Reductive elimination
ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಎಂಬುದು ಆರ್ಗನೋಮೆಟಾಲಿಕ್ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರದಲ್ಲಿ ಒಂದು ಪ್ರಾಥಮಿಕ ಹಂತವಾಗಿದೆ, ಇದರಲ್ಲಿ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರದ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಸ್ಥಿತಿಯು ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಎರಡು ಲಿಗಂಡ್ಗಳ ನಡುವೆ ಹೊಸ ಕೋವೆಲೆಂಟ್ ಬಂಧವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಇದು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯ ಮೈಕ್ರೋಸ್ಕೋಪಿಕ್ ರಿವರ್ಸ್ ಆಗಿದೆ, ಮತ್ತು ಅನೇಕ ವೇಗವರ್ಧಕ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ಪನ್ನವನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಹಂತವಾಗಿದೆ. ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆ ಮತ್ತು ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗಳು ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ಎರಡೂ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳಿಗೆ ಒಂದೇ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಅನ್ವಯಿಸುತ್ತವೆ, ಮತ್ತು ಉತ್ಪನ್ನದ ಸಮತೋಲನವು ಎರಡೂ ದಿಕ್ಕುಗಳ ಉಷ್ಣಬಲವಿಜ್ಞಾನವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ. ಸಾಮಾನ್ಯ ಮಾಹಿತಿಯ ಪ್ರಕಾರ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿ ತಗ್ಗಿಸುವ ಹೊರಹಾಕುವಿಕೆಯು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಕಂಡುಬರುತ್ತದೆ, ಮತ್ತು ಒಂದೇ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರದಲ್ಲಿ ಎರಡು-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು (ಏಕ-ಪರಮಾಣು) ಅಥವಾ ಎರಡು ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಯೊಂದರಲ್ಲೂ ಒಂದು-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು (ದ್ವಿ-ಪರಮಾಣು, ದ್ವಿ-ಪರಮಾಣು ಅಥವಾ ದ್ವಿ-ಲೋಹ) ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ. ಮೊನೊನ್ಯೂಕ್ಲಿಯರ್ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗಾಗಿ, ಲೋಹದ ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಸ್ಥಿತಿಯು ಎರಡರಿಂದ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಲೋಹದ ಡಿ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಎಣಿಕೆ ಎರಡರಿಂದ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಮಾರ್ಗವು ಡಿ8 ಲೋಹಗಳಾದ Ni (II), Pd (II), ಮತ್ತು Au (III) ಮತ್ತು d6 ಲೋಹಗಳಾದ Pt (IV), Pd (IV), IR (III), ಮತ್ತು Rh (III) ಗಳಿಗೆ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿದೆ. ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ಮೊನೊನ್ಯೂಕ್ಲಿಯರ್ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗೆ ತೆಗೆದುಹಾಕಲಾಗುವ ಗುಂಪುಗಳು ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರದಲ್ಲಿ ಒಂದಕ್ಕೊಂದು ಸಿಸ್ ಆಗಿರಬೇಕು. ಬೈನ್ಯೂಕ್ಲಿಯರ್ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗಾಗಿ, ಪ್ರತಿ ಲೋಹದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಯು ಒಂದರಿಂದ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಪ್ರತಿ ಲೋಹದ ಡಿ-ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಎಣಿಕೆ ಒಂದರಿಂದ ಹೆಚ್ಚಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ರೀತಿಯ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಾತ್ಮಕತೆಯು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೊದಲ ಸಾಲಿನ ಲೋಹಗಳಲ್ಲಿ ಕಂಡುಬರುತ್ತದೆ, ಇದು ಉತ್ಕರ್ಷಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಒಂದು-ಘಟಕದ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನು ಬಯಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ಎರಡನೇ ಮತ್ತು ಮೂರನೇ ಸಾಲಿನ ಲೋಹಗಳೆರಡರಲ್ಲೂ ಕಂಡುಬರುತ್ತದೆ. ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಸೇರ್ಪಡೆಯಂತೆ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಮೂಲಕ ಹಲವಾರು ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ಸಾಧ್ಯ. ಪ್ರಮುಖ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ಒಂದು ಸಂಯೋಜಿತ ಮಾರ್ಗವಾಗಿದೆ, ಅಂದರೆ ಇದು ಸ್ಟೀರಿಯೋಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿಯನ್ನು ಉಳಿಸಿಕೊಳ್ಳುವ ಧ್ರುವೀಯವಲ್ಲದ, ಮೂರು-ಕೇಂದ್ರಿತ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಸ್ಥಿತಿಯಾಗಿದೆ. ಇದರ ಜೊತೆಗೆ, ಸ್ಟೀರಿಯೋಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿಯ ವಿಲೋಮದೊಂದಿಗೆ ಮುಂದುವರಿಯುವ ಎಸ್. ಎನ್. 2 ಕಾರ್ಯವಿಧಾನ, ಅಥವಾ ಸ್ಟೀರಿಯೋಕೆಮಿಸ್ಟ್ರಿಯನ್ನು ನಾಶಪಡಿಸುವುದರೊಂದಿಗೆ ಮುಂದುವರಿಯುವ ಆಮೂಲಾಗ್ರ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗೆ ಇತರ ಸಂಭಾವ್ಯ ಮಾರ್ಗಗಳಾಗಿವೆ. ಆಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳು ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ದರವು ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣದ ಜ್ಯಾಮಿತಿಯಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರಭಾವಿತವಾಗಿದೆ. ಆಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಲ್ಲಿ, ಸಮನ್ವಯಾತ್ಮಕವಾಗಿ ಸ್ಯಾಚುರೇಟೆಡ್ ಕೇಂದ್ರದಿಂದ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಬಹಳ ನಿಧಾನವಾಗಿರಬಹುದು, ಮತ್ತು ಆಗಾಗ್ಗೆ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಡಿಸೋಸಿಯೇಟಿವ್ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದ ಮೂಲಕ ಮಾತ್ರ ಮುಂದುವರಿಯುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ ಲಿಗಂಡ್ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಐದು-ಸಮನ್ವಯ ಸಂಕೀರ್ಣವನ್ನು ಮಾಡಲು ಬೇರ್ಪಡಬೇಕು. ಈ ಸಂಕೀರ್ಣವು ವೈ-ರೀತಿಯ ವಿರೂಪಗೊಂಡ ತ್ರಿಕೋನ ಬೈಪಿರಮೈಡಲ್ ರಚನೆಯನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಅಲ್ಲಿ π-ಡೋನರ್ ಲಿಗಂಡ್ ತಳದ ಸ್ಥಾನದಲ್ಲಿದೆ ಮತ್ತು ತೆಗೆದುಹಾಕಬೇಕಾದ ಎರಡು ಗುಂಪುಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಬಹಳ ಹತ್ತಿರಕ್ಕೆ ತರಲಾಗುತ್ತದೆ. ತೆಗೆದುಹಾಕಿದ ನಂತರ, ಟಿ-ಆಕಾರದ ಮೂರು-ಸಮನ್ವಯ ಸಂಕೀರ್ಣವು ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತದೆ, ಇದು ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್ನೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಿ ಚೌಕಾಕಾರದ ಸಮತಟ್ಟಾದ ನಾಲ್ಕು-ಸಮನ್ವಯ ಸಂಕೀರ್ಣವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತದೆ. ಸ್ಕ್ವೇರ್ ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಕಾಂಪ್ಲೆಕ್ಸ್ಗಳು ಸ್ಕ್ವೇರ್ ಪ್ಲ್ಯಾನರ್ ಕಾಂಪ್ಲೆಕ್ಸ್ಗಳ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ವಿವಿಧ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳ ಮೂಲಕ ಪ್ರಗತಿ ಹೊಂದಬಹುದುಃ ಡಿಸೋಸಿಯೇಟಿವ್, ನಾನ್ಡಿಸೋಸಿಯೇಟಿವ್ ಮತ್ತು ಅಸೋಸಿಯೇಟಿವ್. ಆಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಂತೆಯೇ, ಚೌಕಾಕಾರದ ಸಮತಲೀಯ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗೆ ಪ್ರತ್ಯೇಕಿಸುವ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನವು ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್ನ ನಷ್ಟದೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ, ಇದು ಮೂರು-ಸಮನ್ವಯ ಮಧ್ಯಂತರವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಒಂದು-ಸಮನ್ವಯ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತದೆ. ನಾನ್ಡಿಸೋಸಿಯೇಟಿವ್ ಮಾರ್ಗಕ್ಕಾಗಿ, ಎರಡು-ಕೋಆರ್ಡಿನೇಟ್ ಸಂಕೀರ್ಣವನ್ನು ಪಡೆಯಲು ನಾಲ್ಕು-ಕೋಆರ್ಡಿನೇಟ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಿಂದ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ತೆಗೆದುಹಾಕುವ ಲಿಗಂಡ್ಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಟ್ರಾನ್ಸ್ ಆಗಿದ್ದರೆ, ಸಂಕೀರ್ಣವು ತೆಗೆದುಹಾಕುವ ಮೊದಲು ಟ್ರಾನ್ಸ್ ಟು ಸಿಸ್ ಐಸೋಮೆರೈಸೇಶನ್ಗೆ ಒಳಗಾಗಬೇಕು. ಸಹಾಯಕ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನದಲ್ಲಿ, ಲಿಗಂಡ್ ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ನಾಲ್ಕು-ಸಮನ್ವಯ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣದೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸಬೇಕು, ಇದು ಐದು-ಸಮನ್ವಯ ಸಂಕೀರ್ಣವನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಆಕ್ಟಾಹೆಡ್ರಲ್ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗೆ ವಿಯೋಜನೆಯ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಕ್ಕೆ ಸಮಾನಾರ್ಥಕವಾದ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತದೆ. ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುವ ಅಂಶಗಳು ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ವಿವಿಧ ಅಂಶಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ, ಅವುಗಳೆಂದರೆಃ 1) ಲೋಹದ ಗುರುತು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆ; 2) ಸ್ಟೆರಿಕ್ಸ್; 3) ಭಾಗವಹಿಸುವ ಲಿಗಂಡ್ಗಳು; 4) ಸಮನ್ವಯ ಸಂಖ್ಯೆ; 5) ರೇಖಾಗಣಿತ; ಮತ್ತು 6) ಫೋಟೋಲಿಸಿಸ್/ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ. ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಮತ್ತು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಅಡಿಷನ್ಗಳು ಹಿಮ್ಮುಖ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಾಗಿರುವುದರಿಂದ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ದರವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಯಾವುದೇ ಸ್ಟೆರಿಕ್ಸ್ ಅಥವಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ಗಳು ಆಕ್ಸಿಡೇಟಿವ್ ಅಡಿಷನ್ ದರವನ್ನು ಥರ್ಮೋಡೈನಾಮಿಕಲ್ ಆಗಿ ತಡೆಯಬೇಕು. ಲೋಹದ ಗುರುತು ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮೊದಲ ಸಾಲಿನ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳು ಎರಡನೇ ಸಾಲಿನ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ, ಇದು ಮೂರನೇ ಸಾಲಿನ ಲೋಹದ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಇದು ಬಂಧದ ಬಲದಿಂದಾಗಿ, ಮೊದಲ ಸಾಲಿನ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಲ್ಲಿನ ಲೋಹ-ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್ ಬಂಧಗಳು ಮೂರನೇ ಸಾಲಿನ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಲ್ಲಿನ ಲೋಹ-ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್ ಬಂಧಗಳಿಗಿಂತ ದುರ್ಬಲವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಕಳಪೆ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್-ಸಮೃದ್ಧ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಗಳಿಗಿಂತ ವೇಗವಾಗಿ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗೆ ಒಳಗಾಗುತ್ತವೆ ಏಕೆಂದರೆ ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಲೋಹವು ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಮೇಲೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತದೆ. ಸ್ಟೆರಿಕ್ಸ್ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಹೆಚ್ಚು ಸ್ಟೆರಿಕ್ ಆಗಿ ಅಡ್ಡಿಪಡಿಸಿದ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರದಿಂದ ಹೆಚ್ಚು ವೇಗವಾಗಿ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ ಏಕೆಂದರೆ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಮೇಲೆ ಸ್ಟೆರಿಕ್ ಎನ್ಕಂಬ್ರನ್ಸ್ ಅನ್ನು ನಿವಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚುವರಿಯಾಗಿ, ವಿಶಾಲವಾದ ಲಿಗಂಡ್ ಕಡಿತ ಕೋನಗಳು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಅನ್ನು ವೇಗಗೊಳಿಸುತ್ತವೆ ಏಕೆಂದರೆ ಸ್ಟೆರಿಕ್ಸ್ ತೆಗೆದುಹಾಕುವ ಗುಂಪುಗಳನ್ನು ಒಟ್ಟಿಗೆ ಹತ್ತಿರವಾಗಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಹೆಚ್ಚು ಕಕ್ಷೀಯ ಅತಿಕ್ರಮಣಕ್ಕೆ ಅನುವು ಮಾಡಿಕೊಡುತ್ತದೆ. ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ಗಾಗಿ ಭಾಗವಹಿಸುವ ಲಿಗಂಡ್ಗಳ ಕೈನೆಟಿಕ್ಸ್ ಅನ್ನು ಊಹಿಸುವುದು ಕಷ್ಟ, ಆದರೆ ಪರಿವರ್ತನೆಯ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಕಕ್ಷೀಯ ಅತಿಕ್ರಮಣದ ಪರಿಣಾಮಗಳಿಂದಾಗಿ ಹೈಡ್ರೈಡ್ಗಳನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ವೇಗವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ನಾಲ್ಕು ಅಥವಾ ಆರು ಸಮನ್ವಯ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಗಳಿಗಿಂತ ಮೂರು ಅಥವಾ ಐದು ಸಮನ್ವಯ ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರಗಳ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗೆ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಹೆಚ್ಚು ವೇಗವಾಗಿ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಸಮ ಸಮನ್ವಯ ಸಂಖ್ಯೆ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗೆ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಬಲವಾದ ಲೋಹ-ಲಿಗ್ಯಾಂಡ್ ಆಂಟಿಬಾಂಡಿಂಗ್ ಆರ್ಬಿಟಲ್ನೊಂದಿಗೆ ಮಧ್ಯಂತರಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗುತ್ತದೆ. ಬೆಸ ಸಮನ್ವಯ ಸಂಖ್ಯೆ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಂದ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಸಂಭವಿಸಿದಾಗ, ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ ಬರುವ ಮಧ್ಯಂತರವು ಬಂಧವಿಲ್ಲದ ಆಣ್ವಿಕ ಕಕ್ಷೆಯನ್ನು ಆಕ್ರಮಿಸುತ್ತದೆ. ಜ್ಯಾಮಿತಿ ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಉತ್ಪನ್ನವನ್ನು ಹೋಲುವ ರಚನೆಗಳಿರುವ ಸಂಕೀರ್ಣಗಳಿಗೆ ವೇಗವಾಗಿ ಸಂಭವಿಸುತ್ತದೆ. ಲೋಹದ ಕೇಂದ್ರವನ್ನು ಬೆಳಕು ಅಥವಾ ಆಕ್ಸಿಡೆಂಟ್ ಮೂಲಕ ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಗೆ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಿಸುವ ಮೂಲಕ ಫೋಟೋಲಿಸಿಸ್/ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಕಡಿತವನ್ನು ಪ್ರಚೋದಿಸಬಹುದು. ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ಗಳು ಶೈಕ್ಷಣಿಕ ಮತ್ತು ಉದ್ಯಮದಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾದ ಅನ್ವಯವನ್ನು ಕಂಡುಕೊಂಡಿವೆ, ಅವುಗಳಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಂತ ಗಮನಾರ್ಹವಾದವು ಹೈಡ್ರೋಜನೀಕರಣ, ಮೊನ್ಸಾಂಟೊ ಅಸಿಟಿಕ್ ಆಸಿಡ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ, ಹೈಡ್ರೋಫಾರ್ಮೈಲೇಷನ್ ಮತ್ತು ಕ್ರಾಸ್-ಕಪ್ಲಿಂಗ್ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು. ಈ ಅನೇಕ ವೇಗವರ್ಧಕ ಚಕ್ರಗಳಲ್ಲಿ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಉತ್ಪನ್ನವನ್ನು ರೂಪಿಸುವ ಹಂತವಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ವೇಗವರ್ಧಕವನ್ನು ಪುನರುತ್ಪಾದಿಸುತ್ತದೆ; ಆದಾಗ್ಯೂ, ಹೆಕ್ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಮತ್ತು ವ್ಯಾಕರ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ರಿಡಕ್ಟಿವ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ವೇಗವರ್ಧಕ ಪುನರುತ್ಪಾದನೆಯಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ಒಳಗೊಂಡಿರುತ್ತದೆ, ಏಕೆಂದರೆ ಈ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳಲ್ಲಿನ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು β-ಹೈಡ್ರೈಡ್ ಎಲಿಮಿನೇಷನ್ ಮೂಲಕ ರೂಪುಗೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಉಲ್ಲೇಖಗಳು ರಾಸಾಯನಿಕ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆಗಳು ಸಮನ್ವಯ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರ ಆರ್ಗನೋಮೆಟಾಲಿಕ್ ರಸಾಯನಶಾಸ್ತ್ರ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು ರೆಡಾಕ್ಸ್