯ ಮಾರ್ಗಗಳಿಂದ ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತವೆ. ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಮತ್ತು ಹೈಡ್ರೋಕಾರ್ಬನ್ಗಳಂತಹ ಧ್ರುವೀಯವಲ್ಲದ ತಲಾಧಾರಗಳ ಸಂಯೋಜಿತ ಮಾರ್ಗ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಗಳು ಸಂಯೋಜಿತ ಮಾರ್ಗಗಳ ಮೂಲಕ ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತವೆ. ಅಂತಹ ತಲಾಧಾರಗಳು π-ಬಂಧಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದಿಲ್ಲ, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಮೂರು-ಕೇಂದ್ರಿತ σ ಸಂಕೀರ್ಣವನ್ನು ಆಹ್ವಾನಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ನಂತರ ಆಕ್ಸಿಡೀಕೃತ ಸಂಕೀರ್ಣವನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್ನ ಇಂಟ್ರಾಮೋಲಿಕ್ಯುಲರ್ ಲಿಗಂಡ್ ಬಂಧದ ಸೀಳು (ಬಹುಶಃ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಜೋಡಿಯನ್ನು ಇಂಟರ್ ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್ ಬಂಧದ ಸಿಗ್ಮಾ * ಕಕ್ಷೆಗೆ ದಾನ ಮಾಡುವುದರ ಮೂಲಕ). ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಲಿಗಂಡ್ಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಸಿಸ್ ಆಗಿರುತ್ತವೆ, ಆದಾಗ್ಯೂ ನಂತರದ ಐಸೋಮೆರೈಸೇಶನ್ ಸಂಭವಿಸಬಹುದು. ಈ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು H2 ನಂತಹ ಹೋಮೋನ್ಯೂಕ್ಲಿಯರ್ ಡಯಾಟಮಿಕ್ ಅಣುಗಳ ಸೇರ್ಪಡೆಗೆ ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ. ಅನೇಕ ಸಿ-ಎಚ್ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು ಎಂ-(ಸಿ-ಎಚ್) ಅಗೊಸ್ಟಿಕ್ ಸಂಕೀರ್ಣದ ರಚನೆಯ ಮೂಲಕ ಸಂಘಟಿತ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ಅನುಸರಿಸುತ್ತವೆ. ಒಂದು ಪ್ರಾತಿನಿಧಿಕ ಉದಾಹರಣೆಯೆಂದರೆ ವಾಸ್ಕಾದ ಸಂಕೀರ್ಣವಾದ ಟ್ರಾನ್ಸ್-ಐಆರ್ಸಿಎಲ್ (ಸಿಒ) [ಪಿ (ಸಿ6ಎಚ್5) 3] 2ನೊಂದಿಗೆ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ನ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ. ಈ ರೂಪಾಂತರದಲ್ಲಿ, ಇರಿಡಿಯಮ್ ತನ್ನ ಔಪಚಾರಿಕ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು + 1ರಿಂದ + 3ಕ್ಕೆ ಬದಲಾಯಿಸುತ್ತದೆ. ಉತ್ಪನ್ನವು ಔಪಚಾರಿಕವಾಗಿ ಮೂರು ಅಯಾನುಗಳಿಗೆ ಬಂಧಿಸಲ್ಪಟ್ಟಿದೆಃ ಒಂದು ಕ್ಲೋರೈಡ್ ಮತ್ತು ಎರಡು ಹೈಡ್ರೈಡ್ ಲಿಗಂಡ್ಗಳು. ಕೆಳಗೆ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, ಆರಂಭಿಕ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣವು 16 ವೇಲೆನ್ಸ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ಮತ್ತು ನಾಲ್ಕು ಸಮನ್ವಯ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ಉತ್ಪನ್ನವು ಆರು-ಸಮನ್ವಯ 18 ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಂಕೀರ್ಣವಾಗಿದೆ. ತ್ರಿಕೋನಾಕಾರದ ಬೈಪಿರಮೈಡಲ್ ಡೈಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಮಧ್ಯಂತರದ ರಚನೆಯು H-H ಬಂಧದ ಸೀಳುವಿಕೆಯ ನಂತರ, H-H σ *-ಕಕ್ಷೆಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬ್ಯಾಕ್ ದಾನದಿಂದಾಗಿ, ಅಂದರೆ. ಸಿಗ್ಮಾ ಸಂಕೀರ್ಣ. ಈ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯು ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಮತೋಲನದಲ್ಲಿದೆ, ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರವನ್ನು ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದರೊಂದಿಗೆ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಅನಿಲವನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವ ಮೂಲಕ ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತದೆ. H-H ಬಂಧವನ್ನು ಬೇರ್ಪಡಿಸಲು H-H σ *-ಕಕ್ಷೆಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮರಳಿ ದಾನ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಸಮೃದ್ಧ ಲೋಹಗಳು ಈ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತವೆ. ಸಂಯೋಜಿತ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ಸಿಸ್ ಡೈಹೈಡ್ರೈಡ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಇತರ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಅಡಿಷನ್ ಮಾರ್ಗಗಳ ಸ್ಟೀರಿಯೋಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಿಸ್ ಆಡ್ಕ್ಟ್ಗಳನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ಕೆಲವು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಗಳು ಸಾವಯವ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಪ್ರಸಿದ್ಧವಾದ ಬೈಮಾಲಿಕ್ಯುಲರ್ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯೊಫಿಲಿಕ್ ಸಬ್ಸ್ಟಿಟ್ಯೂಷನ್ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ಹೋಲುತ್ತವೆ. ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರದಿಂದ ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯೊಫಿಲಿಕ್ ದಾಳಿಯು ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿನ ಕಡಿಮೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋನೆಗೇಟಿವ್ ಪರಮಾಣುವಿನ ಮೇಲೆ ಆರ್-ಎಕ್ಸ್ ಬಂಧದ ಸೀಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು [ಎಂ-ಆರ್] + ಪ್ರಭೇದವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಹಂತವು ಆನಯಾನ್ನ ಕ್ಯಾಟಯಾನಿಕ್ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಕ್ಕೆ ತ್ವರಿತ ಸಮನ್ವಯವನ್ನು ಅನುಸರಿಸುತ್ತದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಮೀಥೈಲ್ ಅಯೋಡೈಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಚೌಕಾಕಾರದ ಸಮತಲೀಯ ಸಂಕೀರ್ಣದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯನ್ನುಃ ಈ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಧ್ರುವೀಯ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಫಿಲಿಕ್ ತಲಾಧಾರಗಳಾದ ಆಲ್ಕೈಲ್ ಹಾಲೈಡ್ಗಳು ಮತ್ತು ಹ್ಯಾಲೊಜೆನ್ಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯಲ್ಲಿ ಊಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಯಾನಿಕ್ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯ ಅಯಾನಿಕ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ಎಸ್. ಎನ್. 2 ಪ್ರಕಾರವನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ, ಇದು ಎರಡು ವಿಭಿನ್ನ ಲಿಗಂಡ್ ತುಣುಕುಗಳ ಹಂತವಾರು ಸೇರ್ಪಡೆಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. ಪ್ರಮುಖ ವ್ಯತ್ಯಾಸವೆಂದರೆ ಅಯಾನಿಕ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರದೊಂದಿಗೆ ಯಾವುದೇ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗೆ ಮುಂಚಿತವಾಗಿ ದ್ರಾವಣದಲ್ಲಿ ಬೇರ್ಪಡಿಸಲ್ಪಟ್ಟ ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತವೆ. ಅಯಾನಿಕ್ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯ ಒಂದು ಉದಾಹರಣೆಯೆಂದರೆ ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಕ್ಲೋರೈಡ್ನ ಸೇರ್ಪಡೆಯಾಗಿದೆ. ರಾಡಿಕಲ್ ಎಸ್. ಎನ್. 2-ರೀತಿಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗೆ ಒಳಗಾಗುವುದರ ಜೊತೆಗೆ, ಆಲ್ಕೈಲ್ ಹಾಲೈಡ್ಗಳು ಮತ್ತು ಅಂತಹುದೇ ತಲಾಧಾರಗಳು ರಾಡಿಕಲ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದ ಮೂಲಕ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಕ್ಕೆ ಸೇರಿಸಬಹುದು, ಆದಾಗ್ಯೂ ಕೆಲವು ವಿವರಗಳು ವಿವಾದಾತ್ಮಕವಾಗಿಯೇ ಉಳಿದಿವೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಆಮೂಲಾಗ್ರ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದಿಂದ ಮುಂದುವರಿಯಲು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಒಪ್ಪಿಕೊಳ್ಳಲಾದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು ತಿಳಿದಿವೆ. ಒಂದು ಉದಾಹರಣೆಯನ್ನು ಲೆಡ್ನರ್ ಮತ್ತು ಸಹೋದ್ಯೋಗಿಗಳು ಪ್ರಸ್ತಾಪಿಸಿದರು. ಇನಿಶಿಯೇಶನ್ [(ಸಿಎಚ್3) 2ಸಿ (ಸಿಎನ್) ಎನ್] 2 → 2 (ಸಿಎಚ್3) 2 (ಸಿಎನ್) ಸಿ • + ಎನ್2 (ಸಿಎಚ್3) 2 (ಸಿಎನ್) ಸಿ • + ಪಿಎಚ್ಬಿಆರ್ → (ಸಿಎಚ್3) 2 (ಸಿಎನ್) ಸಿಬಿಆರ್ + ಪಿಎಚ್ • ಪ್ರೊಪಗೇಷನ್ ಪಿಎಚ್ • + [ಪಿಟಿ (ಪಿಪಿಹೆಚ್3) 2ಪಿಹೆಚ್]] [ಪಿಟಿ (ಪಿಪಿಹೆಚ್3) 2ಪಿಹೆಚ್] + ಪಿಎಚ್ಬಿಆರ್ → [ಪಿಟಿ (ಪಿಪಿಹೆಚ್3) 2ಪಿಹೆಚ್ಬಿಆರ್] + ಪಿಎಚ್; ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಅಡಿಷನ್ ಮತ್ತು ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಅನ್ನು ಏಕರೂಪದ ವೇಗವರ್ಧಕದಲ್ಲಿ ಅನೇಕ ವೇಗವರ್ಧಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಆಹ್ವಾನಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಹೈಡ್ರೋಜನೇಶನ್ಗಳು, ಹೈಡ್ರೋಫಾರ್ಮ್ಗಳು. ಸುಜುಕಿ ಜೋಡಣೆ, ನೆಗಿಶಿ ಜೋಡಣೆ ಮತ್ತು ಸೋನೋಗಶಿರಾ ಜೋಡಣೆಯಂತಹ ಅಡ್ಡ-ಜೋಡಣೆ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು ಸಹ ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯಿಂದ ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತವೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಓದುವ ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಬಾಹ್ಯ ಕೊಂಡಿಗಳು ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು ಸಮನ್ವಯ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರ ಆರ್ಗನೋಮೆಟಾಲಿಕ್ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ರೆಡಾಕ್ಸ್