Desorption
ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪರಮಾಣುಗಳು ಅಥವಾ ಅಣುಗಳು ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಸುತ್ತಮುತ್ತಲಿನ ನಿರ್ವಾತ ಅಥವಾ ದ್ರವಕ್ಕೆ ಬಿಡುಗಡೆಯಾಗುವ ಭೌತಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಾಗಿದೆ. ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ತಡೆಗೋಡೆ ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಜೋಡಿಸಿಡುವ ಬಂಧಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಜಯಿಸಲು ಅಣುವು ಸಾಕಷ್ಟು ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಪಡೆದಾಗ ಇದು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಹಿಮ್ಮುಖವಾಗಿದೆ, ಇದು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಿಂದ ಭಿನ್ನವಾಗಿದೆ, ಇದು ಬೃಹತ್ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಬದಲು ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಬಂಧಿಸಲಾದ ಪದಾರ್ಥಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ. ನಿರ್ಜಲೀಕರಣವು ಹಲವಾರು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಯಾವುದಾದರೂ ಒಂದು ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಿಂದ ಅಥವಾ ಅವುಗಳ ಸಂಯೋಜನೆಯಿಂದ ಸಂಭವಿಸಬಹುದುಃ ಇದು ಶಾಖದಿಂದ (ಉಷ್ಣ ಶಕ್ತಿ) ಉಂಟಾಗಬಹುದು; ಅತಿಗೆಂಪು, ಗೋಚರ ಅಥವಾ ನೇರಳಾತೀತ ಫೋಟಾನ್ಗಳಂತಹ ಆಪಾದಿತ ಬೆಳಕು; ಅಥವಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳಂತಹ ಶಕ್ತಿಯುತ ಕಣಗಳ ಆಪಾದಿತ ಕಿರಣ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಕೆಮಿಕಲ್ ಕೋಶದಲ್ಲಿ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಅಥವಾ ಕಡಿತದಂತಹ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ನಂತರ ಅಥವಾ ಮೇಲ್ಮೈಯು ವೇಗವರ್ಧಕವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಬಹುದಾದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಸಂಯುಕ್ತಗಳ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ನಂತರವೂ ಇದು ಸಂಭವಿಸಬಹುದು. ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪದಾರ್ಥದಿಂದ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಬಂಧದ ಸ್ವರೂಪವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ, ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಗೆ ಹಲವಾರು ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳಿವೆ. ರಸಗೊಬ್ಬರದ ಮೇಲ್ಮೈ ಬಂಧವನ್ನು ಉಷ್ಣವಾಗಿ, ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ಮೂಲಕ ಅಥವಾ ವಿಕಿರಣದ ಮೂಲಕ ಬೇರ್ಪಡಿಸಬಹುದು, ಇವೆಲ್ಲವೂ ಜಾತಿಗಳ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪದಾರ್ಥವನ್ನು ಬಿಸಿಮಾಡುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಇದು ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಪರಮಾಣುಗಳು ಅಥವಾ ಅಣುಗಳ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಪ್ರೇರೇಪಿಸುತ್ತದೆ. ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಮೊದಲ ಬಳಕೆಯನ್ನು 1948ರಲ್ಲಿ ಲೆರಾಯ್ ಆಪ್ಕರ್ ಅವರು ಮಾಡಿದರು. ಇದು ಆಗಾಗ್ಗೆ ಬಳಸಲಾಗುವ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪದಾರ್ಥಗಳ ಮೇಲ್ಮೈ ಹೊದಿಕೆಗಳನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸಲು ಮತ್ತು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮಾಡಲು ಇದನ್ನು ಬಳಸಬಹುದು. ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಪೊಲ್ಯಾನಿ-ವಿಗ್ನರ್ ಸಮೀಕರಣದಿಂದ ವಿವರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆಃ ಇಲ್ಲಿ r ಎಂಬುದು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಪ್ರಮಾಣ, ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಾಗಿದೆ, t ಸಮಯ, n ಎಂಬುದು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಕ್ರಮ, ಪೂರ್ವ-ಘಾತೀಯ ಅಂಶ, E ಎಂಬುದು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿ, R ಎಂಬುದು ಅನಿಲ ಸ್ಥಿರಾಂಕ ಮತ್ತು T ಎಂಬುದು ಸಂಪೂರ್ಣ ತಾಪಮಾನವಾಗಿದೆ. ಅಧಿಶೋಷಿತ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಆಕ್ರಮಿತ ಮತ್ತು ಲಭ್ಯವಿರುವ ಅಧಿಶೋಷಿತ ತಾಣಗಳ ನಡುವಿನ ಅನುಪಾತ ಎಂದು ವ್ಯಾಖ್ಯಾನಿಸಲಾಗಿದೆ. ಡೈಸೋರ್ಪ್ಶನ್ ಕ್ರಮವು ಕೈನೆಟಿಕ್ ಆರ್ಡರ್ ಎಂದೂ ಕರೆಯಲ್ಪಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಅಧಿಶೋಷಿತ ವ್ಯಾಪ್ತಿ ಮತ್ತು ಡೈಸೋರ್ಪ್ಶನ್ ದರಗಳ ನಡುವಿನ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ. ಮೊದಲ ಕ್ರಮಾಂಕದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ, ಕಣಗಳ ದರವು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ವ್ಯಾಪ್ತಿಗೆ ನೇರವಾಗಿ ಅನುಪಾತದಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ಪರಮಾಣು ಅಥವಾ ಸರಳ ಆಣ್ವಿಕ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಮೊದಲ ಕ್ರಮದಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಗರಿಷ್ಠ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಸಂಭವಿಸುವ ತಾಪಮಾನವು ಆರಂಭಿಕ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಆದರೆ, ಎರಡನೇ ಕ್ರಮಾಂಕದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಲ್ಲಿ, ಹೆಚ್ಚಿದ ಆರಂಭಿಕ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯೊಂದಿಗೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಗರಿಷ್ಠ ದರದ ತಾಪಮಾನವು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಏಕೆಂದರೆ ಎರಡನೇ ಕ್ರಮವು ಮರು-ಸಂಯೋಜಕ ನಿರ್ಜಲೀಕರಣವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಆರಂಭಿಕ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯೊಂದಿಗೆ ಎರಡು ಕಣಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಕಂಡುಕೊಳ್ಳುವ ಮತ್ತು ನಿರ್ಜಲೀಕರಣ ಉತ್ಪನ್ನಕ್ಕೆ ಮರುಸಂಯೋಜಿಸುವ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಭವನೀಯತೆ ಇದೆ. ಎರಡನೇ ಕ್ರಮಾಂಕದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಗೆ ಒಂದು ಉದಾಹರಣೆಯೆಂದರೆ, ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಎರಡು ಹೈಡ್ರೋಜನ್ ಪರಮಾಣುಗಳು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಅನಿಲ ಅಣುವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ದಪ್ಪ ಆಣ್ವಿಕ ಪದರಗಳ ಮೇಲೆ ಸಂಭವಿಸುವ ಶೂನ್ಯ ಕ್ರಮದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯೂ ಇದೆ, ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಪ್ರಮಾಣವು ಕಣಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ಶೂನ್ಯ ಕ್ರಮದ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ಎಲ್ಲಾ ಅಣುಗಳು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲ್ಪಟ್ಟ ನಂತರ ಹಠಾತ್ ಕುಸಿತವಾಗುವವರೆಗೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ತಾಪಮಾನದೊಂದಿಗೆ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಲೇ ಇರುತ್ತದೆ. ಒಂದು ವಿಶಿಷ್ಟವಾದ ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಪ್ರಯೋಗದಲ್ಲಿ, ಮಾದರಿಯು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಬಿಸಿಯಾಗುತ್ತಿರುತ್ತದೆ ಎಂದು ಆಗಾಗ್ಗೆ ಭಾವಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಆದ್ದರಿಂದ ತಾಪಮಾನವು ಸಮಯದೊಂದಿಗೆ ರೇಖೀಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ತಾಪನದ ದರವನ್ನು ಹೀಗೆ ಪ್ರತಿನಿಧಿಸಬಹುದು ಆದ್ದರಿಂದ, ತಾಪಮಾನವನ್ನು ಹೀಗೆ ಪ್ರತಿನಿಧಿಸಬಹುದುಃ ಆರಂಭಿಕ ಸಮಯ ಎಲ್ಲಿದೆ ಮತ್ತು ಆರಂಭಿಕ ತಾಪಮಾನ ಎಲ್ಲಿದೆ. "ನಿರ್ಜಲೀಕರಣ ತಾಪಮಾನ" ದಲ್ಲಿ, ಅಣುಗಳು ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ತಪ್ಪಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಸಾಕಷ್ಟು ಉಷ್ಣ ಶಕ್ತಿಯಿರುತ್ತದೆ. ಲೋಹದ ಬಂಧಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಲು ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಒಂದು ತಂತ್ರವಾಗಿ ಬಳಸಬಹುದು. ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಹಲವಾರು ವಿಭಿನ್ನ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳಿವೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ರೇಡ್ಹೆಡ್ನ ಗರಿಷ್ಠ ಗರಿಷ್ಠ ವಿಧಾನವು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಪ್ರಯೋಗಗಳಲ್ಲಿ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ನಿರ್ಧರಿಸುವ ವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ. ಮೊದಲ ಕ್ರಮಾಂಕದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಗೆ, ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಪ್ರಮಾಣವು ಗರಿಷ್ಠವಾಗಿರುವ ತಾಪಮಾನದಿಂದ (ಟಿ. ಪಿ.) ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಅಂದಾಜು ಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ. ನಿರ್ಜಲೀಕರಣದ ದರ (ಪಾಲಿಯಾನಿ ವೈನರ್ ಸಮೀಕರಣ) ದ ಸಮೀಕರಣವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು, ಟಿ. ಪಿ. ಯನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಬಹುದು, ಮತ್ತು ರೆಡ್ಹೆಡ್, ಟಿ. ಪಿ. ಮತ್ತು ಇ ನಡುವಿನ ಸಂಬಂಧವನ್ನು ರೇಖೀಯ ಎಂದು ಅಂದಾಜು ಮಾಡಬಹುದು ಎಂದು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ದರ ಸ್ಥಿರಾಂಕ ಮತ್ತು ತಾಪನ ದರಗಳ ಅನುಪಾತವು 10-10 ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ತಾಪನದ ದರವನ್ನು ಬದಲಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಮತ್ತು ನಂತರ ವಿರುದ್ಧದ ನಕ್ಷೆಯನ್ನು ರಚಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಈ ಕೆಳಗಿನ ಸಮೀಕರಣವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಬಹುದುಃ ಈ ವಿಧಾನವು ನೇರವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ವಾಡಿಕೆಯಂತೆ ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು 30 ಪ್ರತಿಶತದ ದೋಷದೊಳಗೆ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯ ಮೌಲ್ಯವನ್ನು ನೀಡುತ್ತದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಈ ವಿಧಾನದ ಒಂದು ನ್ಯೂನತೆಯೆಂದರೆ, ಪೊಲ್ಯಾನಿ-ವಿಗ್ನರ್ ಸಮೀಕರಣದಲ್ಲಿನ ದರ ಸ್ಥಿರಾಂಕ ಮತ್ತು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯು ಮೇಲ್ಮೈ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಿಂದ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿದೆ ಎಂದು ಭಾವಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕಂಪ್ಯೂಟೇಶನಲ್ ಶಕ್ತಿಯಲ್ಲಿನ ಸುಧಾರಣೆಯಿಂದಾಗಿ, ದರ ಸ್ಥಿರ ಮತ್ತು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯ ಸ್ವಾತಂತ್ರ್ಯವನ್ನು ಊಹಿಸಿಕೊಳ್ಳದೆ ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಯನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲು ಈಗ ಹಲವಾರು ಮಾರ್ಗಗಳಿವೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, "ಸಂಪೂರ್ಣ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ" ವಿಧಾನವು ಹಲವಾರು ವಿಭಿನ್ನ ಮೇಲ್ಮೈ ವ್ಯಾಪ್ತಿಗಳಿಗೆ ಸವಕಳಿ ವಕ್ರಾಕೃತಿಗಳ ಕುಟುಂಬವನ್ನು ಬಳಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನದ ಕಾರ್ಯವಾಗಿ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ. ಮುಂದೆ, ಒಂದು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯ ನಿರ್ಜಲೀಕರಣದ ದರವನ್ನು ಪ್ರತಿ ವಕ್ರರೇಖೆಯಿಂದ ನಿರ್ಧರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು 1/ಟಿ ವಿರುದ್ಧ ನಿರ್ಜಲೀಕರಣದ ದರದ ಲಾಗರಿಥಮ್ನ ಅರ್ಹೀನಿಯಸ್ ಪ್ಲಾಟ್ ಅನ್ನು ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಆರ್ಹೇನಿಯಸ್ ಕಥಾವಸ್ತುವಿನ ಒಂದು ಉದಾಹರಣೆಯನ್ನು ಬಲಭಾಗದಲ್ಲಿರುವ ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಕಾಣಬಹುದು. ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಈ ಅರ್ಹೀನಿಯಸ್ ಕಥಾವಸ್ತುವಿನ ಇಳಿಜಾರುಗಳಿಂದ ಕಾಣಬಹುದು. ಮತ್ತೊಂದು ವಿಶ್ಲೇಷಣಾ ತಂತ್ರವು ಥರ್ಮಲ್ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಾವನ್ನು ಅನುಕರಿಸುವುದು ಮತ್ತು ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ದತ್ತಾಂಶಕ್ಕೆ ಹೋಲಿಸುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. ಈ ತಂತ್ರವು ಚಲನಶೀಲ ಮಾಂಟೆ ಕಾರ್ಲೊ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿದೆ ಮತ್ತು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪರಮಾಣುಗಳ ಜಾಲರಿಯ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳ ತಿಳುವಳಿಕೆಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಈ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಗ್ಯಾಸ್ ಹ್ಯಾಮಿಲ್ಟೋನಿಯನ್ ಮೊದಲ ತತ್ವಗಳಿಂದ ವಿವರಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಪರಮಾಣುಗಳ ಜೋಡಣೆಯನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ ಬದಲಾಗುತ್ತದೆ. ರೋಡಿಯಮ್ನಿಂದ ಆಮ್ಲಜನಕದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡಲು ಬಳಸುವ ಈ ವಿಧಾನದ ಒಂದು ಉದಾಹರಣೆಯನ್ನು ಈ ಕೆಳಗಿನ ಕಾಗದದಲ್ಲಿ ಕಾಣಬಹುದುಃ "O/Rh (111) ನ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಕ್ರಮಬದ್ಧಗೊಳಿಸಿದ ತಾಪಮಾನದ ಕೈನೆಟಿಕ್ ಮಾಂಟೆ ಕಾರ್ಲೊ ಸಿಮ್ಯುಲೇಶನ್ಸ್". ಕೆಲವು ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಣುವು ಮೇಲ್ಮೈ/ವಸ್ತುಗಳಿಗೆ ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ಬಂಧಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ, ಇದು ಬಲವಾದ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಸೀಮಿತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ. ಈ ಸಂದರ್ಭದಲ್ಲಿ, ನಿರ್ಜಲೀಕರಣಕ್ಕೆ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ, ಇದು ರಾಸಾಯನಿಕ ಬಂಧಗಳನ್ನು ಬೇರ್ಪಡಿಸುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಸಾಧಿಸುವ ಒಂದು ಮಾರ್ಗವೆಂದರೆ ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವುದು, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಣುವಿನ ಕಡಿತ ಅಥವಾ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣವಾಗುತ್ತದೆ (ಪಕ್ಷಪಾತ ಮತ್ತು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಣುಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ). ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ನ ಒಂದು ವಿಶಿಷ್ಟ ಉದಾಹರಣೆಯಲ್ಲಿ, ಚಿನ್ನದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಆಲ್ಕೈಲ್ ಥಿಯೋಲ್ಗಳ ಸ್ವಯಂ-ಜೋಡಿಸಲಾದ ಮೊನೊಲೇಯರ್ಗಳನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಋಣಾತ್ಮಕ ಪಕ್ಷಪಾತವನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವ ಮೂಲಕ ತೆಗೆದುಹಾಕಬಹುದು, ಇದರ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಸಲ್ಫರ್ ಹೆಡ್-ಗ್ರೂಪ್ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಯು ಹೀಗಿರುತ್ತದೆಃ ಇಲ್ಲಿ ಆರ್ ಒಂದು ಆಲ್ಕೈಲ್ ಸರಪಳಿಯಾಗಿದೆ (ಉದಾ. CH3), S ಎಂಬುದು ಥಿಯೋಲ್ ಗುಂಪಿನ ಗಂಧಕದ ಪರಮಾಣು, Au ಎಂಬುದು ಚಿನ್ನದ ಮೇಲ್ಮೈ ಪರಮಾಣು ಮತ್ತು e− ಎಂಬುದು ಬಾಹ್ಯ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮೂಲದಿಂದ ಸರಬರಾಜು ಮಾಡಲಾದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಗಿದೆ. ರಿಡಕ್ಟಿವ್/ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ನ ಮತ್ತೊಂದು ಅನ್ವಯವೆಂದರೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಕೆಮಿಕಲ್ ಪುನರುತ್ಪಾದನೆಯ ಮೂಲಕ ಸಕ್ರಿಯ ಇಂಗಾಲದ ವಸ್ತುವನ್ನು ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸುವುದು. ಕಣ ಭೌತಶಾಸ್ತ್ರ ಮತ್ತು ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿ (ಎಸ್ಇಎಂ) ಯಂತಹ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿರುವಂತೆ, ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿರುವ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣದ ಘಟನೆಯ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಪ್ರಚೋದಿತ ವಿಸರ್ಜನೆಯು ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ವಾತಾವರಣದ ಒತ್ತಡದಲ್ಲಿ, ಅಣುಗಳು ಮೇಲ್ಮೈಗಳಿಗೆ ದುರ್ಬಲವಾಗಿ ಬಂಧಿಸಬಹುದು, ಇದನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಅಣುಗಳು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ನಯವಾದ ಮೇಲ್ಮೈಗಾಗಿ 1015 ಪರಮಾಣುಗಳು/ಸೆಂ 2 ಸಾಂದ್ರತೆಯಲ್ಲಿ ಏಕ ಪದರಗಳನ್ನು ರಚಿಸಬಹುದು. ಅಣುಗಳ ಬಂಧದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಗಳನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿ ಒಂದು ಏಕ ಪದರ ಅಥವಾ ಹಲವಾರು ರಚನೆಯಾಗಬಹುದು. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣವು ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಂಭವಿಸಿದರೆ, ಅದು ಮೇಲ್ಮೈಯ ಬಂಧಗಳನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಮೊನೊಲೇಯರ್ (ಗಳ) ಅಣುಗಳೊಂದಿಗೆ ಮುರಿಯಲು ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಒತ್ತಡವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ. ಒಂದು ಅಣುವನ್ನು ನಿರ್ವಾತದ ಪರಿಮಾಣಕ್ಕೆ ಹೀರಿಕೊಂಡ ನಂತರ, ಅದನ್ನು ನಿರ್ವಾತದ ಪಂಪಿಂಗ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದ ಮೂಲಕ ತೆಗೆದುಹಾಕಲಾಗುತ್ತದೆ (ಮರು-ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ನಗಣ್ಯವಾಗಿದೆ). ಆದ್ದರಿಂದ, ನಿರ್ಜಲೀಕರಣಕ್ಕೆ ಕಡಿಮೆ ಅಣುಗಳು ಲಭ್ಯವಿವೆ ಮತ್ತು ನಿರಂತರ ನಿರ್ಜಲೀಕರಣವನ್ನು ಕಾಪಾಡಿಕೊಳ್ಳಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸ್ಟಿಮ್ಯುಲೇಟೆಡ್ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ನ ಪ್ರಮುಖ ಮಾದರಿಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದನ್ನು ಪೀಟರ್ ಆಂಟೊನಿವಿಕ್ಜ್ ವಿವರಿಸಿದ್ದಾರೆ. ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ಅವರ ಸಿದ್ಧಾಂತವೆಂದರೆ ಆಡ್ಸೋರ್ಬೇಟ್ ಆಪಾದಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳಿಂದ ಅಯಾನೀಕರಿಸಲ್ಪಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಅಯಾನು ಮೇಲ್ಮೈ ಕಡೆಗೆ ಆಕರ್ಷಿಸುವ ಇಮೇಜ್ ಚಾರ್ಜ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಅನುಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಅಯಾನು ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಹತ್ತಿರವಾಗುತ್ತಿದ್ದಂತೆ, ತಲಾಧಾರದಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸುರಂಗದ ಸಾಧ್ಯತೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೂಲಕ ಅಯಾನು ತಟಸ್ಥೀಕರಣವು ಸಂಭವಿಸಬಹುದು. ತಟಸ್ಥಗೊಂಡ ಅಯಾನು ಇನ್ನೂ ಮೊದಲಿನಿಂದಲೂ ಚಲನ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಮತ್ತು ಈ ಶಕ್ತಿಯು ಮತ್ತು ಪಡೆದ ಸಂಭಾವ್ಯ ಶಕ್ತಿಯು ಬಂಧಿಸುವ ಶಕ್ತಿಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿದ್ದರೆ, ಅಯಾನು ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಹೊರಬರಬಹುದು. ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ಅಯಾನೀಕರಣದ ಅಗತ್ಯವಿರುವುದರಿಂದ, ಪರಮಾಣು ಕಡಿಮೆ ಪ್ರಚೋದನೆಯ ಶಕ್ತಿಗಳಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ ಎಂದು ಇದು ಸೂಚಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಿಮ್ಯುಲೇಟೆಡ್ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ನ ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ದತ್ತಾಂಶವನ್ನು ಒಪ್ಪುತ್ತದೆ. ಲಾರ್ಜ್ ಹ್ಯಾಡ್ರಾನ್ ಕೊಲೈಡರ್ನಂತಹ ವೇಗವರ್ಧಕಗಳಿಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ರಚೋದಿತ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳುವುದು ನಿರ್ಣಾಯಕವಾಗಿದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಮೇಲ್ಮೈಗಳು ಶಕ್ತಿಯುತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ತೀವ್ರವಾದ ಬಾಂಬ್ ದಾಳಿಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ. ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ಕಿರಣದ ನಿರ್ವಾತ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ ಅನಿಲಗಳ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ದ್ವಿತೀಯಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಇಳುವರಿಯನ್ನು ಮಾರ್ಪಡಿಸುವ ಮೂಲಕ ವೇಗವರ್ಧಕಗಳ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯ ಮೇಲೆ ಬಲವಾಗಿ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತದೆ. ಐಆರ್ ಫೋಟೊಡೆಸರ್ಪ್ಷನ್ ಎನ್ನುವುದು ಒಂದು ರೀತಿಯ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ ಆಗಿದ್ದು, ಇದು ಅತಿಗೆಂಪು ಬೆಳಕು ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಅಪ್ಪಳಿಸಿದಾಗ ಮತ್ತು ಹಿಂದೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಅಣುಗಳ ಆಂತರಿಕ ಕಂಪನ ವಿಧಾನದ ಪ್ರಚೋದನೆಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳನ್ನು ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸಿದಾಗ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಜಾತಿಗಳನ್ನು ಅನಿಲ ಹಂತಕ್ಕೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಆಯ್ದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳನ್ನು ಅಥವಾ ಅಧಿಶೋಷಕ ಅಥವಾ ಅಧಿಶೋಷಕ-ತಲಾಧಾರ ಜೋಡಿ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಕಂಪನಗಳನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸಬಹುದು. ಘಟನೆಯ ಬೆಳಕಿನಿಂದ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗೆ ಸಾಕಷ್ಟು ಶಕ್ತಿಯ ವಿನಿಮಯದೊಂದಿಗೆ ಬಂಧಗಳ ಈ ಸಡಿಲಿಕೆಯು ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ, ಈ ವಿದ್ಯಮಾನವು ದುರ್ಬಲ-ಬದ್ಧ ಭೌತ-ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪ್ರಭೇದಗಳಿಗೆ ಹೆಚ್ಚು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿದೆ, ಇದು ರಾಸಾಯನಿಕ-ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪ್ರಭೇದಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ ಕಡಿಮೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಆಳವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ವಾಸ್ತವವಾಗಿ, ಆಳವಾದ ಸಾಮರ್ಥ್ಯಕ್ಕೆ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಅಣುಗಳನ್ನು ಮುಕ್ತಗೊಳಿಸಲು ಮತ್ತು ಐಆರ್-ಫೋಟೊಡೆಸರ್ಪ್ಶನ್ ಪ್ರಯೋಗಗಳನ್ನು ಕಾರ್ಯಸಾಧ್ಯವಾಗಿಸಲು ಕಡಿಮೆ ಲೇಸರ್ ತೀವ್ರತೆಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಅಳತೆ ಮಾಡಿದ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಶನ್ ಸಮಯಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸಮಸ್ಯೆಯಲ್ಲಿನ ಇತರ ವಿಶ್ರಾಂತಿ ದರಗಳ ವಿಲೋಮಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತವೆ. 2005ರಲ್ಲಿ, ಜಾನ್ ವೀವರ್ ಮತ್ತು ಇತರರು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ವಿಧಾನವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದರು. ಇದು ಉಷ್ಣ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ರಚೋದಿತ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಅಂಶಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಬಾಹ್ಯ ಪ್ರಚೋದನೆಯಿಲ್ಲದೆ ಮುಚ್ಚಿದ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯು ಸಂಭವಿಸಬಹುದಾದ್ದರಿಂದ ಈ ವಿಧಾನವು ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಆಸಕ್ತಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸ್ಕ್ಯಾನಿಂಗ್ ಟನಲಿಂಗ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಕವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಸಿಲಿಕೋನ್ನಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಬ್ರೋಮಿನ್ ಅನ್ನು ತನಿಖೆ ಮಾಡುವಾಗ ಈ ವಿಧಾನವನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿಯಲಾಯಿತು. ಪ್ರಯೋಗದಲ್ಲಿ, ಸಿ-ಬಿಆರ್ ವೇಫರ್ಗಳನ್ನು 620 ರಿಂದ 775 ಕೆ ವರೆಗಿನ ತಾಪಮಾನಕ್ಕೆ ಬಿಸಿಮಾಡಲಾಯಿತು. