Weak hypercharge
ಕಣ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರದ ವಿದ್ಯುತ್ ದುರ್ಬಲ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ, ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ ಚಾರ್ಜ್ ಎಂಬುದು ವಿದ್ಯುತ್ ಚಾರ್ಜ್ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಸಂಖ್ಯೆ ಮತ್ತು ದುರ್ಬಲ ಐಸೊಸ್ಪಿನ್ನ ಮೂರನೇ ಅಂಶವಾಗಿದೆ. ಇದನ್ನು ಆಗಾಗ್ಗೆ ಸೂಚಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಯು (1) ಗೇಜ್ ಸಮ್ಮಿತಿಗೆ ಅನುರೂಪವಾಗಿದೆ. ಇದನ್ನು ಸಂರಕ್ಷಿಸಲಾಗಿದೆ (ಒಟ್ಟಾರೆ ದುರ್ಬಲ-ಹೈಪರ್ ಚಾರ್ಜ್ ತಟಸ್ಥವಾಗಿರುವ ಪದಗಳನ್ನು ಮಾತ್ರ ಲಗ್ರಾಂಜಿಯನ್ ಭಾಷೆಯಲ್ಲಿ ಅನುಮತಿಸಲಾಗಿದೆ). ಆದಾಗ್ಯೂ, ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದು ಹಿಗ್ಸ್ ಕ್ಷೇತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಆಗಿದೆ. ಹಿಗ್ಸ್ ಕ್ಷೇತ್ರದ ನಿರ್ವಾತ ನಿರೀಕ್ಷೆಯ ಮೌಲ್ಯವು ಶೂನ್ಯವಲ್ಲದ ಕಾರಣ, ಕಣಗಳು ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿಯೂ ಸಹ ಈ ಕ್ಷೇತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುತ್ತವೆ. ಇದು ಅವರ ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಮತ್ತು ದುರ್ಬಲ ಐಸೊಸ್ಪಿನ್) ಅನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸುತ್ತದೆ. ಅವುಗಳ ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಸಂಯೋಜನೆಯನ್ನು (ವಿದ್ಯುತ್ ಚಾರ್ಜ್) ಮಾತ್ರ ಸಂರಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಗಣಿತಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ, ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ ಬಲವಾದ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ಗೆ ಜೆಲ್-ಮ್ಯಾನ್-ನಿಶಿಜಿಮಾ ಸೂತ್ರವನ್ನು ಹೋಲುತ್ತದೆ (ಇದು ದುರ್ಬಲ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಸಂರಕ್ಷಿಸಲ್ಪಡುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಲೆಪ್ಟಾನ್ಗಳಿಗೆ ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ). ವಿದ್ಯುತ್ ದುರ್ಬಲ ಸಿದ್ಧಾಂತದಲ್ಲಿ, ಎಸ್ಯು (2) ರೂಪಾಂತರಗಳು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನದ ಪ್ರಕಾರ ಯು (1) ರೂಪಾಂತರಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಂವಹನ ನಡೆಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಆದ್ದರಿಂದ ಎಸ್ಯು (2) ಡಬಲ್ (ಉದಾಹರಣೆಗೆ ಎಡಗೈ ಮೇಲಿನ ಮತ್ತು ಕೆಳಗಿನ ಕ್ವಾರ್ಕ್ಗಳು) ಅಂಶಗಳಿಗೆ ಯು (1) ಚಾರ್ಜ್ಗಳು ಸಮಾನವಾಗಿರಬೇಕು. ಅದಕ್ಕಾಗಿಯೇ ಯು (1) ಅನ್ನು ಯು (1) ಎಮ್ ಎಂದು ಗುರುತಿಸಲಾಗುವುದಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸಬೇಕಾಗಿದೆ. ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಮೊದಲ ಬಾರಿಗೆ 1961 ರಲ್ಲಿ ಶೆಲ್ಡನ್ ಗ್ಲಾಶೋ ಪರಿಚಯಿಸಿದರು. ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಃ ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ ಎಂಬುದು ವಿದ್ಯುತ್ ದುರ್ಬಲ ಮಾಪಕ ಗುಂಪಿನ U (1) ಘಟಕವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಅದರ ಸಂಬಂಧಿತ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಕ್ಷೇತ್ರವು ವಿದ್ಯುತ್ ದುರ್ಬಲ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಕ್ಷೇತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಬೆರೆತು ವೀಕ್ಷಿಸಿದ ಮಾಪಕ ಬೋಸನ್ ಮತ್ತು ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡೈನಮಿಕ್ಸ್ನ ಫೋಟಾನ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ. ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ ಚಾರ್ಜ್ ವಿದ್ಯುತ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಚಾರ್ಜ್ ಘಟಕಗಳಲ್ಲಿ) ಇರುವ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ತೃಪ್ತಿಪಡಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಇದು ದುರ್ಬಲ ಐಸೊಸ್ಪಿನ್ (ಎಸ್ಯು (2) ಘಟಕ) ನ ಮೂರನೇ ಅಂಶವಾಗಿದೆ. ಮರುಹೊಂದಿಸುವಾಗ, ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಹೀಗೆ ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಬಹುದುಃ ಇಲ್ಲಿ "ಎಡ"-ಮತ್ತು "ಬಲ"-ಕೈಗಳು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಎಡ ಮತ್ತು ಬಲ ಕೈರಾಲಿಟಿಯಾಗಿರುತ್ತವೆ (ಹೆಲಿಸಿಟಿಯಿಂದ ಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ). ಆಂಟಿ-ಫೆರ್ಮಿಯಾನ್ಗೆ ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ ಅನುಗುಣವಾದ ಫೆರ್ಮಿಯಾನ್ಗೆ ವಿರುದ್ಧವಾಗಿರುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ ವಿದ್ಯುತ್ ಚಾರ್ಜ್ ಮತ್ತು ದುರ್ಬಲ ಐಸೊಸ್ಪಿನ್ನ ಮೂರನೇ ಘಟಕವು ಚಾರ್ಜ್ ಸಂಯೋಗದ ಅಡಿಯಲ್ಲಿ ಹಿಮ್ಮುಖ ಚಿಹ್ನೆಯಾಗಿದೆ. ಪ್ರತಿ ಗೇಜ್ ಬೋಸನ್ಗಳಿಗೆ-ಐಸೊಸ್ಪಿನ್ ಮತ್ತು + ಚಾರ್ಜ್ನ ಮೊತ್ತವು ಶೂನ್ಯವಾಗಿರುತ್ತದೆ; ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಎಲ್ಲಾ ದುರ್ಬಲ ಗೇಜ್ ಬೋಸನ್ಗಳು ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಮಾಡೆಲ್ನಲ್ಲಿ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ ನಿಯೋಜನೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದು, ಎಲ್ಲಾ ವೈಪರೀತ್ಯಗಳನ್ನು ರದ್ದುಗೊಳಿಸುವ ಮೂಲಕ ಎರಡು ಪಟ್ಟು ಅಸ್ಪಷ್ಟತೆಯವರೆಗೆ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪರ್ಯಾಯ ಅರ್ಧ-ಪ್ರಮಾಣದ ಅನುಕೂಲಕ್ಕಾಗಿ, ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಅರ್ಧ-ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿನಿಧಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ಇದು ಐಸೊಸ್ಪಿನ್ ಮಲ್ಟಿಪ್ಲೆಟ್ನಲ್ಲಿನ ಕಣಗಳ ಸರಾಸರಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಚಾರ್ಜ್ಗೆ ಸಮನಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಬ್ಯಾರಿಯಾನ್ ಮತ್ತು ಲೆಪ್ಟಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆ ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ ಬ್ಯಾರಿಯಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆ ಮೈನಸ್ ಲೆಪ್ಟಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದೆಃ ಇಲ್ಲಿ X ಎಂಬುದು GUTಯಲ್ಲಿ ಸಂರಕ್ಷಿಸಲಾದ ಕ್ವಾಂಟಮ್ ಸಂಖ್ಯೆಯಾಗಿದೆ. ದುರ್ಬಲ ಹೈಪರ್ಚಾರ್ಜ್ ಅನ್ನು ಯಾವಾಗಲೂ ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಮಾಡೆಲ್ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ವಿಸ್ತರಣೆಗಳೊಳಗೆ ಸಂರಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತದೆಯಾದ್ದರಿಂದ, ಇದು ಬ್ಯಾರಿಯಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆ ಮೈನಸ್ ಲೆಪ್ಟಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಸಹ ಯಾವಾಗಲೂ ಸಂರಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಎಂದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ನ್ಯೂಟ್ರಾನ್ ಕೊಳೆತವು ಬ್ಯಾರಿಯಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆ ಮತ್ತು ಲೆಪ್ಟಾನ್ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕವಾಗಿ ಸಂರಕ್ಷಿಸುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ಸಹ ಸಂರಕ್ಷಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಪ್ರೋಟಾನ್ ಕೊಳೆತವು ಅನೇಕ ಮಹಾ ಏಕೀಕರಣ ಸಿದ್ಧಾಂತಗಳ ಮುನ್ಸೂಚನೆಯಾಗಿದೆ. {| ಶೈಲಿ = "ಗಡಿಃ ಯಾವುದೂ ಇಲ್ಲ; ಪ್ಯಾಡಿಂಗ್-ಎಡಃ 3ಇಎಮ್; ಪಠ್ಯ-ಜೋಡಣೆಃ ಮಧ್ಯ;" |-ಶೈಲಿ = "ಎತ್ತರಃ 2ಇಎಮ್; | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಮಾಡೆಲ್ (ಗಣಿತದ ಸೂತ್ರೀಕರಣ) ದುರ್ಬಲ ಚಾರ್ಜ್ ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯರ್ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ಸ್ಟ್ಯಾಂಡರ್ಡ್ ಮಾಡೆಲ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋವೀಕ್ ಸಿದ್ಧಾಂತವನ್ನು ಸಹ ನೋಡಿ