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಆರ್ಹೇನಿಯಸ್ ಪ್ಲಾಟ್ಗಳಿಂದ ಲೆಕ್ಕಹಾಕಲಾದ ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಗಳು ಸಿ-ಬಿಆರ್ ಬಂಧದ ಶಕ್ತಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿರುವುದು ಕಂಡುಬಂದ ಕಾರಣ ಇದು ಸರಳವಾದ ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಬಂಧದ ಒಡೆಯುವಿಕೆಯಾಗಿರಲಿಲ್ಲ. ಬದಲಾಗಿ, ಸಿಲಿಕಾನ್ನ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಫೋನಾನ್ಗಳು ಕಂಪನಗಳ ಮೂಲಕ ಮೇಲ್ಮೈ ಬಂಧವನ್ನು ದುರ್ಬಲಗೊಳಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ಆಂಟಿಬಾಂಡಿಂಗ್ ಸ್ಥಿತಿಗೆ ಪ್ರಚೋದಿಸಲು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗೆ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತವೆ. ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ ಒಂದು ಭೌತಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಾಗಿದ್ದು ಅದು ಹಲವಾರು ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳಿಗೆ ಬಹಳ ಉಪಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಈ ವಿಭಾಗದಲ್ಲಿ ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಎರಡು ಅನ್ವಯಗಳನ್ನು ವಿವರಿಸಲಾಗಿದೆ. ಅವುಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದು ವಾಸ್ತವವಾಗಿ ಶಾಖದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ತಂತ್ರವಾಗಿದೆ, ಒಂದು ಅನ್ವಯಿಕಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ತಾಪಮಾನದ ಯೋಜಿತ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯಾಗಿದೆ, ಆದರೆ ಇದು ಸಾಕಷ್ಟು ಪ್ರಮುಖ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಇನ್ನೊಂದು ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವ ಉದ್ದೇಶದಿಂದ ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಅನ್ವಯವಾಗಿದೆ. ಟೆಂಪರೇಚರ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ಡ್ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ (ಟಿಪಿಡಿ) ಟೆಂಪರೇಚರ್ ಪ್ರೋಗ್ರಾಮ್ಡ್ ಡಿಸಾರ್ಪ್ಷನ್ (ಟಿಪಿಡಿ) ವಸ್ತು ಸಂಶೋಧನಾ ವಿಜ್ಞಾನಕ್ಕೆ ಲಭ್ಯವಿರುವ ಅತ್ಯಂತ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಮೇಲ್ಮೈ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆ ತಂತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಒಂದಾಗಿದೆ. ಇದು ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂಯುಕ್ತಗಳು ಮತ್ತು ಅಂಶಗಳ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ದರಗಳು ಮತ್ತು ಬಂಧಿಸುವ ಶಕ್ತಿಗಳನ್ನು ತಿಳಿದುಕೊಳ್ಳುವುದು, ವೇಗವರ್ಧಕ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ಮೇಲೆ ಸಕ್ರಿಯ ತಾಣಗಳ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮತ್ತು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ, ಮೇಲ್ಮೈ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ, ವಸ್ತು ಸಂಯೋಜನೆಗಳನ್ನು ವಿಶ್ಲೇಷಿಸುವುದು, ಮೇಲ್ಮೈ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆಗಳು ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಂತೆ ವೇಗವರ್ಧಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳ ತಿಳುವಳಿಕೆಯಂತಹ ಹಲವಾರು ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ಪಾಲಿಮರ್ಗಳು, ಔಷಧೀಯ ವಸ್ತುಗಳು, ಜೇಡಿಮಣ್ಣು ಮತ್ತು ಖನಿಜಗಳು, ಆಹಾರ ಪ್ಯಾಕೇಜಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಲೋಹಗಳು ಮತ್ತು ಮಿಶ್ರಲೋಹಗಳಂತಹ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಗುಣಮಟ್ಟದ ನಿಯಂತ್ರಣ ಮತ್ತು ಕೈಗಾರಿಕಾ ಸಂಶೋಧನೆ ಸೇರಿದಂತೆ ಅನೇಕ ಕೈಗಾರಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ಟಿಪಿಡಿ ಹೆಚ್ಚು ಮಹತ್ವದ್ದಾಗಿದೆ. ಈ ಹಿಂದೆ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲ್ಪಟ್ಟ ಉತ್ಪನ್ನಗಳ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಪ್ರಮಾಣವನ್ನು ತಿಳಿಯುವ ಉದ್ದೇಶದಿಂದ ಟಿಪಿಡಿಯನ್ನು ಬಳಸಿದಾಗ, ಅದು ನಿಯಂತ್ರಿತ ದರದಲ್ಲಿ ಅನಿಲ ಅಥವಾ ಅನಿಲಗಳ ಮಿಶ್ರಣವನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ತಂಪಾದ ಸ್ಫಟಿಕದ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಬಿಸಿ ಮಾಡುವುದನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. ನಂತರ, ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಪದಾರ್ಥಗಳು ಬಿಸಿಯಾದಾಗ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸುತ್ತವೆ ಮತ್ತು ನಂತರ ಅವು ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಟಿಪಿಡಿಯನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸುವ ಫಲಿತಾಂಶಗಳು ಮೇಲ್ಮೈಯ ತಾಪಮಾನದ ಕಾರ್ಯವಾಗಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲ್ಪಟ್ಟ ಪ್ರತಿಯೊಂದು ಉತ್ಪನ್ನ ಪ್ರಭೇದಗಳ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಪ್ರಮಾಣಗಳಾಗಿವೆ, ಇದನ್ನು ಉತ್ಪನ್ನದ ಟಿಪಿಡಿ ವರ್ಣಪಟಲ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅಲ್ಲದೆ, ಪ್ರತಿಯೊಂದು ಮೇಲ್ಮೈ ಸಂಯುಕ್ತಗಳನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ತಾಪಮಾನವು ತಿಳಿದಿರುವಂತೆ, ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲ್ಪಟ್ಟ ಸಂಯುಕ್ತವನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈಗೆ ಸುತ್ತುವರಿದ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು, ಸಕ್ರಿಯಗೊಳಿಸುವ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ಲೆಕ್ಕಹಾಕಲು ಸಾಧ್ಯವಿದೆ. ಮಾಲಿನ್ಯವನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲು ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು, ನಿರ್ದಿಷ್ಟವಾಗಿ ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು, ಪರಿಸರ ಪರಿಹಾರ ತಂತ್ರವಾಗಿ ಅನ್ವಯಿಸಬಹುದು. ಈ ಭೌತಿಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ಘನ ಮ್ಯಾಟ್ರಿಕ್ಸ್ನಿಂದ 90 ರಿಂದ 560 ಡಿಗ್ರಿ ಸೆಲ್ಸಿಯಸ್ ವರೆಗಿನ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ. ಕಲುಷಿತ ಮಾಧ್ಯಮವನ್ನು ನೀರು ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ಆವಿಯಾಗಿಸಲು ಬಿಸಿಮಾಡಲಾಗುತ್ತದೆ, ನಂತರ ಅನಿಲ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿ ಸಂಸ್ಕರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ತೆಗೆದುಹಾಕಿದ ನಂತರ, ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ಸಂಗ್ರಹಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ಉಷ್ಣವಾಗಿ ನಾಶಪಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಅವುಗಳನ್ನು ವಾಹಕ ಅನಿಲ ಅಥವಾ ನಿರ್ವಾತವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಕಡಿಮೆ ವಿಷಕಾರಿ ಸಂಯುಕ್ತಗಳಾಗಿ ತೆಗೆದುಹಾಕಲು/ಪರಿವರ್ತಿಸಲು ಆವಿ ಸಂಸ್ಕರಣಾ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗೆ ಸಾಗಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉಷ್ಣದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳು ಕಡಿಮೆ ವಿನ್ಯಾಸದ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ, ಇದು ಸಾವಯವ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳ ಸಾಕಷ್ಟು ಬಾಷ್ಪೀಕರಣವನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಸಾಕಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ. ತಾಪಮಾನಗಳು ಮತ್ತು ವಾಸದ ಸಮಯಗಳನ್ನು ಆಯ್ದ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ಆವಿಯಾಗಿಸಲು ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಲಾಗಿದೆ ಆದರೆ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಅವುಗಳನ್ನು ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ಹೆಚ್ಚಿನ ನೇರ ತ್ಯಾಜ್ಯ ಸಮಾಧಿ ಇರುವ ಸ್ಥಳಗಳಲ್ಲಿ ಇದು ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸೈಟ್ನ ಮುಂದುವರಿದ ಬಳಕೆ ಅಥವಾ ಪುನರಾಭಿವೃದ್ಧಿಗೆ ಅವಕಾಶ ನೀಡಲು ಕಡಿಮೆ ಸಮಯದ ಚೌಕಟ್ಟು ಅಗತ್ಯವಾಗಿದೆ. ಆಡ್ಸರ್ಪ್ಷನ್ ಡೆಸಾರ್ಪ್ಟಿವ್ ಕೆಪಾಸಿಟಿ ಸೋರ್ಪ್ಶನ್ ಐಸೊಥರ್ಮ್ ಕೆಮಿಸರ್ಪ್ಷನ್ ಗಿಬ್ಸ್ ಐಸೊಥರ್ಮ್ ತೇವಾಂಶ ಸೋರ್ಪ್ಶನ್ ಐಸೊಥರ್ಮ್ ಲ್ಯಾಂಗ್ಮುಯಿರ್ ಸಮೀಕರಣ ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ಮೇಲ್ಮೈ ವಿಜ್ಞಾನ ವೀಡಿಯೊ ತುಣುಕುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಲೇಖನಗಳು